【BC846T系列BC847T系列表面贴装NPN硅晶体管W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。】,IC型号BC846T,BC846T PDF资料,BC846T经销商,ic,电子元器件-51电子网

BC846T系列

BC847T系列

表面贴装

NPN硅晶体管

W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米

描述：

中央半导体BC846T和

BC847T系列类型NPN硅晶体管

通过外延平面工艺，环氧树脂制

在一个表面贴装模压封装，专为

通用开关和放大器应用。

标记验证码：看标识代码表

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SOT- 523案例

最大额定值：

(TA=25°C)

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流

峰值集电极电流

峰值电流基地

功耗

工作和存储结温

热阻

电动

符号

ICBO

IEBO

BVCBO

BVCEO

BVEBO

VCE （ SAT ）

VBE （ON）的

fT

Cc

Ce

NF

符号

VCBO

VCEO

VEBO

IC

ICM

IBM

PD

TJ ， TSTG

Θ

JA

BC847T

50

45

BC846T

80

65

5.0

100

200

100

250

-65到+150

500

单位

V

mA

mW

°C

° C / W

特性：

（ TA = 25℃ ，除非

测试条件

VCB=30V

VCB = 30V ， TA = 150℃

VEB=5.0V

IC = 10μA （ BC847T ）

IC = 10μA （ BC846T ）

IC = 10毫安（ BC847T ）

IC = 10毫安（ BC846T ）

IE=10μA

IC = 10毫安， IB = 0.5毫安

IC = 100mA时IB = 5.0毫安

IC = 2.0毫安， VCE = 5.0V

IC = 10毫安， VCE = 5.0V

VCE = 5.0V ， IC = 10毫安中，f = 100MHz的

VCB = 10V ， IE = 0 ， F = 1.0MHz的

VEB = 0.5V ， IC = 0 ， F = 1.0MHz的

VCE = 5.0V ， IC = 200μA ，

RS = 2.0KΩ F = 1.0KHz ， BW = 200Hz的

另有说明）

民

典型值

最大

15

5.0

100

50

80

45

65

5.0

0.20

0.40

0.70

0.77

1.5

11

10

BC846BT

BC847BT

民

最大

200

450

0.58

100

单位

nA

μA

nA

V

兆赫

pF

dB

BC847CT

民

最大

420

800

的hFE

VCE = 5.0V ， IC = 2.0毫安

BC846AT

BC847AT

民

最大

110

220

R1 （ 2009年20月）

BC846T系列

BC847T系列

表面贴装

NPN硅晶体管

SOT - 523案例 - 机械外形

前导码：

1）基础

2 ）辐射源

3 ）集电极

设备

BC846AT

BC846BT

BC847AT

BC847BT

BC847CT

标识代码

GT1

GT2

GT3

GT4

GT5

R1 （ 2009年20月）

W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米

BC846 / BC546系列

65 V ， 100毫安NPN通用晶体管

牧师07 - 2009年11月17日

产品数据表

1.产品廓

1.1概述

NPN通用晶体管表面贴装器件（ SMD ）塑料封装。

表1中。

产品概述

包

恩智浦

BC846

BC846W

BC846T

BC546A

[2]

BC546B

[2]

[1]

[2]

类型编号

[1]

JEITA

-

SC-70

SC-75

SC-43A

JEDEC

TO-236AB

-

TO-92

PNP

补

BC856

BC856W

BC856T

BC556A

BC556B

SOT23

SOT323

SOT416

SOT54

适用于所有可用的选项组。

此外，在SOT54A和SOT54变种封装（见

第2节）。

1.2产品特点

通用晶体管

SMD塑料封装

两种不同的增益选择

1.3应用

通用开关和放大

1.4快速参考数据

表2中。

符号

V

首席执行官

I

C

h

FE

快速参考数据

参数

集电极 - 发射极电压

集电极电流

直流电流增益

h

FE

A组

h

FE

B组

V

CE

= 5 V;

