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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第555页 > BC847W
BC847 / BC547系列
45 V , 100毫安NPN通用晶体管
牧师07 - 2008年12月10日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
通用NPN晶体管在小塑料封装。
表1中。
产品概述
恩智浦
BC847
BC847A
BC847B
BC847B/DG
BC847C
BC847W
BC847AW
BC847BW
BC847BW/DG
BC847CW
BC847T
BC847AT
BC847AT/DG
BC847BT
BC847CT
BC847AM
BC847BM
BC847CM
BC547
[2]
BC547B
[2]
BC547C
[2]
[1]
[2]
/ DG:不含卤素的
此外,在SOT54A和SOT54变种封装(见
第2节) 。
类型编号
[1]
PNP补充
JEITA
-
JEDEC
TO-236AB
BC857
BC857A
BC857B
-
BC857C
SOT23
SOT323
SC-70
-
BC857W
BC857AW
BC857BW
-
BC857CW
SOT416
SC-75
-
BC857T
BC857AT
-
BC857BT
BC857CT
SOT883
SC-101
-
BC857AM
BC857BM
BC857CM
SOT54
SC-43A
TO-92
BC557
[2]
BC557B
[2]
BC557C
[2]
恩智浦半导体
BC847 / BC547系列
45 V , 100毫安NPN通用晶体管
1.2产品特点
I
低电流
I
低电压
I
三种不同的增益选择
1.3应用
I
通用开关和放大器阳离子
1.4快速参考数据
表2中。
符号
V
首席执行官
I
C
h
FE
快速参考数据
参数
集电极 - 发射极电压
集电极电流
直流电流增益
h
FE
A组
h
FE
B组
h
FE
C组
V
CE
= 5 V ;我
C
= 2毫安
条件
开基
-
-
110
110
200
420
典型值
-
-
-
180
290
520
最大
45
100
800
220
450
800
单位
V
mA
2.管脚信息
表3中。
1
2
3
钉扎
描述
BASE
辐射源
集热器
1
2
006aaa144
简化的轮廓
图形符号
SOT23 , SOT323 , SOT416
3
1
2
sym021
3
SOT883
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
1
3
2
透明
顶视图
1
2
sym021
3
BC847_BC547_SER_7
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师07 - 2008年12月10日
2 15
恩智浦半导体
BC847 / BC547系列
45 V , 100毫安NPN通用晶体管
钉扎
- 续
描述
辐射源
BASE
集热器
1
2
3
001aab347
表3中。
SOT54
1
2
3
简化的轮廓
图形符号
3
2
1
sym026
SOT54A
1
2
3
辐射源
BASE
集热器
1
2
3
001aab348
3
2
1
sym026
SOT54变种
1
2
3
辐射源
BASE
集热器
1
2
3
001aab447
3
2
1
sym026
3.订购信息
表4 。
订购信息
名字
BC847
BC847A
BC847B
BC847B/DG
BC847C
BC847W
BC847AW
BC847BW
BC847BW/DG
BC847CW
SC-70
塑料表面贴装封装; 3引线
SOT323
-
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
VERSION
SOT23
类型编号
[1]
BC847_BC547_SER_7
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师07 - 2008年12月10日
3 15
恩智浦半导体
BC847 / BC547系列
45 V , 100毫安NPN通用晶体管
订购信息
- 续
名字
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
VERSION
SOT416
SC-75
表4 。
类型编号
[1]
BC847T
BC847AT
BC847AT/DG
BC847BT
BC847CT
BC847AM
BC847BM
BC847CM
BC547
[2]
BC547B
[2]
BC547C
[2]
[1]
[2]
SC-101
无铅超小型塑料封装; 3焊区;
机身1.0
×
0.6
×
0.5 mm
SOT883
SC-43A
塑料单端含铅(通孔)包;
3 LEADS
SOT54
/ DG:不含卤素的
此外,在SOT54和SOT54变种封装(见
第2节
第9节) 。
4.标记
表5 。
BC847
BC847A
BC847B
BC847B/DG
BC847C
BC847W
BC847AW
BC847BW
BC847BW/DG
BC847CW
BC847T
[1]
[2]
/ DG:不含卤素的
* = - :香港制造
* = P :香港制造
* = T:在马来西亚
* = W :中国制造
标记代码
标识代码
[2]
1H*
1E*
1F*
* BC
1G*
1H*
1E*
1F*
G9*
1G*
1N
类型编号
[1]
BC847AT
BC847AT/DG
BC847BT
BC847CT
BC847AM
BC847BM
BC847CM
BC547
BC547B
BC547C
-
标识代码
[2]
1E
B5
1F
1G
D4
D5
D6
C547
C547B
C547C
-
类型编号
[1]
BC847_BC547_SER_7
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师07 - 2008年12月10日
4 15
恩智浦半导体
BC847 / BC547系列
45 V , 100毫安NPN通用晶体管
5.极限值
表6 。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
SOT23
SOT323
SOT416
SOT883
SOT54
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
[3]
条件
发射极开路
开基
集电极开路
单脉冲;
t
p
1毫秒
单脉冲;
t
p
1毫秒
T
AMB
25
°C
[1]
[1]
[1]
[2][3]
[1]
-
-
-
-
-
-
最大
50
45
6
100
200
100
单位
V
V
V
mA
mA
mA
-
-
-
-
-
-
65
65
250
200
150
250
500
150
+150
+150
mW
mW
mW
mW
mW
°C
°C
°C
结温
环境温度
储存温度
设备安装在一FR4印刷电路板(PCB) ,单面铜,镀锡和标准
足迹。
再溢流焊接是唯一推荐的焊接方法。
设备安装在一FR4印刷电路板60
m
铜扁线,标准的足迹。
6.热特性
表7中。
符号
R
号(j -a)的
热特性
参数
从热阻
结到环境
SOT23
SOT323
SOT416
SOT883
SOT54
[1]
[2]
[3]
条件
在自由空气
[1]
[1]
[1]
[2][3]
[1]
典型值
最大
单位
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
500
625
833
500
250
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
设备安装在一FR4 PCB ,单面铜,镀锡和标准的足迹。
再溢流焊接是唯一推荐的焊接方法。
设备安装在一FR4印刷电路板60
m
铜扁线,标准的足迹。
BC847_BC547_SER_7
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师07 - 2008年12月10日
5 15
SMD型
NPN通用晶体管
BC846W,BC847W,BC848W
晶体管
IC
特点
低电流(最大100 mA时) 。
低电压(最大65V)时。
1辐射源
2基地
3收藏家
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
结温
储存温度
工作环境温度
从结点到环境的热阻
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
R
AMB
R
日J-一
BC846W
80
65
6
BC847W
50
45
6
100
200
200
200
150
-65到+150
-65到+150
625
K / W
BC848W
30
30
5
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
www.kexin.com.cn
1
SMD型
BC846W,BC847W,BC848W
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
BC846W
BC847W,BC848W
直流电流增益
BC846AW,BC847AW
BC846BW,BC847BW
BC847CW
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE ( SAT )
I
C
= 10毫安;我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安;我
B
= 5毫安; *
基射极饱和电压
V
BE ( SAT )
I
C
= 10毫安;我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安;我
B
= 5毫安; *
基射极电压
集电极电容
跃迁频率
噪声系数
*脉冲测试: TP
300s,
0.02.
