BC846BPDW1T1,
BC847BPDW1T1系列，
BC848CPDW1T1系列
双路通用
晶体管
NPN / PNP偶（免费）
这些晶体管被设计为通用放大器
应用程序。它们都装在SOT -363 / SC- 88，它是
专为低功率表面贴装应用。
特点
(3)
http://onsemi.com
(2)
(1)
Q
1
Q
2
无铅包装是否可用
最大额定值 - NPN
等级
集电极 - 发射极电压
BC846
BC847
BC848
BC846
BC847
BC848
符号
V
首席执行官
价值
65
45
30
80
50
30
6.0
100
单位
V
(4)
(5)
(6)
记号
图
6
SOT363
CASE 419B
风格1
1
XX =器件代码
D =日期代码
集电极 - 基极电压
V
CBO
V
1
V
MADC
XX
d
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
V
EBO
I
C
最大额定值 - PNP
等级
集电极 - 发射极电压
BC846
BC847
BC848
BC846
BC847
BC848
符号
V
首席执行官
价值
65
45
30
80
50
30
5.0
100
单位
V
订购信息
V
设备
BC846BPDW1T1
V
MADC
BC847BPDW1T1
马克套餐
BB
BF
航运
集电极 - 基极电压
V
CBO
SOT- 363 3000个/卷
SOT- 363 3000个/卷
SOT- 363 3000个/卷
（无铅）
SOT- 363 3000个/卷
SOT- 363 3000个/卷
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
V
EBO
I
C
BC847BPDW1T1G BF
BC847CPDW1T1
BC848CPDW1T1
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
BG
BL
热特性
特征
器件总功耗
每个器件
FR - 5委员会（注1 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
结温和存储温度
1， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
符号
P
D
最大
380
250
3.0
R
qJA
T
J
, T
英镑
328
-55到+150
单位
mW
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
毫瓦/°C的
° C / W
°C
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年6月 - 第3版
出版订单号：
BC846BPDW1T1/D
BC846BPDW1T1 ， BC847BPDW1T1系列， BC848CPDW1T1系列
电气特性（ NPN ）
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极发射极击穿电压
(I
C
= 10 mA）的
V
（ BR ） CEO
BC846系列
BC847系列
BC848系列
V
（ BR ） CES
BC846系列
BC847B只有
BC848系列
V
（ BR ） CBO
BC846系列
BC847系列
BC848系列
V
（ BR ） EBO
BC846系列
BC847系列
BC848系列
I
CBO
6.0
6.0
5.0
15
5.0
nA
mA
80
50
30
V
80
50
30
V
65
45
30
V
V
符号
民
典型值
最大
单位
集电极发射极击穿电压
(I
C
= 10
毫安，
V
EB
= 0)
集电极基极击穿电压
(I
C
= 10
毫安）
发射-Base击穿电压
(I
E
= 1.0
毫安）
集电极截止电流（V
CB
= 30 V)
(V
CB
= 30 V ，T
A
= 150°C)
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 10
毫安，
V
CE
= 5.0 V)
h
FE
BC846B ， BC847B
BC847C ， BC848C
BC846B ， BC847B
BC847C ， BC848C
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
200
420
580
150
270
290
520
0.7
0.9
660
475
800
0.25
0.6
700
770
(I
C
= 2.0毫安， V
CE
= 5.0 V)
集电极发射极饱和电压（I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.5 mA）的
集电极发射极饱和电压
(I
C
= 100毫安，我
B
= 5.0 mA）的
基地发射极饱和电压（I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.5 mA）的
基地发射极饱和电压
(I
C
= 100毫安，我
B
= 5.0 mA）的
基地发射极电压（I
C
= 2.0毫安， V
CE
= 5.0 V)
基地发射极电压
(I
C
= 10 mA时， V
CE
= 5.0 V)
小信号特性
电流 - 获得 - 带宽积
(I
C
= 10 mA时， V
CE
= 5.0伏， F = 100兆赫）
输出电容（V
CB
= 10 V ， F = 1.0兆赫）
噪声系数
(I
C
= 0.2毫安， V
CE
= 5.0伏，R
S
= 2.0千瓦， F = 1.0千赫， BW = 200赫兹）
V
V
mV
f
T
C
敖包
NF
100
4.5
10
兆赫
pF
dB
http://onsemi.com
2
BC846BPDW1T1 ， BC847BPDW1T1系列， BC848CPDW1T1系列
电气特性（ PNP ）
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极发射极击穿电压
(I
C
= -10毫安）
V
（ BR ） CEO
BC846系列
BC847系列
BC848系列
V
（ BR ） CES
BC846系列
BC847系列
BC848系列
V
（ BR ） CBO
BC846系列
BC847系列
BC848系列
V
（ BR ） EBO
BC846系列
BC847系列
BC848系列
I
CBO
5.0
5.0
5.0
15
4.0
nA
mA
80
50
30
V
80
50
30
V
65
45
30
V
V
符号
民
典型值
最大
单位
集电极发射极击穿电压
(I
C
= 10
毫安，
V
EB
= 0)
集电极基极击穿电压
(I
C
= 10
毫安）
