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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第602页 > BC847T
SMD型
NPN通用晶体管
KC847T
(BC847T)
SOT-523
+0.1
1.6
-0.1
晶体管
单位：mm
特点
低电流（最大100 mA时）
低电压（最大45 V ） 。
2
+0.1
1.0
-0.1
+0.05
0.2
-0.05
+0.01
0.1
-0.01
1
+0.15
1.6
-0.15
0.55
+0.25
0.3
-0.05
+0.1
0.5
-0.1
0.35
3
1.基地
+0.05
0.75
-0.05
+0.1
-0.1
0.8
2.辐射源
3.集气
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
D
T
j
T
英镑
等级
50
45
5
100
200
150
150
-65到+150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
KC847AT
直流电流增益
KC847BT
KC847CT
集电极 - 发射极饱和电压
V
CESAT
I
C
= 10毫安;我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安;我
B
= 5毫安; *
基射极电压
集电极电容
发射极电容
噪声系数
跃迁频率
*脉冲测试： TP
300毫秒;
0.02.
V
BE
C
c
C
e
F
f
T
I
C
= 2毫安; V
CE
= 5 V
I
C
= 10毫安; V
CE
= 5 V
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
I
C
= i
c
= 0; V
EB
= 500 mV的; F = 1 MHz的
I
C
= 200 A; V
CE
= 5 V ;
S
= 2 k
千赫; B = 200赫兹
;f = 1
100
11
10
580
h
FE
I
C
= 2毫安; V
CE
= 5 V
符号
I
CBO
I
EBO
Testconditons
I
E
= 0; V
CB
= 30 V
I
E
= 0; V
CB
= 30 V ;牛逼
j
= 150
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
110
200
420
民
典型值
最大
15
5
100
220
450
800
200
400
700
770
1.5
mV
mV
mV
mV
pF
pF
dB
兆赫
单位
nA
A
nA
I
C
= 10毫安; V
CE
= 5 V ; F = 100 MHz的
记号
号
记号
KC847AT
1E
KC847BT
1F
KC847CT
1G
+0.05
0.8
-0.05
www.kexin.com.cn
1
BC846T...BC850T
NPN硅晶体管自动对焦
对于AF输入级和驱动器应用
高电流增益
低集电极 - 发射极饱和电压
30 Hz至15 kHz的低噪音
互补类型：
BC856T ， BC857T ，
BC858T ， BC859T ， BC860T
BC846AT
BC846BT
BC847AT
BC847BT
BC847CT
BC848AT
BC848BT
BC848CT
BC849BT
BC849CT
BC850BT
BC850CT





3
2
1
VPS05996
TYPE
记号
1As
1Bs
1Es
1Fs
1Gs
1Js
1Ks
1Ls
2Bs
2cs
2Fs
2Gs
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
引脚配置
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
包
SC75
SC75
SC75
SC75
SC75
SC75
SC75
SC75
SC75
SC75
SC75
SC75
1
Aug-01-2002
BC846T...BC850T
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
DC集电极电流
峰值集电极电流
峰值电流基地
峰值发射极电流
总功耗，
T
S
= 109 °C
结温
储存温度
热阻

符号
V
首席执行官
V
CBO
V
CES
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
I
EM
P
合计
T
j
T
英镑
R
thjs
BC846T
65
80
80
6
BC847T BC848T
BC850T BC849T
45
50
50
6
100
200
200
200
250
150
-65 ... 150
30
30
30
5
单位
V
mA
mA
mW
°C
结 - 焊接点
1)
165
K / W
单位
马克斯。
V
电气特性
at
T
A
= 25 ° C，除非另有规定ED 。
参数
符号
值
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安，
I
B
= 0
I
C
= 10毫安，
I
B
= 0
I
C
= 10毫安，
I
B
= 0
I
C
= 10 A,
I
E
= 0
I
C
= 10 A,
I
E
= 0
I
C
= 10 A,
I
E
= 0
BC846T
BC847T/BC850T
BC848T/BC849T
V
（ BR ） CBO
80
50
30
-
-
-
-
-
-
BC846T
BC847T/850T
BC848T/849T
V
（ BR ） CEO
65
45
30
-
-
-
-
-
-
典型值。
集电极 - 基极击穿电压
1对于计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
