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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第808页 > BC818-25W
BC817W ， BC818W
NPN硅晶体管自动对焦
对于一般自动对焦的应用
高集电极电流
高电流增益
低集电极 - 发射极饱和电压
互补类型： BC807W ， BC808W （ PNP ）
3





2
1
VSO05561
TYPE
BC817-16W
BC817-25W
BC817-40W
BC818-16W
BC818-25W
BC818-40W
最大额定值
参数
记号
6As
6Bs
6Cs
6Es
6Fs
6Gs
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
引脚配置
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
包
SOT323
SOT323
SOT323
SOT323
SOT323
SOT323
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
BC817W
45
50
5
500
1
100
200
250
150
BC818W
25
30
5
单位
V
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
DC集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
峰值电流基地
总功耗
,
T
S
= 130 °C
结温
储存温度
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
mA
A
mA
mW
°C
-65 ... 150
热阻
结 - 焊接点
1)
R
thjs

80
K / W
1对于计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
1
Nov-29-2001
BC817W ， BC818W
电气特性
at
T
A
= 25 ° C，除非另有规定ED 。
参数
符号
值
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安，
I
B
= 0
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10 A,
I
E
= 0
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10 A,
I
C
= 0
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 25 V,
I
E
= 0
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 25 V,
I
E
= 0 ,
T
A
= 150 °C
发射Cuto FF电流
V
EB
= 4 V,
I
C
= 0
直流电流增益1 ）
I
C
= 100毫安，
V
CE
= 1 V
h
FE
-grp 。
16
h
FE
-grp 。
25
h
FE
-grp 。
40
直流电流增益1 ）
I
C
= 300毫安，
V
CE
= 1 V
h
FE
-grp 。
16
h
FE
-grp 。
25
h
FE
-grp 。
40
集电极 - 发射极饱和电压1 ）
I
C
= 500毫安，
I
B
= 50毫安
基极 - 发射极饱和电压1）
I
C
= 500毫安，
I
B
= 50毫安
V
BESAT
V
CESAT
h
FE
h
FE
I
EBO
I
CBO
I
CBO
V
（ BR ） CEO
典型值。
马克斯。
单位
V
45
25
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
50
100
nA
A
nA
-
100
160
250
160
250
350
250
400
630
BC817W
BC818W
V
（ BR ） CBO
BC817W
BC818W
V
（ BR ） EBO
50
30
5
-
-
-
60
100
170
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.7
1.2
V
1 ）脉冲测试：吨
≤
300μS ，D = 2％
2
Nov-29-2001
BC817W ， BC818W
电气特性
at
T
A
= 25 ° C，除非另有规定ED 。
符号
值
参数
分钟。
AC特性
跃迁频率
I
C
= 50毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 100兆赫
集电极 - 基极电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
发射极 - 基极电容
V
EB
= 0.5 V,
f
= 1兆赫
C
eb
-
60
-
C
cb
-
6
-
f
T
-
170
-
典型值。
马克斯。
单位
兆赫
pF
3
Nov-29-2001
BC817W ， BC818W
总功耗
P
合计
=
f
(T
S
)
允许的脉冲负载
R
thjs
=
f
(t
p
)
300
10
3
K / W
mW
10
2
P
合计
200
R
thjs
10
1
150
100
10
0
50
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
D=0
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
150
10
-1 -6
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
T
S
t
p
允许的脉冲负载
收藏家Cuto FF电流
I
CBO
=
f
(T
A
)
V
CBO
= 25V
10
5
BC八百十八分之八百十七
EHP00221
P
totmax
/
P
totDC
=
f
(t
p
)
10
3
P
totmax
/ P
totDC
-
Ι
CBO
nA
10
4
10
2
D=0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10
3
最大
10
2
典型值
10
1