I

C

= 2毫安

条件

开基

民

-

110

200

典型值

-

180

290

最大

65

100

450

220

450

单位

V

mA

恩智浦半导体

BC846 / BC546系列

65 V ， 100毫安NPN通用晶体管

2.管脚信息

表3中。

针

1

2

3

钉扎

描述

BASE

辐射源

集热器

1

2

006aaa144

简化的轮廓

符号

SOT23封装; SOT323 ; SOT416

3

1

2

sym021

3

SOT54

1

2

3

辐射源

BASE

集热器

1

2

3

001aab347

3

2

1

sym026

SOT54A

1

2

3

辐射源

BASE

集热器

1

2

3

001aab348

3

2

1

sym026

SOT54变种

1

2

3

辐射源

BASE

集热器

1

2

3

001aab447

3

2

1

sym026

BC846_BC546_SER_7

产品数据表

牧师07 - 2009年11月17日

2 14

恩智浦半导体

BC846 / BC546系列

65 V ， 100毫安NPN通用晶体管

3.订购信息

表4 。

订购信息

包

名字

BC846

BC846W

BC846T

BC546A

[2]

BC546B

[2]

[1]

[2]

类型编号

[1]

描述

塑料表面贴装封装; 3引线

塑料单端含铅（通孔）包;

3 LEADS

塑料单端含铅（通孔）包;

3 LEADS

VERSION

SOT23

SOT323

SOT416

SOT54

-

SC-70

SC-75

SC-43A

适用于所有可用的选项组。

此外，在SOT54和SOT54变种封装（见

第2节

和

第9节）。

4.标记

表5 。

BC846

BC846A

BC846B

BC846W

BC846AW

BC846BW

[1]

标记代码

标识代码

[1]

1D*

1A*

1B*

1D*

1A*

1B*

类型编号

BC846T

BC846AT

BC846BT

BC546A

BC546B

-

标识代码

[1]

1M

1A

1B

C546A

C546B

-

类型编号

* = - ：香港制造

* = P ：香港制造

* = T：在马来西亚

* = W ：中国制造

BC846_BC546_SER_7

产品数据表

牧师07 - 2009年11月17日

3 14

恩智浦半导体

BC846 / BC546系列

65 V ， 100毫安NPN通用晶体管

5.极限值

表6 。

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ）。

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

BM

P

合计

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

峰值集电极电流

峰值电流基地

总功耗

SOT23

SOT323

SOT416

SOT54

T

j

T

AMB

T

英镑

[1]

条件

发射极开路

开基

集电极开路

单脉冲;

t

p

≤

1毫秒

单脉冲;

t

p

≤

1毫秒

T

AMB

≤

25

°C

[1]

民

-

最大

80

65

6

100

200

单位

V

mA

-

65

250

200

150

500

150

+150

mW

°C

结温

环境温度

储存温度

设备安装在一FR4印刷电路板（PCB），单面铜，镀锡和标准

足迹。

6.热特性

表7中。

符号

R

号（j -a）的

热特性

参数

从热阻

结到环境

SOT23

SOT323

SOT416

SOT54

[1]

条件

在自由空气

[1]

民

典型值

最大

单位

-

500

625

833

250

K / W

设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。

BC846_BC546_SER_7

产品数据表

牧师07 - 2009年11月17日

4 14

恩智浦半导体

BC846 / BC546系列

65 V ， 100毫安NPN通用晶体管

7.特点

表8 。

特征

T

AMB

= 25

°

C除非另有规定ED 。

符号参数

I

CBO

条件

民

-

典型值

-

最大

15

5

100

单位

nA

μA

nA

集电极 - 基极截止V

CB

= 30 V ;我

E

= 0 A

当前

V

CB

= 30 V ;我

E

= 0 A;