2
Aug-01-2002
BC846T...BC850T
电气特性
at
T
A
= 25 ° C，除非另有规定ED 。
参数
符号
值
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10 A,
V
BE
= 0
I
C
= 10 A,
V
BE
= 0
I
C
= 10 A,
V
BE
= 0
I
E
= 1 A,
I
C
= 0
I
E
= 1 A,
I
C
= 0
I
E
= 1 A,
I
C
= 0
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 30 V,
I
E
= 0
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 30 V,
I
E
= 0 ,
T
A
= 150 °C
直流电流增益1 ）
I
C
= 10 A,
V
CE
= 5 V
I
C
= 10 A,
V
CE
= 5 V
I
C
= 10 A,
V
CE
= 5 V
直流电流增益1 ）
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V
I
C
= 10毫安，
I
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安，
I
B
= 5毫安
基极 - 发射极饱和电压1）
I
C
= 10毫安，
I
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安，
I
B
= 5毫安
基极 - 发射极电压1）
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 5 V
1 ）脉冲测试：吨
≤=
300
S，D = 2 ％
单位
马克斯。
V
典型值。
V
（ BR ） CES
65
50
30
V
（ BR ） EBO
6
6
5
I
CBO
I
CBO
h
FE
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
5
-
-
-
-
-
-
BC846T
BC847T/850T
BC848T/849T
BC846T
BC847T/BC850T
BC848T/BC849T
发射极 - 基极击穿电压
nA
A
-
h
FE
-group一
h
FE
乙类
h
FE
-group
h
FE
h
FE
-group一
h
FE
乙类
h
FE
-group
V
CESAT
-
-
-
110
200
420
-
-
V
BESAT
-
-
V
BE（上）
580
-
140
250
480
180
290
520
90
200
700
900
660
-
-
-
-
220
450
800
mV
250
600
-
-
700
770
集电极 - 发射极饱和电压1 ）
3
Aug-01-2002
BC846T...BC850T
电气Characteristicsat
T
A
= 25 ° C，除非另有规定ED 。
参数
AC特性
跃迁频率
I
C
= 20毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 100兆赫
集电极 - 基极电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
发射极 - 基极电容
V
EB
= 0.5 V,
f
= 1兆赫
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V ， F = 1千赫
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V ， F = 1千赫
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V ， F = 1千赫
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V ， F = 1千赫
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V ， F = 1千赫
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V ， F = 1千赫
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V ， F = 1千赫
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V ， F = 1千赫
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V ， F = 1千赫
开路输出导纳
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V ， F = 1千赫
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V ， F = 1千赫
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V ， F = 1千赫
HFE- A组
HFE- B组
HFE- C组
HFE- A组
HFE- B组
HFE- C组
h
12e
-
-
-
h
21e
-
-
-
h
22e
-
-
-
18
30
60
-
-
-
200
330
600
-
-
-
S
1.5
2
3
-
-
-
-
HFE- A组
HFE- B组
HFE- C组
HFE- A组
HFE- B组
HFE- C组
-
-
-
2.7
4.7
8.7
-
-
-
10
-4
短路输入阻抗
C
eb
h
11e
-
8
-
k
C
cb
-
3
-
pF
f
T
-
250
-
兆赫
