SPICE模型： BC847BVN
无铅绿色
BC847BVN
互补对小信号表面
MOUNT晶体管
特点
外延片建设
两个内部在一个隔离的NPN / PNP晶体管
包
超小型表面贴装封装
铅的设计免费/符合RoHS （注2 ）
"Green"设备（注3）
E
1
B
1
C
2
A
C
1
B
2
E
2
SOT-563
B C
KAW YM
D
G
暗淡
A
B
C
D
G
民
0.15
1.10
1.55
0.90
1.50
0.56
0.10
0.10
最大
0.30
1.25
1.70
0.50
1.10
1.70
0.60
0.30
0.18
典型值
0.25
1.20
1.60
1.00
1.60
0.60
0.20
机械数据
案例： SOT- 563
外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑
化合物。 UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级
码头：完成
雾锡完成了退火铜
引线框架。每MIL -STD- 202方法208
终端连接：见图
标记（见第3页） ： KAW
订购&日期代码信息：参见第4页
重量：0.003克数（近似值）
Q
1
C
1
B
2
K
H
M
H
K
L
L
M
E
2
尺寸：mm
Q
2
E
1
B
1
C
2
最大额定值
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
峰值发射极电流
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
NPN ， BC847B型（Q
1
)
价值
50
45
6.0
100
200
200
单位
V
V
V
mA
mA
mA
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
EM
特征
符号
最大额定值
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
峰值发射极电流
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
PNP ， BC857B型（Q
2
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
EM
价值
-50
-45
-5.0
-100
-200
-200
单位
V
V
V
mA
mA
mA
特征
热特性
特征
功率耗散（注1 ） @T
A
= 25
o
C
工作和存储温度范围
注意事项：
符号
设备总
P
d
R
θJA
T
j
, T
英镑
价值
150
833
-65到+150
单位
mW
° C / W
°C
热阻，结到环境（注1 ） @T
A
= 25
o
C
1.装置安装在FR- 4 PCB ， 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸;如图所示的二极管公司焊盘布局建议焊盘布局
文件AP02001 ，它可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。
2.没有故意添加铅。
3.二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
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BC847BVN
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电气特性
特性（注4 ）
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压
集电极截止电流
增益带宽积
集电极 - 基极电容
注意：
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V(
BR ） CBO
V(
BR ） CEO
V(
BR ） EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
I
CBO
f
T
C
CBO
民
50
45
6
200
—
—
580
—
—
—
100
—
典型值
—
—
—
290
90
200
700
900
660
—
—
—
300
3.5
NPN ， BC847B型（Q
1
)
最大
—
—
—
450
250
600
—
700
720
15
5.0
—
6.0
单位
V
V
V
—
mV
mV
mV
nA
A
兆赫
pF
测试条件
I
C
= 10μA ，我
B
= 0
I
C
= 10毫安，我
B
= 0
I
E
= 1μA ，我
C
= 0
V
CE
= 5.0V ，我
C
= 2.0毫安
I
C
= 10毫安，我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100mA时我
B
= 5.0毫安
I
C
= 10毫安，我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100mA时我
B
= 5.0毫安
V
CE
= 5.0V ，我
C
= 2.0毫安
V
CE
= 5.0V ，我
C
= 10毫安
V
CB
= 30V
V
CB
= 30V ，T
A
= 150°C
V
CE
= 5.0V ，我
C
= 10毫安，
F = 100MHz的
V
CB
= 10V ， F = 1.0MHz的
4.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
1000
V
CE
，集电极饱和电压（ V）
V
CE
= 5V
100°C
0.5
I
C
I
B
= 20
0.4
h
FE ，
直流电流增益
T
A
= 25°C
100
-50°C
0.3
0.2
T
A
= 100°C
10
0.1
T
A
= 25°C
1
0.01
0.1
1.0
10
100
0
0.1
