BC847A
SOT- 23双极晶体管
晶体管（ NPN ）
特点
*功耗
P
CM
:
0.225
W（环境温度Tamb = 25
O
C）注1
*集电极电流
I
CM
:
0.1
A
*集电极 - 基极电压
V
CBO
:
50
V
工作和存储结温范围
*
T
J
,T
英镑
: -55
O
C至+150
O
C
SOT-23
集热器
3
机械数据
*
*
*
*
*
BASE
案例：模压塑料
环氧树脂： UL94V-O率阻燃
导语： MIL -STD- 202E方法208C保证
安装位置：任意
重量： 0.008克
1
辐射源
2
0.055(1.40)
0.047(1.20)
0.006(0.15)
0.003(0.08)
0.020(0.50)
0.012(0.30)
0.043(1.10)
0.035(0.90)
0.004(0.10)
0.000(0.00)
0.020(0.50)
0.012(0.30)
0.100(2.55)
0.089(2.25)
最大额定值和电气特性
在25℃的环境温度额定值除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
O
0.019(2.00)
0.071(1.80)
1
3
2
0.118(3.00)
0.110(2.80)
尺寸以英寸（毫米）
电气特性
( @ T
A
= 25
o
C除非另有说明）
特征
集电极 - 基极击穿电压（I
C
= 10毫安，我
E
=0)
集电极 - 发射极击穿电压（I
C
= 10毫安，我
B
=0)
发射极 - 基极击穿电压（I
E
= 10毫安，我
C
=0)
集电极截止电流（V
CB
= 50V ，我
E
=0)
集电极截止电流（V
CE
= 45V ，我
B
=0)
发射极截止电流（V
EB
= 5V ，我
C
=0)
直流电流增益（V
CE
= 5V ，我
C
= 2毫安）
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= 100mA时我
B
= 5毫安）
基射极饱和电压（I
C
= 100mA时我
B
= 5毫安）
过渡频率（V
CE
= 5V ，我
C
= 10毫安， F = 100MH
Z
)
器件标识
BC847A
注：1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
2. “完全符合RoHS标准” ， “ 100 ％镀锡（无铅） ” 。
1E
2007-3
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE(1)
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
民
50
45
6
-
-
-
110
-
-
100
最大
-
-
-
0.1
0.1
0.1
220
0.5
1.1
-
单位
V
V
V
mA
mA
mA
-
V
V
MH
Z
f
T
免责声明
RECTRON公司保留随时更改，恕不另行通知任何产品的权利
此规范，责令改正，修改，增强或其他
变化。 RECTRON公司或任何代其不承担任何责任或liabi-
lity的任何错误或不准确之处。数据表规格及其信息
包含的意在仅提供一个产品的描述。 "Typical" paramet-
这可能包括在RECTRON数据表和/或规格ERS钙
n和做不同的应用和实际性能可能会随TI-
我。 RECTRON公司不承担因应用程序的任何责任或
使用任何产品或电路。
RECTRON产品不是设计，意或授权使用的医疗，
救命的植入物或用于生命维持或其他厘清的其他应用程序
泰德应用组件或电路的故障或失灵可能迪
rectly或间接导致伤害或威胁生命没有明确的书面appr-
对使用或销售RECTRON组件在使用RECTRON公司客户椭圆形
这样的应用程序这样做在自己的风险，并应同意完全赔偿Rect-
罗恩公司及其子公司的所有索赔，损失和expendit-无害
URES 。
恩智浦半导体
BC847 / BC547系列
45 V ， 100毫安NPN通用晶体管
5.极限值
表6 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
SOT23
SOT323
SOT416
SOT883
SOT54
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
[3]
条件
发射极开路
开基
集电极开路
单脉冲;
t
p
≤
1毫秒
单脉冲;
t
p
≤
1毫秒
T
AMB
≤
25
°C
[1]
[1]
[1]
[2][3]
[1]
民
-
-
-
-
-
-
最大
50
45
6
100
200
100
单位
V
V
V
mA
mA
mA
-
-
-
-
-
-
65
65
250
200
150
250
500
150
+150
+150
mW
mW
mW
mW
mW
°C
°C
°C
结温
环境温度
储存温度
设备安装在一FR4印刷电路板（PCB） ，单面铜，镀锡和标准
足迹。
再溢流焊接是唯一推荐的焊接方法。
设备安装在一FR4印刷电路板60
m
铜扁线，标准的足迹。
6.热特性
表7中。
符号
R
号（j -a）的
热特性
参数
从热阻
结到环境
SOT23
SOT323
SOT416
SOT883
SOT54
[1]
[2]
[3]
条件
在自由空气
[1]
[1]
[1]
[2][3]
[1]
民
典型值
最大
单位
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
500
625
833
500
250
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
再溢流焊接是唯一推荐的焊接方法。
设备安装在一FR4印刷电路板60
m
铜扁线，标准的足迹。
BC847_BC547_SER_7
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师07 - 2008年12月10日
5 15
BC846A/B-BC847A/B/C
BC848A/B/C-BC849B/C
BC850B/C
通用晶体管
NPN硅
*湿度敏感度等级： 1
* ESD额定值 - 人体模型： >4000V
-machine型号： >400V
1
BASE
集热器
3
3
1
2
SOT-23
标记图
3
XX =设备
码（见
见下表）
1
2
2
辐射源
M aximum atings
( T
A
= 25°C除非另有说明）
等级
集电极 - 发射极电压
BC847,
BC848,
集电极 - 基极电压
BC847,
BC848,
发射极 - 基极电压
BC846
BC850
BC849
BC846
BC850
BC849
符号
VCEO
价值
65
45
30
80
50
30
6.0
6.0
5.0
100
单位
VDC
VCBO
VEBO
VDC
BC846
BC847 ， BC850
BC848 ， BC849
VDC
集电极电流连续
IC
MADC
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
（注1 ） TA = 25℃
减免上述25℃
热阻，结到环境（注1 ）
器件总功耗氧化铝
基板， （注2 ） TA = 25℃
减免上述25℃
热阻，结到环境（注2 ）
结温和存储，使用温度范围
符号
PD
R
q
JA
PD
R
q
JA
TJ ， TSTG
最大
225
1.8
556
300
2.4
417
-55到+150
单位
mW
毫瓦/ C
C / W
mW
毫瓦/ C
C / W
C
器件标识
BC846A = 1A ; BC846B = 1B ; BC847A = 1E ; BC847B = 1F ; BC847C = 1G ; BC848A = 1J ;
BC848B = 1K ; BC848C = 1L ; BC849B = 2B ; BC849C = 2C ; BC850B = 2F ; BC850C = 2G
1.FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.Alumina = 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝
我们ITR 0：N
http://www.weitron.com.tw
BC846A/B-BC847A/B/C
BC848A/B/C-BC849B/C
BC850B/C
我们将其R ON
(T
A
= 25°C除非另有说明）
电气特性
开关特性
特征
符号
民
典型值
最大
单位
集电极 - 发射极击穿VoltageBC846A ，B
V（ BR ） CEO
BC847A ， B，C BC850B.C
（ IC = 10毫安）
BC848A ， B，C BC849B ，C
V（ BR ） CES
集电极 - 发射极击穿VoltageBC846A ，B
