BC847PN
NPN / PNP硅AF晶体管阵列
4
对于AF输入级和驱动器应用
高电流增益
低集电极 - 发射极饱和电压
二（电流）的内部分离NPN / PNP
在一个封装晶体管
5
6
磁带加载方向
顶视图
6 5 4
W1s
1 2 3
退绕方向
在磁带位置：脚1
进料孔侧对面
EHA07193
TR1
2
1
3
VPS05604
在SOT -363封装标识
（例如W1S ）
对应引脚1设备
C1
6
B2
5
E2
4
TR2
1
E1
2
B1
3
C2
EHA07177
TYPE
BC847PN
最大额定值
参数
记号
1Ps
引脚配置
包
1 = E1 2 = B 3 = C2 = 4 E2 5 = B2 6 = C1 SOT363
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
CES
V
EBO
I
C
I
CM
P
合计
T
j
T
英镑
价值
45
50
50
5
100
200
250
150
-65 ... 150
mW
°C
V
V
mA
单位
V
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
DC集电极电流
峰值集电极电流
总功耗，
T
S
= 115 °C
结温
储存温度
热阻
结 - 焊接点
1)
R
thjs
140
K / W
1对于计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
1
Jul-02-2001
BC847PN
互补对小信号表面
MOUNT晶体管
特点
·
·
·
外延片建设
两个内部分离NPN / PNP晶体管
一包
超小型表面贴装封装
SOT-363
A
C
1
B
2
E
2
暗淡
A
B C
民
0.10
1.15
2.00
0.30
1.80
0.90
0.25
0.10
°8
最大
0.30
1.35
2.20
0.40
2.20
0.10
1.00
0.40
0.25
机械数据
·
·
·
·
·
·
·
·
案例： SOT- 363 ，模压塑料
外壳材料 - UL防火等级
分类科幻阳离子94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020A等级1
码头：每MIL -STD- 202焊接的，
方法208
终端连接：见图
标记（见第3页） ： K7P
订购&日期代码信息：见第3页
重0.006克数（大约）
E
1
B
1
C
2
B
C
D
F
H
M
0.65标称
G
H
K
J
K
L
M
a
J
D
F
L
尺寸：mm
最大额定值
功率耗散（注1 ）
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
设备总
符号
P
d
R
qJA
T
j
, T
英镑
价值
200
625
-65到+150
单位
mW
° C / W
°C
特征
热阻，结到环境（注1 ）
工作和存储温度范围
最大额定值
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
峰值发射极电流
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
NPN BC847B节
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
EM
价值
50
45
6.0
100
200
200
单位
V
V
V
mA
mA
mA
特征
最大额定值
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
峰值发射极电流
注意事项：
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
PNP BC857B节
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
EM
价值
-50
-45
-5.0
-100
-200
-200
单位
V
V
V
mA
mA
mA
特征
1.装置安装在FR- 4 PCB ， 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸;如图所示的二极管公司焊盘布局建议焊盘布局
文件AP02001 ，它可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。
DS30278修订版2 - 2
1第3
BC847PN
电气特性
特征
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V(
BR ） CBO
V(
BR ） CEO
V(
BR ） EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
I
CBO
I
CBO
f
T
C
CBO
NF
民
50
45
6
200
—
—
580
—
—
—
100
—
—
典型值
—
—
—
290
90
200
700
900
660
—
—
—
300
3.5
2.0
NPN BC847B节
最大
—
—
—
450
250
600
—
700
720
15
5.0
—
6.0
10
单位
V
V
V
—
mV
mV
mV
nA
A
兆赫
pF
dB
测试条件
I
C
= 10毫安，我
B
= 0
I
C
= 10毫安，我
B
= 0
I
E
= 1mA时，我
C
= 0
V
CE
= 5.0V ，我
C
= 2.0毫安
I
C
= 10毫安，我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100mA时我
B
= 5.0毫安
I
C
= 10毫安，我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100mA时我
B
= 5.0毫安
V
CE
= 5.0V ，我
C
= 2.0毫安
V
CE
= 5.0V ，我
C
= 10毫安
V
CB
= 30V
V
CB
= 30V ，T
A
= 150°C
V
CE