10
1
10
0 -6
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
10
0
0
50
100
C
T
A
150
t
p
4
Nov-29-2001
BC817W ， BC818W
直流电流增益
h
FE
=
f
(I
C
)
V
CE
= 1V
10
3
h
FE
5
BC八百十八分之八百十七
EHP00224
跃迁频率
f
T
=
f
(I
C
)
V
CE
= 5V
10
3
f
T
兆赫
5
BC八百十八分之八百十七
EHP00218
100 C
25 C
-50 C
10
2
5
10
2
10
1
5
5
10
0
10
-1
10
0
10
1
10
2
10毫安
3
10
1
10
0
10
1
10
2
mA
10
3
Ι
C
Ι
C
基射极饱和电压
I
C
=
f
(V
BESAT
),
h
FE
= 10
10
3
BC八百十八分之八百十七
EHP00222
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=
f
(V
CESAT
),
h
FE
= 10
10
3
EHP00215
Ι
C
mA
150 C
25 C
-50 C
Ι
C
mA
150 C
25 C
-50 C
10
2
5
10
2
5
10
1
5
10
1
5
10
0
5
10
0
5
10
-1
0
1.0
2.0
3.0
V
4.0
10
-1
0
0.2
0.4
0.6
V
0.8
V
BESAT
V
CESAT
5
Nov-29-2001
BC 817-16W
NPN硅晶体管自动对焦
对于一般自动对焦的应用
高集电极电流
高电流增益
低集电极 - 发射极饱和电压
互补类型： BC807W ， BC808W （ PNP ）
TYPE
BC 817-16W
BC 817-25W
BC 817-40W
BC 818-16W
BC 818-25W
BC 818-40W
订购代码标识
6As
6Bs
6Cs
6Es
6Fs
6Gs
Q62702-C2320
Q62702-C2278
Q62702-C2321
Q62702-C2322
Q62702-C2323
Q62702-C2324
引脚配置
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
包
SOT-323
SOT-323
SOT-323
SOT-323
SOT-323
SOT-323
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
公元前817 W
公元前818 W
集电极 - 基极电压
公元前817 W
公元前818 W
发射极 - 基极电压
DC集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
总功耗，
T
S
= 130°C
结温
储存温度
热阻
交界处的环境
1)
符号
值
45
25
单位
V
V
首席执行官
V
CBO
50
30
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
T
j
T
英镑
R
thJA
R
thjs
1
5
500
1
100
250
150
- 65 ... + 150
≤
215
≤
80
mA
A
mA
mW
°C
K / W
结 - 焊接点
1 ）包装安装在印刷电路板40× 40× 1.5毫米/ 0.5厘米
2
Cu
半导体集团
Dec-19-1996
BC 817-16W
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
值
典型值。
马克斯。
单位
V
（ BR ） CEO
45
25
-
-
-
-
-
-
-
-
160
250
350
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
50
100
V
I
C
= 10毫安，
I
B
= 0 ，公元前817 W
I
C
= 10毫安，
I
B
= 0 ，公元前818 W
集电极 - 基极击穿电压
V
（ BR ） CBO
50
30
I
C
= 10 A,
I
B
= 0 ，公元前817 W
I
C
= 10 A,
I
B
= 0 ，公元前818 W
基极 - 发射极击穿电压
V
（ BR ） EBO
5
I
E
= 10 A,
I
C
= 0
集电极 - 基极截止电流
I
CBO
-
-
nA
A
nA
-
-
100
160
250
60
100
170
250
400
630
-
-
-
V
-
0.7
1.2
V
CB
= 25 V,
T
A
= 25 °C
V
CB
= 25 V,
T
A
= 150 °C
发射Cuto FF电流
I
EBO
h
FE
V
EB
= 4 V,
I
C
= 0
直流电流增益
I
C
= 100毫安，
V
CE
= 1 V ， BC ... 16 W
I
C
= 100毫安，
V
CE
= 1 V ， BC ... 25瓦
I
C
= 100毫安，
V
CE
= 1 V ， BC ... 40瓦
I
C
= 300毫安，
V
CE
= 1 V ， BC ... 16 W
I
C
= 300毫安，
V
CE
= 1 V ， BC ... 25瓦
I
C
= 300毫安，
V
CE
= 1 V ， BC ... 40瓦
集电极 - 发射极饱和电压1 ）
V
CESAT
V
BESAT
-
I
C
= 500毫安，
I
B
= 50毫安
基极 - 发射极饱和电压1）
I
C
= 500毫安，
I
B
= 50毫安
1 ）脉冲测试：吨< 300μS ; < 2 ％
半导体集团
2
Dec-19-1996
BC 817-16W
NPN硅晶体管自动对焦
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
AC特性
跃迁频率
值
典型值。
马克斯。
单位
f
T
-
170
6
60
-
兆赫
pF
-
-
-
I
C
= 50毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 100兆赫
集电极 - 基极电容
C
cb
C
eb
-
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
发射极 - 基极电容
V
EB
= 0.5 V,
f
= 1兆赫
半导体集团
3
Dec-19-1996
BC 817-16W
总功耗
P
