恩智浦半导体
产品数据表
NPN / PNP通用晶体管
特点
大电流（500 mA）的
600 mW的总功耗
替换上两个相同的SOT23封装的晶体管
PCB面积。
应用
通用开关和放大
互补驱动程序
半桥和全桥驱动器。
描述
NPN / PNP晶体管对在SOT457 （ SC- 74 ）塑料
封装。
记号
TR1
6
手册， halfpage
5
4
6
BC817DPN
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
C
I
CM
钉扎
针
1, 4
2, 5
6, 3
辐射源
BASE
集热器
描述
TR1 ; TR2
TR1 ; TR2
TR1 ; TR2
参数
集电极 - 发射极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
马克斯。
45
500
1
单位
V
mA
A
5
4
TR2
类型编号
BC817DPN
标识代码
N4
1
顶视图
2
3
MAM445
1
2
3
Fig.1
简化外形（ SOT457 ）和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
参数
条件
分钟。
T
AMB
≤
25
°C;
注1
65
65
T
AMB
≤
25
°C;
注1
马克斯。
单位
每个晶体管;为PNP晶体管具有负的极性
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
每个器件
P
合计
记
1.装置安装在一个印刷电路板;单面铜;镀锡;安装垫集热1厘米
2
.
2002年11月22日
2
总功耗
600
mW
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
发射极开路
开基
集电极开路
50
45
5
500
1
200
370
+150
150
+150
V
V
V
mA
A
mA
mW
°C
°C
°C
恩智浦半导体
产品数据表
NPN / PNP通用晶体管
热特性
符号
R
日J-一
记
参数
结点的热阻要注意1
环境
条件
BC817DPN
价值
208
单位
K / W
1.装置安装在一个印刷电路板;单面铜;镀锡;安装垫集热1厘米
2
.
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
参数
条件
分钟。
160
40
典型值。
马克斯。
单位
每个晶体管除非另有规定ED ;为PNP晶体管具有负的极性
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
BE
集电极 - 基极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
V
CB
= 20V;我
E
= 0
V
CB
= 20V;我
E
= 0; T
j
= 150
°C
V
EB
= 5 V ;我
C
= 0
V
CE
= 1V ;我
C
= 100毫安;注1
V
CE
= 1V ;我
C
= 500毫安;注1
集电极 - 发射极饱和电压I
C
= 500毫安;我
B
= 50毫安;注1
基射极电压
V
CE
= 1V ;我
C
= 500毫安;
注1和2
100
5
100
400
700
1.2
mV
V
nA
μA
nA
NPN晶体管
C
c
f
T
集电极电容
跃迁频率
V
CB
= 10 V ;我
E
= I
e
= 0; F = 1 MHz的
V
CE
= 5 V ;我
C
= 10毫安;
F = 100 MHz的
V
CB
=
10
V ;我
E
= I
e
= 0; F = 1 MHz的
V
CE
=
5
V ;我
C
=
10
毫安;
F = 100 MHz的
100
5
pF
兆赫
PNP晶体管
C
c
f
T
笔记
1.脉冲测试：吨
p
≤
300
μs; δ ≤
0.02.
2. V
BE
大约降低
2
毫伏/ K随温度的升高。
集电极电容
跃迁频率
80
9
pF
兆赫
2002年11月22日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN / PNP通用晶体管
特点
大电流（500 mA）的
600 mW的总功耗
替换上两个相同的SOT23封装的晶体管
PCB面积。
应用
通用开关和放大
互补驱动程序
半桥和全桥驱动器。
描述
NPN / PNP晶体管对在SOT457 （ SC- 74 ）塑料
封装。
记号
TR1
6
手册， halfpage
5
4
6
BC817DPN
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
C
I
CM
钉扎
针
1, 4
2, 5
6, 3
辐射源
BASE
集热器
描述
TR1 ; TR2
TR1 ; TR2
TR1 ; TR2
参数
集电极 - 发射极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
马克斯。
45
500
1
单位
V
mA
A
5
4
TR2
类型编号
BC817DPN
标识代码
N4
1
顶视图
2
3
MAM445
1
2
3
Fig.1
简化外形（ SOT457 ）和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
参数
条件
分钟。
T
AMB
≤
25
°C;
注1
65
65
T
AMB
≤
25
°C;
注1
马克斯。
单位
每个晶体管;为PNP晶体管具有负的极性
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
每个器件
P
合计
记
1.装置安装在一个印刷电路板;单面铜;镀锡;安装垫集热1厘米
2
.
2002年11月22日
2
总功耗
600
mW
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
发射极开路
开基
集电极开路
50
45
5
500
1
200
370
+150
150
+150
V
V
V
mA
A
mA
mW
°C
°C
°C
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN / PNP通用晶体管
热特性
符号
R
日J-一
记
参数
结点的热阻要注意1
环境
条件
BC817DPN
价值
208
单位
K / W
1.装置安装在一个印刷电路板;单面铜;镀锡;安装垫集热1厘米
2
.
