公元前846 ...公元前850
NPN
通用晶体管
NPN
表面贴装硅外延PlanarTransistors
硅外延PlanarTransistoren献给死去Oberflchenmontage
功耗 - Verlustleistung
2.9
±0.1
0.4
3
250毫瓦
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
1.1
塑料外壳
Kunststoffgehuse
1.3
±0.1
TYPE
CODE
1
2
2.5
最大
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
1.9
尺寸/集体单位为毫米
1=B
2=E
3=C
最大额定值（T
A
= 25
/
C)
公元前846
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基电压
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom （ DC ）
峰值集电极电流 - Kollektor - Spitzenstrom
峰值基极电流 - 基础 - Spitzenstrom
峰值发射极电流 - 发射极Spitzenstrom
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
B开
ê开放
c打开
V
CE0
V
CB0
V
EB0
P
合计
I
C
I
CM
I
BM
- I
EM
T
j
T
S
65 V
80 V
6V
Grenzwerte （T
A
= 25
/
C)
BC八百五分之八百四十七
45 V
50 V
250毫瓦
1
)
百毫安
200毫安
200毫安
200毫安
150
/
C
- 65…+ 150
/
C
BC 849分之848
30 V
30 V
5V
特性（T
j
= 25
/
C)
A组
直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhltnis
2
)
V
CE
= 5 V，I
C
= 10
:
A
V
CE
= 5 V，I
C
= 2毫安
H-参数在V
CE
= 5V ，我
C
= 2毫安， F = 1千赫
小信号电流增益
Kleinsignal - Stromverstrkung
输入阻抗 - Eingangs - Impedanz
输出导纳 - Ausgangs - Leitwert
反向电压传输比
Spannungsrückwirkung
1
Kennwerte （T
j
= 25
/
C)
B组
（典型值） 。 150
200...450
C组
（典型值） 。 270
420...800
h
FE
h
FE
（典型值） 。 90
110...220
h
fe
h
ie
h
oe
h
re
（典型值） 。 220
1.6...4.5 k
S
18 < 30
:
S
typ.1.5 * 10
-4
（典型值） 。 330
3.2...8.5 k
S
30 < 60
:
S
（典型值） 。 2 * 10
-4
（典型值） 。 600
6...15 k
S
60 < 110
:
S
（典型值） 。 3 * 10
-4
）安装在交媾主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
2
）测试与脉冲吨
p
= 300
:
S，占空比
#
2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300
:
S， Schaltverhltnis
#
2%
10
01.11.2003
通用晶体管
特性（T
j
= 25
/
C)
分钟。
集电极饱和电压。 - Kollektor - Sttigungsspannung
1
)
I
C
= 10 mA时，我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安，我
B
= 5毫安
I
C
= 10 mA时，我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安，我
B
= 5毫安
基射极电压 - 基射极Spannung
1
)
V
CE
= 5 V，I
C
= 2毫安
V
CE
= 5 V，I
C
= 10毫安
集电极 - 基极截止电流 - Kollektorreststrom
I
E
= 0, V
CB
= 30 V
I
E
= 0, V
CB
= 30 V ，T
j
= 150
/
C
发射基截止电流 - Emitterreststrom
I
C
= 0, V
EB
= 5 V
增益带宽积 - Transitfrequenz
V
CE
= 5 V，I
C
= 10 mA时， F = 100 MHz的
V
CB
= 10 V，I
E
= i
e
= 0中，f = 1 MHz的
V
EB
= 0.5 V，I
C
= i
c
= 0中，f = 1 MHz的
噪声系数 - Rauschzahl
V
CE
= 5 V，I
C
= 200
:
A
R
G
= 2 k
S
， F = 1 kHz时，
)
F = 200赫兹
V
CE
= 5 V，I
C
= 200
:
A
R
G
= 2 k
S
， F = 1 kHz时，
F = 30 ... 15000赫兹
公元前846 ...