= 5.0V ，我
C
= 10毫安，
F = 100MHz的
V
CB
= 10V ， F = 1.0MHz的
V
CE
= 5V ，我
C
= 200A,
R
G
= 2.0KW ，
F = 1.0kHz ，
Df
= 200Hz的
集电极 - 基极击穿电压（注2 ）
集电极 - 发射极击穿电压（注2 ）
发射极 - 基极击穿电压（注2 ）
DC电流增益（注2）
集电极 - 发射极饱和电压（注2 ）
基射极饱和电压（注2 ）
基射极电压（注2 ）
集电极截止电流（注2 ）
增益带宽积
集电极 - 基极电容
噪声系数
电气特性
特征
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V(
BR ） CBO
V(
BR ） CEO
V(
BR ） EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
I
CBO
I
CBO
f
T
C
CBO
NF
民
-50
-45
-5
220
—
—
-600
—
—
—
100
—
—
典型值
—
—
—
290
-75
-250
-700
-850
-650
—
—
—
200
3
—
PNP BC857B节
最大
—
—
—
475
-300
-650
—
-950
-750
-820
-15
-4.0
—
4.5
10
单位
V
V
V
—
mV
mV
mV
nA
A
兆赫
pF
dB
测试条件
I
C
= 10毫安，我
B
= 0
I
C
= 10毫安，我
B
= 0
I
E
= 1mA时，我
C
= 0
V
CE
= 5.0V ，我
C
= 2.0毫安
I
C
= 10毫安，我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100mA时我
B
= 5.0毫安
I
C
= 10毫安，我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100mA时我
B
= 5.0毫安
V
CE
= 5.0V ，我
C
= 2.0毫安
V
CE
= 5.0V ，我
C
= 10毫安
V
CB
= 30V
V
CB
= 30V ，T
A
= 150°C
V
CE
= 5.0V ，我
C
= 10毫安，
F = 100MHz的
V
CB
= 10V ， F = 1.0MHz的
V
CE
= 5V ，我
C
= 200A,
R
G
= 2.0KW ，
F = 1.0kHz ，
Df
= 200Hz的
集电极 - 基极击穿电压（注2 ）
集电极 - 发射极击穿电压（注2 ）
发射极 - 基极击穿电压（注2 ）
DC电流增益（注2）
集电极 - 发射极饱和电压（注2 ）
基射极饱和电压（注2 ）
基射极电压（注2 ）
集电极截止电流（注2 ）
增益带宽积
集电极 - 基极电容
噪声系数
注意事项：
2.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
DS30278修订版2 - 2
2 3
BC847PN
订购信息
设备
BC847PN-7
注意事项：
（注3）
包装
SOT-363
航运
3000 /磁带&卷轴
3.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
K7P
K7P =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年份例如： N = 2002年
M =月前： 9 =九月
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
1998
J
JAN
1
FEB
2
1999
K
三月
3
2000
L
APR
4
五月
5
2001
M
JUN
6
JUL
7
2002
N
八月
8
SEP
9
2003
P
十月
O
NOV
N
2004
R
DEC
D
DS30278修订版2 - 2
3 3
YM
BC847PN
BC 847PN
NPN / PNP硅AF晶体管阵列
对于AF输入级和驱动器应用
高电流增益
低集电极 - 发射极饱和电压
二（电流）的内部分离NPN / PNP
在一个封装晶体管
磁带加载方向
引脚配置
TYPE
BC 847PN
订购代码标识
1Ps
Q62702-C2374
包
NPN三极管
SOT-363
PNP三极管
1=E
4=E
2=B
5=B
6=C
3=C
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
DC集电极电流
峰值集电极电流
总功耗，
T
S
= 115 °C
结温
储存温度
热阻
交界处的环境
1)
结 - 焊接点
符号
价值
45
50
50
5
100
200
250
150
-65...+150
≤275
≤140
单位
V
V
首席执行官
V
CBO
V
CES
V
EBO
I
C
I
CM
P
合计
T
j
T
英镑
R
thJA
R
thjs
mA
mW
°C
K / W
1 ）包装安装在印刷电路板40× 40× 1.5毫米/ 0.5厘米2铜
半导体集团
1
May-12-1998
BC847PN
公司Bauelemente
符合RoHS产品
NPN - PNP硅
多芯片晶体管
SOT-363
特征
外延片建设
两个内部分离NPN / PNP晶体管在一个封装
功耗
P
CM
： 0.2 W（温度= 25°C ）。
集电极电流
I
CM
: 0.1A
集电极 - 基极电压
V
（ BR ） CBO
: 50/-50 V
操作&存储结温
T
J
, T
英镑
: -55C~+150C
C
1
B
2
E
2
记号
7P
E
1
B
1
C
2
TR1的在Ta绝对最大额定值= 25°C
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
收藏家Currrent - 连续
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
价值
50
45
6
100
200
150
-55 ~ +150
单位
V
V
V
mA
mW
℃
℃