符号
分钟。
值
典型值。
马克斯。
单位
开路反向电压transf.ratio
短路正向电流transf.ratio
4
Aug-01-2002


BC846T...BC850T
电气特性
at
T
A
= 25 ° C，除非另有规定ED 。
参数
符号
值
分钟。
AC特性
噪声系数
I
C
= 200 A,
V
CE
= 5 V,
R
S
= 2
k
,
I
C
= 200 A,
V
CE
= 5 V,
R
S
= 2
k
,
等效噪声电压
I
C
= 200 A,
V
CE
= 5 V,
R
S
= 2
k
,
f
= 10 ... 50赫兹
F
f
= 200赫兹
f
= 200赫兹
典型值。
马克斯。
单位
dB
-
-
-
1.2
1
-
4
4
0.135 V


f
= 1千赫，


f
= 1千赫，

BC849T
BC850T
V
n
BC850T
5
Aug-01-2002
分立半导体
数据表
M3D173
BC846T ; BC847T
NPN通用晶体管
初步speci fi cation
取代1997年的数据7月07
1999年4月26日
飞利浦半导体
初步speci fi cation
NPN通用晶体管
特点
低电流（最大100 mA时）
低电压（最大65V）时。
应用
通用开关和放大，特别是
在便携式通信设备
电子数据处理（EDP ）和消费者
应用程序。
描述
NPN晶体管中的SC- 75的塑料封装。
PNP补充： BC856T和BC857T 。
1
2
手册， halfpage
BC846T ; BC847T
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
3
3
1
2
MAM348
记号
TYPE
数
BC846AT
BC846BT
BC847AT
记号
CODE
1A
1B
1E
TYPE
数
BC847BT
BC847CT
记号
CODE
1F
1G
顶视图
Fig.1简化外形（ SC- 75 ）和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
参数
集电极 - 基极电压
BC846AT ; BC846BT
BC847AT ; BC847BT ; BC847CT
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BC846AT ; BC846BT
BC847AT ; BC847BT ; BC847CT
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
集电极开路
开基
65
65
65
45
5
100
200
100
150
+150
150
+150
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
°C
条件
发射极开路
80
50
V
V
分钟。
马克斯。
单位
1999年4月26日
2
飞利浦半导体
初步speci fi cation
NPN通用晶体管
热特性
符号
R
日J-一
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
BC846AT ; BC847AT
BC846BT ; BC847BT
BC847CT
V
CESAT
V
BE
C
c
C
e
f
T
F
记
1.脉冲测试：吨
p
≤
300
s; δ ≤
0.02.
集电极 - 发射极饱和
电压
基射极电压
集电极电容
发射极电容
跃迁频率
噪音科幻gure
I
C
= 10毫安;我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安;我
B
= 5毫安;注1
I
C
= 2毫安; V
CE
= 5 V
I
C
= 10毫安; V
CE
= 5 V
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 10毫安; V
CE
= 5 V ; F = 100 MHz的
I
C
= 200
A;
V
CE
= 5 V ;
S
= 2 k;
F = 1千赫B = 200赫兹
条件
I
E
= 0; V
CB
= 30 V
I
E
= 0; V
CB
= 30 V ;牛逼
j
= 150
°C
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
I
C
= 2毫安; V
CE
= 5 V
参数
从结点到环境的热阻
条件
注1
BC846T ; BC847T
价值
833
单位
K / W
分钟。
110
200
420
580
100
典型值。
11
马克斯。
15
5
100
220
450
800
200
400
700
770
1.5
10
单位
nA
A
nA
mV
mV
mV
mV
pF
pF
兆赫
dB
I
C
= i
c
= 0; V
EB
= 500 mV的; F = 1 MHz的
1999年4月26日
3
飞利浦半导体
初步speci fi cation
NPN通用晶体管
BC846T ; BC847T
手册，全页宽
250
MBH723
的hFE
200
VCE = 5 V
150
100
50
0
10
2
BC846AT ; BC847AT 。
10
1
1
10
10
2
IC （MA ）
10
3
图2直流电流增益;典型值。
手册，全页宽
300
MBH724
的hFE
VCE = 5 V
200
100
0
10
2
BC846BT ; BC847BT 。
10
1
1
10
10
2
IC （MA ）
10
3
图3直流电流增益;典型值。
1999年4月26日
4
飞利浦半导体
初步speci fi cation
NPN通用晶体管
BC846T ; BC847T
手册，全页宽
600
MBH725
VCE = 5 V
的hFE
400
200
0
10
2
10
1
1
10
10
2
IC （MA ）
10
3
BC847CT.