F
公元前848
BC 850分之849
公元前849
公元前850
F
F
F
–
–
R
THA
–
f
T
C
CB0
C
EB0
100兆赫
–
–
I
EB0
–
–
I
CB0
I
CB0
–
–
–
–
V
BEON
V
BEON
580毫伏
–
V
CESAT
V
CESAT
V
BESAT
V
BESAT
–
–
–
–
公元前846 ...公元前850
Kennwerte （T
j
= 25
/
C)
典型值。
90毫伏
200毫伏
700毫伏
900毫伏
660毫伏
–
马克斯。
250毫伏
600毫伏
–
–
700毫伏
770毫伏
15 nA的
5
:
A
100 nA的
–
3.5 pF的
9 pF的
6 pF的
–
基本饱和电压 - 基础 - Sttigungsspannung
1
)
集电极 - 基极电容 - Kollektor个基本Kapazitt
发射极 - 基极电容 - 发射极 - 基 - Kapazitt
2分贝
1.2分贝
1.4分贝
1.4分贝
10分贝
4分贝
4分贝
3分贝
420 K / W
2
)
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
推荐互补PNP晶体管
Empfohlene komplementre PNP - Transistoren
BC 846A = 1A
可用的电流增益标记
每类群体
Stempelung德lieferbaren Strom-
verstrkungsgruppen亲典型值
BC 847A = 1E
BC 848A = 1J
公元前856 ...公元前860
BC 846B = 1B
BC 847B = 1F
BC 848B = 1K
BC 849B = 2B
BC 850B = 2F
BC 847C = 1G
BC 848C = 1L
BC 849C = 2C
公元前850 = 2G
）测试与脉冲吨
p
= 300
:
S，占空比
#
2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300
:
S， Schaltverhltnis
#
2%
）安装在交媾主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
01.11.2003
1
2
11
BC846...BC850
NPN硅晶体管自动对焦
对于AF输入级和驱动器应用
高电流增益
低集电极 - 发射极饱和电压
30 Hz至15 kHz的低噪音
互补类型： BC856 ， BC857 ， BC858
BC859 ， BC860 （ PNP ）
3
2
1
VPS05161
TYPE
BC846A
BC846B
BC847A
BC847B
BC847C
BC848A
BC848B
BC848C
BC849B
BC849C
BC850B
BC850C
记号
1As
1Bs
1Es
1Fs
1Gs
1Js
1Ks
1Ls
2Bs
2Cs
2Fs
2Gs
1=B
B=1
B=1
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
引脚配置
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
包
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
1
Nov-20-2002
公元前846 ...公元前850
电气特性
at
T
A
= 25℃，除非另有规定。
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安
公元前846
公元前847 ，公元前850
公元前848 ，公元前849
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10
A
公元前846
公元前847 ，公元前850
公元前848 ，公元前849
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10
A,
V
BE
= 0
公元前846
公元前847 ，公元前850
公元前848 ，公元前849
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 1
A
公元前846 ，公元前847
公元前848 ，公元前849 ，公元前850
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 30 V
V
CB
= 30 V,
T
A
= 150 C
直流电流增益
I
C
= 10
A,
V
CE
= 5 V
公元前846一公元前847一公元前848一
公元前846 B ...公元前850 B
公元前847 C，公元前848 C，公元前849 C，公元前850℃
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V
公元前846一公元前847一公元前848一
公元前846 B ...公元前850 B
公元前847 C，公元前848 C，公元前849 C，公元前850℃
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 10毫安，
I
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安，
I
B
= 5毫安
基射极饱和电压
1)
I
C
= 10毫安，
I
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安，
I
B
= 5毫安
基射极电压
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 5 V
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 5 V
1)
脉冲
值
典型值。
马克斯。
单位
V
(BR)CE0
65
45
30
V
(BR)CB0
80
50
30
V
（ BR ） CES
80
50
30
V
(BR)EB0
6
5
I
CB0
–
–
h
FE
–
–
–
110
200
420
V
CESAT
–
–
V
BESAT
–
–
V
BE（上）
580
–
660
–
700
770
700
900
–
–
90
200
250
600
140
250
480
180
290
520
–
–
–
220
450
800
–
–
15
5
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
V
nA
A
–
mV
测试：
t
≤
300
s,
D
= 2 %.