TR1 （ NPN Transister ）在大的电特性= 25°C
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
测试条件
I
C
= 10μA ，我
E
=0
I
C
= 10 mA时，我
B
= 0
I
E
= 1μA ，我
C
=0
V
CB
= 30V ，我
E
=0
V
EB
= 5V ，我
C
=0
V
CE
= 5V ，我
C
=2mA
I
C
= 10毫安，我
B
=0.5mA
I
C
= 100mA时我
B
=5mA
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
V
BE（上）
C
ob
f
T
NF
分钟。
50
45
6
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
15
15
200
450
0.25
0.6
0.7
0.9
0.58
0.7
0.72
6.0
100
10
nA
nA
V
V
V
V
V
V
pF
兆赫
dB
第1页3
基射极饱和电压
I
C
= 10毫安，我
B
=0.5mA
I
C
= 100mA时我
B
=5mA
I
C
= 10毫安，V
CE
=5V
I
C
= 10毫安，V
CE
=5V
基射极电压
集电极输出电容
跃迁频率
噪声系数
10月20日 - 2009年版本C
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
V
CE
= 5V ，我
C
= 10毫安中，f = 100MHz的
V
CE
= 5V ，我
C
= 0.2毫安中，f = 1KHz的
Rg=2K,
△f=200Hz
BC847PN
公司Bauelemente
NPN - PNP硅
多芯片晶体管
TR2的在Ta绝对最大额定值= 25°C
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
收藏家Currrent - 连续
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
R
θJA
T
英镑
价值
-50
-45
-5
-100
200
150
-55 ~ -150
单位
V
V
V
mA
mW
℃
℃
TR2 （ PNP Transister ）在大的电特性= 25°C
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压
集电极输出电容
跃迁频率
噪声系数
测试条件
I
C
= -10μA ，我
E
=0
I
C
= -10毫安，我
B
= 0
I
E
= -1μA ，我
C
=0
V
CB
= -30V ，我
E
=0
V
EB
= -5V ，我
C
=0
V
CE
= -5V ，我
C
=-2mA
I
C
= -10mA ，我
B
=-0.5mA
I
C
= -100mA ，我
B
=-5mA
I
C
= -10mA ，我
B
=-0.5mA
I
C
= -100mA ，我
B
=-5mA
I
C
= -2mA ，V
CE
=-5V
I
C
= -10mA ，V
CE
=-5V
V
CB
= -10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
V
CE
= -5V ，我
C
= -10mA ， F = 100MHz的
V
CE
= -5V ，我
C
= -0.2mA中，f = 1KHz的
Rg=2K,
△f=200Hz
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
V
BE（上）
C
ob
f
T
NF
分钟。
-50
-45
-5
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
-15
-15
220
475
-0.3
-0.65
-0.7
-0.6
-0.95
-0.75
-0.82
4.5
100
10
nA
nA
V
V
V
V
V
V
pF
兆赫
dB
特性曲线
10月20日 - 2009年版本C
分页： 1 2 3
BC847PN
互补对小信号表面贴装晶体管
特点
外延片建设
两个内部隔离NPN / PNP晶体管在一个封装
超小型表面贴装封装
无铅/符合RoHS （注2 ）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
"Green"设备（注3和4）
机械数据
案例： SOT- 363
外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑料，
注4. UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度灵敏性：每J- STD- 020D 1级
终端：雾锡完成了退火合金引线框架42
（无铅电镀），每MIL -STD- 202方法208
终端连接：见图
标识信息：请参阅第4页
订购信息：见第4页
重量： 0.006克（近似值）
C
1
B
2
E
2
E
1
B
1
C
2
顶视图
设备原理图
最大额定值， NPN节
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
峰值发射极电流
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
EM
价值
50
45
6.0
100
200
200
单位
V
V
V
mA
mA
mA
最大额定值， PNP节
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
峰值发射极电流
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
EM
价值
-50
-45
-5.0
-100
-200
-200
单位
V
V
V
mA
mA
mA
热特性
特征
功率耗散（注1 ） @ T
A
= 25°C器件总
热阻，结到环境（注1 ） @ T
A
= 25°C
工作和存储温度范围
注意事项：
1.
2.
3.
4.