V
BE
C
C
f
T
NF
I
C
= 2毫安; V
CE
= 5 V
I
C
= 10毫安; V
CE
= 5 V
V
CB
= 10 V ;我
E
= IE = 0 ; F = 1兆赫
V
CE
= 5 V ;我
C
= 10毫安; F = 100 MHz的
I
C
= 200 μA ; V
CE
= 5 V ; R
S
= 2 KU ; F =
1千赫; B = 200赫兹
h
FE
I
C
= 2毫安; V
CE
= 5 V
符号
I
CBO
I
CBO
I
EBO
Testconditons
V
CB
= 30 V ;我
E
= 0
V
CB
= 30 V ;我
E
= 0;环境温度为150
V
EB
= 5 V ;我
C
= 0
晶体管
IC
典型值
最大
15
5
100
单位
nA
ìA
nA
110
110
110
200
420
180
290
520
90
200
700
900
580
660
450
800
220
450
800
250
600
mV
mV
mV
mV
700
770
3
mV
mV
pF
兆赫
10
dB
100
h
FE
分类
TYPE
记号
TYPE
记号
TYPE
记号
BC846W
1D
BC847W
1H
BC848W
1M
BC846AW
1A
BC847AW
1E
BC846BW
1B
BC847BW
1F
BC847CW
1G
2
www.kexin.com.cn
BC846W...BC850W
NPN硅晶体管自动对焦
对于AF输入级和驱动器应用
高电流增益
低集电极 - 发射极饱和电压
30 Hz至15 kHz的低噪音
互补类型:
BC856W , BC857W , BC858W
BC859W , BC860W ( PNP )
3
TYPE
BC846AW
BC846BW
BC847AW
BC847BW
BC847CW
BC848AW
BC848BW
BC848CW
BC849BW
BC849CW
BC850BW
BC850CW





2
1
VSO05561
记号
1As
1Bs
1Es
1Fs
1Gs
1Js
1Ks
1Ls
2Bs
2Cs
2Fs
4Gs
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
引脚配置
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
SOT323
SOT323
SOT323
SOT323
SOT323
SOT323
SOT323
SOT323
SOT323
SOT323
SOT323
SOT323
1
Dec-11-2001
BC846W...BC850W
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
DC集电极电流
峰值集电极电流
峰值电流基地
峰值发射极电流
总功耗,
T
S
= 124 °C
结温
储存温度
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
CES
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
I
EM
P
合计
T
j
T
英镑
BC846W BC847W BC848W
单位
BC850W BC849W
65
80
80
6
45
50
50
6
100
200
200
200
250
150
-65 ... 150
mW
°C
30
30
30
5
mA
mA
V
热阻
结 - 焊接点
1)
R
thjs

105
K / W
电气特性
at
T
A
= 25 ° C,除非另有规定ED 。
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安,
I
B
= 0
BC846W
BC847/850W
BC848/849W
单位
马克斯。
典型值。
V
( BR ) CEO
V
65
45
30
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10 A,
I
E
= 0
BC846W
BC847/850W
BC848/849W
V
( BR ) CBO
80
50
30
1对于计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
2
Dec-11-2001
BC846W...BC850W
电气特性
at
T
A
= 25 ° C,除非另有规定ED 。
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10 A,
V
BE
= 0
BC846W
BC847/850W
BC848/849W
单位
马克斯。
V
典型值。
V
( BR ) CES
80
50
30
V
( BR ) EBO
BC846/847W
BC848-850W
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
5
nA
A
-
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 1 A,
I
C
= 0
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 30 V,
I
E
= 0
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 30 V,
I
E
= 0 ,
T
A
= 150 °C
直流电流增益1 )
I
C
= 10 A,
V
CE
= 5 V
h
FE
-group
A
h
FE
-group
B
h
FE
-group
C
直流电流增益1 )
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V
h
FE
-group
A
h
FE
-group
B
h
FE
-group
C
集电极 - 发射极饱和电压1 )
I
C
= 10毫安,
I
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安,
I
B
= 5毫安
基极 - 发射极饱和电压1)
I
C
= 10毫安,
I
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安,
I
B
= 5毫安
基极 - 发射极电压1)
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V
I
C
= 10毫安,
V
CE
= 5 V
1 )脉冲测试:吨
≤=
300
S,D = 2 %
6
5
I
CBO
I
CBO
h
FE
-
-
-
h
FE
110
200
420
V
CESAT
-
-
V
BESAT
-
-
V
BE(上)
580
-
-
-
140
250
480
180
290
520
90
200
700
900
660
-
-
-
-
220
450
800
mV
250
600
-
-
700
770
3
Dec-11-2001
BC846W...BC850W
电气特性
at
T
A
= 25℃,除非另有规定。
参数
符号
分钟。
AC特性
跃迁频率
I
C
= 20毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 100兆赫
集电极 - 基极电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
发射极 - 基极电容
V
EB
= 0.5 V,
f
= 1兆赫
短路输入阻抗