合计
=
f
(T
A
*;T
S
)
*包装安装在环氧
允许的脉冲负载
R
thjs
=
F（T
p
)
300
10
3
K / W
mW
P
合计
200
T
S
R
thjs
10
2
150
T
A
10
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
D=0
100
10
0
50
0
0
20
40
60
80
100
120 °C 150
T
A
,T
S
10
-1
-6
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
s 10
t
p
-1
0
允许的脉冲负载
P
totmax
/
P
totDC
=
F（T
p
)
Collectot截止电流
I
CBO
=
f
(T
A
)
V
CB
= 60V
10
3
-
P
totmax
/P
totDC
10
2
D=0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10
1
10
0
-6
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
s 10
t
p
-1
0
半导体集团
4
Dec-19-1996
BC 817-16W
直流电流增益
h
FE
=
f
(I
C
)
V
CE
= 1V
跃迁频率
f
T
=
f
(I
C
)
VCE = 5V
基射极饱和电压
I
C
= F（V
BESAT
),
h
FE
= 10
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= F（V
CESAT
),
h
FE
= 10
半导体集团
5
Dec-19-1996
分立半导体
数据表
书， halfpage
M3D102
BC817W
NPN通用晶体管
产品speci fi cation
取代1997年的数据3月5日
1999年04月15日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN通用晶体管
特点
大电流（最大500 mA）的
低电压（最大45 V ） 。
应用
通用的开关和放大。
描述
NPN晶体管在SOT323塑料包装。
PNP补充： BC807W 。
记号
TYPE
数
BC817W
BC817-16W
BC817-25W
BC817-40W
记
1.
= - ：香港制造。
= T：在马来西亚。
Fig.1
记号
CODE
(1)
6D
6A
6B
6C
TYPE
数
BC818W
BC818-16W
BC818-25W
BC818-40W
记号
CODE
(1)
6H
6E
6F
6G
顶视图
MAM062
BC817W
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
手册， halfpage
3
3
1
2
1
2
简化外形（ SOT323 ）和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
条件
发射极开路
开基;我
C
= 10毫安
集电极开路
65
65
分钟。
马克斯。
50
45
5
500
1
200
200
+150
150
+150
V
V
V
mA
A
mA
mW
°C
°C
°C
单位
1999年04月15日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN通用晶体管
热特性
符号
R
日J-一
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
BC817W
BC817-16W
BC817-25W
BC817-40W
直流电流增益
V
CESAT
V
BE
C
c
f
T
记
1.脉冲测试：吨
p
≤
300
s; δ ≤
0.02.
集电极 - 发射极饱和
电压
基射极电压
集电极电容
跃迁频率
I
C
= 500毫安; V
CE
= 1V ;注1
I
C
= 500毫安;我
B
= 50毫安;注1
I
C
= 500毫安; V
CE
= 1V ;注1
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 10毫安; V
CE
= 5 V ; F = 100 MHz的
条件
I
E
= 0; V
CB
= 20 V
I
E
= 0; V
CB
= 20V;牛逼
j
= 150
°C
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
I
C
= 100毫安; V
CE
= 1V ;注意1 ;
参见图2 ，图3和4
100
100
160
250
40
100
分钟。
5
100
600
250
400
600
700
1.2
5
参数
从结点到环境的热阻
条件
注1
价值
625
BC817W
单位
K / W
马克斯。
100
单位
nA
A
nA
mV
mV
pF
兆赫
1999年04月15日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN通用晶体管
BC817W
手册，全页宽
20
MBH721
的hFE
160
VCE = 1V
120
80
40
0
10
1
1
10
10
2
IC （MA ）
10
3
BC817-16W.
图2直流电流增益;典型值。
手册，全页宽
500
MBH720
的hFE
400
VCE = 1V
300
200
100
0
10
1
BC817-25W.
1
10
10
2
IC （MA ）
10
3
图3直流电流增益;典型值。
1999年04月15日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN通用晶体管
BC817W
手册，全页宽
500
MBH722
的hFE
400
VCE = 1V
300
200
100
0
10
1
1
10
10
2
IC （MA ）
10
3
BC817-40W.
图4直流电流增益;典型值。
1999年04月15日
5
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BS62LV4005PI
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厂家
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