符号
P
D
R
θ
JA
T
J
, T
英镑
价值
200
625
-65到+150
单位
mW
° C / W
°C
设备安装在FR- 4 PCB ， 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸;如图所示的二极管公司焊盘布局建议焊盘布局文件AP02001 ，这
可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。
没有故意添加铅。
二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
产品与日期代码UO制造（ 40周， 2007年）和较新的构建与绿色塑封料。前日期产品制造
代码UO都建有非绿色塑封料，可能含有卤素或三氧化二锑阻燃剂
BC847PN
文件编号： DS30278牧师12 - 2
1 4
www.diodes.com
2008年11月
Diodes公司
BC847PN
电气特性， NPN节
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压
集电极截止电流
增益带宽积
集电极 - 基极电容
噪声系数
符号
（注5 ）V （
BR ） CBO
（注5 ）V （
BR ） CEO
（注5 ）V （
BR ） EBO
（注5 ）
h
FE
（注5 ）V
CE （ SAT ）
（注5 ）V
BE （ SAT ）
（注5 ）
（注5 ）
V
BE（上）
I
CBO
I
CBO
f
T
C
CBO
NF
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
民
50
45
6
200
—
—
580
—
—
—
100
—
—
典型值
—
—
—
290
90
200
700
900
660
—
—
—
300
3.5
2.0
最大
—
—
—
450
250
600
—
700
720
15
5.0
—
6.0
10
单位
V
V
V
—
mV
mV
mV
nA
A
兆赫
pF
dB
测试条件
I
C
= 10μA ，我
B
= 0
I
C
= 10毫安，我
B
= 0
I
E
= 1μA ，我
C
= 0
V
CE
= 5.0V ，我
C
= 2.0毫安
I
C
= 10毫安，我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100mA时我
B
= 5.0毫安
I
C
= 10毫安，我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100mA时我
B
= 5.0毫安
V
CE
= 5.0V ，我
C
= 2.0毫安
V
CE
= 5.0V ，我
C
= 10毫安
V
CB
= 30V
V
CB
= 30V ，T
A
= 150°C
V
CE
= 5.0V ，我
C
= 10毫安中，f = 100MHz的
V
CB
= 10V ， F = 1.0MHz的
V
CE
= 5V ，我
C
= 200μA ，R
G
= 2.0kΩ,
F = 1.0kHz ，
Δf
= 200Hz的
电气特性， PNP节
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压
集电极截止电流
增益带宽积
集电极 - 基极电容
噪声系数
注意事项：
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
民
-50
-45
-5
220
—
—
-600
—
—
—
100
—
—
典型值
—
—
—
290
-75
-250
-700
-850
-650
—
—
—
200
3
—
最大
—
—
—
475
-300
-650
—
-950
-750
-820
-15
-4.0
—
4.5
10
单位
V
V
V
—
mV
mV
mV
nA
A
兆赫
pF
dB
测试条件
I
C
= -10μA ，我
B
= 0
I
C
= -10mA ，我
B
= 0
I
E
= -1μA ，我
C
= 0
V
CE
= -5.0V ，我
C
= -2.0mA
I
C
= -10mA ，我
B
= -0.5mA
I
C
= -100mA ，我
B
= -5.0mA
I
C
= -10mA ，我
B
= -0.5mA
I
C
= -100mA ，我
B
= -5.0mA
V
CE
= -5.0V ，我
C
= -2.0mA
V
CE
= -5.0V ，我
C
= -10mA
V
CB
= -30V
V
CB
= -30V ，T
A
= 150°C
V
CE
= -5.0V ，我
C
= -10mA ， F = 100MHz的
V
CB
= -10V ， F = 1.0MHz的
V
CE
= -5V ，我
C
= -200μA ，R
G
= 2.0kΩ,
F = 1.0kHz ，
Δf
= 200Hz的
符号
（注5 ）V （
BR ） CBO
（注5 ）V （
BR ） CEO
（注5 ）V （
BR ） EBO
（注5 ）
h
FE
（注5 ）V
CE （ SAT ）
（注5 ）
（注5 ）
（注5 ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
I
CBO
I
CBO
f
T
C
CBO
NF
5.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
250
1,000
P
D
，功耗（毫瓦）
200
h
FE ，
直流电流增益
R
θJA
= 625
° C / W
100
150
100
10
50
0
0
40
80
120
160
200
T
A
，环境温度（
°
C)
图。 1功耗与环境温度
（共有设备，注1 ）
0.1
1.0
10
100
I
C
，集电极电流（毫安）
图。 2典型的DC电流增益与集电极电流（ NPN ）
1
0.01
BC847PN
文件编号： DS30278牧师12 - 2
2 4
www.diodes.com
2008年11月
Diodes公司
BC847PN
0.5
1,000
f
T
，增益带宽积（兆赫）
T
A
= 25
°
C
V
CE
，集电极 - 发射极
饱和电压（ V）
0.4
V
CE
= 10V