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
f
T
C
cb
C
eb
h
11e
h
FE
-gr.A
h
FE
-gr.B
h
FE
-gr.C
h
12e
-
-
-
h
21e
-
-
-
h
22e
-
-
-
-
18
30
60
-
-
-
-
10
200
330
600
-
-
-
1.5
2
3
-
-
-
-
-
-
2.7
4.5
8.7
-
-
-
-
-
-
250
2
10
-
3
15
典型值。
马克斯。
单位
兆赫
pF
F
BC848W
噪声系数
I
C
= 200 A,
V
CE
= 5 V,
R
S
= 2
k
,
f
= 1千赫,
f
= 200
Hz
等效噪声电压
I
C
= 200 A,
V
CE
= 5 V,
R
S
= 2
k
,
f
= 10 ... 50赫兹
F
BC849W
BC850W
V
n
BC850W
-
-
-
1.2
1
-
4
4
0.135 V
4
Dec-11-2001

开路反向电压transf.ratio
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
h
FE
-gr.A
h
FE
-gr.B
h
FE
-gr.C
短路正向电流transf.ratio
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
h
FE
-gr.A
h
FE
-gr.B
h
FE
-gr.C
开路输出导纳
I
C
= 2毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 1千赫
h
FE
-gr.A
h
FE
-gr.B
h
FE
-gr.C
噪声系数
I
C
= 200 A,
V
CE
= 5 V,
R
S
= 2
k
,
BC846W
f
= 1千赫,
f
= 200
Hz
BC847W
10
-4
-
dB

S
k





BC846W...BC850W
总功耗
P
合计
=
f
(T
S
)
集电极 - 基极电容
C
CB
=
f
(V
CBO
)
发射极 - 基极电容
C
EB
=
f
(V
EBO
)
公元前846 ... 850
EHP00361
300
mW
C
CB0
(
C
EB0
)
12
pF
10
P
合计
200
8
C
EB
150
6
100
4
C
CB
50
2
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
150
0
10
-1
5
10
0
V
V
CB0
T
S
10
1
(
V
EB0
)
允许的脉冲负载
P
totmax
/
P
totDC
=
f
(t
p
)
10
3
P
TOT最大
P
TOT DC
t
p
D
=
T
t
p
T
EHP00362
跃迁频率
f
T
=
f
(I
C
)
V
CE
= 5V
10
3
兆赫
EHP00363
f
T
5
10
2
5
10
1
5
D
=
0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10
2
5
10
0
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
t
p
10
0
10
1
10
-1
5 10
0
5
10
1
mA
10
2
Ι
C
5
Dec-11-2001
BC846W…BC850W
NPN硅外延平面晶体管
用于通用和开关应用
绝对最大额定值(T
a
= 25
O
C)
参数
集电极 - 基极电压
BC846W
BC847W
BC848W
BC849W
BC850W
集电极 - 发射极电压
BC846W
BC847W
BC848W
BC849W
BC850W
发射极电压
BC846W
BC847W
BC848W
BC849W
BC850W
集电极电流
峰值集电极电流
总功耗
结温
存储温度范围
V
EBO
6
6
5
5
5
100
200
200
150
- 55至+ 150
V
V
首席执行官
65
45
30
30
45
V
V
CBO
80
50
30
30
50
V
符号
价值
单位
I
C
I
CM
P
合计
T
j
T
S
mA
mA
mW
O
C
C
O
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
(子公司
泰丰国际集团有限公司,公司
在香港联交所上市,股票代码: 724 )
日期: 21/06/2006
BC846W…BC850W
特点在T
a
= 25
O
C
参数
直流电流增益
在V
CE
= 5 V,I
C
= 2毫安
BC846AW~BC850AW
BC846BW~BC850BW
BC846CW~BC850CW
集电极 - 基极电压
在我
C
= 10 A
BC846W
BC847W
BC848W
BC849W
BC850W
集电极 - 发射极电压
在我
C
= 10毫安
BC846W
BC847W
BC848W
BC849W
BC850W
发射极电压
在我
E
= 1 A
BC846W
BC847W
BC848W
BC849W
BC850W
集电极基截止电流
在V
CB
= 30 V
发射基地截止电流
在V
EB
= 5 V
集电极 - 发射极饱和电压
在我
C
= 10 mA时,我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安,我
B
= 5毫安
基极发射极电压
在V
CE
= 5 V,I
C
= 2毫安
V
CE
= 5 V,I
C
= 10毫安
跃迁频率
在V
CE
= 5 V,I
C
= 10 mA时, F = 100 MHz的
集电极输出电容
在V
CB
= 10 V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
V
EBO
6
6
5
5
5
-
-
-
-
-
-
-
15
100
V
V
首席执行官
65
45
30
30
45
-
-
-
-
-
V
V
CBO
80
50
30
30
50
-
-
-
-
-
V
h
FE
h
FE
h
FE
110
200
420
220
450
800
-
-
-
符号
分钟。
马克斯。
单位
I
CBO
I
EBO
nA
nA
V
CE ( SAT )
-
-
0.58
-
100
-
0.25
0.6
0.7
0.77
-
4.5
V
V
BE
V
f
T
C
ob
兆赫
pF
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
(子公司
泰丰国际集团有限公司,公司
在香港联交所上市,股票代码: 724 )
日期: 21/06/2006
BC846W…BC850W
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
(子公司
泰丰国际集团有限公司,公司
在香港联交所上市,股票代码: 724 )
日期: 21/06/2006
BC846W…BC850W
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
(子公司
泰丰国际集团有限公司,公司
在香港联交所上市,股票代码: 724 )
日期: 21/06/2006
半导体
标识特定网络阳离子
BC847W
USM包装
1.标记方法
激光打标
2.标记
1
1E
记号
1
E
01
0 1
4
(D)
D
(4)
5
(E)
E
(5)
6
(F)
F
(6)
Periode (年)
52
5B
E2
EB
2006-2010-2014...