T

j

= 150

°C

发射极 - 基极截止

当前

直流电流增益

h

FE

A组

h

FE

B组

直流电流增益

h

FE

A组

h

FE

B组

V

CESAT

V

BESAT

V

BE

f

T

C

c

C

e

NF

集电极 - 发射极

饱和电压

基射

饱和电压

基射极电压

跃迁频率

V

CE

= 5 V ;我

C

= 10

μA

V

CE

= 5 V ;我

C

= 10

μA

V

CE

= 5 V ;我

C

= 2毫安

V

CE

= 5 V ;我

C

= 2毫安

V

CE

= 5 V ;我

C

= 2毫安

I

C

= 10毫安;我

B

- 0.5毫安

I

C

= 100毫安;我

B

= 5毫安

I

C

= 10毫安;我

B

- 0.5毫安

I

C

= 100毫安;我

B

= 5毫安

I

C

= 2毫安; V

CE

= 5 V

I

C

= 10毫安; V

CE

= 5 V

V

CE

= 5 V ;我

C

= 10毫安;

F = 100 MHz的

[1]

[2]

[3]

I

EBO

h

FE

V

EB

= 5 V ;我

E

= 0 A

-

110

200

-

580

-

100

-

180

290

-

180

290

90

200

760

900

660

-

2

11

2

-

450

220

450

200

400

-

700

770

-

3

-

10

mV

兆赫

pF

dB

集电极电容V

CB

= 10 V ;我

E

= i

e

= 0 A;

F = 1 MHz的

发射极电容

噪声系数

V

EB

= 0.5 V ;我

C

= i

c

= 0 A;

F = 1 MHz的

I

C

= 200

μA;

V

CE

= 5 V;

R

S

= 2 k ; F = 1千赫

B = 200赫兹

[1]

[2]

[3]

脉冲测试：吨

p

≤

300

μs; δ ≤

0.02.

V

BESAT

减小了大约1.7毫伏/ K随温度的升高。

V

BE

大约降低2毫伏/ K随温度的升高。

BC846_BC546_SER_7

产品数据表

牧师07 - 2009年11月17日

5 14

BC846T...BC850T

NPN硅晶体管自动对焦

对于AF输入级和驱动器应用

高电流增益

低集电极 - 发射极饱和电压

30 Hz至15 kHz的低噪音

互补类型：

BC856T ， BC857T ，

BC858T ， BC859T ， BC860T

BC846AT

BC846BT

BC847AT

BC847BT

BC847CT

BC848AT

BC848BT

BC848CT

BC849BT

BC849CT

BC850BT

BC850CT

3

2

1

VPS05996

TYPE

记号

1As

1Bs

1Es

1Fs

1Gs

1Js

1Ks

1Ls

2Bs

2cs

2Fs

2Gs

1=B

引脚配置

2=E

3=C

包

SC75

1

Aug-01-2002

BC846T...BC850T

最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

DC集电极电流

峰值集电极电流

峰值电流基地

峰值发射极电流

总功耗，

T

S

= 109 °C

结温

储存温度

热阻

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

CES

V

EBO

I

C

I

CM

I

BM

I

EM

P

合计

T

j

T

英镑

R

thjs

BC846T

65

80

6

BC847T BC848T

BC850T BC849T

45

50

6

100

200

250

150

-65 ... 150

30

5

单位

V

mA

mW

°C

结 - 焊接点

1)