（ IC = 10 μA ， VEB = 0 ）
BC847A ， B，C BC850B.C
BC848A ， B，C BC849B ，C
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
=10 A)
发射极 - 基极击穿电压
（ IE = 1.0 μA ）
BC846A,B
V（ BR ） CBO
BC847A ， B，C BC850B.C
BC848A ， B，C BC849B ，C
BC846A,B
V（ BR ） EBO
BC847A ， B，C BC850B.C
BC848A ， B，C BC849B ，C
ICBO
65
45
30
80
50
30
80
50
30
6.0
6.0
5.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
5.0
V
V
V
V
集电极截止电流（ VCB = 30V ）
（ VCB = 30V ， TA = 150℃ ）
nA
mA
基本特征
直流电流增益
（ IC = 10
A， VCE = 5.0V ）
（ IC = 2.0毫安， VCE = 5.0V ）
BC846A ， BC847A ， BC848A
BC846B ， BC847B ， BC848B
BC847C ， BC848C
的hFE
-
-
-
110
200
420
VCE （ SAT ）
-
-
-
-
580
-
90
150
270
180
290
520
-
-
-0.7
-0.9
660
-
-
-
-
220
450
800
0.25
0.6
-
-
700
770
V
-
BC846A ， BC847A ， BC848A
BC846B ， BC847B ， BC848B
BC849B 。 BC850B ，
BC847C ， BC848C ， BC849C ， BC850C
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 10毫安， IB = 0.5mA）即可
（ IC = 100mA时IB = 5.0毫安）
基射极饱和电压
（ IC = 10毫安， IB = 0.5mA）即可
（ IC = 100mA时IB = 5.0毫安）
基射极电压上
（ IC = 2.0毫安， VCE = 5.0V ）
（ IC = 10毫安， VCE = 5.0V ）
VBE （ SAT ）
V
VBE （ON）的
V
小信号特性
电流增益带宽积
（ IC = 10毫安， VCE = 5.0VDC ， F = 100MHz时）
输出电容
（ VCB = 10V ， F = 1.0MHz的）
噪声系数
（ IC = 0.2毫安， VCE = 5.0VDC ，
BC846A ， B， BC847A ， B，C ， BC848A ， B，C ，
RS = 2.0
W
,
BC849B ，C ， BC850B ，C
F = 1.0千赫， BW = 200Hz时）
fT
科博
NF
-
-
-
-
10
4.0
100
-
-
-
-
4.5
兆赫
pF
dB
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
BC846A/B-BC847A/B/C
BC848A/B/C-BC849B/C
BC850B/C
我们将其R ON
BC847 / BC848 / BC849 / BC850系列
1.0
VCE=10V
TA = 25℃
0.9
V，电压（V ）
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
VCE
（SAT）
@IC/BC=10
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30 50
70 100
TA = 25℃
VBE
（SAT）
@IC/BC=10
VBE
（上）
@ VCE = 10V
的hFE ，规范直流电流增益
2.0
1.5
1.0
0.8
0.6
0.4
0.3
0.2
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
0
0.1
IC ，集电极电流（ MADC ）
Figure1.Normalized直流电流增益
IC ，集电极电流（ MADC ）
Firure2 。 "Saturation"而"On"电压
QVB ，温度系数（毫伏/ C）
VCE ，集电极 - 发射极电压（ V）
2.0
1.0
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
-55℃ + 125
TA = 25℃
1.6
IC = 200毫安
1.2
IC 。
10mA
IC = 100毫安
0.8
IC=-50mA
IC = 20mA下
0.4
0
0.02
0.1
1.0
10
20
0.2
IB ，基极电流（毫安）
图3.集电极饱和区
1.0
10
IC ，集电极电流（毫安）
100
图4.基射极温度系数
10
7.0
C，电容（pF ）
5.0
兴业银行
TA = 25℃
尺，电流增益带宽积（兆赫）
400
300
200
V
CE
=10V
T
A
= 25 C
100
80
60
40
30
20
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
3.0
2.0
COB
1.0
0.4
0.6 0.8 1.0
2.0
4.0
6.0 8.0 10
20
40
VR ，反向电压（伏）
图5的电容
IC ，集电极电流（ MADC ）
图6.电流GAIN-带宽积
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
BC846A/B-BC847A/B/C
BC848A/B/C-BC849B/C
BC850B/C
我们将其R ON
BC846系列
1.0
TA = 25℃
0.8
VBE(sat)@IC/IB=10
V，电压（V ）
0.6
0.4
0.2
VCE(sat)@IC/IB=10
0
VBE@VCE=-5.0V
的hFE ， DC电流增益（ NORAMALIZED ）
VCE=5V
TA = 25℃
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1 0.2
1.0
10
100
IC ，集电极电流（毫安）
0.2
0.5
图7.DC电流增益
1.0
2.0
5.0
10
20
50
IC ，集电极电流（毫安）
100
200
图8. "On"电压
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
TA = 25℃
1.6
20mA
50mA
100mA
200mA
QVB温度系数（毫伏/ C）
2.0
1.0
1.4
1.2
1.8
QVB的VBE
-55 ℃ 125℃
0.8
2.2
0.4
IC 。
10mA
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
2.6
0
0.02
3.3
0.2
0.5
1.0
-2.0
5.0
10
20
50
100
200
IB ，基极电流（毫安）
IC ，集电极电流（毫安）
图9.集电极饱和区
图10.基射极温度系数
40
TA = 25℃
兴业银行
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0.1
COB
尺，电流增益带宽积
500
VCE=5.0V
TA = 25℃
C. CAPACTIANCE （PF ）
20
200
100
50
20
1.0
5.0 10
50 100
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
VR ，反向电压（伏）
图11.电容
图12.Current增益带宽积
IC ，集电极电流（毫安）
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WEITRON
BC846A/B-BC847A/B/C
BC848A/B/C-BC849B/C
BC850B/C
SOT- 23封装外形尺寸
单位：mm
A
牛逼的运算V即瓦特
B
C
E
G
H
D
K
J
L
M
DIM MIN MAX
A
0.35 0.51
B
1.19 1.40
C
2.10 3.00
D
0.85 1.05
E
0.46 1.00
G
1.70 2.10
H
2.70 3.10
J
0.01 0.13
K
0.89 1.10
L
0.30 0.61
M
0.076 0.25
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
BC846A/B-BC847A/B/C
BC848A/B/C-BC849B/C
BC850B/C
通用晶体管
NPN硅
*湿度敏感度等级： 1
* ESD额定值 - 人体模型： >4000V
-machine型号： >400V
1