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
参数
条件
分钟。
160
40
典型值。
马克斯。
单位
每个晶体管除非另有规定ED ;为PNP晶体管具有负的极性
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
BE
集电极 - 基极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
V
CB
= 20V;我
E
= 0
V
CB
= 20V;我
E
= 0; T
j
= 150
°C
V
EB
= 5 V ;我
C
= 0
V
CE
= 1V ;我
C
= 100毫安;注1
V
CE
= 1V ;我
C
= 500毫安;注1
集电极 - 发射极饱和电压I
C
= 500毫安;我
B
= 50毫安;注1
基射极电压
V
CE
= 1V ;我
C
= 500毫安;
注1和2
100
5
100
400
700
1.2
mV
V
nA
A
nA
NPN晶体管
C
c
f
T
集电极电容
跃迁频率
V
CB
= 10 V ;我
E
= I
e
= 0; F = 1 MHz的
V
CE
= 5 V ;我
C
= 10毫安;
F = 100 MHz的
V
CB
=
10
V ;我
E
= I
e
= 0; F = 1 MHz的
V
CE
=
5
V ;我
C
=
10
毫安;
F = 100 MHz的
100
5
pF
兆赫
PNP晶体管
C
c
f
T
笔记
1.脉冲测试：吨
p
≤
300
s; δ ≤
0.02.
2. V
BE
大约降低
2
毫伏/ K随温度的升高。
集电极电容
跃迁频率
80
9
pF
兆赫
2002年11月22日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN / PNP通用晶体管
特点
大电流（500 mA）的
600 mW的总功耗
替换上两个相同的SOT23封装的晶体管
PCB面积。
应用
通用开关和放大
互补驱动程序
半桥和全桥驱动器。
描述
NPN / PNP晶体管对在SOT457 （ SC- 74 ）塑料
封装。
记号
TR1
6
手册， halfpage
5
4
6
BC817DPN
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
C
I
CM
钉扎
针
1, 4
2, 5
6, 3
辐射源
BASE
集热器
描述
TR1 ; TR2
TR1 ; TR2
TR1 ; TR2
参数
集电极 - 发射极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
马克斯。
45
500
1
单位
V
mA
A
5
4
TR2
类型编号
BC817DPN
标识代码
N4
1
顶视图
2
3
MAM445
1
2
3
Fig.1
简化外形（ SOT457 ）和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
参数
条件
分钟。
T
AMB
≤
25
°C;
注1
65
65
T
AMB
≤
25
°C;
注1
马克斯。
单位
每个晶体管;为PNP晶体管具有负的极性
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
每个器件
P
合计
记
1.装置安装在一个印刷电路板;单面铜;镀锡;安装垫集热1厘米
2
.
2002年11月22日
2
总功耗
600
mW
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
发射极开路
开基
集电极开路
50
45
5
500
1
200
370
+150
150
+150
V
V
V
mA
A
mA
mW
°C
°C
°C
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN / PNP通用晶体管
热特性
符号
R
日J-一
记
参数
结点的热阻要注意1
环境
条件
BC817DPN
价值
208
单位
K / W
1.装置安装在一个印刷电路板;单面铜;镀锡;安装垫集热1厘米
2
.
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
参数
条件
分钟。
160
40
典型值。
马克斯。
单位
每个晶体管除非另有规定ED ;为PNP晶体管具有负的极性
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
BE
集电极 - 基极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
V
CB
= 20V;我
E
= 0
V
CB
= 20V;我
E
= 0; T
j
= 150
°C
V
EB
= 5 V ;我
C
= 0
V
CE
= 1V ;我
C
= 100毫安;注1
V
CE
= 1V ;我
C
= 500毫安;注1
集电极 - 发射极饱和电压I
C
= 500毫安;我
B
= 50毫安;注1
基射极电压
V
CE
= 1V ;我
C
= 500毫安;
注1和2
100
5
100
400
700
1.2
mV
V
nA
A
nA
NPN晶体管
C
c
f
T
集电极电容
跃迁频率
V
CB
= 10 V ;我
E
= I
e
= 0; F = 1 MHz的
V
CE
= 5 V ;我
C
= 10毫安;
F = 100 MHz的
V
CB
=
10
V ;我
E
= I
e
= 0; F = 1 MHz的
V
CE
=
5
V ;我
C
=
10
毫安;
F = 100 MHz的
100
5
pF
兆赫
PNP晶体管
C
c
f
T
笔记
1.脉冲测试：吨
p
≤
300
s; δ ≤
0.02.
2. V
BE
大约降低
2
毫伏/ K随温度的升高。
集电极电容
跃迁频率
80
9
pF
兆赫
2002年11月22日
3
QQ：2881677436 复制