2007-2011-2015...
7
(G)
G
(7)
2
马克设备
级的hFE
*批号
描述
BC847W
A( E) , B( F) ,C ( G)
2006年第1周
[ 0 :第1个字符, 1 :第2个字符]
注)*批号标注方法
性格
安排
YEAR
1个字符
第2个字符
1
(A)
A
(1)
2
(B)
B
(2)
3
(C)
C
(3)
8
(H)
H
(8)
9
(I)
I
(9)
备注
0
(J)
J
(0)
标记(周)
01
0A
J1
JA
02
0B
J2
JB
51
5A
E1
EA
第1年( 2006年)
第二年( 2007年)
第三年(2008年)
第4年( 2009年)
旋转4年
2008-2012-2016...
2009-2013-2017...
2008. 8. 29
版本号: 1
1/1
BC846AW BC850CW
NPN通用晶体管
电压
特点
通用放大器应用
NPN硅外延,平面设计
集电极电流Ic = 100毫安
在符合欧盟RoHS指令2002/95 / EC指令
0.087(2.20)
0.070(1.80)
0.004(0.10)MIN.
0.044(1.10)
0.035(0.90)
0.087(2.20)
0.078(2.00)
30/45/65伏特
当前
150毫瓦
机械数据
案例: SOT- 323 ,塑料
终端:每MIL -STD- 750 ,方法2026焊性
约。重量:0.0001盎司, 0.005克
0.054(1.35)
0.045(1.15)
0.056(1.40)
0.047(1.20)
0.006(0.15)
0.002(0.05)
0.004(0.10)MAX.
0.016(0.40)
0.008(0.20)
器件标识:
BC846AW=46A
BC846BW=46B
BC847AW=47A
BC847BW=47B
BC848AW=48A
BC848BW=48B
BC849BW=49B
BC850BW=50B
BC847CW = 47C BC848CW = 48C
BC849CW = 49C BC850CW = 50℃
绝对额定值
参数
集电极 - 发射极电压
BC846W
BC847W , BC850W
BC848W , BC849W
BC846W
BC847W , BC850W
BC848W , BC849W
BC846W
BC847W , BC850W
BC848W , BC849W
符号
V
首席执行官
价值
65
45
30
80
50
30
6.0
6.0
5.0
100
单位
V
集电极 - 基极电压
V
CBO
V
发射极 - 基极电压
V
EBO
V
连续集电极电流 -
I
C
mA
热特性
参数
最大功率耗散(注1 )
热阻
结温
储存温度
符号
P
合计
R
θJA
R
θJC
T
J
T
英镑
价值
150
400
100
-55到150
-55到150
单位
mW
O
C / W
O
C
C
O
注1 :晶体管安装在FR- 5板1.0× 0.75× 0.062英寸
十二月17,2010 - REV.00
PAGE 。 1
BC846AW BC850CW
电气特性
霸岭我忒
B C 8 4 6仙,B W
B C 8 4 7 AW / B W / C W, B C 8 5 0 B W / C宽
B C 8 4 8 AW / B W / C W, B C 8 4 9 B W / C宽
B C 8 4 6仙,B W
B C 8 4 7 AW / B W / C W, B C 8 5 0 B W / C宽
B C 8 4 8 AW / B W / C W, B C 8 4 9 B W / C宽
B C 8 4 6仙,B W
B C 8 4 7 AW / B W / C W, B C 8 5 0 B W / C宽
B C 8 4 8 AW / B W / C W, B C 8 4 9 B W / C宽
S YM博升
德圣C 0次我TI 0:N
分钟。
65
45
30
80
50
30
6.0
6.0
5.0
-
-
典型值。
MA X 。
UNI TS
C 0 LLE C到的R - é英里TTE 重新akdo WN武LTA阁B
V
( B R )
权证 IC = 1 0 mA时, IB = 0
-
-
V
C 0 LLE C到的R - B为e B再akdo WN武LTA GE
V
( B R )
C B IC = 1 0
μA
, IE = 0
-
-
V
英里TTE的R - B A发E B再A K D 2 O WN武LTA克é
V
( B R )
E B IE = 1 0
μA
, IC = 0
-
-
V
MI TTE R-B A S式C反对派FF urre新台币
C 0 LLE C到R-B A S式C反对派FF urre新台币
C C urre NT嘎I N
公元前8 4 6 公元前8 4 8秒uffi X " AW"
公元前8 4 6 公元前8 5 0 S uffi X " B W"
公元前8 4 7 公元前8 5 0 S uffi X " W"
公元前8 4 6 公元前8 4 8秒uffi X " AW"
公元前8 4 6 公元前8 5 0 S uffi X " B W"
公元前8 4 7 公元前8 5 0 S uffi X " W"
I
E B
I
C B
V E B = 5
V C B = 3 0V , IE = 0
V C B = 3 0V , IE = 0 ,T
J
=1 5 0
O
C
IC = 1 0
μA
,V权证= 5 V
-
-
90
150
270
180
290
520
-
0 .7
0 .9
0 .6 6 0
-
-
100
15
5 .0
-
nA
nA
μA
-
h
FE
-
C C urre NT嘎I N
h
FE
IC = 2 0.0毫安,V权证= 5 V
IC = 1 0 mA时, IB = 0 0.5毫安
IC = 1 0 0毫安, IB = 5 0.0毫安
IC = 1 0 mA时, IB = 0 0.5毫安
IC = 1 0 0毫安, IB = 5 0.0毫安
IC = 2毫安, V权证= 5 0.0 V
IC = 1 0 mA时, V权证= 5 0.0 V
V C B = 1 0V , IE = 0 , F = 1 MH
11 0
200
420
-
-
0 .5 8
-
-
220
450
800
0 .2 5
0 .6
-
0 .7 0
0 .7 7
4 .5
-
C 0 LLE C到的R - é英里TTE R 5对武LTA戈图拉缇
B中的SE - é英里TTE R 5一土拉TI 0:N武LTA克é
B中的SE - é英里TTE 武LTA克é
C 0 LLE C到的R - B为E ℃的P A CI TA NCE
V
权证(S AT )
V
权证(S AT )
V
权证(S AT )
C
CBO
V
V
V
pF
十二月17,2010 - REV.00
PAGE 。 2
BC846AW BC850CW
电气特性曲线( BC846AW , BC847AW , BC848AW )
100
V
CB
=30V
300
T
J
=150 C
250
T
J
=100 C
I
CB0
,集电极电流( NA)
10
hF
E
200
150
T
J
=25 C
1
100
50
V
CE
=5V
0
25
50
75
100
125
150
结温,T
J
(
O
C)
0
0.01
0.1
1
10
100
1000
集电极电流,I
C
(MA )
图。 1.典型的我
CB0
- 结温
1200
图。 2.典型
FE
与集电极电流
1000
1000
T
J
= 25 C
800
V
CE ( SAT )
(毫伏)
,
V
BE(上)
(毫伏)
,
T
J
= 100 C
T
J
= 100 C
T
J
= 150 C
600
100
400
V
CE
=5V
200
T
J
= 150 C
T
J
= 25 C
I
C
/I
B
=20
0
0.01
0.1
1
10
100
1000
10
0.01
0.1
1
10
100
1000
集电极电流,I
C
(MA )
集电极电流,I
C
(MA )
图。 3.典型的V
BE(上)
与集电极电流
1200
图。 4.典型的V
CE ( SAT )
与集电极电流
10
T
J
= 25 C
1000
T
J
= 25 C
800
C
IB ( EB)的
V
BE ( SAT )
(毫伏)
,
T
J
= 100 C
600
电容C ( pF的
)
400
I
C
/I
B
=20
C
OB ( CB )
200
T
J
= 150 C
0
0.01
1
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
集电极电流,I
C
(MA )
反向电压( V)
图。 5.典型的V
BE ( SAT )
与集电极电流
十二月17,2010 - REV.00
图。 6.典型的电容与反向电压
PAGE 。 3
BC846AW BC850CW