BASE
集热器
3
3
1
2
SOT-23
标记图
3
XX =设备
码（见
见下表）
1
2
2
辐射源
M aximum atings
( T
A
= 25°C除非另有说明）
等级
集电极 - 发射极电压
BC847,
BC848,
集电极 - 基极电压
BC847,
BC848,
发射极 - 基极电压
BC846
BC850
BC849
BC846
BC850
BC849
符号
VCEO
价值
65
45
30
80
50
30
6.0
6.0
5.0
100
单位
VDC
VCBO
VEBO
VDC
BC846
BC847 ， BC850
BC848 ， BC849
VDC
集电极电流连续
IC
MADC
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
（注1 ） TA = 25℃
减免上述25℃
热阻，结到环境（注1 ）
器件总功耗氧化铝
基板， （注2 ） TA = 25℃
减免上述25℃
热阻，结到环境（注2 ）
结温和存储，使用温度范围
符号
PD
R
q
JA
PD
R
q
JA
TJ ， TSTG
最大
225
1.8
556
300
2.4
417
-55到+150
单位
mW
毫瓦/ C
C / W
mW
毫瓦/ C
C / W
C
器件标识
BC846A = 1A ; BC846B = 1B ; BC847A = 1E ; BC847B = 1F ; BC847C = 1G ; BC848A = 1J ;
BC848B = 1K ; BC848C = 1L ; BC849B = 2B ; BC849C = 2C ; BC850B = 2F ; BC850C = 2G
1.FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.Alumina = 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝
我们ITR 0：N
http://www.weitron.com.tw
BC846A/B-BC847A/B/C
BC848A/B/C-BC849B/C
BC850B/C
我们将其R ON
(T
A
= 25°C除非另有说明）
电气特性
开关特性
特征
符号
民
典型值
最大
单位
集电极 - 发射极击穿VoltageBC846A ，B
V（ BR ） CEO
BC847A ， B，C BC850B.C
（ IC = 10毫安）
BC848A ， B，C BC849B ，C
V（ BR ） CES
集电极 - 发射极击穿VoltageBC846A ，B
（ IC = 10 μA ， VEB = 0 ）
BC847A ， B，C BC850B.C
BC848A ， B，C BC849B ，C
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
=10 A)
发射极 - 基极击穿电压
（ IE = 1.0 μA ）
BC846A,B
V（ BR ） CBO
BC847A ， B，C BC850B.C
BC848A ， B，C BC849B ，C
BC846A,B
V（ BR ） EBO
BC847A ， B，C BC850B.C
BC848A ， B，C BC849B ，C
ICBO
65
45
30
80
50
30
80
50
30
6.0
6.0
5.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
5.0
V
V
V
V
集电极截止电流（ VCB = 30V ）
（ VCB = 30V ， TA = 150℃ ）
nA
mA
基本特征
直流电流增益
（ IC = 10
A， VCE = 5.0V ）
（ IC = 2.0毫安， VCE = 5.0V ）
BC846A ， BC847A ， BC848A
BC846B ， BC847B ， BC848B
BC847C ， BC848C
的hFE
-
-
-
110
200
420
VCE （ SAT ）
-
-
-
-
580
-
90
150
270
180
290
520
-
-
-0.7
-0.9
660
-
-
-
-
220
450
800
0.25
0.6
-
-
700
770
V
-
BC846A ， BC847A ， BC848A
BC846B ， BC847B ， BC848B
BC849B 。 BC850B ，
BC847C ， BC848C ， BC849C ， BC850C
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 10毫安， IB = 0.5mA）即可
（ IC = 100mA时IB = 5.0毫安）
基射极饱和电压
（ IC = 10毫安， IB = 0.5mA）即可
（ IC = 100mA时IB = 5.0毫安）
基射极电压上
（ IC = 2.0毫安， VCE = 5.0V ）
（ IC = 10毫安， VCE = 5.0V ）
VBE （ SAT ）
V
VBE （ON）的
V
小信号特性
电流增益带宽积
（ IC = 10毫安， VCE = 5.0VDC ， F = 100MHz时）
输出电容
（ VCB = 10V ， F = 1.0MHz的）
噪声系数
（ IC = 0.2毫安， VCE = 5.0VDC ，
BC846A ， B， BC847A ， B，C ， BC848A ， B，C ，
RS = 2.0
W
,
BC849B ，C ， BC850B ，C
F = 1.0千赫， BW = 200Hz时）
fT
科博
NF
-
-
-
-
10
4.0
100
-
-
-
-
4.5
兆赫
pF
dB
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
BC846A/B-BC847A/B/C
BC848A/B/C-BC849B/C
BC850B/C
我们将其R ON
BC847 / BC848 / BC849 / BC850系列
1.0
VCE=10V
TA = 25℃
0.9
V，电压（V ）
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
VCE
（SAT）
@IC/BC=10
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30 50
70 100
TA = 25℃
VBE
（SAT）
@IC/BC=10
VBE
（上）
@ VCE = 10V
的hFE ，规范直流电流增益
2.0
1.5
1.0
0.8
0.6
0.4
0.3
0.2
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
0
0.1
IC ，集电极电流（ MADC ）
Figure1.Normalized直流电流增益
IC ，集电极电流（ MADC ）
Firure2 。 "Saturation"而"On"电压
QVB ，温度系数（毫伏/ C）
VCE ，集电极 - 发射极电压（ V）
2.0
1.0
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
-55℃ + 125
TA = 25℃
1.6
IC = 200毫安
1.2
IC 。
10mA
IC = 100毫安
0.8
IC=-50mA
IC = 20mA下
0.4
0
0.02
0.1
1.0
10
20
0.2
IB ，基极电流（毫安）
图3.集电极饱和区
1.0
10
IC ，集电极电流（毫安）
100
图4.基射极温度系数
10
7.0
C，电容（pF ）
5.0
兴业银行
TA = 25℃
尺，电流增益带宽积（兆赫）
400
300
200
V
CE
=10V
T
A
= 25 C
100
80
60
40
30
20
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
3.0
2.0
COB
1.0
0.4
0.6 0.8 1.0
2.0
4.0
6.0 8.0 10
20
40
VR ，反向电压（伏）
图5的电容
IC ，集电极电流（ MADC ）
图6.电流GAIN-带宽积
WEITRON
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BC846A/B-BC847A/B/C
BC848A/B/C-BC849B/C
BC850B/C
我们将其R ON
BC846系列
1.0
TA = 25℃
0.8
VBE(sat)@IC/IB=10
V，电压（V ）
0.6
0.4
0.2
VCE(sat)@IC/IB=10
0
VBE@VCE=-5.0V
的hFE ， DC电流增益（ NORAMALIZED ）
VCE=5V
TA = 25℃
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1 0.2
1.0