165

K / W

单位

马克斯。

V

电气特性

at

T

A

= 25 ° C，除非另有规定ED 。

参数

符号

值

分钟。

DC特性

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

= 10毫安，

I

B

= 0

I

C

= 10毫安，

I

B

= 0

I

C

= 10毫安，

I

B

= 0

I

C

= 10 A,

I

E

= 0

I

C

= 10 A,

I

E

= 0

I

C

= 10 A,

I

E

= 0

BC846T

BC847T/BC850T

BC848T/BC849T

V

（ BR ） CBO

80

50

30

-

BC846T

BC847T/850T

BC848T/849T

V

（ BR ） CEO

65

45

30

-

典型值。

集电极 - 基极击穿电压

1对于计算

R

thJA

请参考应用笔记热阻

2

Aug-01-2002

BC846T...BC850T

电气特性

at

T

A

= 25 ° C，除非另有规定ED 。

参数

符号

值

分钟。

DC特性

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

= 10 A,

V

BE

= 0

I

C

= 10 A,

V

BE

= 0

I

C

= 10 A,

V

BE

= 0

I

E

= 1 A,

I

C

= 0

I

E

= 1 A,

I

C

= 0

I

E

= 1 A,

I

C

= 0

收藏家Cuto FF电流

V

CB

= 30 V,

I

E

= 0

收藏家Cuto FF电流

V

CB

= 30 V,

I

E

= 0 ,

T

A

= 150 °C

直流电流增益1 ）

I

C

= 10 A,

V

CE

= 5 V

I

C

= 10 A,

V

CE

= 5 V

I

C

= 10 A,

V

CE

= 5 V

直流电流增益1 ）

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V

I

C

= 10毫安，

I

B

- 0.5毫安

I

C

= 100毫安，

I

B

= 5毫安

基极 - 发射极饱和电压1）

I

C

= 10毫安，

I

B

- 0.5毫安

I

C

= 100毫安，

I

B

= 5毫安

基极 - 发射极电压1）

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V

I

C

= 10毫安，

V

CE

= 5 V

1 ）脉冲测试：吨

≤=

300

S，D = 2 ％

单位

马克斯。

V

典型值。

V

（ BR ） CES

65

50

30

V

（ BR ） EBO

6

5

I

CBO

I

CBO

h

FE

-

15

5

-

BC846T

BC847T/850T

BC848T/849T

BC846T

BC847T/BC850T

BC848T/BC849T

发射极 - 基极击穿电压

nA

A

-

h

FE

-group一

h

FE

乙类

h

FE

-group

h

FE

h

FE

-group一

h

FE

乙类

h

FE

-group

V

CESAT

-

110

200

420

-

V

BESAT

-

V

BE（上）

580

-

140

250

480

180

290

520

90

200

700

900

660

-

220

450

800

mV

250

600

-

700

770

集电极 - 发射极饱和电压1 ）

3

Aug-01-2002

BC846T...BC850T

电气Characteristicsat

T

A

= 25 ° C，除非另有规定ED 。

参数

AC特性

跃迁频率

I

C

= 20毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 100兆赫

集电极 - 基极电容

V

CB

= 10 V,

f

= 1兆赫

发射极 - 基极电容

V

EB

= 0.5 V,

f

= 1兆赫

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V ， F = 1千赫

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V ， F = 1千赫

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V ， F = 1千赫

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V ， F = 1千赫

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V ， F = 1千赫

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V ， F = 1千赫

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V ， F = 1千赫

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V ， F = 1千赫

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V ， F = 1千赫

开路输出导纳

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V ， F = 1千赫

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V ， F = 1千赫

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 5 V ， F = 1千赫

HFE- A组

HFE- B组

HFE- C组

HFE- A组

HFE- B组

HFE- C组

h

12e

-

h

21e

-

h

22e

-

18

30

60

-

200

330

600

-

S

1.5

2

3

-

HFE- A组

HFE- B组

HFE- C组

HFE- A组

HFE- B组

HFE- C组

-

2.7

4.7

8.7

-

10

-4

短路输入阻抗

C

eb

h

11e

-

8

-

k

C

cb

-

3

-

pF

f

T

-

250

-

兆赫