电气特性曲线( BC846BW , BAC847BW , BC848BW , BC849BW , BC850BW )
100
V
CB
=30V
500
450
400
T
J
=150 C
V
CE
=5V
I
CB0
,集电极电流( NA)
10
hF
E
350
300
250
200
T
J
=100 C
T
J
=25 C
1
150
100
50
0
25
50
75
100
125
150
结温,T
J
(
O
C)
0
0.01
0.1
1
10
100
1000
集电极电流IC (MA )
图。 1.典型的我
CB0
- 结温
1200
1000
图。 2.典型
FE
与集电极电流
1000
T
J
= 25 C
T
J
= 100 C
V
CE ( SAT )
(毫伏)
,
100
T
J
= 100 C
T
J
= 150 C
800
V
BE(上)
(毫伏)
,
600
400
V
CE
=5V
T
J
= 25 C
I
C
/I
B
=20
200
T
J
= 150 C
0
0.01
0.1
1
10
100
1000
10
0.01
0.1
1
10
100
1000
集电极电流,I
C
(MA )
集电极电流,I
C
(MA )
图。 3.典型的V
BE(上)
与集电极电流
1200
图。 4.典型的V
CE ( SAT )
与集电极电流
10
1000
T
J
= 25 C
800
T
J
= 100 C
C
IB ( EB)的
T
J
= 25 C
600
电容C ( pF的
)
V
BE ( SAT )
(毫伏)
,
C
OB ( CB )
400
200
T
J
= 150 C
I
C
/I
B
=20
0
0.01
1
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
集电极电流,I
C
(MA )
反向电压( V)
图。 5.典型的V
BE ( SAT )
与集电极电流
十二月17,2010 - REV.00
图。 6 。
典型的电容与反向电压
PAGE 。 4
BC846AW BC850CW
电气特性曲线( BAC847CW , BC848CW , BC849CW , BC850CW )
100
V
CB
=30V
1200
V
CE
=5V
I
CB0
,集电极电流( NA)
1000
T
J
=150 C
10
hF
E
800
T
J
=100 C
600
T
J
=25 C
1
400
200
0
25
50
75
100
125
150
结温,T
J
(
O
C)
0
0.01
0.1
1
10
100
1000
集电极电流IC , (毫安)
图。 1.典型的我
CB0
- 结温
1200
1000
图。 2.典型
FE
与集电极电流
1000
800
T
J
= 100 C
T
J
= 25 C
V
CE ( SAT )
(毫伏)
,
T
J
= 150 C
V
BE(上)
(毫伏)
,
T
J
= 100 C
100
600
400
T
J
= 25 C
200
T
J
= 150 C
V
CE
=5V
I
C
/I
B
=20
0
0.01
0.1
1
10
100
1000
10
0.01
0.1
1
10
100
1000
集电极电流,I
C
(MA )
集电极电流,I
C
(MA )
图。 3.典型的V
BE(上)
与集电极电流
1200
图。 4.典型的V
CE ( SAT )
与集电极电流
10
1000
C
IB ( EB)的
800
T
J
= 25 C
V
BE ( SAT )
(毫伏)
,
T
J
= 100 C
600
400
I
C
/I
B
=20
T
J
= 150 C
0
0.01
电容C ( pF的
)
T
J
= 25
C
C
OB ( CB )
200
1
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
集电极电流,I
C
(MA )
反向电压( V)
图。 5.典型的V
BE ( SAT )
与集电极电流
十二月17,2010 - REV.00
图。 6 。
典型的电容与反向电压
PAGE 。五
BL
银河电子
产品规格
NPN硅外延平面晶体管
BC846W/BC847W/BC848W
特点
低电流。
低电压。
功耗(P
C
=200mW)
Pb
LEAD -FREE
应用
通用开关和放大应用。
订购信息
型号
BC846W
BC847W
BC848W
记号
1A/1B
1E/1F/1G
1Js/1Ks/1Ls
SOT-323
封装代码
SOT-323
SOT-323
SOT-323
最大额定值
除非另有规定@ TA = 25 ℃
符号
V
CBO
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
发射极 - 基极电压
参数
集电极 - 基极电压
BC846W
BC847W
BC848W
BC846W
BC847W
BC848W
BC846W,BC847W
BC848W
价值
80
50
30
65
45
30
6
5
100
200
-65~150
单位
V
V
V
EBO
I
C
P
C
T
j,
T
英镑
V
mA
mW
集电极电流 - 连续
集电极耗散
结温和存储温度
文件编号: BL / SSSTF045
Rev.A的
www.galaxycn.com
1
BL
银河电子
产品规格
NPN硅外延平面晶体管
BC846W/BC847W/BC848W
电气特性
除非另有规定@ TA = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 基极击穿
电压
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
测试条件
I
C
=100μA,I
E
=0
V
( BR ) CBO
I
C
=1mA,I
B
=0
V
( BR ) CEO
I
E
=100μA,I
C
=0
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
V
CB
=30V,I
E
=0
V
EB
=5V,I
C
=0
V
CE
=5V,I
C
=10μA
BC846AW,BC847AW
90
BC846BW , BC847BW , BC848BW 150
BC847CW,BC848CW
270
V
CE
=2V,I
C
=100mA
BC846AW,BC847AW
110
BC846BW , BC847BW , BC848BW 200
BC847CW,BC848CW
420
I
C
= 10毫安,我
B
- 0.5毫安
I
C
= 10毫安,我
B
- 0.5毫安
V
CE
=5V,I
C
=10mA,f=100MHz
V
CB
=10V,I
E
=0,f=1MHz
100
3
180
290
520
90
700
220
450
800
250
mV
V
兆赫
pF
BC846W
BC847W
BC848W
BC846W
BC847W
BC848W
BC846W
BC847W
BC848W
80
50
30
65
45
30
6
6
5
15
100
典型值
最大
单位
V
V
V
nA
nA
直流电流增益
h
FE
集电极 - 发射极饱和
电压
基射极饱和
电压
跃迁频率
集电极电容
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
C
C
文件编号: BL / SSSTF045
Rev.A的
www.galaxycn.com
2
BL
银河电子
产品规格
NPN硅外延平面晶体管
BC846W/BC847W/BC848W
包装外形
塑料表面贴装封装
SOT-323
SOT-323
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
K
1.8
1.15
0.15
0.25
1.2
0.02
2.1
最大
2.2
1.35
0.35
0.40
1.4
0.1
2.3
1.0Typical
0.1Typical
尺寸:mm
包装信息
设备
BC846W/BC847W/BC848W
SOT-323
航运
3000/Tape&Reel
文件编号: BL / SSSTF045
Rev.A的
www.galaxycn.com
3
BL
银河电子
产品规格
NPN硅外延平面晶体管
BC846W/BC847W/BC848W
特点
低电流。
低电压。
功耗(P
C
=200mW)
Pb
LEAD -FREE
应用
通用开关和放大应用。
订购信息
型号
BC846W
BC847W
BC848W
记号
1A/1B
1E/1F/1G
1Js/1Ks/1Ls
SOT-323
封装代码
SOT-323
SOT-323
SOT-323
最大额定值
除非另有规定@ TA = 25 ℃
符号
V
CBO
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
发射极 - 基极电压
参数