10
100
IC ，集电极电流（毫安）
0.2
0.5
图7.DC电流增益
1.0
2.0
5.0
10
20
50
IC ，集电极电流（毫安）
100
200
图8. "On"电压
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
TA = 25℃
1.6
20mA
50mA
100mA
200mA
QVB温度系数（毫伏/ C）
2.0
1.0
1.4
1.2
1.8
QVB的VBE
-55 ℃ 125℃
0.8
2.2
0.4
IC 。
10mA
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
2.6
0
0.02
3.3
0.2
0.5
1.0
-2.0
5.0
10
20
50
100
200
IB ，基极电流（毫安）
IC ，集电极电流（毫安）
图9.集电极饱和区
图10.基射极温度系数
40
TA = 25℃
兴业银行
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0.1
COB
尺，电流增益带宽积
500
VCE=5.0V
TA = 25℃
C. CAPACTIANCE （PF ）
20
200
100
50
20
1.0
5.0 10
50 100
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
VR ，反向电压（伏）
图11.电容
图12.Current增益带宽积
IC ，集电极电流（毫安）
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WEITRON
BC846A/B-BC847A/B/C
BC848A/B/C-BC849B/C
BC850B/C
SOT- 23封装外形尺寸
单位：mm
A
牛逼的运算V即瓦特
B
C
E
G
H
D
K
J
L
M
DIM MIN MAX
A
0.35 0.51
B
1.19 1.40
C
2.10 3.00
D
0.85 1.05
E
0.46 1.00
G
1.70 2.10
H
2.70 3.10
J
0.01 0.13
K
0.89 1.10
L
0.30 0.61
M
0.076 0.25
WEITRON
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BC846ALT1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极发射极击穿电压BC846A ，B
(I
C
= 10 mA）的
BC847A ， B，C ， BC850B ，C
BC848A ， B，C ， BC849B ，C
集电极发射极击穿电压BC846A ，B
(I
C
= 10
毫安，
V
EB
= 0)
BC847A ， B，C BC850B ，C
BC848A ， B，C ， BC849B ，C
集电极基极击穿电压
(I
C
= 10
毫安）
发射-Base击穿电压
(I
E
= 1.0
毫安）
集电极截止电流（V
CB
= 30 V)
(V
CB
= 30 V ，T
A
= 150°C)
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 10
毫安，
V
CE
= 5.0 V)
BC846A ， BC847A ， BC848A
BC846B ， BC847B ， BC848B
BC847C ， BC848C
BC846A ， BC847A ， BC848A
BC846B ， BC847B ， BC848B ，
BC849B ， BC850B
BC847C ， BC848C ， BC849C ， BC850C
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
110
200
420
580
90
150
270
180
290
520
0.7
0.9
660
220
450
800
0.25
0.6
700
770
V
V
mV
BC846A,B
BC847A ， B，C ， BC850B ，C
BC848A ， B，C ， BC849B ，C
BC846A,B
BC847A ， B，C ， BC850B ，C
BC848A ， B，C ， BC849B ，C
V
（ BR ） CEO
65
45
30
80
50
30
80
50
30
6.0
6.0
5.0
15
5.0
V
符号
民
典型值
最大
单位
V
（ BR ） CES
V
V
（ BR ） CBO
V
V
（ BR ） EBO
V
I
CBO
nA
mA
(I
C
= 2.0毫安， V
CE
= 5.0 V)
集电极发射极饱和电压（I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.5 mA）的
集电极发射极饱和电压
(I
C
= 100毫安，我
B
= 5.0 mA）的
基地发射极饱和电压（I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.5 mA）的
基地发射极饱和电压
(I
C
= 100毫安，我
B
= 5.0 mA）的
基地发射极电压（I
C
= 2.0毫安， V
CE
= 5.0 V)
基地发射极电压
(I
C
= 10 mA时， V
CE
= 5.0 V)
小信号特性
电流 - 获得 - 带宽积
(I
C
= 10 mA时， V
CE
= 5.0伏， F = 100兆赫）
输出电容（V
CB
= 10 V ， F = 1.0兆赫）
噪声系数（I
C
= 0.2毫安，
V
CE
= 5.0伏，R
S
= 2.0千瓦，
F = 1.0千赫， BW = 200赫兹）
BC846A ， B， BC847A ， B，C ， BC848A ， B，C
BC849B ，C ， BC850B ，C
f
T
C
敖包
NF
100
4.5
10
4.0
兆赫
pF
dB
图1 。
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2
BC846ALT1系列
BC847 ， BC848 ， BC849 ， BC850
2.0
的hFE ，规范直流电流增益
1.5
1.0
0.8
0.6
0.4
0.3
0.2
V
CE
= 10 V
T
A
= 25°C
V，电压（V ）
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.2
0.5
50
2.0
5.0 10
1.0
20
I
C
，集电极电流（ MADC ）
100
200
0
0.1
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30
I
C
，集电极电流（ MADC ）
50 70 100
T
A
= 25°C
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE（上）
@ V
CE
= 10 V
图1.归DC电流增益
2.0
T
A
= 25°C
1.6
I
C
= 200毫安
1.2
0.8
0.4
0
I
C
=
I
C
=
10毫安20毫安
I
C
= 50毫安
I
C
= 100毫安
1.0
图2. “饱和度”和“开”电压
VCE ，集电极 - 发射极电压（ V）
θ
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
-55 ° C至+ 125°C
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
0.02
0.1
1.0
I
B
，基极电流（毫安）
10
20
0.2
10
1.0
I
C
，集电极电流（毫安）
100
图3.集电极饱和区
F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）
10
7.0
C，电容（pF ）
5.0
3.0
C
ob
2.0
C
ib
T
A
= 25°C
400
300
200
图4.基射极温度系数
100
80
60
40
30
20
0.5 0.7
1.0
V
CE
= 10 V
T
A
= 25°C
1.0
0.4 0.6 0.8 1.0
2.0
20
4.0 6.0 8.0 10
V
R
，反向电压（伏）
40
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
I
C
，集电极电流（ MADC ）
30
50
图5的电容
图6.电流增益 - 带宽积
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3
BC846ALT1系列
订购信息
设备
BC846ALT1
BC846ALT3
BC846BLT1
BC846BLT3
BC847ALT1
BC847ALT1G
BC847BLT1
BC847CLT1
BC847CLT1G