图4直流电流增益;典型值。
1999年4月26日
5
BL
银河电子
NPN
通用晶体管
特点
非常适合自动插入。
产品规格
BC847AT/BT/CT
Pb
LEAD -FREE
对于开关和AF放大器应用。
应用
通用的开关和放大。
SOT-523
订购信息
型号
BC846AT/BT/CT
记号
1E/1F/1G
封装代码
SOT-523
最大额定值
除非另有规定@ TA = 25 ℃
符号
V
CBO
参数
集电极 - 基极电压
价值
50
单位
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
45
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
6
V
I
C
集电极电流 - 连续
0.1
A
P
C
集电极耗散
150
mW
T
j,
T
英镑
结温和存储温度
-55~150
℃
文件编号： BL / SSSTH001
Rev.A的
www.galaxycn.com
1
BL
银河电子
NPN
通用晶体管
产品规格
BC847AT/BT/CT
电气特性
除非另有规定@ TA = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
直流电流增益
符号测试条件
V
（ BR ） CBO
I
C
=10μA,I
E
=0
V
（ BR ） CEO
I
C
=10mA,I
B
=0
B
最小典型最大
50
45
6
0.1
110
200
420
220
450
800
0.25
0.6
0.7
0.9
100
4.5
10
4
单位
V
V
V
μA
V
（ BR ） EBO
I
E
=1μA,I
C
=0
I
CBO
BC847AT
BC847BT
FE
BC847CT
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
CB
=30V,I
E
=0
V
CE
=5V,I
C
=2mA
I
C
= 10毫安，我
B
=0.5mA
I
C
= 100mA时我
B
=5mA
B
B
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
V
V
I
C
= 10毫安，我
B
=0.5mA
I
C
= 100mA时我
B
=5mA
B
B
跃迁频率
集电极输出电容
噪声系数
f
T
C
ob
NF
V
CE
=5V,
I
C
=10mA,f=100KHz
V
CE
=5V,f=1KHz
V
CE
=5V,f=1KHz
R
S
=2K,BW=200Hz
兆赫
Pf
dB
典型特征
除非另有规定@ TA = 25 ℃
文件编号： BL / SSSTH001
Rev.A的
www.galaxycn.com
2
BL
银河电子
NPN
通用晶体管
产品规格
BC847AT/BT/CT
包装外形
塑料表面贴装封装
A
C
SOT-523
SOT-523
暗淡
A
民
1.5
0.75
0.6
0.15
0.9
0.02
最大
1.7
0.85
0.8
0.3
1.1
0.1
K
B
B
C
D
D
G
J
G
H
H
J
K
0.1Typical
1.45
1.75
尺寸：mm
包
设备
BC847AT/BT/CT
信息
包
SOT-523
航运
3000/Tape&Reel
文件编号： BL / SSSTH001
Rev.A的
www.galaxycn.com
3
SMD型
产品speci fi cation
KC847T
(BC847T)
SOT-523
+0.1
1.6
-0.1
单位：mm
特点
低电流（最大100 mA时）
低电压（最大45 V ） 。
2
+0.1
1.0
-0.1
+0.05
0.2
-0.05
+0.01
0.1
-0.01
1
+0.15
1.6
-0.15
0.55
+0.25
0.3
-0.05
+0.1
0.5
-0.1
0.35
3
1.基地
+0.05
0.75
-0.05
+0.1
-0.1
0.8
2.辐射源
3.集气
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
D
T
j
T
英镑
等级
50
45
5
100
200
150
150
-65到+150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
KC847AT
直流电流增益
KC847BT
KC847CT
集电极 - 发射极饱和电压
V
CESAT
I
C
= 10毫安;我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安;我
B
= 5毫安; *
基射极电压
集电极电容
发射极电容
噪声系数
跃迁频率
*脉冲测试： TP
300毫秒;
0.02.
V
BE
C
c
C
e
F
f
T
I
C
= 2毫安; V
CE
= 5 V
I
C
= 10毫安; V
CE
= 5 V
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
I
C
= i
c
= 0; V
EB
= 500 mV的; F = 1 MHz的
I
C
= 200 A; V
CE
= 5 V ;
S
= 2 k
千赫; B = 200赫兹
;f = 1
100
11
10
580
h
FE
I
C
= 2毫安; V
CE
= 5 V
符号
I
CBO
I
EBO
Testconditons
I
E
= 0; V
CB
= 30 V
I
E
= 0; V
CB
= 30 V ;牛逼
j
= 150
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
110
200
420
民
典型值
最大
15
5
100
220
450
800
200
400
700
770
1.5
mV
mV
mV
mV
pF
pF
dB
兆赫
单位
nA
A
nA
I
C
= 10毫安; V
CE
= 5 V ; F = 100 MHz的
记号
号
记号