半导体集团
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN通用晶体管
热特性
符号
R
日J-一
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
BC846A ; BC847A
BC846B ; BC847B
BC847C
直流电流增益
BC846
BC847
BC846A;BC847A
BC846B ; BC847B
BC847C
V
CESAT
V
BESAT
V
BE
C
c
f
T
F
笔记
1. V
BESAT
降低了约1.7毫伏/ K随温度的升高。
2. V
BE
降低了约2毫伏/ K随温度的升高。
集电极 - 发射极饱和
电压
基射极饱和电压
基射极电压
集电极电容
跃迁频率
噪音科幻gure
I
C
= 10毫安;我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安;我
B
= 5毫安
I
C
= 10毫安;我
B
= 0.5毫安;注1
I
C
= 100毫安;我
B
= 5毫安;注1
I
C
= 2毫安; V
CE
= 5 V ;注意2
I
C
= 10毫安; V
CE
= 5 V ;注意2
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V ; F = 1兆赫;
I
C
= 200
A;
V
CE
= 5 V ;
S
= 2 k;
F = 1千赫B = 200赫兹
I
C
= 2毫安; V
CE
= 5 V;
参见图2 ，图3和4
条件
I
E
= 0; V
CB
= 30 V
I
E
= 0; V
CB
= 30 V ;牛逼
j
= 150
°C
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
I
C
= 10
A;
V
CE
= 5 V;
参见图2 ，图3和4
分钟。
110
110
110
200
420
580
参数
从结点到环境的热阻
条件
注1
BC846 ; BC847
价值
500
单位
K / W
典型值。
90
150
270
180
290
520
90
200
700
900
660
2.5
2
马克斯。
15
5
100
450
800
220
450
800
250
600
700
770
10
单位
nA
A
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
pF
兆赫
dB
I
C
= 10毫安; V
CE
= 5 V ; F = 100 MHz的; 100
1999年04月23
3
MCC
特点
l
l
l
?????????? ?????? omponents
21201 Itasca的街查茨沃斯
???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
BC846A
THRU
BC848C
NPN小
信号晶体管
310mW
SOT-23
A
D
非常适合自动插入
150℃结温
对于开关和AF放大器应用
o
机械数据
l
案例： SOT -23 ，模压塑料
l
码头：每MIL -STD- 202方法208
l
极性：见图
l
重量： 0.008克（约）
TYPE
BC846A
BC846B
BC847A
BC847B
标识代码（注2 ）
记号
TYPE
1A
BC847C
1B
BC848A
1E
BC848B
1F
BC848C
记号
1G
1J
1K
1L
C
B
F
E
G
H
J
最大额定值@ 25
o
C除非另有说明
尺寸
BC846
BC847
BC848
集电极 - 发射极电压
BC846
BC847
BC848
发射极 - 基极电压BC846 ， BC847
BC848
集电极电流
峰值集电极电流
峰值发射极电流
功率耗散@ T
s
= 50℃ （注1）
工作&储存温度
o
charateristic
集电极 - 基极电压
符号
V
C B
V
权证
V
EBO
I
C
I
C M
I
EM
P
d
价值
80
50
30
65
45
30
6.0
5.0
100
200
200
310
单位
V
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
V
V
mA
mA
mA
mW
o
英寸
民
.110
.083
.047
.035
.070
.018
.0005
.035
.003
.015
最大
.120
.098
.055
.041
.081
.024
.0039
.044
.007
.020
MM
民
2.80
2.10
1.20
.89
1.78
.45
.013
.89
.085
.37
最大
3.04
2.64
1.40
1.03
2.05
.60
.100
1.12
.180
.51
记
建议焊料
焊盘布局
.031
.800
.035
.900
.079
2.000
英寸
mm
T
j
, T
S T摹
-55~150
C
注意：
1.