集电极 - 基极电压
BC846W
BC847W
BC848W
BC846W
BC847W
BC848W
BC846W,BC847W
BC848W
价值
80
50
30
65
45
30
6
5
100
200
-65~150
单位
V
V
V
EBO
I
C
P
C
T
j,
T
英镑
V
mA
mW
集电极电流 - 连续
集电极耗散
结温和存储温度
文件编号: BL / SSSTF045
Rev.A的
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1
BL
银河电子
产品规格
NPN硅外延平面晶体管
BC846W/BC847W/BC848W
电气特性
除非另有规定@ TA = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 基极击穿
电压
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
测试条件
I
C
=100μA,I
E
=0
V
( BR ) CBO
I
C
=1mA,I
B
=0
V
( BR ) CEO
I
E
=100μA,I
C
=0
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
V
CB
=30V,I
E
=0
V
EB
=5V,I
C
=0
V
CE
=5V,I
C
=10μA
BC846AW,BC847AW
90
BC846BW , BC847BW , BC848BW 150
BC847CW,BC848CW
270
V
CE
=2V,I
C
=100mA
BC846AW,BC847AW
110
BC846BW , BC847BW , BC848BW 200
BC847CW,BC848CW
420
I
C
= 10毫安,我
B
- 0.5毫安
I
C
= 10毫安,我
B
- 0.5毫安
V
CE
=5V,I
C
=10mA,f=100MHz
V
CB
=10V,I
E
=0,f=1MHz
100
3
180
290
520
90
700
220
450
800
250
mV
V
兆赫
pF
BC846W
BC847W
BC848W
BC846W
BC847W
BC848W
BC846W
BC847W
BC848W
80
50
30
65
45
30
6
6
5
15
100
典型值
最大
单位
V
V
V
nA
nA
直流电流增益
h
FE
集电极 - 发射极饱和
电压
基射极饱和
电压
跃迁频率
集电极电容
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
C
C
文件编号: BL / SSSTF045
Rev.A的
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2
BL
银河电子
产品规格
NPN硅外延平面晶体管
BC846W/BC847W/BC848W
包装外形
塑料表面贴装封装
SOT-323
SOT-323
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
K
1.8
1.15
0.15
0.25
1.2
0.02
2.1
最大
2.2
1.35
0.35
0.40
1.4
0.1
2.3
1.0Typical
0.1Typical
尺寸:mm
包装信息
设备
BC846W/BC847W/BC848W
SOT-323
航运
3000/Tape&Reel
文件编号: BL / SSSTF045
Rev.A的
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3
BL
银河电子
NPN
通用晶体管
特点
非常适合自动插入。
产品规格
BC847AT/BT/CT
Pb
LEAD -FREE
对于开关和AF放大器应用。
应用
通用的开关和放大。
SOT-523
订购信息
型号
BC846AT/BT/CT
记号
1E/1F/1G
封装代码
SOT-523
最大额定值
除非另有规定@ TA = 25 ℃
符号
V
CBO
参数
集电极 - 基极电压
价值
50
单位
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
45
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
6
V
I
C
集电极电流 - 连续
0.1
A
P
C
集电极耗散
150
mW
T
j,
T
英镑
结温和存储温度
-55~150
文件编号: BL / SSSTH001
Rev.A的
www.galaxycn.com
1
BL
银河电子
NPN
通用晶体管
产品规格
BC847AT/BT/CT
电气特性
除非另有规定@ TA = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
直流电流增益
符号测试条件
V
( BR ) CBO
I
C
=10μA,I
E
=0
V
( BR ) CEO
I
C
=10mA,I
B
=0
B
最小典型最大
50
45
6
0.1
110
200
420
220
450
800
0.25
0.6
0.7
0.9
100
4.5
10
4
单位
V
V
V
μA
V
( BR ) EBO
I
E
=1μA,I
C
=0
I
CBO
BC847AT
BC847BT
FE
BC847CT
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
V
CB
=30V,I
E
=0
V
CE
=5V,I
C
=2mA
I
C
= 10毫安,我
B
=0.5mA
I
C
= 100mA时我
B
=5mA
B
B
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
V
V
I
C
= 10毫安,我
B
=0.5mA
I
C
= 100mA时我
B
=5mA
B
B
跃迁频率
集电极输出电容
噪声系数
f
T
C
ob
NF
V
CE
=5V,
I
C
=10mA,f=100KHz
V
CE
=5V,f=1KHz
V
CE
=5V,f=1KHz
R
S
=2K,BW=200Hz
兆赫
Pf
dB
典型特征
除非另有规定@ TA = 25 ℃
文件编号: BL / SSSTH001
Rev.A的
www.galaxycn.com
2
BL
银河电子
NPN
通用晶体管
产品规格
BC847AT/BT/CT
包装外形
塑料表面贴装封装
A
C
SOT-523
SOT-523
暗淡
A
1.5
0.75
0.6
0.15
0.9
0.02
最大
1.7
0.85
0.8
0.3
1.1
0.1
K
B
B
C
D
D
G
J
G
H
H
J
K
0.1Typical
1.45
1.75
尺寸:mm
设备
BC847AT/BT/CT
信息
SOT-523
航运
3000/Tape&Reel
文件编号: BL / SSSTH001
Rev.A的
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3
分立半导体元件的迷你尺寸
二极管
整流器器
肖特基SOD- 723 / SOD- 523 / SOD- 323
TO- 252 / TO263
SOT - 23-6 / TSSOP - 8 / SOP- 8
微型MELF / MELF
SMA / SMB / SMC
开关SOT - 523 / SOT - 323 / SOT -23
桥(单相/三相)
RF(低电容) &变容二极管
SOT-323
SOT-23
的TO- 252 / TO-263 / TO-220 / TO-3P
TSSOP - 8 / SOP- 8
开关稳压器/充电器泵
的DC-DC转换器/ PWM IC
升压/降压(升压/降压)
LDO稳压器
超LDO稳压器
SOT - 323 / SOT- 363
(双N ,双P,P + N)
SOT -23 / SOT- 89
的TO- 252 / TO-263
的TO- 92 / TO-220 / TO-3P
三端双向可控硅/ SCR / RF ( 1GHz的 )
数字
SOT -23 / SOT- 23-5
SOT- 89 / TO- 92
SOT - 23-5 / SOT- 323-5
标准
SIDAC /晶闸管/ EMI滤波器
TVS / ESD阵列/压敏电阻(片)
Gastube避雷器/ 5 6针避雷器
聚合物可复位保险丝/热开关&
传感器
-----
P1
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
MOSFET
P2
P3
P4
P5
P6
P7
P8
P9~
P11
P12
P13
P14
P15
P16~
P18
调节器
晶体管
(数字)
复位IC
逻辑IC
EEPROM IC
保护
设备
----- P19