KC847AT
1E
KC847BT
1F
KC847CT
1G
+0.05
0.8
-0.05
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1
BC847 / BC547系列
45 V ， 100毫安NPN通用晶体管
牧师07 - 2008年12月10日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
通用NPN晶体管在小塑料封装。
表1中。
产品概述
包
恩智浦
BC847
BC847A
BC847B
BC847B/DG
BC847C
BC847W
BC847AW
BC847BW
BC847BW/DG
BC847CW
BC847T
BC847AT
BC847AT/DG
BC847BT
BC847CT
BC847AM
BC847BM
BC847CM
BC547
[2]
BC547B
[2]
BC547C
[2]
[1]
[2]
/ DG：不含卤素的
此外，在SOT54A和SOT54变种封装（见
第2节） 。
类型编号
[1]
PNP补充
JEITA
-
JEDEC
TO-236AB
BC857
BC857A
BC857B
-
BC857C
SOT23
SOT323
SC-70
-
BC857W
BC857AW
BC857BW
-
BC857CW
SOT416
SC-75
-
BC857T
BC857AT
-
BC857BT
BC857CT
SOT883
SC-101
-
BC857AM
BC857BM
BC857CM
SOT54
SC-43A
TO-92
BC557
[2]
BC557B
[2]
BC557C
[2]
恩智浦半导体
BC847 / BC547系列
45 V ， 100毫安NPN通用晶体管
1.2产品特点
I
低电流
I
低电压
I
三种不同的增益选择
1.3应用
I
通用开关和放大器阳离子
1.4快速参考数据
表2中。
符号
V
首席执行官
I
C
h
FE
快速参考数据
参数
集电极 - 发射极电压
集电极电流
直流电流增益
h
FE
A组
h
FE
B组
h
FE
C组
V
CE
= 5 V ;我
C
= 2毫安
条件
开基
民
-
-
110
110
200
420
典型值
-
-
-
180
290
520
最大
45
100
800
220
450
800
单位
V
mA
2.管脚信息
表3中。
针
1
2
3
钉扎
描述
BASE
辐射源
集热器
1
2
006aaa144
简化的轮廓
图形符号
SOT23 ， SOT323 ， SOT416
3
1
2
sym021
3
SOT883
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
1
3
2
透明
顶视图
1
2
sym021
3
BC847_BC547_SER_7
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师07 - 2008年12月10日
2 15
恩智浦半导体
BC847 / BC547系列
45 V ， 100毫安NPN通用晶体管
钉扎
- 续
描述
辐射源
BASE
集热器
1
2
3
001aab347
表3中。
针
SOT54
1
2
3
简化的轮廓
图形符号
3
2
1
sym026
SOT54A
1
2
3
辐射源
BASE
集热器
1
2
3
001aab348
3
2
1
sym026
SOT54变种
1
2
3
辐射源
BASE
集热器
1
2
3
001aab447
3
2
1
sym026
3.订购信息
表4 。
订购信息
包
名字
BC847
BC847A
BC847B
BC847B/DG
BC847C
BC847W
BC847AW
BC847BW
BC847BW/DG
BC847CW
SC-70
塑料表面贴装封装; 3引线
SOT323
-
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
VERSION
SOT23
类型编号
[1]
BC847_BC547_SER_7
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
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3 15
恩智浦半导体
BC847 / BC547系列
45 V ， 100毫安NPN通用晶体管
订购信息
- 续
包
名字
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
VERSION
SOT416
SC-75
表4 。
类型编号
[1]
BC847T
BC847AT
BC847AT/DG
BC847BT
BC847CT
BC847AM
BC847BM
BC847CM
BC547
[2]
BC547B
[2]
BC547C
[2]
[1]
[2]
SC-101
无铅超小型塑料封装; 3焊区;
机身1.0
×
0.6
×
0.5 mm
SOT883
SC-43A
塑料单端含铅（通孔）包;
3 LEADS
SOT54
/ DG：不含卤素的
此外，在SOT54和SOT54变种封装（见
第2节
和
第9节） 。
4.标记
表5 。
BC847
BC847A
BC847B
BC847B/DG
BC847C
BC847W
BC847AW
BC847BW
BC847BW/DG
BC847CW
BC847T
[1]
[2]
/ DG：不含卤素的
* = - ：香港制造
* = P ：香港制造
* = T：在马来西亚
* = W ：中国制造
标记代码
标识代码
[2]
1H*
1E*
1F*
* BC
1G*
1H*
1E*
1F*
G9*
1G*
1N
类型编号
[1]
BC847AT
BC847AT/DG
BC847BT
BC847CT
BC847AM
BC847BM
BC847CM
BC547
BC547B
BC547C
-
标识代码
[2]
1E
B5
1F
1G
D4
D5
D6
C547
C547B
C547C
-