包安装在陶瓷基板
0.7毫米X 2.5厘米
2
区。
2.
电流增益小组“C”不可用
为BC846 。
.037
.950
.037
.950
www.mccsemi.com
BC846A - BC848C
NPN表面贴装小信号晶体管
特点
·
·
·
非常适合自动插入
可提供互补PNP类型
(BC856-BC858)
对于开关和AF放大器应用
SOT-23
A
C
B
B
E
顶视图
暗淡
A
B
C
民
0.37
1.20
2.30
0.89
0.45
1.78
2.80
0.013
0.903
0.45
0.85
0°
最大
0.51
1.40
2.50
1.03
0.60
2.05
3.00
0.10
1.10
0.61
0.80
8°
机械数据
·
·
·
·
·
·
·
·
案例： SOT -23 ，模压塑料
外壳材料 - UL防火等级
分类科幻阳离子94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020A等级1
码头：每MIL -STD- 202焊接的，
方法208
引脚连接：见图
标识代码（见下表&图
第3页）
订购&日期代码信息：见第3页
约。重量： 0.008克
E
D
G
H
C
D
E
G
H
J
K
L
M
a
K
J
L
M
尺寸：mm
标识代码（注2 ）
TYPE
BC846A
BC846B
BC847A
BC847B
记号
1A ， K1Q
1B ， K1R
1E ， K1E ， K1Q
1F ， K1F ， K1R
TYPE
BC847C
BC848A
BC848B
BC848C
记号
1G ， K1M
1J ， K1J ， K1E ， K1Q
1K ， K1K ， K1F ， K1R
1L ， K1L ， K1M
最大额定值
集电极 - 基极电压
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
BC846
BC847
BC848
BC846
BC847
BC848
BC846 ， BC847
BC848
V
CBO
价值
80
50
30
65
45
30
6.0
5.0
100
200
200
300
417
-65到+150
单位
V
特征
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
EM
P
d
R
qJA
T
j
, T
英镑
V
V
mA
mA
mA
mW
° C / W
°C
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
峰值发射极电流
功率耗散（注1 ）
热阻，结到环境空气（注1 ）
工作和存储温度范围
注意事项：
1.装置安装在FR- 4 PCB ， 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸;如图所示的二极管公司焊盘布局建议焊盘布局
文件AP02001 ，它可以在我们的网站上找到http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf
2.电流增益小组“C”不适用于BC846 。
DS11108牧师14 - 2
1第3
BC846A-BC848C
电气特性
特征
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
BC846
BC847 V
（ BR ） CBO
BC848
民
80
50
30
65
45
30
6
5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
110
200
420
—
—
580
—
—
—
—
—
—
100
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
—
220
330
600
2.7
4.5
8.7
18
30
60
1.5x10
-4
2x10
-4
3x10
-4
180
290
520
90
200
700
900
660
—
—
—
—
—
—
300
3.0
2
最大
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
220
450
800
250
600
—
700
770
15
15
15
15
5.0
—
—
10
单位
V
测试条件
I
C
= 10毫安，我
B
= 0
集电极 - 基极击穿电压（注3 ）
集电极 - 发射极击穿电压（注3 ） BC846
BC847 V
（ BR ） CEO
BC848
发射极 - 基极击穿电压
（注3）
H-参数
小信号电流增益
BC846 ， BC847 V
BC848
（ BR ） EBO
h
fe
h
fe
h
fe
h
ie
h
ie
h
ie
h
oe
h
oe
h
oe
h
re
h
re
h
re
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