BC847CLT3
BC847CLT3G
BC848ALT1
BC848ALT1G
BC848BLT1
BC848BLT3
BC848CLT1
BC848CLT1G
BC849BLT1
BC849BLT3
BC849CLT1
BC849CLT1G
BC850BLT1
BC850CLT1
BC850CLT1G
记号
1A
1A
1B
1B
1E
1E
1F
1G
1G
1G
1G
1J
1J
1K
1K
1L
1L
2B
2B
2C
2C
2F
2G
2G
包
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
SOT23
（无铅）
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
航运
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装Specifi-
阳离子小册子， BRD8011 / D 。
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5
BC846A/B-BC847A/B/C
BC848A/B/C-BC849B/C
BC850B/C
通用晶体管
NPN硅
*湿度敏感度等级： 1
* ESD额定值 - 人体模型： >4000V
-machine型号： >400V
1
BASE
集热器
3
3
1
2
SOT-23
标记图
3
XX =设备
码（见
见下表）
1
2
2
辐射源
M aximum atings
( T
A
= 25°C除非另有说明）
等级
集电极 - 发射极电压
BC847,
BC848,
集电极 - 基极电压
BC847,
BC848,
发射极 - 基极电压
BC846
BC850
BC849
BC846
BC850
BC849
符号
VCEO
价值
65
45
30
80
50
30
6.0
6.0
5.0
100
单位
VDC
VCBO
VEBO
VDC
BC846
BC847 ， BC850
BC848 ， BC849
VDC
集电极电流连续
IC
MADC
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
（注1 ） TA = 25℃
减免上述25℃
热阻，结到环境（注1 ）
器件总功耗氧化铝
基板， （注2 ） TA = 25℃
减免上述25℃
热阻，结到环境（注2 ）
结温和存储，使用温度范围
符号
PD
R
q
JA
PD
R
q
JA
TJ ， TSTG
最大
225
1.8
556
300
2.4
417
-55到+150
单位
mW
毫瓦/ C
C / W
mW
毫瓦/ C
C / W
C
器件标识
BC846A = 1A ; BC846B = 1B ; BC847A = 1E ; BC847B = 1F ; BC847C = 1G ; BC848A = 1J ;
BC848B = 1K ; BC848C = 1L ; BC849B = 2B ; BC849C = 2C ; BC850B = 2F ; BC850C = 2G
1.FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.Alumina = 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝
我们ITR 0：N
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BC846A/B-BC847A/B/C
BC848A/B/C-BC849B/C
BC850B/C
我们将其R ON
(T
A
= 25°C除非另有说明）
电气特性
开关特性
特征
符号
民
典型值
最大
单位
集电极 - 发射极击穿VoltageBC846A ，B
V（ BR ） CEO
BC847A ， B，C BC850B.C
（ IC = 10毫安）
BC848A ， B，C BC849B ，C
V（ BR ） CES
集电极 - 发射极击穿VoltageBC846A ，B
（ IC = 10 μA ， VEB = 0 ）
BC847A ， B，C BC850B.C
BC848A ， B，C BC849B ，C
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
=10 A)
发射极 - 基极击穿电压
（ IE = 1.0 μA ）
BC846A,B
V（ BR ） CBO
BC847A ， B，C BC850B.C
BC848A ， B，C BC849B ，C
BC846A,B
V（ BR ） EBO
BC847A ， B，C BC850B.C
BC848A ， B，C BC849B ，C
ICBO
65
45
30
80
50
30
80
50
30
6.0
6.0
5.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
5.0
V
V
V
V
集电极截止电流（ VCB = 30V ）
（ VCB = 30V ， TA = 150℃ ）
nA
mA
基本特征
直流电流增益
（ IC = 10
A， VCE = 5.0V ）
（ IC = 2.0毫安， VCE = 5.0V ）
BC846A ， BC847A ， BC848A
BC846B ， BC847B ， BC848B
BC847C ， BC848C
的hFE
-
-
-
110
200
420
VCE （ SAT ）
-
-
-
-
580
-
90
150
270
180
290
520
-
-
-0.7
-0.9
660
-
-
-
-
220
450
800
0.25
0.6
-
-
700
770
V
-
BC846A ， BC847A ， BC848A
BC846B ， BC847B ， BC848B
BC849B 。 BC850B ，
BC847C ， BC848C ， BC849C ， BC850C
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 10毫安， IB = 0.5mA）即可
（ IC = 100mA时IB = 5.0毫安）
基射极饱和电压
（ IC = 10毫安， IB = 0.5mA）即可
（ IC = 100mA时IB = 5.0毫安）
基射极电压上
（ IC = 2.0毫安， VCE = 5.0V ）
（ IC = 10毫安， VCE = 5.0V ）
VBE （ SAT ）
V
VBE （ON）的
V
小信号特性
电流增益带宽积
（ IC = 10毫安， VCE = 5.0VDC ， F = 100MHz时）
输出电容
（ VCB = 10V ， F = 1.0MHz的）
噪声系数
（ IC = 0.2毫安， VCE = 5.0VDC ，
BC846A ， B， BC847A ， B，C ， BC848A ， B，C ，
RS = 2.0
W
,
BC849B ，C ， BC850B ，C
F = 1.0千赫， BW = 200Hz时）
fT
科博
NF
-
-
-
-
10
4.0
100
-
-
-
-
4.5
兆赫
pF
dB
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
BC846A/B-BC847A/B/C
BC848A/B/C-BC849B/C
BC850B/C
我们将其R ON
BC847 / BC848 / BC849 / BC850系列
1.0
VCE=10V
TA = 25℃
0.9
V，电压（V ）
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
VCE
（SAT）
@IC/BC=10
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30 50
70 100
TA = 25℃
VBE
（SAT）
@IC/BC=10
VBE
（上）
@ VCE = 10V
的hFE ，规范直流电流增益
2.0
1.5
1.0
0.8
0.6
0.4
0.3
0.2
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
0
0.1
IC ，集电极电流（ MADC ）
Figure1.Normalized直流电流增益
IC ，集电极电流（ MADC ）
Firure2 。 "Saturation"而"On"电压
QVB ，温度系数（毫伏/ C）
VCE ，集电极 - 发射极电压（ V）
2.0
1.0
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
-55℃ + 125
TA = 25℃
1.6
IC = 200毫安
1.2
IC 。
10mA
IC = 100毫安
0.8
IC=-50mA
IC = 20mA下
0.4
0
0.02
0.1
1.0
10
20
0.2
IB ，基极电流（毫安）