0.3
V
CE
= 5V
V
CE
= 2V
100
0.2
0.1
0
0.1
1.0
10
100
I
C
，集电极电流（毫安）
图。 3典型的集电极 - 发射极饱和电压
与集电极电流（ NPN ）
T
A
= 150°C
10
0.1
1.0
10
I
C
，集电极电流（毫安）
图。 4典型增益带宽积
与集电极电流（ NPN ）
100
1,000
0.5
V
CE
= 5V
-V
CE （ SAT ）
，集电极 - 发射极
饱和电压（ V）
I
C
I
B
= 10
0.4
h
FE
，直流电流增益
100
T
A
= 25°C
T
A
= -50°C
0.3
0.2
T
A
= 150°C
T
A
= 25°C
10
0.1
T
A
= -50°C
1
10
100
1,000
-I
C
，集电极电流（毫安）
图。 5典型的DC电流增益与集电极电流（ PNP ）
1
1,000
f
t
，增益带宽积（兆赫）
V
CE
= 5V
0
0.1
1,000
10
100
1
-I
C
，集电极电流（毫安）
图。 6典型的集电极 - 发射极饱和电压
与集电极电流（ PNP ）
100
10
1
10
-I
C
，集电极电流（毫安）
图。 7典型增益带宽积
与集电极电流（ PNP ）
100
BC847PN
文件编号： DS30278牧师12 - 2
3 4
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2008年11月
Diodes公司
BC847PN
订购信息
产品型号
BC847PN-7-F
注意事项：
（注6 ）
例
SOT-363
包装
3000 /磁带&卷轴
6.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
K7P =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年（例如： T = 2006）
M =月（例如： 9 =九月）
K7P
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
2001
M
JAN
1
2002
N
FEB
2
2003
P
2004
R
MAR
3
2005
S
APR
4
2006
T
五月
5
YM
2007
U
JUN
6
2008
V
2009
W
JUL
7
2010
X
八月
8
2011
Y
SEP
9
2012
Z
十月
O
2013
A
2014
B
NOV
N
2015
C
DEC
D
包装外形尺寸
A
B C
H
K
M
J
D
F
L
SOT-363
暗淡
民
最大
A
0.10
0.30
B
1.15
1.35
C
2.00
2.20
D
0.65 TYP
F
0.40
0.45
H
1.80
2.20
J
0
0.10
K
0.90
1.00
L
0.25
0.40
M
0.10
0.22
0°
8°
α
尺寸：mm
拟议的焊盘布局
C2
C2
Z
G
C1
Y
X
尺寸值（单位：mm）
Z
2.5
G
1.3
X
0.42
Y
0.6
C1
1.9
C2
0.65
重要通知
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改，补充，改进，修正或其他变更的权利
恕不另行通知任何产品在此。 Diodes公司不承担由此产生的任何产品的应用或使用任何责任
本文描述的;它也没有传达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。的产品中，例如应用程序的用户应
承担所有使用风险，并会同意举行Diodes公司，其产品代表我们的网站上的所有公司，
反对一切损害无害。
生命支持
未经明确的书面Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
审批Diodes公司的总裁。
BC847PN
文件编号： DS30278牧师12 - 2
4 4
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2008年11月
Diodes公司
BC847PN
BC847PN
NPN
PNP
互补的表面贴装通用硅平面晶体管
Komplementre硅平面Transistoren献给死去Oberflchenmontage
NPN
PNP
300毫瓦
SOT-363
0.01 g
版本2006-09-05
2
±0.1
2 x 0.65
6
5
4
0.9
±0.1
1.25
±0.1
2.1
±0.1
功耗
Verlustleistung
塑料外壳
Kunststoffgehuse
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
TYPE
CODE
1
2
3
2.4
尺寸 - 集体[MM ]
6 = C1
5 = B2
4 = E2
1 = E1
2 = B1
3 = C2
最大额定值（T
A
= 25°C)
每个晶体管 - 晶体管亲
集电极 - 发射极电压。 - Kollektor发射极 - Spannung
集电极 - 基极电压 - Kollektor个基本Spannung
发射极基极电压 - 发射极 - 基 - Spannung
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom （ DC ）
峰值集电极电流 - Kollektor - Spitzenstrom
峰值基极电流 - 基础 - Spitzenstrom
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
B开
ê开放
c打开
V
CBO
V
首席执行官
V
EB0
P
合计
I
C
I
CM
I
BM
T
j
T
S
Grenzwerte （T
A
= 25°C)
BC847PN
45 V
50 V
6V
300毫瓦
1
)
百毫安
200毫安
200毫安
-55...+150°C
-55…+150°C
特性（T
j
= 25°C)
分钟。
直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhltnis
V
CE
= 5 V，I
C
= 2毫安