----- P20
-----
-----
-----
-----
P21
P22
P23
P24
薄膜电容器
----- P25
一流的X1 / X2安全生产许可证( 300V交流)
MPP / MPE / DMP (高电流)
MINIBOX DC膜套。 /
X + Y
combint帽。 ----- P26
灯光膜/ AC起点膜套。
类Y1 / Y2安全生产许可证
高电压( 1KV 6KV )
贴片电容&多层( MLCC )
钽电容
-----
----- P27
陶瓷帽。
包装外形尺寸
P28 ~ P34
*其他工业规格( -20
o
C / -30
o
C / - 40
o
C ~ 85
o
C )
发布日期: 2004年9月 2005年第二次编辑
晶体管
NPN
部分
or
PNP
(V)
(V)
(MA )
BVCBO
最大额定值
BVCEO
IC
PD
Ta=25°C
( mW)的
最大
电气特性(Ta = 25℃)
的hFE
IC
(MA )
VCE
(V)
最大
(V)
VCE ( SAT )
IC
(MA )
IB
(MA )
fT
兆赫
SOT-323
(P.28)
BC846W
BC847W
MMBT2222AW
MMBT2907AW
MMBT3904W
MMBT3906W
*MMBT5401W
*MMBT5551W
NPN
NPN
NPN
PNP
NPN
PNP
PNP
NPN
80
50
75
-60
60
-40
-160
180
65
45
40
-60
40
-40
-150
160
100
100
600
-600
200
-200
-600
600
225
225
225
225
225
225
225
225
110
110
100
100
100
120
60
80
800
800
300
300
300
360
240
250
2
2
150
-150
10
-10
-10
10
5
5
10
-10
1
-1
-5
5
0.25
0.25
0.5
-0.4
0.2
0.25
-0.2
0.15
10
10
380
-150
10
-10
-10
10
0.5
0.5
10
-15
1
-1
-1
1
300
300
300
200
300
250
100
100
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
DAUL
DAUL
DAUL
DAUL
DAUL
DAUL
DAUL
DAUL
N + P
SOT-363
(P.29)
MMDT2412
MMDT3904
MMDT2222
MMDT2411
MMDT1036
MMDT1037
MMDT3906
MMDT2907
MMDT2227
MMDT3946
N*2
N*2
N*2
N*2
P*2
P*2
P*2
P*2
N + P
50
60
75
40
-40
-60
-40
-60
75
-60
60
-40
40
40
40
40
-32
-50
-40
-60
40
-60
40
-40
150
200
600
600
500
150
200
600
600
600
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
120
100
100
82
100
120
100
100
100
100
100
100
820
300
300
560
300
820
300
300
300
300
300
300
1
10
150
100
-150
-1
-10
-150
150
-150
10
-10
6
1
10
3
-10
-6
-1
-10
10
-10
1
-1
0.4
0.2
0.5
0.4
-0.4
-0.5
-0.25
-0.4
0.3
-0.4
0.2
-0.25
1
10
150
100
-150
-1
-10
-150
150
-150
10
-10
5
1
10
10
-15
-5
-1
-15
15
-15
1
-1
180
300
300
300
200
140
250
200
300
200
300
250
N + P
N + P
SOT-23
(P.28)
BC807
BC817
BC846
BC847
BC848
BC856
BC857
BC858
BCW65C
MMBT1015
MMBT1815
MMBT2222A
MMBT2369
MMBT2484
MMBT2907A
MMBT3904
MMBT3906
MMBT4124
MMBT4125
MMBT4401
MMBT4403
MMBT5086
MMBT5087
MMBT5088
MMBT5089
MMBT5401
MMBT5550
MMBT5551
MMBT6427
MMBT6429
MMBT6517
MMBT6520
MMBT8050
MMBT8099
MMBT8550
MMBT8599
MMBT9018
MMBTA06
MMBTA13
MMBTA14
PNP
NPN
NPN
NPN
NPN
PNP
PNP
PNP
NPN
PNP
NPN
NPN
NPN
NPN
PNP
NPN
PNP
NPN
PNP
NPN
PNP
PNP
PNP
NPN
NPN
PNP
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
PNP
NPN
NPN
PNP
PNP
NPN
NPN
NPN
NPN
-50
50
80
50
30
-80
-50
-30
60
-50
60
75
40
60
-60
60
-40
30
-30
60
-40
-50
-50
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-700
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300
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225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
100
100
110
110
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-
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-
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0.5
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125
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250
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300
300
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80
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BCE
BCE
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BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
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P.12
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or
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NPN
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PNP
PNP
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NPN
NPN
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225
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1000
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-
-
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BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
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BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