BC846
BC847
BC848
I
CES
I
CES
I
CES
I
CBO
I
CBO
f
T
C
CBO
NF
V
V
—
—
—
kW
kW
kW
S
S
S
—
—
—
—
mV
mV
mV
nA
nA
nA
nA
A
兆赫
pF
dB
I
C
= 10毫安，我
B
= 0
I
E
= 1mA时，我
C
= 0
电流增益A组
B
C
输入阻抗
电流增益A组
B
C
输出导纳
电流增益A组
B
C
反向电压传输比
A
电流增益组
B
C
直流电流增益
电流增益A组
B
（注3 ）C
V
CE
= 5.0V ，我
C
= 2.0毫安，
F = 1.0kHz
V
CE
= 5.0V ，我
C
= 2.0毫安
I
C
= 10毫安，我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100mA时我
B
= 5.0毫安
I
C
= 10毫安，我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100mA时我
B
= 5.0毫安
V
CE
= 5.0V ，我
C
= 2.0毫安
V
CE
= 5.0V ，我
C
= 10毫安
V
CE
= 80V
V
CE
= 50V
V
CE
= 30V
V
CB
= 40V
V
CB
= 30V ，T
A
= 150°C
V
CE
= 5.0V ，我
C
= 10毫安，
F = 100MHz的
V
CB
= 10V ， F = 1.0MHz的
V
CE
= 5V ，我
C
= 200A,
R
S
= 2.0KW ，
F = 1.0kHz ，
Df
= 200Hz的
集电极 - 发射极饱和电压（注3 ）
基射极饱和电压（注3 ）
基射极电压（注3 ）
集电极截止电流（注3 ）
增益带宽积
集电极 - 基极电容
噪声系数
注意事项：
3.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
DS11108牧师14 - 2
2 3
BC846A-BC848C
订购信息
设备
BC84xx-7*
（注4 ）
包装
SOT-23
航运
3000 /磁带&卷轴
注意事项：
4.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
* XX =设备类型，例如BC846A -7。
标识信息
XXX
XXX =产品型号标识代码（见第1页） ，例如： K1Q或1A = BC846A
YM =日期代码标
Y =年份例如： N = 2002年
M =月前： 9 =九月
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
1998
J
JAN
1
FEB
2
1999
K
三月
3
2000
L
APR
4
五月
5
2001
M
JUN
6
JUL
7
2002
N
八月
8
SEP
9
2003
P
十月
O
NOV
N
2004
R
DEC
D
DS11108牧师14 - 2
YM
3 3
BC846A-BC848C
BC846A / BC846B / BC847A / BC847B / BC847C
BC846A
BC846B
BC847A
BC847B
BC847C
C
C
E
E
SOT-23
马克： 1A 。 / 1B 。
B
SOT-23
马克： 1E 。 / 1F 。 / 1G 。
B
NPN通用放大器
该器件是专为低噪声，高增益，通用
放大器应用在1.0集电极电流
A
到50毫安。
从工艺07采购。
绝对最大额定值*
符号
V
首席执行官
V
CES
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
TA = 25° C除非另有说明
3
价值
单位
V
V
V
V
V
mA
°C
65
45
80
50
6.0
100
-55到+150
参数
BC846系列
BC847系列
BC846系列
BC847系列
工作和存储结温范围
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性
符号
P
D
R
θJA
TA = 25° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到环境
最大
* BC846 / BC847
325
2.8
357
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
*
设备安装在FR-4电路板40毫米×40毫米×1.5毫米。
1997
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
BC846A / BC846B / BC847A / BC847B / BC847C
NPN通用放大器
（续）
电气特性
符号
参数
TA = 25° C除非另有说明
测试条件
民
最大
单位
开关特性
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CES