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 2毫安
I
C
= 10 mA时，我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安，我
B
= 5毫安
- I
C
= 10毫安， - 我
B
- 0.5毫安
- I
C
= 100毫安， - 我
B
= 5毫安
T1 - NPN
T2 - PNP
h
FE
h
FE
V
CESAT
V
CESAT
- V
CESAT
- V
CESAT
200
220
–
–
–
–
Kennwerte （T
j
= 25°C)
典型值。
–
–
–
–
–
–
马克斯。
450
475
250毫伏
600毫伏
300毫伏
650毫伏
集电极 - 发射极饱和电压 - Kollektor - Sttigungsspannung
2
)
T1 - NPN
T2 - PNP
1
2
安装在P.C。主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
测试了脉冲吨
p
= 300微秒，占空比≤ 2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300微秒， Schaltverhltnis ≤ 2％
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
1
BC847PN
特性（T
j
= 25°C)
分钟。
基射极饱和电压 - 基础 - Sttigungsspannung
2
)
I
C
= 10 mA时，我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安，我
B
= 5毫安
- I
C
= 10毫安， - 我
B
- 0.5毫安
- I
C
= 100毫安， - 我
B
= 5毫安
基极发射极电压 - 基射极Spannung
2
)
I
C
= 2毫安， V
CE
= 5 V
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 5 V
- I
C
= 2毫安， - V
CE
= 5 V
- I
C
= 10毫安， - V
CE
= 5 V
V
CB
= 30 V ， （E打开）
- V
CB
= 30 V ， （E打开）
发射基截止电流
V
EB
= 5 V ， （C打开）
- V
EB
= 5 V ， （C打开）
增益带宽积 - Transitfrequenz
V
CE
= 5 V，I
C
= 10 mA时， F = 100 MHz的
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 10 mA时， F = 100 MHz的
V
CB
= 10 V，I
E
=i
e
= 0中，f = 1 MHz的
- V
CB
= 10 V，I
E
=i
e
= 0中，f = 1 MHz的
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
穿针 - Anschlubelegung
T1： E1 = 1， C 1 = 6， B 1 = 2
T 2 ： E 2 = 4， C2 = 3 ，B 2 = 5
1
T1
Kennwerte （T
j
= 25°C)
典型值。
700毫伏
900毫伏
700毫伏
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
< 420 K / W
1
)
6
5
4
T2
马克斯。
–
–
–
950毫伏
700毫伏
720毫伏
750毫伏
820毫伏
15 nA的
15 nA的
100 nA的
100 nA的
–
–
6 pF的
4.5 pF的
T1 - NPN
T2 - PNP
V
BESAT
V
BESAT
- V
BESAT
- V
BESAT
V
BE
V
BE
- V
BE
- V
BE
I
CB0
- I
CB0
I
EB0
- I
EB0
f
T
f
T
C
CBO
C
CBO
R
THA
–
–
–
–
580毫伏
–
600毫伏
–
–
–
–
–
100兆赫
100兆赫
–
–
T1 - NPN
T2 - PNP
集电极 - 基极截止电流 - Kollektor个基本Reststrom
T1 - NPN
T2 - PNP
T1 - NPN
T2 - PNP
T1 - NPN
T2 - PNP
T1 - NPN
T2 - PNP
集电极 - 基极电容 - Kollektor个基本Kapazitt
2
3
2
1
测试了脉冲吨
p
= 300微秒，占空比≤ 2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300微秒， Schaltverhltnis ≤ 2％
安装在P.C。主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
2
BC847PN
BC847PN
NPN
PNP
互补的表面贴装通用硅平面晶体管
Komplementre硅平面Transistoren献给死去Oberflchenmontage
NPN
PNP
300毫瓦
SOT-363
0.01 g
版本2006-09-05
2
±0.1
2 x 0.65
6
5
4
0.9
±0.1
1.25
±0.1
2.1
±0.1
功耗
Verlustleistung
塑料外壳
Kunststoffgehuse
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
TYPE
CODE
1
2
3
2.4
尺寸 - 集体[MM ]
6 = C1
5 = B2
4 = E2
1 = E1
2 = B1
3 = C2
最大额定值（T
A
= 25°C)
每个晶体管 - 晶体管亲
集电极 - 发射极电压。 - Kollektor发射极 - Spannung
集电极 - 基极电压 - Kollektor个基本Spannung
发射极基极电压 - 发射极 - 基 - Spannung
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom （ DC ）