图3.集电极饱和区
1.0
10
IC ，集电极电流（毫安）
100
图4.基射极温度系数
10
7.0
C，电容（pF ）
5.0
兴业银行
TA = 25℃
尺，电流增益带宽积（兆赫）
400
300
200
V
CE
=10V
T
A
= 25 C
100
80
60
40
30
20
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
3.0
2.0
COB
1.0
0.4
0.6 0.8 1.0
2.0
4.0
6.0 8.0 10
20
40
VR ，反向电压（伏）
图5的电容
IC ，集电极电流（ MADC ）
图6.电流GAIN-带宽积
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
BC846A/B-BC847A/B/C
BC848A/B/C-BC849B/C
BC850B/C
我们将其R ON
BC846系列
1.0
TA = 25℃
0.8
VBE(sat)@IC/IB=10
V，电压（V ）
0.6
0.4
0.2
VCE(sat)@IC/IB=10
0
VBE@VCE=-5.0V
的hFE ， DC电流增益（ NORAMALIZED ）
VCE=5V
TA = 25℃
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1 0.2
1.0
10
100
IC ，集电极电流（毫安）
0.2
0.5
图7.DC电流增益
1.0
2.0
5.0
10
20
50
IC ，集电极电流（毫安）
100
200
图8. "On"电压
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
TA = 25℃
1.6
20mA
50mA
100mA
200mA
QVB温度系数（毫伏/ C）
2.0
1.0
1.4
1.2
1.8
QVB的VBE
-55 ℃ 125℃
0.8
2.2
0.4
IC 。
10mA
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
2.6
0
0.02
3.3
0.2
0.5
1.0
-2.0
5.0
10
20
50
100
200
IB ，基极电流（毫安）
IC ，集电极电流（毫安）
图9.集电极饱和区
图10.基射极温度系数
40
TA = 25℃
兴业银行
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0.1
COB
尺，电流增益带宽积
500
VCE=5.0V
TA = 25℃
C. CAPACTIANCE （PF ）
20
200
100
50
20
1.0
5.0 10
50 100
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
VR ，反向电压（伏）
图11.电容
图12.Current增益带宽积
IC ，集电极电流（毫安）
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WEITRON
BC846A/B-BC847A/B/C
BC848A/B/C-BC849B/C
BC850B/C
SOT- 23封装外形尺寸
单位：mm
A
牛逼的运算V即瓦特
B
C
E
G
H
D
K
J
L
M
DIM MIN MAX
A
0.35 0.51
B
1.19 1.40
C
2.10 3.00
D
0.85 1.05
E
0.46 1.00
G
1.70 2.10
H
2.70 3.10
J
0.01 0.13
K
0.89 1.10
L
0.30 0.61
M
0.076 0.25
WEITRON
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BC846A/B-BC847A/B/C
BC848A/B/C-BC849B/C
BC850B/C
通用晶体管
NPN硅
*湿度敏感度等级： 1
* ESD额定值 - 人体模型： >4000V
-machine型号： >400V
1
BASE
集热器
3
3
1
2
SOT-23
标记图
3
XX =设备
码（见
见下表）
1
2
2
辐射源
M aximum atings
( T
A
= 25°C除非另有说明）
等级
集电极 - 发射极电压
BC847,
BC848,
集电极 - 基极电压
BC847,
BC848,
发射极 - 基极电压
BC846
BC850
BC849
BC846
BC850
BC849
符号
VCEO
价值
65
45
30
80
50
30
6.0
6.0
5.0
100
单位
VDC
VCBO
VEBO
VDC
BC846
BC847 ， BC850
BC848 ， BC849
VDC
集电极电流连续
IC
MADC
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
（注1 ） TA = 25℃
减免上述25℃
热阻，结到环境（注1 ）
器件总功耗氧化铝
基板， （注2 ） TA = 25℃
减免上述25℃
热阻，结到环境（注2 ）
结温和存储，使用温度范围
符号
PD
R
q
JA
PD
R
q
JA
TJ ， TSTG
最大
225
1.8
556
300
2.4
417
-55到+150
单位
mW
毫瓦/ C
C / W
mW
毫瓦/ C
C / W
C
器件标识
BC846A = 1A ; BC846B = 1B ; BC847A = 1E ; BC847B = 1F ; BC847C = 1G ; BC848A = 1J ;
BC848B = 1K ; BC848C = 1L ; BC849B = 2B ; BC849C = 2C ; BC850B = 2F ; BC850C = 2G
1.FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.Alumina = 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝
我们ITR 0：N
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BC846A/B-BC847A/B/C
BC848A/B/C-BC849B/C
BC850B/C
我们将其R ON
(T
A
= 25°C除非另有说明）
电气特性
开关特性
特征
符号
民
典型值
最大
单位
集电极 - 发射极击穿VoltageBC846A ，B
V（ BR ） CEO
BC847A ， B，C BC850B.C
（ IC = 10毫安）
BC848A ， B，C BC849B ，C
V（ BR ） CES
集电极 - 发射极击穿VoltageBC846A ，B
（ IC = 10 μA ， VEB = 0 ）
BC847A ， B，C BC850B.C
BC848A ， B，C BC849B ，C
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
=10 A)
发射极 - 基极击穿电压
（ IE = 1.0 μA ）
BC846A,B
V（ BR ） CBO
BC847A ， B，C BC850B.C
BC848A ， B，C BC849B ，C
BC846A,B
V（ BR ） EBO
BC847A ， B，C BC850B.C
BC848A ， B，C BC849B ，C
ICBO
65
45
30
80
50
30
80
50
30
6.0
6.0
5.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
5.0
V
V
V
V
集电极截止电流（ VCB = 30V ）
（ VCB = 30V ， TA = 150℃ ）
nA
mA
基本特征
直流电流增益
（ IC = 10
A， VCE = 5.0V ）
（ IC = 2.0毫安， VCE = 5.0V ）
BC846A ， BC847A ， BC848A
BC846B ， BC847B ， BC848B
BC847C ， BC848C
的hFE
-
-
-
110
200
420
VCE （ SAT ）
-
-
-
-
580
-
90
150
270
180
290
520
-
-
-0.7
-0.9
660
-
-
-
-
220
450
800
0.25
0.6
-
-
700
770
V
-
BC846A ， BC847A ， BC848A
BC846B ， BC847B ， BC848B
BC849B 。 BC850B ，
BC847C ， BC848C ， BC849C ， BC850C
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 10毫安， IB = 0.5mA）即可
（ IC = 100mA时IB = 5.0毫安）
基射极饱和电压