V
（ BR ） EBO
I
CBO
集电极 - 发射极击穿
电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
I
C
= 10 mA时，我
B
= 0
I
C
= 10
A,
I
E
= 0
846A / B
847A / B
846A / B
847A / B
65
45
80
50
6.0
15
5.0
V
V
V
nA
A
I
E
= 10
A,
I
C
= 0
V
CB
= 30 V
V
CB
= 30 V ，T
A
= 150°C
基本特征
h
FE
直流电流增益
I
C
= 2.0毫安， V
CE
= 5.0 V
846A / 847A
846B / 847B
847C
I
C
= 10 mA时，我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安，我
B
= 5.0毫安
I
C
= 2.0毫安， V
CE
= 5.0 V
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 5.0 V
110
200
420
220
450
800
0.25
0.6
0.70
0.77
V
CE（
SAT
)
V
BE （
on
)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
0.58
V
V
V
V
小信号特性
f
T
C
敖包
NF
电流增益 - 带宽积
输出电容
噪声系数
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 5.0,
F = 100 MHz的
V
CB
= 10 V ， F = 1.0 MHz的
I
C
= 0.2毫安， V
CE
= 5.0,
R
S
= 2.0千欧， F = 1.0千赫，
BW = 200赫兹
100
4.5
10
兆赫
pF
dB
典型特征
典型的脉冲电流增益
VS集电极电流
1200
1000
800
600
25 °C
125 °C
V
CESAT
- 集电极 - 发射极电压（ V）
h
FE
- 典型的脉冲电流增益
集电极 - 发射极饱和
电压Vs集电极电流
0.3
0.25
0.2
125 °C
V
CE
= 5.0 V
β
= 10
0.15
0.1
0.05
0.1
25 °C
- 40 °C
400
- 40 °C
200
0
0.01 0.03
0.1 0.3
1
3
10
30
I
C
- 集电极电流（毫安）
100
1
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
100
BC846A / BC846B / BC847A / BC847B / BC847C
NPN通用放大器
（续）
典型特征
V
BESAT
- 集电极 - 发射极电压（ V）
1
- 40 °C
V
BEON
- 基极发射极电压（ V）
基射极饱和
电压Vs集电极电流
基射极电压ON VS
集电极电流
1
0.8
0.6
125 °C
- 40 °C
25 °C
0.8
0.6
0.4
0.2
0.1
1
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
100
25 °C
125 °C
β
= 10
0.4
V
CE
= 5.0 V
0.2
0.1
1
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
40
集电极截止电流
VS环境温度
I
CBO
- COLLE CTOR电流（ NA）
10
V
CB
= 45V
电容（pF）
4
3
5
输入和输出电容
VS反向偏置电压
F = 1.0 MHz的
1
科特
3
OB
2
1
0
0.1
25
50
75
100
125
T
A
- AMBIE NT TEMP ERATURE （
°
C)
150
0
4
8
12
16
反向偏置电压（V）的
20
CHARACTERIS TIC S RELATI VE价值AT＆T
A
= 25 C
归集电极截止电流
VS环境温度
5
NF - 噪声系数（dB ）
宽带噪声频率
VS源电阻
V
CE
= 5.0 V
°
1000
4
3
2
1
0
带宽= 15.7千赫
100
I
C
= 100
A
I
C
= 30
A
10
I
C
= 10
A
2,000
5,000
10,000
20,000
50,000
100,000
1
25
50
75
100
125
T
A
- AMBIE NT温度（
°
C)
150
1,000
R
S
- 源电阻（
)
BC846A / BC846B / BC847A / BC847B / BC847C
NPN通用放大器
（续）
典型特征
（续）
噪声系数与频率
10
V
CE
- 集电极电压（ V）
I
C
= 200
A,
R
S
= 10 k
I
C
= 100
A,
R
S
= 10 k
I