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欧洲央行
EBC
欧洲央行
EBC
EBC
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欧洲央行
欧洲央行
EBC
EBC
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EBC
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BCE
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PNP
NPN
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PNP
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NPN
PNP
PNP
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NPN
PNP
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PNP
PNP
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PNP
PNP
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-300
-400
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-
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-
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-
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50
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NPN
NPN
PNP
NPN
PNP
NPN
PNP
PNP
PNP
NPN
NPN
PNP
PNP
NPN
NPN
NPN
NPN
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NPN
NPN
NPN
NPN
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PNP
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-200
200
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625
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625
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625
625
625
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300
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40
40
50
50
P.13
NPN
部分
or
PNP
(V)
BVCBO
最大额定值
BVCEO
IC
PD
Ta=25°C
(V)
(MA )
( mW)的
最大
电气特性(Ta = 25℃)
的hFE
IC
(MA )
VCE
(V)
最大
(V)
VCE ( SAT )
IC
(MA )
IB
(MA )
fT
兆赫
TO-92
(P.31)
BC237
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BC337
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E8050
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-
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-
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CBE
CBE
CBE
CBE
CBE
CBE
CBE
CBE
欧洲央行
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EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
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欧洲央行
欧洲央行
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
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EBC
EBC
EBC
EBC
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EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
BEC
CBE
EBC
EBC
EBC
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
P.14
NPN
部分
or
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PD
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( mW)的
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的hFE
IC
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(V)
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IC
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IB
(MA )
fT
兆赫
TO-92
(P.31)
SB764
SB772S
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TO-220
(P.30)
H2584
H2585
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LB124E
LB125E
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SB507
SB857
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TIP50
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PNP
PNP
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NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
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NPN
NPN
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10
10
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
EBC
欧洲央行
欧洲央行
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NPN
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PNP
NPN
NPN
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NPN
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NPN
NPN
NPN
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60K
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