峰值集电极电流 - Kollektor - Spitzenstrom
峰值基极电流 - 基础 - Spitzenstrom
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
B开
ê开放
c打开
V
CBO
V
首席执行官
V
EB0
P
合计
I
C
I
CM
I
BM
T
j
T
S
Grenzwerte （T
A
= 25°C)
BC847PN
45 V
50 V
6V
300毫瓦
1
)
百毫安
200毫安
200毫安
-55...+150°C
-55…+150°C
特性（T
j
= 25°C)
分钟。
直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhltnis
V
CE
= 5 V，I
C
= 2毫安
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 2毫安
I
C
= 10 mA时，我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安，我
B
= 5毫安
- I
C
= 10毫安， - 我
B
- 0.5毫安
- I
C
= 100毫安， - 我
B
= 5毫安
T1 - NPN
T2 - PNP
h
FE
h
FE
V
CESAT
V
CESAT
- V
CESAT
- V
CESAT
200
220
–
–
–
–
Kennwerte （T
j
= 25°C)
典型值。
–
–
–
–
–
–
马克斯。
450
475
250毫伏
600毫伏
300毫伏
650毫伏
集电极 - 发射极饱和电压 - Kollektor - Sttigungsspannung
2
)
T1 - NPN
T2 - PNP
1
2
安装在P.C。主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
测试了脉冲吨
p
= 300微秒，占空比≤ 2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300微秒， Schaltverhltnis ≤ 2％
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
1
BC847PN
特性（T
j
= 25°C)
分钟。
基射极饱和电压 - 基础 - Sttigungsspannung
2
)
I
C
= 10 mA时，我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安，我
B
= 5毫安
- I
C
= 10毫安， - 我
B
- 0.5毫安
- I
C
= 100毫安， - 我
B
= 5毫安
基极发射极电压 - 基射极Spannung
2
)
I
C
= 2毫安， V
CE
= 5 V
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 5 V
- I
C
= 2毫安， - V
CE
= 5 V
- I
C
= 10毫安， - V
CE
= 5 V
V
CB
= 30 V ， （E打开）
- V
CB
= 30 V ， （E打开）
发射基截止电流
V
EB
= 5 V ， （C打开）
- V
EB
= 5 V ， （C打开）
增益带宽积 - Transitfrequenz
V
CE
= 5 V，I
C
= 10 mA时， F = 100 MHz的
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 10 mA时， F = 100 MHz的
V
CB
= 10 V，I
E
=i
e
= 0中，f = 1 MHz的
- V
CB
= 10 V，I
E
=i
e
= 0中，f = 1 MHz的
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
穿针 - Anschlubelegung
T1： E1 = 1， C 1 = 6， B 1 = 2
T 2 ： E 2 = 4， C2 = 3 ，B 2 = 5
1
T1
Kennwerte （T
j
= 25°C)
典型值。
700毫伏
900毫伏
700毫伏
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
< 420 K / W
1
)
6
5
4
T2
马克斯。
–
–
–
950毫伏
700毫伏
720毫伏
750毫伏
820毫伏
15 nA的
15 nA的
100 nA的
100 nA的
–
–
6 pF的
4.5 pF的
T1 - NPN
T2 - PNP
V
BESAT
V
BESAT
- V
BESAT
- V
BESAT
V
BE
V
BE
- V
BE
- V
BE
I
CB0
- I
CB0
I
EB0
- I
EB0
f
T
f
T
C
CBO
C
CBO
R
THA
–
–
–
–
580毫伏
–
600毫伏
–
–
–
–
–
100兆赫
100兆赫
–
–
T1 - NPN
T2 - PNP
集电极 - 基极截止电流 - Kollektor个基本Reststrom
T1 - NPN
T2 - PNP
T1 - NPN
T2 - PNP
T1 - NPN
T2 - PNP
T1 - NPN
T2 - PNP
集电极 - 基极电容 - Kollektor个基本Kapazitt
2
3
2
1
测试了脉冲吨
p
= 300微秒，占空比≤ 2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300微秒， Schaltverhltnis ≤ 2％
安装在P.C。主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
2
MCC
微型商业组件
TM
?????????? ?????? omponents
20736玛丽拉
街道查茨沃斯
???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
BC847PN
特点
无铅涂层/符合RoHS （ "P"后缀候
符合RoHS 。参见订购信息）
非常适合自动插入