C
= 1.0毫安，
R
S
= 500
10
7
5
恒增益轮廓
带宽积（F
T
)
175兆赫
NF - 噪声系数（dB ）
8
6
4
3
2
150兆赫
I
C
= 1.0毫安，
R
S
= 5.0 k
V
CE
= 5.0V
2
125兆赫
100兆赫
75兆赫
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
的F - 频率（MHz）
10
100
1
0.1
1
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
100
不断轮廓
窄带噪声图
R
S
- 源电阻（
)
3.0分贝
5,000
不断轮廓
窄带噪声图
R
S
- 源电阻（
)
10,000
5,000
10,000
4.0分贝
2,000
1,000
500
V
CE
= 5.0 V
2.0分贝
2,000
6.0分贝
8.0分贝
10分贝
F = 100赫兹
带宽
= 20赫兹
3.0分贝
1,000
4.0分贝
500
V
CE
= 5.0 V
F = 1.0千赫
带宽
200
= 200赫兹
6.0分贝
8.0分贝
200
100
12分贝
14分贝
100
1
10
100
I
C
- 集电极电流（
A)
1,000
1
10
100
I
C
- 集电极电流（
A)
1,000
不断轮廓
窄带噪声图
R
S
- 源电阻（
)
5000
2000
1000
500
200
100
1
V
CE
= 5.0V
F = 10kHz的
带宽
= 2.0kHz
R
S
- 源电阻（
)
10000
1.0分贝
2.0分贝
3.0分贝
4.0分贝
6.0分贝
8.0分贝
不断轮廓
窄带噪声图
10000
5000
2000
1000
500
2.0分贝
3.0分贝
5.0
dB
6.0
dB
10
100
I
C
- 集电极电流（
A)
1000
V
CE
=
4.0分贝
5.0V
F = 1.0 MHz的
200
带宽
7.0分贝
= 200kHz的
8.0分贝
100
0.01
0.1
1
I
C
- 集电极电流（
A)
10
BC846A / BC846B / BC847A / BC847B / BC847C
NPN通用放大器
（续）
典型的共发射极特性
（ F = 1.0千赫）
CHAR ACTERISTI CS ELATI VE吨价（V
CE
=5V)
O
1.4
h
fe
CHARACTE RI STICS RE LATIV E魏利（T
A
=25
°
C)
典型的共发射极特性
1.3
h
ie
典型的共发射极特性
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
-100
h
oe
h
fe
h
re
h
ie
1.2
1.1
h
re
h
oe
h
re
h
oe
V
CE
= 5.0V
F = 1.0kHz
I
C
= 1.0毫安
h
ie
h
re
h
fe
h
oe
1
h
ie
0.9
0.8
I
C
= 1.0毫安
F = 1.0kHz
T
A
= 25
°
C
5
10
15
20
V
CE
- 集电极电压（ V）
25
h
fe
0
-50
0
50
100
T
J
- 分线箱 TEMP ERATURE （
°
C)
150
典型的共发射极特性
特性相对价值（我
C
=1mA)
100
F = 1.0kHz
10
h
ie
和H
re
h
re
h
oe
1
h
oe
h
fe
3
0.1
h
ie
h
fe
0.01
0.1
0.2
0.5 1
2
5
10 20
I
C
- 集电极电流（毫安）
50
100
ZOWIE科技股份有限公司
通用晶体管
NPN硅
3
BASE
1
2
2
辐射源
集热器
3
BC846A,B
1
SOT-23
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
价值
65
80
6.0
100
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
(1)
T
A
=25 C
o
减免上述25℃
热阻结到环境
器件总功耗氧化铝基板，
(2)
T
A
=25 C
o
减免上述25℃
热阻结到环境
结温和存储温度
o
o
符号
P
D
R
JA
P
D
R
JA
T
J,
T
英镑
马克斯。
225
1.8
556
300
2.4
417
-55到+150
单位
mW
毫瓦/
o
C
o
C / W
mW
毫瓦/
o
C
o
C / W
o
C
器件标识
BC846A = 1A ， BC846B 1B =
电气特性
(T
A
= 25°C除非另有说明）
特征
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
o
开关特性
集电极 - 发射极电压Breakdowe
( I
C
= 10mAdc ）
集电极 - 发射极电压Breakdowe
( I
C
= 10 uAdc ，V
EB
=0 )