符号

分钟。

值

典型值。

马克斯。

单位

开路反向电压transf.ratio

短路正向电流transf.ratio

4

Aug-01-2002

BC846T...BC850T

电气特性

at

T

A

= 25 ° C，除非另有规定ED 。

参数

符号

值

分钟。

AC特性

噪声系数

I

C

= 200 A,

V

CE

= 5 V,

R

S

= 2

k

,

I

C

= 200 A,

V

CE

= 5 V,

R

S

= 2

k

,

等效噪声电压

I

C

= 200 A,

V

CE

= 5 V,

R

S

= 2

k

,

f

= 10 ... 50赫兹

F

f

= 200赫兹

f

= 200赫兹

典型值。

马克斯。

单位

dB

-

1.2

1

-

4

0.135 V

f

= 1千赫，

f

= 1千赫，

BC849T

BC850T

V

n

BC850T

5

Aug-01-2002

分立半导体

数据表

M3D173

BC846T ; BC847T

NPN通用晶体管

初步speci fi cation

取代1997年的数据7月07

1999年4月26日

飞利浦半导体

初步speci fi cation

NPN通用晶体管

特点

低电流（最大100 mA时）

低电压（最大65V）时。

应用

通用开关和放大，特别是

在便携式通信设备

电子数据处理（EDP ）和消费者

应用程序。

描述

NPN晶体管中的SC- 75的塑料封装。

PNP补充： BC856T和BC857T 。

1

2

手册， halfpage

BC846T ; BC847T

钉扎

针

1

2

3

BASE

辐射源

集热器

描述

3

1

2

MAM348

记号

TYPE

数

BC846AT

BC846BT

BC847AT

记号

CODE

1A

1B

1E

TYPE

数

BC847BT

BC847CT

记号

CODE

1F

1G

顶视图

Fig.1简化外形（ SC- 75 ）和符号。

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

V

CBO

参数

集电极 - 基极电压

BC846AT ; BC846BT

BC847AT ; BC847BT ; BC847CT

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

BC846AT ; BC846BT

BC847AT ; BC847BT ; BC847CT

V

EBO

I

C

I

CM

I

BM

P

合计

T

英镑

T

j

T

AMB

记

1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

峰值集电极电流

峰值电流基地

总功耗

储存温度

结温

工作环境温度

T

AMB

≤

25

°C;

注1

集电极开路

开基

65

45

5

100

200

100

150

+150

150

+150

V

mA

mW

°C

条件

发射极开路

80

50

V

分钟。

马克斯。

单位

1999年4月26日

2

飞利浦半导体

初步speci fi cation

NPN通用晶体管

热特性

符号

R

日J-一

记

1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。

特征

T

AMB

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

I

CBO

I

EBO

h

FE

参数

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

BC846AT ; BC847AT

BC846BT ; BC847BT

BC847CT

V

CESAT

V

BE

C

c

C

e

f

T

F

记

1.脉冲测试：吨

p

≤

300

s; δ ≤

0.02.

集电极 - 发射极饱和

电压

基射极电压

集电极电容

发射极电容

跃迁频率

噪音科幻gure

I

C

= 10毫安;我

B

- 0.5毫安

I

C

= 100毫安;我

B

= 5毫安;注1

I

C

= 2毫安; V

CE

= 5 V

I

C

= 10毫安; V

CE

= 5 V

I

E

= i

e

= 0; V

CB

= 10 V ; F = 1 MHz的

I

C

= 10毫安; V

CE

= 5 V ; F = 100 MHz的

I

C

= 200

A;

V

CE

= 5 V ;

S

= 2 k;

F = 1千赫B = 200赫兹

条件

I

E

= 0; V

CB

= 30 V

I

E

= 0; V

CB

= 30 V ;牛逼

j

= 150

°C

I

C

= 0; V

EB

= 5 V

I

C

= 2毫安; V

CE

= 5 V

参数

从结点到环境的热阻

条件

注1

BC846T ; BC847T

价值

833

单位

K / W

分钟。

110

200

420

580

100

典型值。

11

马克斯。

15

5

100

220

450

800

200

400

700

770

1.5

10

单位

nA

A

nA

mV

pF

兆赫

dB

I

C

= i

c

= 0; V

EB

= 500 mV的; F = 1 MHz的

1999年4月26日

3

飞利浦半导体

初步speci fi cation

NPN通用晶体管

BC846T ; BC847T

手册，全页宽

250

MBH723

的hFE

200

VCE = 5 V

150

100

50

0

10

2

BC846AT ; BC847AT 。

10

1

10

2

IC （MA ）

10

3

图2直流电流增益;典型值。

手册，全页宽

300

MBH724

的hFE

VCE = 5 V

200

100

0

10

2

BC846BT ; BC847BT 。

10

1

10

2

IC （MA ）

10

3

图3直流电流增益;典型值。

1999年4月26日

4

飞利浦半导体

初步speci fi cation

NPN通用晶体管

BC846T ; BC847T

手册，全页宽

600

MBH725

VCE = 5 V

的hFE

400

200

0

10

2

10

1

10

2

IC （MA ）

10

3

BC847CT.

图4直流电流增益;典型值。

1999年4月26日

5