超小型表面贴装封装
环氧符合UL 94 V - 0阻燃等级
水分动态敏感度等级1
PNP和NPN
小
信号晶体管
200mW
SOT-363
G
B
C
机械
数据
案例： SOT- 363 ，模压塑料
制作花絮： 7P
最大额定值@ 25
符号
除非另有说明
价值
单位
K
A
H
M
J
参数
开关特性
I
C
I
CM
P
d
T
J
, T
英镑
集电极电流
峰值集电极电流
功率耗散@ T
s
=50
工作&储存温度
100
200
200
-55~+150
尺寸
英寸
民
最大
.006
.014
.045
.053
.085
.096
.026
.047
.055
.071
.087
---
.004
.035
.043
.010
.018
.003
.006
MM
民
最大
0.15
0.35
1.15
1.35
2.15
2.45
0.65Nominal
1.20
1.40
1.80
2.20
---
0.10
0.90
1.10
0.26
0.46
0.08
0.15
MADC
MADC
mW
D
L
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
M
记
www.mccsemi.com
修改：
A
1
5
2011/01/01
BC847PN
特征
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
基射极饱和电压
V
BE （ SAT ）
V
BEON
基射极电压
V
BEON
集电极输出电容
跃迁频率
噪声系数
C
ob
f
T
NF
V
CE
=5V,I
C
=10mA
V
CB
=10V,I
E
=0,f=1MHz
V
CE
=5V,I
C
=10mA,f=100MHz
V
CE
=5V,I
c
=0.2mA,
F = 1kHz时， RG = 2K ， F = 200Hz的
I
C
=100mA,I
B
=5mA
V
CE
=5V,I
C
=2mA
I
C
=100mA,I
B
=5mA
I
C
=10mA,I
B
=0.5mA
MCC
TM
微型商业组件
NPN晶体管（环境温度Tamb = 25
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE1
V
CE （ SAT ）
TEST
除非
条件
否则
特定网络版）
民
50
45
6
15
100
200
450
0.25
0.6
0.7
0.9
0.58
0.7
0.72
6.0
100
10
V
V
V
V
V
V
pF
兆赫
dB
典型值
最大
单位
V
V
V
nA
nA
Ic=10A,I
E
=0
Ic=10mA,I
B
=0
I
E
=1A,I
C
=0
V
CB
=30V,I
E
=0
V
EB
=5V,I
C
=0
V
CE
=5V,I
C
=2mA
I
C
=10mA,I
B
=0.5mA
PNP晶体管（环境温度Tamb = 25的特性
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
基射极饱和电压
V
BE （ SAT ）
V
BEON
基射极电压
V
BEON
集电极输出电容
跃迁频率
噪声系数
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE1
V
CE （ SAT ）
TEST
除非
否则
特定网络版）
民
典型值
最大
单位
条件
Ic=-10A,I
E
=0
Ic=-10mA,I
B
=0
I
E
=-1A,I
C
=0
V
CB
=-30V,I
E
=0
V
EB
=-5V,I
C
=0
V
CE
=-5V,I
C
=-2mA
I
C
=-10mA,I
B
=-0.5mA
I
C
=-100mA,I
B
=-5mA
I
C
=-10mA,I
B
=-0.5mA
I
C
=-100mA,I
B
=-5mA
V
CE
=-5V,I
C
=-2mA
V
CE
=-5V,I
C
=-10mA
V
CB
=-10V,I
E
=0,f=1MHz
V
CE
=-5V,I
C
=-10mA,f=100MHz
V
CE
=-
5
V，I
c
=-
0.2
毫安，
f=
1k
HZ ， RG =
2
K， F = 200Hz的
-50
-45
-5
-15
-100
220
475
-0.3
-0.65
-0.7
-0.95
-0.6
-0.75
-0.82
4.5
100
10
V
V
V
nA
nA
V
V
V
V
V
V
pF
兆赫
dB
C
ob
f
T
NF
修订版：A
www.mccsemi.com
2 5
2011/01/01
MCC
微型商业组件
TM
订购信息：
设备
型号-TP
填料
Tape&Reel;3Kpcs/Reel
***重要提示***
微型商业组件公司
保留随时更改，恕不另行通知任何产品在此向右
进行更正，修改，增强，改进或其它更改。
微型商业组件
公司。
不承担因本文所述的任何产品的应用或使用任何责任;它也不
转达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有
这样的使用和风险会同意举行
微型商业组件公司。
和其产品都是公司
代表我们的网站上，反对一切损害无害。
***生命支持***
未经明确的书面MCC的产品不得用于生命支持设备或系统使用的关键部件
微审批商业组件公司。
***客户意识***
半导体部分假冒是在行业内日益严重的问题。微型商业组件（ MCC ）正在
强有力的措施保护自己和我们的客户从假冒伪劣配件泛滥。 MCC大力鼓励
客户可以直接从MCC或谁是对上市按国家授权分销商MCC MCC采购零部件
我们的网页引用
下文。
产品购买客户无论是从MCC直接或授权分销商MCC均为正品
件，具有完整的可追溯性，满足MCC的质量标准进行处理和存储。
MCC将不提供任何保修
覆盖或其他援助的零件未经授权来源购买。
MCC致力于打击这一全球
的问题，并鼓励我们的客户尽自己的一份制止这种做法通过购买或直接从授权
分销商。
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修订版：A
5
2011/01/01
3
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