（ IC = 10毫安， IB = 0.5mA）即可
（ IC = 100mA时IB = 5.0毫安）
基射极电压上
（ IC = 2.0毫安， VCE = 5.0V ）
（ IC = 10毫安， VCE = 5.0V ）
VBE （ SAT ）
V
VBE （ON）的
V
小信号特性
电流增益带宽积
（ IC = 10毫安， VCE = 5.0VDC ， F = 100MHz时）
输出电容
（ VCB = 10V ， F = 1.0MHz的）
噪声系数
（ IC = 0.2毫安， VCE = 5.0VDC ，
BC846A ， B， BC847A ， B，C ， BC848A ， B，C ，
RS = 2.0
W
,
BC849B ，C ， BC850B ，C
F = 1.0千赫， BW = 200Hz时）
fT
科博
NF
-
-
-
-
10
4.0
100
-
-
-
-
4.5
兆赫
pF
dB
WEITRON
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BC846A/B-BC847A/B/C
BC848A/B/C-BC849B/C
BC850B/C
我们将其R ON
BC847 / BC848 / BC849 / BC850系列
1.0
VCE=10V
TA = 25℃
0.9
V，电压（V ）
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
VCE
（SAT）
@IC/BC=10
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30 50
70 100
TA = 25℃
VBE
（SAT）
@IC/BC=10
VBE
（上）
@ VCE = 10V
的hFE ，规范直流电流增益
2.0
1.5
1.0
0.8
0.6
0.4
0.3
0.2
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
0
0.1
IC ，集电极电流（ MADC ）
Figure1.Normalized直流电流增益
IC ，集电极电流（ MADC ）
Firure2 。 "Saturation"而"On"电压
QVB ，温度系数（毫伏/ C）
VCE ，集电极 - 发射极电压（ V）
2.0
1.0
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
-55℃ + 125
TA = 25℃
1.6
IC = 200毫安
1.2
IC 。
10mA
IC = 100毫安
0.8
IC=-50mA
IC = 20mA下
0.4
0
0.02
0.1
1.0
10
20
0.2
IB ，基极电流（毫安）
图3.集电极饱和区
1.0
10
IC ，集电极电流（毫安）
100
图4.基射极温度系数
10
7.0
C，电容（pF ）
5.0
兴业银行
TA = 25℃
尺，电流增益带宽积（兆赫）
400
300
200
V
CE
=10V
T
A
= 25 C
100
80
60
40
30
20
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
3.0
2.0
COB
1.0
0.4
0.6 0.8 1.0
2.0
4.0
6.0 8.0 10
20
40
VR ，反向电压（伏）
图5的电容
IC ，集电极电流（ MADC ）
图6.电流GAIN-带宽积
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BC848A/B/C-BC849B/C
BC850B/C
我们将其R ON
BC846系列
1.0
TA = 25℃
0.8
VBE(sat)@IC/IB=10
V，电压（V ）
0.6
0.4
0.2
VCE(sat)@IC/IB=10
0
VBE@VCE=-5.0V
的hFE ， DC电流增益（ NORAMALIZED ）
VCE=5V
TA = 25℃
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1 0.2
1.0
10
100
IC ，集电极电流（毫安）
0.2
0.5
图7.DC电流增益
1.0
2.0
5.0
10
20
50
IC ，集电极电流（毫安）
100
200
图8. "On"电压
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
TA = 25℃
1.6
20mA
50mA
100mA
200mA
QVB温度系数（毫伏/ C）
2.0
1.0
1.4
1.2
1.8
QVB的VBE
-55 ℃ 125℃
0.8
2.2
0.4
IC 。
10mA
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
2.6
0
0.02
3.3
0.2
0.5
1.0
-2.0
5.0
10
20
50
100
200
IB ，基极电流（毫安）
IC ，集电极电流（毫安）
图9.集电极饱和区
图10.基射极温度系数
40
TA = 25℃
兴业银行
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0.1
COB
尺，电流增益带宽积
500
VCE=5.0V
TA = 25℃
C. CAPACTIANCE （PF ）
20
200
100
50
20
1.0
5.0 10
50 100
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
VR ，反向电压（伏）
图11.电容
图12.Current增益带宽积
IC ，集电极电流（毫安）
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SOT- 23封装外形尺寸
单位：mm
A
牛逼的运算V即瓦特
B
C
E
G
H
D
K
J
L
M
DIM MIN MAX
A
0.35 0.51
B
1.19 1.40
C
2.10 3.00
D
0.85 1.05
E
0.46 1.00
G
1.70 2.10
H
2.70 3.10
J
0.01 0.13
K
0.89 1.10
L
0.30 0.61
M
0.076 0.25
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BC848A/B/C-BC849B/C
BC850B/C
通用晶体管
NPN硅
*湿度敏感度等级： 1
* ESD额定值 - 人体模型： >4000V
-machine型号： >400V
1
BASE
集热器
3
3
1
2
SOT-23
标记图
3
XX =设备
码（见
见下表）
1
2
2
辐射源
M aximum atings
( T
A
= 25°C除非另有说明）
等级
集电极 - 发射极电压
BC847,
BC848,
集电极 - 基极电压
BC847,
BC848,
发射极 - 基极电压
BC846
BC850
BC849
BC846
BC850
BC849
符号
VCEO
价值
65
45
30
80
50
30
6.0
6.0
5.0
100
单位
VDC
VCBO
VEBO
VDC
BC846
BC847 ， BC850
BC848 ， BC849
VDC
集电极电流连续
IC
MADC
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
（注1 ） TA = 25℃
减免上述25℃
热阻，结到环境（注1 ）
器件总功耗氧化铝
基板， （注2 ） TA = 25℃
减免上述25℃
热阻，结到环境（注2 ）
结温和存储，使用温度范围
符号
PD
R
q
JA
PD
R
q
JA
TJ ， TSTG
最大
225
1.8
556
300
2.4
417
-55到+150
单位
mW
毫瓦/ C
C / W
mW
毫瓦/ C
C / W
C
器件标识
BC846A = 1A ; BC846B = 1B ; BC847A = 1E ; BC847B = 1F ; BC847C = 1G ; BC848A = 1J ;
BC848B = 1K ; BC848C = 1L ; BC849B = 2B ; BC849C = 2C ; BC850B = 2F ; BC850C = 2G
1.FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.Alumina = 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝
我们ITR 0：N
http://www.weitron.com.tw
BC846A/B-BC847A/B/C
BC848A/B/C-BC849B/C
BC850B/C
我们将其R ON
(T
A
= 25°C除非另有说明）
电气特性
开关特性
特征
符号
民
典型值
最大
单位