集电极 - 基极电压Breakdowe
( I
C
= 10 uAdc ）
发射基Breakdowe电压
( I
E
= 1.0微安）
收藏家Cuto FF电流
( V
CB
=30 V )
( V
CB
= 30 V ，T
A
= 150
o
C )
（1）的FR- 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
（2）氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
V
（ BR ） CEO
65
-
-
VDC
V
（ BR ） CES
80
-
-
VDC
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
80
6.0
-
-
-
-
VDC
VDC
I
CBO
-
-
-
-
15
5.0
NADC
uAdc
REV 。 ： 0
ZOWIE科技股份有限公司
SMD通用
晶体管（ NPN ）
BC846/BC847/BC848
SMD通用晶体管（ NPN ）
特点
NPN硅外延平面晶体管
开关和放大器应用
机械数据
案例：
终端：
重量：
SOT -23 ，塑料包装
每MIL -STD- 202G ，方法208
0.008克
SOT-23
标识信息
BC846A
标识代码
1A
BC846B
1B
BC847A
1E
BC847B
1F
BC847C
1G
BC848A
1J
BC848B
1K
BC848C
1L
最大额定值
(T
环境
= 25°C除非另有说明）
符号
描述
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
功耗
结温
存储温度范围
BC846
80
65
6
BC847
50
45
6
100
350
150
-55到+150
BC848
30
30
5
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
注1
条件
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
J
T
英镑
注意：
1.包装安装在99.5％氧化铝10 ×8× 0.6毫米。
TAITRON零部件股份有限公司
www.taitroncomponents.com
联系电话： （ 800 ） -TAITRON
传真： （ 800 ） -TAITFA
(800)-824-8766
(800)-824-8329
(661)-257-6060
(661)-257-6415
版本A / AH 2008-05-29
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SMD通用晶体管（ NPN ）
BC846/BC847/BC848
电气特性
(T
环境
= 25°C除非另有说明）
符号
描述
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
I
CBO
集电极 - 发射极截止电流
BC846 / 7/8 ，后缀“A”
BC846 / 7/8 ，后缀“B”
BC847 / 8 ，后缀“C”
-
-
-
-
110
200
420
-
-
90
150
270
180
290
520
0.09
0.2
0.7
0.9
0.66
-
300
2.5
1.0
15
-
-
-
220
450
800
0.25
nA
V
CB
=30V,
I
E
=0
V
CE
=5V,
I
C
=10A
h
FE
直流电流增益
BC846 / 7/8 ，后缀“A”
BC846 / 7/8 ，后缀“B”
BC847 / 8 ，后缀“C”
V
CE
=5V,
I
C
=2mA
I
C
=10mA,
I
B
=0.5mA
V
V
CE （ SAT ）
集电极 - 发射极饱和电压
-
-
0.6
-
I
C
=100mA,
I
B
=5mA
I
C
=10mA,
I
B
=0.5mA
V
V
BE （ SAT ）
基射极饱和电压
-
0.58
-
0.7
I
C
=100mA,
I
B
=5mA
V
CE
=5V,
I
C
=2mA
V
V
BE（上）
f
T
C
ob
NF
基射极电压上
-
电流增益带宽积
集电极输出电容
噪声系数
-
-
-
0.75
-
4.5
10
V
CE
=5V,
I
C
=10mA
兆赫
pF
dB
V
CE
=5V,
I
C
=10mA,
f
=100MHz
V
CB
=10V,
I
E
=0,
f
=1MHz
V
CE
=5V,
I
C
=0.2mA,
R
G
= 2KΩ中，f = 1KHz的
版本A / AH 2008-05-29
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SMD通用晶体管（ NPN ）
BC846/BC847/BC848
尺寸（mm）
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