类型编号
[1]
BC847_BC547_SER_7
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
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4 15
恩智浦半导体
BC847 / BC547系列
45 V ， 100毫安NPN通用晶体管
5.极限值
表6 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
SOT23
SOT323
SOT416
SOT883
SOT54
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
[3]
条件
发射极开路
开基
集电极开路
单脉冲;
t
p
≤
1毫秒
单脉冲;
t
p
≤
1毫秒
T
AMB
≤
25
°C
[1]
[1]
[1]
[2][3]
[1]
民
-
-
-
-
-
-
最大
50
45
6
100
200
100
单位
V
V
V
mA
mA
mA
-
-
-
-
-
-
65
65
250
200
150
250
500
150
+150
+150
mW
mW
mW
mW
mW
°C
°C
°C
结温
环境温度
储存温度
设备安装在一FR4印刷电路板（PCB） ，单面铜，镀锡和标准
足迹。
再溢流焊接是唯一推荐的焊接方法。
设备安装在一FR4印刷电路板60
m
铜扁线，标准的足迹。
6.热特性
表7中。
符号
R
号（j -a）的
热特性
参数
从热阻
结到环境
SOT23
SOT323
SOT416
SOT883
SOT54
[1]
[2]
[3]
条件
在自由空气
[1]
[1]
[1]
[2][3]
[1]
民
典型值
最大
单位
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
500
625
833
500
250
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
再溢流焊接是唯一推荐的焊接方法。
设备安装在一FR4印刷电路板60
m
铜扁线，标准的足迹。
BC847_BC547_SER_7
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
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5 15
BC847系列
45 V ， 100毫安NPN通用晶体管
启8 - 二〇一二年八月二十〇日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
NPN通用晶体管表面贴装器件（ SMD ）塑料封装。
表1中。
产品概述
包
恩智浦
BC847
BC847A
BC847B
BC847C
BC847W
BC847AW
BC847BW
BC847CW
BC847T
BC847AT
BC847BT
BC847CT
BC847AM
BC847BM
BC847CM
[1]
适用于所有可用的选项组。
类型编号
[1]
PNP补充
JEITA
-
JEDEC
TO-236AB
BC857
BC857A
BC857B
BC857C
SOT23
SOT323
SC-70
-
BC857W
BC857AW
BC857BW
BC857CW
SOT416
SC-75
-
BC857T
BC857AT
BC857BT
BC857CT
SOT883
SC-101
-
BC857AM
BC857BM
BC857CM
1.2特点和优点
通用晶体管
SMD塑料封装
三种不同的增益选择
1.3应用
通用开关和放大
恩智浦半导体
BC847系列
45 V ， 100毫安NPN通用晶体管
1.4快速参考数据
表2中。
符号
V
首席执行官
I
C
h
FE
快速参考数据
参数
集电极 - 发射极电压
集电极电流
直流电流增益
h
FE
A组
h
FE
B组
h
FE
C组
V
CE
= 5 V ;我
C
= 2毫安
条件
开基
民
-
-
110
110
200
420
典型值
-
-
-
180
290
520
最大
45
100
800
220
450
800
单位
V
mA
2.管脚信息
表3中。
针
1
2
3
钉扎
描述
BASE
辐射源
集热器
1
2
006aaa144
简化的轮廓
图形符号
SOT23 ， SOT323 ， SOT416
3
1
2
sym021
3
SOT883
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
1
3
2
透明
顶视图
1
2
sym021
3
BC847_SER
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
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恩智浦半导体
BC847系列
45 V ， 100毫安NPN通用晶体管
3.订购信息
表4 。
订购信息
包
名字
BC847
BC847A
BC847B
BC847C
BC847W
BC847AW
BC847BW
BC847CW
BC847T
BC847AT
BC847BT
BC847CT
BC847AM
BC847BM
BC847CM
[1]
适用于所有可用的选项组。
类型编号
[1]
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
VERSION
SOT23
-
SC-70
塑料表面贴装封装; 3引线
SOT323
SC-75
塑料表面贴装封装; 3引线
SOT416
SC-101
无铅超小型塑料封装; 3焊区;
机身1.0
0.6
0.5 mm
SOT883
4.标记
表5 。
BC847
BC847A
BC847B
BC847C
BC847W
BC847AW
BC847BW
BC847CW
[1]
标记代码
标识代码
[1]
1H*
1E*
1F*
1G*
1H*
1E*
