BC846BLP4
65V NPN小信号表面贴装晶体管
特点
低集电极 - 发射极饱和电压，V
CE （ SAT ）
超小型无引脚表面贴装封装
完全无铅&完全符合RoHS （注1 ）
卤素和无锑。 “绿色”设备（注2 ）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
机械数据
案例： X2- DFN1006-3
外壳材料：模压塑料， "Green"模塑料。
UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级
码头：完成
镍钯金比铜引线框架。可焊
每MIL -STD- 202方法208
重量： 0.0009克（近似值）
X2-DFN1006-3
C
B
B
C
E
E
底部视图
设备符号
顶视图
设备原理图
订购信息
（注3）
产品
BC846BLP4-7B
注意事项：
记号
3S
卷尺寸（英寸）
7
胶带宽度（mm）
8
QUANTITY每卷
10,000
1.没有故意添加铅。全欧盟指令2002/ 95 / EC指令（RoHS ） & 2011/65 / EU指令（RoHS 2 ）兼容。
2.卤素和锑自由"Green “的产品被定义为那些含有<900ppm溴， <900ppm氯（ <1500ppm总溴+ Cl）的和
<1000ppm锑化合物。
3.对于包装的详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com 。
标识信息
3S
顶视图
律师表示基地
与发射端
3S =产品型号标识代码
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BC846BLP4
最大额定值
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
峰值集电极电流
峰值发射极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
EM
价值
80
65
6
100
200
200
单位
V
V
V
mA
mA
mA
热特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
功耗
热阻，结到环境
工作和存储温度范围
注意事项：
符号
（注4 ）
（注5 ）
（注4 ）
（注5 ）
P
D
R
θ
JA
T
J
, T
英镑
价值
0.41
1.05
302
119
-55到+150
单位
W
° C / W
°C
4.设备安装在FR- 4 PCB板的最低推荐焊盘布局，在静止空气条件;
5.设备安装在25毫米x 25mm的FR - 4 PCB覆盖率高的单面2盎司纯铜，在静止空气条件;
典型的热特性
1
R（T ） ，瞬态热阻
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
D = 0.9
0.1
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.02
0.01
D = 0.01
D = 0.005
D =单脉冲
R
θJA
（吨） = R （t）的R *
θ
JA
R
θ
JA
= 280 ° C / W
占空比D = T
1
/t
2
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t
1
，脉冲持续时间（s ）
图。 1瞬态热响应
10
100
1,000
250
P（ PK） ，峰值瞬态功率（ W）
单脉冲
200
R
θJA
（吨） = R （t）的R *
θ
JA
R
θ
JA
= 280 ° C / W
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
150
100
50
0
1E-06 1E-05 1E-04 0.001 0.01
0.1
1
10
t
1
，脉冲持续时间（s ）
图。 2单脉冲最大功率耗散
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电气特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
开关特性
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压（注5 ）
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
基本特征（注5 ）
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压
小信号特性（注5 ）
输入电容
输出电容
电流增益带宽积
噪声系数
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
注意事项：
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CES
I
CBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
C
IBO
C
敖包
f
T
NF
t
d
t
r
t
s
t
f
民
80
65
6
200
580
100
-
-
-
-
典型值
290
90
200
700
900
660
6.7
1.76
300
2
11.2
59.7
190.8
108.6
最大
15
15
5.0
450
250
600
900
700
770
10
-
-
-
-
单位
V
V
V
nA
nA
A
mV
mV
mV
pF
pF
兆赫
dB
ns
ns
ns
ns
测试条件
I
C
= 100μA ，我
E
= 0
I
C
= 10毫安，我
B
= 0
I
E
= 100μA ，我
C
= 0
V
CE
= 65V
V
CB
= 40V
V
CB
= 30V ，T
A
= 150°C
V
CE
= 5V ，我
C
= 2.0毫安
I
C
= 10毫安，我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100mA时我
B
= 5.0毫安
I
C
= 10毫安，我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100mA时我
B
= 5.0毫安
V
CE
= 5V ，我
C
= 2.0毫安
V
CE
= 5V ，我
C
= 10毫安
V
CB
= 5V ， F = 1.0MHz的
V
CB
= 10V ， F = 1.0MHz的
V
CE
= 5V ，我
C
= 10毫安中，f = 100MHz的
V
CE
= 5V ，我
C
= 200μA ，R
S
= 2.0k,
F = 1.0kHz ，
Δf
= 200Hz的
V
CC
= 30V,
I
C
= 150毫安，
I
B1
= I
B2
= 15毫安
脉冲条件下5.测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤2%.
典型电气特性
1,000
T
A
= 125°C
T
A
= 150°C
0.6
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
V
CE （ SAT ）
，集电极 - 发射极
饱和电压（ V）
0.5
I
B
= 50毫安
h
FE
，直流电流增益
0.4
I
B
= 30毫安
100
T
A
= -55°C
0.3
I
B
= 10毫安
I
B
= 5毫安
0.2
I
B
= 2毫安
I
B
= 1毫安
I
B
- 0.5毫安
0.1
I
B
= 0.2毫安
I
B
= 0.1毫安
10
0.01
0.1
1
10
100
1,000
I
C
，集电极电流（毫安）
图。 3典型的DC电流增益与集电极电流
0
0
20
30
40
50
60
I
B
，基极电流（毫安）
图。 4典型的集电极 - 发射极饱和电压
与基极电流
10
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