集电极 - 发射极击穿VoltageBC846A ，B
V（ BR ） CEO
BC847A ， B，C BC850B.C
（ IC = 10毫安）
BC848A ， B，C BC849B ，C
V（ BR ） CES
集电极 - 发射极击穿VoltageBC846A ，B
（ IC = 10 μA ， VEB = 0 ）
BC847A ， B，C BC850B.C
BC848A ， B，C BC849B ，C
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
=10 A)
发射极 - 基极击穿电压
（ IE = 1.0 μA ）
BC846A,B
V（ BR ） CBO
BC847A ， B，C BC850B.C
BC848A ， B，C BC849B ，C
BC846A,B
V（ BR ） EBO
BC847A ， B，C BC850B.C
BC848A ， B，C BC849B ，C
ICBO
65
45
30
80
50
30
80
50
30
6.0
6.0
5.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
5.0
V
V
V
V
集电极截止电流（ VCB = 30V ）
（ VCB = 30V ， TA = 150℃ ）
nA
mA
基本特征
直流电流增益
（ IC = 10
A， VCE = 5.0V ）
（ IC = 2.0毫安， VCE = 5.0V ）
BC846A ， BC847A ， BC848A
BC846B ， BC847B ， BC848B
BC847C ， BC848C
的hFE
-
-
-
110
200
420
VCE （ SAT ）
-
-
-
-
580
-
90
150
270
180
290
520
-
-
-0.7
-0.9
660
-
-
-
-
220
450
800
0.25
0.6
-
-
700
770
V
-
BC846A ， BC847A ， BC848A
BC846B ， BC847B ， BC848B
BC849B 。 BC850B ，
BC847C ， BC848C ， BC849C ， BC850C
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 10毫安， IB = 0.5mA）即可
（ IC = 100mA时IB = 5.0毫安）
基射极饱和电压
（ IC = 10毫安， IB = 0.5mA）即可
（ IC = 100mA时IB = 5.0毫安）
基射极电压上
（ IC = 2.0毫安， VCE = 5.0V ）
（ IC = 10毫安， VCE = 5.0V ）
VBE （ SAT ）
V
VBE （ON）的
V
小信号特性
电流增益带宽积
（ IC = 10毫安， VCE = 5.0VDC ， F = 100MHz时）
输出电容
（ VCB = 10V ， F = 1.0MHz的）
噪声系数
（ IC = 0.2毫安， VCE = 5.0VDC ，
BC846A ， B， BC847A ， B，C ， BC848A ， B，C ，
RS = 2.0
W
,
BC849B ，C ， BC850B ，C
F = 1.0千赫， BW = 200Hz时）
fT
科博
NF
-
-
-
-
10
4.0
100
-
-
-
-
4.5
兆赫
pF
dB
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
BC846A/B-BC847A/B/C
BC848A/B/C-BC849B/C
BC850B/C
我们将其R ON
BC847 / BC848 / BC849 / BC850系列
1.0
VCE=10V
TA = 25℃
0.9
V，电压（V ）
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
VCE
（SAT）
@IC/BC=10
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30 50
70 100
TA = 25℃
VBE
（SAT）
@IC/BC=10
VBE
（上）
@ VCE = 10V
的hFE ，规范直流电流增益
2.0
1.5
1.0
0.8
0.6
0.4
0.3
0.2
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
0
0.1
IC ，集电极电流（ MADC ）
Figure1.Normalized直流电流增益
IC ，集电极电流（ MADC ）
Firure2 。 "Saturation"而"On"电压
QVB ，温度系数（毫伏/ C）
VCE ，集电极 - 发射极电压（ V）
2.0
1.0
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
-55℃ + 125
TA = 25℃
1.6
IC = 200毫安
1.2
IC 。
10mA
IC = 100毫安
0.8
IC=-50mA
IC = 20mA下
0.4
0
0.02
0.1
1.0
10
20
0.2
IB ，基极电流（毫安）
图3.集电极饱和区
1.0
10
IC ，集电极电流（毫安）
100
图4.基射极温度系数
10
7.0
C，电容（pF ）
5.0
兴业银行
TA = 25℃
尺，电流增益带宽积（兆赫）
400
300
200
V
CE
=10V
T
A
= 25 C
100
80
60
40
30
20
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
3.0
2.0
COB
1.0
0.4
0.6 0.8 1.0
2.0
4.0
6.0 8.0 10
20
40
VR ，反向电压（伏）
图5的电容
IC ，集电极电流（ MADC ）
图6.电流GAIN-带宽积
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
BC846A/B-BC847A/B/C
BC848A/B/C-BC849B/C
BC850B/C
我们将其R ON
BC846系列
1.0
TA = 25℃
0.8
VBE(sat)@IC/IB=10
V，电压（V ）
0.6
0.4
0.2
VCE(sat)@IC/IB=10
0
VBE@VCE=-5.0V
的hFE ， DC电流增益（ NORAMALIZED ）
VCE=5V
TA = 25℃
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1 0.2
1.0
10
100
IC ，集电极电流（毫安）
0.2
0.5
图7.DC电流增益
1.0
2.0
5.0
10
20
50
IC ，集电极电流（毫安）
100
200
图8. "On"电压
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
TA = 25℃
1.6
20mA
50mA
100mA
200mA
QVB温度系数（毫伏/ C）
2.0
1.0
1.4
1.2
1.8
QVB的VBE
-55 ℃ 125℃
0.8
2.2
0.4
IC 。
10mA
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
2.6
0
0.02
3.3
0.2
0.5
1.0
-2.0
5.0
10
20
50
100
200
IB ，基极电流（毫安）
IC ，集电极电流（毫安）
图9.集电极饱和区
图10.基射极温度系数
40
TA = 25℃
兴业银行
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0.1
COB
尺，电流增益带宽积
500
VCE=5.0V
TA = 25℃
C. CAPACTIANCE （PF ）
20
200
100
50
20
1.0
5.0 10
50 100
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
VR ，反向电压（伏）
图11.电容
图12.Current增益带宽积
IC ，集电极电流（毫安）
http://www.weitron.com.tw
WEITRON
BC846A/B-BC847A/B/C
BC848A/B/C-BC849B/C
BC850B/C
SOT- 23封装外形尺寸
单位：mm
A
牛逼的运算V即瓦特
B
C
E
G
H
D
K
J
L
M
DIM MIN MAX
A
0.35 0.51
B
1.19 1.40
C
2.10 3.00
D
0.85 1.05
E
0.46 1.00
G
1.70 2.10
H
2.70 3.10
J
0.01 0.13
K
0.89 1.10
L
0.30 0.61
M
0.076 0.25
WEITRON
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