1F*
1G*
类型编号
BC847T
BC847AT
BC847BT
BC847CT
BC847AM
BC847BM
BC847CM
标识代码
[1]
1N
1E
1F
1G
D4
D5
D6
类型编号
* =占位符的生产基地代码
BC847_SER
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2012保留所有权利。
产品数据表
启8 - 二〇一二年八月二十〇日
3 18
恩智浦半导体
BC847系列
45 V ， 100毫安NPN通用晶体管
5.极限值
表6 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
SOT23
SOT323
SOT416
SOT883
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
[2]
条件
发射极开路
开基
集电极开路
单脉冲;
t
p
1毫秒
单脉冲;
t
p
1毫秒
T
AMB
25
C
[1]
民
-
-
-
-
-
-
最大
50
45
6
100
200
100
单位
V
V
V
mA
mA
mA
-
-
-
-
-
65
65
250
200
150
250
150
+150
+150
mW
mW
mW
mW
C
C
C
结温
环境温度
储存温度
设备安装在一FR4印刷电路板（PCB） ，单面铜，镀锡和标准
足迹。
设备安装在一FR4印刷电路板60
m
铜扁线，标准的足迹。
6.热特性
表7中。
符号
R
号（j -a）的
热特性
参数
从热阻
结到环境
SOT23
SOT323
SOT416
SOT883
[1]
[2]
[2]
条件
在自由空气
[1]
民
典型值
最大
单位
-
-
-
-
-
-
-
-
500
625
833
500
K / W
K / W
K / W
K / W
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
设备安装在一FR4印刷电路板60
m
铜扁线，标准的足迹。
BC847_SER
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产品数据表
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4 18
恩智浦半导体
BC847系列
45 V ， 100毫安NPN通用晶体管
7.特点
表8 。
特征
T
AMB
= 25
C除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
参数
集电极 - 基极截止
当前
发射极 - 基极截止
当前
直流电流增益
h
FE
A组
h
FE
B组
h
FE
C组
直流电流增益
h
FE
A组
h
FE
B组
h
FE
C组
V
CESAT
V
BESAT
V
BE
f
T
C
c
C
e
NF
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极电容
发射极电容
噪声系数
I
C
= 10毫安;我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安;我
B
= 5毫安
I
C
= 10毫安;我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安;我
B
= 5毫安
I
C
= 2毫安; V
CE
= 5 V
I
C
= 10毫安; V
CE
= 5 V
V
CE
= 5 V ;我
C
= 10毫安;
F = 100 MHz的
V
CB
= 10 V ;我
E
= i
e
= 0 A;
F = 1 MHz的
V
EB
= 0.5 V ;我
C
= i
c
= 0 A;
F = 1 MHz的
I
C
= 200
A;
V
CE
= 5 V;
R
S
= 2 k ; F = 1千赫
B = 200赫兹
[1]
[2]
[2]
[2]
条件
V
CB
= 30 V ;我
E
= 0 A
V
CB
= 30 V ;我
E
= 0 A;
T
j
= 150
C
V
EB
= 5 V ;我
C
= 0 A
V
CE
= 5 V ;我
C
= 10
A
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
15
5
100
单位
nA
A
nA
I
EBO
h
FE
-
-
-
V
CE
= 5 V ;我
C
= 2毫安
110
110
200
420
-
-
-
-
580
-
100
-
-
-
90
150
270
-
180
290
520
90
200
700
900
660
-
-
-
11
2
-
-
-
800
220
450
800
200
400
-
-
700
770
-
1.5
-
10
mV
mV
mV
mV
mV
mV
兆赫
pF
pF
dB
[1]
[2]
脉冲测试：吨
p
300
s;
= 0.02.
V
BE
大约降低2毫伏/ K随温度的升高。
BC847_SER
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启8 - 二〇一二年八月二十〇日
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BS-AE15RD-A
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B43508E2128M060
BD-C403ND-A
B37940R5101M041
BZT52C36-F
BSO150N03
BSC520N15NS3G
B72214S0151K101
BS62LV2006STI70
BS62LV2006STI-70
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    -
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