发射-Base击穿电压
(I
E
= 1.0
毫安）
集电极截止电流（V
CB
= 30 V)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= -30 V，T
A
= 150°C)
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 10
毫安，
V
CE
= 5.0 V)
h
FE
BC846B ， BC847B
BC847C ， BC848C
BC846B ， BC847B
BC847C ， BC848C
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
0.6
0.75
0.82
0.7
0.9
0.3
0.65
200
420
150
270
290
520
475
800
(I
C
= -2.0毫安，V
CE
= 5.0 V)
集电极发射极饱和电压
(I
C
= -10毫安，我
B
= -0.5毫安）
(I
C
= -100毫安，我
B
= -5.0毫安）
基地发射极饱和电压
(I
C
= -10毫安，我
B
= -0.5毫安）
(I
C
= -100毫安，我
B
= -5.0毫安）
基地发射极电压上
(I
C
= -2.0毫安，V
CE
= 5.0 V)
(I
C
= -10毫安，V
CE
= 5.0 V)
小信号特性
电流 - 获得 - 带宽积
(I
C
= -10毫安，V
CE
= -5.0伏， F = 100兆赫）
输出电容
(V
CB
= -10 V ， F = 1.0兆赫）
噪声系数
(I
C
= -0.2毫安，V
CE
= -5.0伏，R
S
= 2.0千瓦，
F = 1.0千赫， BW = 200赫兹）
V
V
V
f
T
C
ob
NF
100
4.5
10
兆赫
pF
dB
http://onsemi.com
3
BC846BPDW1T1 ， BC847BPDW1T1系列， BC848CPDW1T1系列
NPN典型特征 - BC846
1.0
的hFE ， DC电流增益（标准化）
V
CE
= 5 V
T
A
= 25°C
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1 0.2
10
100
1.0
I
C
，集电极电流（毫安）
V，电压（V ）
T
A
= 25°C
0.8
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.6
V
BE
@ V
CE
= 5.0 V
0.4
0.2
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0
0.2
0.5
1.0
10 20
2.0
5.0
I
C
，集电极电流（毫安）
50
100
200
图1.直流电流增益
图2. “开”电压
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
T
A
= 25°C
1.6
20毫安
1.2
I
C
=
10毫安
50毫安
百毫安
200毫安
θ
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
2.0
1.0
1.4
1.8
q
VB
对于V
BE
2.2
-55 ° C至125°C
0.8
0.4
2.6
0
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0 2.0
I
B
，基极电流（毫安）
5.0
10
20
3.0
0.2
0.5
10 20
1.0 2.0
5.0
I
C
，集电极电流（毫安）
50
100
200
图3.集电极饱和区
图4.基射极温度系数
T
A
= 25°C
C，电容（pF ）
20
C
ib
10
6.0
4.0
C
ob
F T ，电流增益 - 带宽积
40
500
V
CE
= 5 V
T
A
= 25°C
200
100
50
20
2.0
0.1
0.2
0.5
1.0 2.0
10 20
5.0
V
R
，反向电压（伏）
50
100
1.0
5.0 10
50 100
I
C
，集电极电流（毫安）
图5.电容
图6.电流增益 - 带宽积
http://onsemi.com
4
BC846BPDW1T1 ， BC847BPDW1T1系列， BC848CPDW1T1系列
PNP典型特征 - BC846
1.0
的hFE ， DC电流增益（标准化）
V
CE
= 5.0 V
T
A
= 25°C
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1 0.2
1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200
I
C
，集电极电流（ AMP ）
V，电压（V ）
T
J
= 25°C
0.8
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.6
V
BE
@ V
CE
= 5.0 V
0.4
0.2
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0
0.2
0.5
50 100 200
5.0 10 20
1.0 2.0
I
C
，集电极电流（毫安）
图7.直流电流增益
图8. “开”电压
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
θ
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
2.0
1.0
1.6
I
C
=
= 10毫安
= 20毫安
-50毫安
-100毫安-200毫安
1.4
1.2
1.8
q
VB
对于V
BE
-55 ° C至125°C
0.8
2.2
0.4
T
J
= 25°C
0
0.02
0.05 0.1 0.2
0.5 1.0 2.0
I
B
，基极电流（毫安）
5.0
10
20
2.6
3.0
0.2
0.5 1.0
50
2.0
5.0 10 20
I
C
，集电极电流（毫安）
100 200
图9.集电极饱和区
图10.基射极温度系数
F T ，电流增益 - 带宽积
40
T
J
= 25°C
C，电容（pF ）
20
C
ib
500
V
CE
= 5.0 V
200
100
50
20
100
1.0
10
I
C
，集电极电流（毫安）
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0.1 0.2
C
ob
0.5
1.0 2.0
5.0 10 20
V
R
，反向电压（伏）
50 100
图11.电容
图12.电流增益 - 带宽积
http://onsemi.com
5
QQ：2880707522 复制
