BC817 / BC818 NPN外延硅晶体管
2006年11月
BC817/BC818
NPN外延硅晶体管
特点
开关和放大器的应用
适用于自动对焦驱动级和低功率输出级
补至BC807 / BC808
3
tm
2
1
SOT-23
绝对最大额定值*
符号
V
CBO
T
a
= 25 ° C除非另有说明
1.底座2.辐射源3.收藏家
参数
集电极 - 基极电压
： BC817
： BC818
价值
50
30
45
25
5
800
310
150
-65 ~ 150
单位
V
V
V
V
V
mA
mW
°C
°C
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
： BC817
： BC818
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极耗散功率
结温
储存温度
*这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
电气特性*
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
首席执行官
参数
集电极 - 发射极击穿电压
： BC817
： BC818
集电极 - 发射极击穿电压
： BC817
： BC818
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
电流增益带宽积
输出电容
测试条件
I
C
= 10毫安，我
B
=0
分钟。
45
25
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
V
V
BV
CES
I
C
= 0.1毫安，V
BE
=0
50
30
I
E
= 0.1毫安，我
C
=0
V
CE
=25V, V
BE
=0
V
EB
= 4V ，我
C
=0
V
CE
= 1V ，我
C
=100mA
V
CE
= 1V ，我
C
=300mA
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA
V
CE
= 1V ，我
C
=300mA
V
CE
= 5V ，我
C
=10mA
f=50MHz
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
100
12
100
60
5
100
100
630
0.7
1.2
V
V
兆赫
pF
BV
EBO
I
CES
I
EBO
h
FE1
h
FE2
V
CE
（SAT）
V
BE
（上）
f
T
C
ob
nA
nA
*脉冲测试：脉冲宽度= 300μS ，占空比= 2 ％
2006仙童半导体公司
1
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BC817 / BC818版本B
BC817 / BC818 NPN外延硅晶体管
h
FE
分类
分类
h
FE1
h
FE2
16
110 ~ 250
60~
25
160 ~ 400
100~
40
250 ~ 630
170~
订购信息
设备
(note1)
BC81716MTF
BC81725MTF
BC81740MTF
BC81816MTF
BC81825MTF
BC81840MTF
注1 ：
器件标识
8FA
8FB
8FC
8GA
8GB
8GC
包
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
包装方法
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
数量（PCS ）
3000
3000
3000
3000
3000
3000
销Difinitions
1.Base 2.Emitter 3.Collector
1.Base 2.Emitter 3.Collector
1.Base 2.Emitter 3.Collector
1.Base 2.Emitter 3.Collector
1.Base 2.Emitter 3.Collector
1.Base 2.Emitter 3.Collector
贴上“-16 ， -25 ， -40 ”的意思的hFE分类。
贴上“ M”指的磨砂型封装。
贴上“ -TF ”是指磁带&卷筒式包装。
2
BC817 / BC818版本B
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BC817 / BC818 NPN外延硅晶体管
典型性能特性
600
1.0
Vbe的（上） ，相应的发射极上的电压， [V]的
500
BC81725MTF
Vce=1V
V
CE
= 1V
0.9
hFE参数，电流增益
0.8
400
0.7
25 C
o
75 C
o
125 C
o
300
0.6
200
-25 C
100
o
25 C
o
75 C
o
125 C
o
0.5
0.4
0
1
10
100
1000
0.3
1
10
100
集电极电流， [马]
集电极电流， [马]
图1.直流电流增益
图2.基射极电压上
1.2
0.4
Ic=10Ib
125 C
Vbe的（饱和） ，饱和电压， [V]的
o
Ic=10Ib
1.0
o
的Vce （ sat）的，饱和电压， [V]的
0.3
-25 C
0.8
o
25 C
75 C
25 C
-25 C
0.1
o
o
o
0.2
0.6
125 C
75 C
o
o
0.4
0.0
10
100
1000
10
100
1000
集电极电流， [马]
集电极电流， [马]
图3.集电极 - 发射极饱和电压
图4.基射极饱和电压
0.4
P
D
- 功耗（ W）
0.3
0.2
0.1
0.0
0
25
50
75
O
100
125
150
温度， [C]
图5.功耗与环境温度
3
BC817 / BC818版本B
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BC817 / BC818 NPN外延硅晶体管
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR商标
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将所有这些商标的详尽清单。
ACEX
ActiveArray
深不见底
构建它现在
CoolFET
CROSSVOLT
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
Ensigna
FACT
快
FASTr
FPS
FRFET
FACT静音系列
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
I
2
C
我罗
ImpliedDisconnect
的IntelliMAX
等平面
LittleFET
MICROCOUPLER
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
MSX
MSXPro
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
OCX
OCXPro
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerEdge
PowerSaver技术
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
RapidConnect
SerDes
ScalarPump
SILENT SWITCHER
SMART START
SPM
隐形
的SuperFET
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
中医
TinyBoost
TinyBuck一体化
TinyPWM
TinyPower
TinyLogic
TINYOPTO
TruTranslation
UHC
UltraFET
的UniFET
VCX
电线
放弃
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打算通过外科手术移植到体内，或（b ）支持或维持生命，或
（三）其不履行时，按照正常使用
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造成显著伤害到用户。
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其不履行可以合理预期造成的故障
生命支持设备或系统的，或影响其安全性或有效性。
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条款的德网络nition
数据表标识
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产品状态
阶段或设计
德网络nition
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初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
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5
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