BC846ALT1G系列
通用
晶体管
NPN硅
特点
http://onsemi.com
集热器
3
1
BASE
2
辐射源
符号
V
首席执行官
价值
65
45
30
VDC
80
50
30
VDC
6.0
6.0
5.0
100
MADC
单位
VDC
3
1
2
湿度敏感度等级： 1
ESD额定值
人体模型： >4000 V
ESD额定值
机器型号： >400 V
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
BC846
BC847 ， BC850
BC848 ， BC849
集电极 - 基极电压
BC846
BC847 ， BC850
BC848 ， BC849
发射极 - 基极电压
BC846
BC847 ， BC850
BC848 ， BC849
集电极电流
连续
V
CBO
SOT23
CASE 318
类型6
V
EBO
标记图
I
C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
XX M
G
G
1
XX =器件代码
M
=日期代码*
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向和/或横线可能
这取决于制造地点而有所不同。
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局，
（注1 ）
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境（注1 ）
器件总功耗
氧化铝基板（注2）
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境（注2 ）
结存储
温度范围
符号
P
D
最大
225
单位
mW
1.8
R
qJA
P
D
556
300
毫瓦/°C的
° C / W
mW
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第12页上。
2.4
R
qJA
T
J
, T
英镑
417
55
to
+150
毫瓦/°C的
° C / W
°C
1， FR - 5 = 1.0
0.75
0.062英寸
2.氧化铝= 0.4
0.3
0.024 99.5 ％的氧化铝。
半导体元件工业有限责任公司， 2010
2010年10月
启示录10
1
出版订单号：
BC846ALT1/D
BC846ALT1G系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集热器
：辐射源
击穿电压BC846A ，B
(I
C
= 10 mA）的
BC847A ， B，C ， BC850B ，C
BC848A ， B，C ， BC849B ，C
集热器
：辐射源
击穿电压BC846A ，B
(I
C
= 10
毫安，
V
EB
= 0)
BC847A ， B，C BC850B ，C
BC848A ， B，C ， BC849B ，C
集热器
： BASE
击穿电压
(I
C
= 10
毫安）
辐射源
： BASE
击穿电压
(I
E
= 1.0
毫安）
集电极截止电流（V
CB
= 30 V)
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 10
毫安，
V
CE
= 5.0 V)
(I
C
= 2.0毫安， V
CE
= 5.0 V)
BC846A ， BC847A ， BC848A
BC846B ， BC847B ， BC848B
BC847C ， BC848C
BC846A ， BC847A ， BC848A
BC846B ， BC847B ， BC848B ，
BC849B ， BC850B
BC847C ， BC848C ， BC849C ， BC850C
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
110
200
420
580
90
150
270
180
290
520
0.7
0.9
660
220
450
800
0.25
0.6
700
770
V
V
mV
BC846A,B
BC847A ， B，C ， BC850B ，C
BC848A ， B，C ， BC849B ，C
BC846A,B
BC847A ， B，C ， BC850B ，C
BC848A ， B，C ， BC849B ，C
(V
CB
= 30 V ，T
A
= 150°C)
V
（ BR ） CEO
65
45
30
80
50
30
80
50
30
6.0
6.0
5.0
15
5.0
V
符号
民
典型值
最大
单位
V
（ BR ） CES
V
V
（ BR ） CBO
V
V
（ BR ） EBO
V
I
CBO
nA
mA
集热器
：辐射源
饱和电压（I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.5 mA）的
集热器
：辐射源
饱和电压
(I
C
= 100毫安，我
B
= 5.0 mA）的
BASE
：辐射源
饱和电压（I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.5 mA）的
BASE
：辐射源
饱和电压
(I
C
= 100毫安，我
B
= 5.0 mA）的
BASE
：辐射源
电压（I
C
= 2.0毫安， V
CE
= 5.0 V)
BASE
：辐射源
电压
(I
C
= 10 mA时， V
CE
= 5.0 V)
小信号特性
当前
- 获得 -
带宽积
(I
C
= 10 mA时， V
CE
= 5.0伏， F = 100兆赫）
输出电容（V
CB
= 10 V ， F = 1.0兆赫）
噪声系数（I
C
= 0.2毫安，
V
CE
= 5.0伏，R
S
= 2.0千瓦，
F = 1.0千赫， BW = 200赫兹）
BC846A ， B， BC847A ， B，C ， BC848A ， B，C
BC849B ，C ， BC850B ，C
f
T
C
敖包
NF
100
4.5
10
4.0
兆赫
pF
dB
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2
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