1.0
T
A
= -50°C
10
100
I
C
，集电极电流（毫安）
图。 1 ，直流电流增益VS集电极电流
（ BC847B型）
I
C
，集电极电流（毫安）
图。 2 ，集电极 - 发射极饱和电压
VS集电极电流（ BC847B型）
1000
f
T
，增益带宽积（兆赫）
T
A
= 25°C
16
14
V
CE
= 10V
F = 1MHz的
V
CE
=5V
V
CE
= 2V
电容（pF）
12
10
8
6
4
科博
2
CIBO
100
10
0.1
1.0
10
100
0
0
5
10
15
20
25
30
V
R
，反向电压（V）的
图。 4 ，电容与反向电压
（ BC847B型）
I
C
，集电极电流（毫安）
图。 3 ，增益带宽积
VS集电极电流（ BC847B型）
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电气特性
特性（注5 ）
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压
集电极截止电流
增益带宽积
集电极 - 基极电容
注意：
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V(
BR ） CBO
V(
BR ） CEO
V(
BR ） EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
I
CBO
f
T
C
CBO
民
-50
-45
-5
220
—
—
-600
—
—
—
100
—
典型值
—
—
—
290
-75
-250
-700
-850
-650
—
—
—
200
3
PNP ， BC857B型（Q
2
)
最大
—
—
—
475
-300
-650
—
-950
-750
-820
-15
-4.0
—
4.5
单位
V
V
V
—
mV
mV
mV
nA
A
兆赫
pF
测试条件
I
C
= -10μA ，我
B
= 0
I
C
= -10mA ，我
B
= 0
I
E
= -1μA ，我
C
= 0
V
CE
= -5.0V ，我
C
= -2.0mA
I
C
= -10mA ，我
B
= -0.5mA
I
C
= -100mA ，我
B
= -5.0mA
I
C
= -10mA ，我
B
= -0.5mA
I
C
= -100mA ，我
B
= -5.0mA
V
CE
= -5.0V ，我
C
= -2.0mA
V
CE
= - 5.0V ，我
C
= -10mA
V
CB
= -30V
V
CB
= -30V ，T
A
= 150°C
V
CE
= -5.0V ，我
C
= -10mA ，
F = 100MHz的
V
CB
= -10V ， F = 1.0MHz的
5.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
-1000
T
A
= 150°C
-0.5
V
CE （ SAT ）
，集电极到发射极
饱和电压（ V）
V
CE
= 5V
I
C
I
B
= 10
-0.4
h
FE
，直流电流增益
-100
T
A
= 25°C
T
A
=
-
50°C
-0.3
-0.2
T
A
= 150°C
T
A
= 25°C
-10
-0.1
T
A
= -50°C
-1
-1
-10
-100
-1000
I
C
，集电极电流（毫安）
图。 5 ，直流电流增益
与集电极电流（ BC857B型）
0
-0.1
-1
-10
-100
-1000
I
C
，集电极电流（毫安）
图。 6 ，集电极 - 发射极饱和电压
与集电极电流（ BC857B型）
20
-1000
f
t
，增益带宽积（兆赫）
V
CE
= -5V
18
16
电容（pF）
14
12
10
CIBO
8
6
4
2
F = 1MHz的
-100
科博
-10
-1
-10
I
C
，集电极电流（毫安）
图。 7 ，增益带宽积
VS集电极电流（ BC857B型）
-100
0
0
5
10
15
20
25
30
V
R
，反向电压（V）的
图。 8 ，电容与反向电压
（ BC857B型）
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3 4
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BC847BVN
200
P
d
，总功耗（MW ）
150
100
50
0
-50
0
50
100
150
T
A
，环境温度（ ° C）
图。 9 ，降额曲线 - 共有设备
订购信息
设备
BC847BVN-7
注意事项：
（注6 ）
包装
SOT-563
航运
3000 /磁带&卷轴
6.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
KAW YM
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
2004
R
JAN
1
2005
S
FEB
2
2006
T
三月
3
APR
4
KAW =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年份例如： R = 2004年
M =月前： 9 =九月
2007
U
五月
5
2008
V
JUN
6
2009
W
JUL
7
八月
8
2010
X
SEP
9
2011
Y
十月
O
NOV
N
2012
Z
DEC
D
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Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改，补充，改进，修正或其他变化没有进一步的权利
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生命支持
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