摩托罗拉
半导体技术资料
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通过BC817-16LT1 / D
通用晶体管
NPN硅
2
BASE
1
辐射源
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
价值
45
50
5.0
500
单位
V
V
V
MADC
集热器
3
BC817-16LT1
BC817-25LT1
BC817-40LT1
3
1
2
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
CASE 318 - 08 ,类型6
SOT- 23 ( TO - 236AB )
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局, ( 1 )
TA = 25°C
减免上述25℃
热阻,结到环境
器件总功耗
氧化铝基板, ( 2 ) TA = 25°C
减免上述25℃
热阻,结到环境
结温和存储温度
符号
PD
225
1.8
R
q
JA
PD
300
2.4
R
q
JA
TJ , TSTG
417
- 55 + 150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
556
mW
毫瓦/°C的
° C / W
最大
单位
器件标识
BC817-16LT1 = 6A ; BC817-25LT1 = 6B ; BC817-40LT1 = 6C
电气特性
( TA = 25° C除非另有说明)
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
( IC = -10毫安)
集电极 - 发射极击穿电压
(VEB = 0,集成电路= -10
A)
发射极 - 基极击穿电压
(IE = -1.0
m
A)
收藏家Cuto FF电流
(VCB = 20V)
( VCB = 20 V , TA = 150 ° C)
1, FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 %的氧化铝。
V( BR ) CEO
V( BR ) CES
V( BR ) EBO
ICBO
—
—
—
—
100
5.0
nA
A
45
50
5.0
—
—
—
—
—
—
V
V
V
热复合是贝格斯公司的注册商标。
摩托罗拉小信号晶体管, FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1996年
1
BC817-16LT1 BC817-25LT1 BC817-40LT1
电气特性
( TA = 25° C除非另有说明) (续)
特征
符号
民
典型值
最大
单位
基本特征
直流电流增益
( IC = 100 mA时, VCE = 1.0 V)
的hFE
BC817–16
BC817–25
BC817–40
VCE ( SAT )
VBE (ON)的
100
160
250
40
—
—
—
—
—
—
—
—
250
400
600
—
0.7
1.2
V
V
—
( IC = 500 mA时, VCE = 1.0 V)
集电极 - 发射极饱和电压
( IC = 500 mA时, IB = 50 mA)的
基地 - 发射极电压上
( IC = 500 mA时, VCE = 1.0 V)
小信号特性
电流 - 增益 - 带宽积
( IC = 10 mA时, VCE = 5.0伏, F = 100兆赫)
输出电容
( VCB = 10 V , F = 1.0兆赫)
fT
科博
200
—
—
10
—
—
兆赫
pF
2
摩托罗拉小信号晶体管, FET和二极管设备数据
BC817-16LT1 BC817-25LT1 BC817-40LT1
对于采用SOT- 23表面贴装封装信息
推荐的最低足迹表面安装应用程序
表面贴装电路板布局是总的关键部分
设计。占地面积为半导体封装必须
为保证适当的焊料连接的正确大小
电路板和封装之间的接口。与
正确的垫几何,包会自我调整的时候
经受回流焊接工艺。
0.037
0.95
0.037
0.95
0.079
2.0
0.035
0.9
0.031
0.8
英寸
mm
SOT–23
SOT- 23功耗
采用SOT -23的功耗的功能
焊盘尺寸。这可以从最小焊盘尺寸变化
焊接到给出的最大功耗垫的尺寸。
功耗用于表面贴装器件,确定
由TJ (最大值)的最大额定结温
死,R
θJA
从器件结的热阻
环境,以及工作温度TA 。使用
所提供的数据表中的SOT- 23封装的价值观,
PD可以计算如下:
PD =
TJ(MAX) - TA
R
θJA
焊接注意事项
焊料的熔融温度比额定高
温度的装置。当整个装置被加热
到很高的温度,不内完成焊接
短的时间内可能会导致器件失效。因此,该
下列项目应始终以观察到
最小化的热应力,以使设备
受。
总是预热装置。
预热之间的温度增量
焊接应为100 ℃或更低。 *
在预热和焊接,对温度
引线和外壳必须不超过最大
温度额定值上所示的数据表。当
采用红外加热与回流焊接方法,
的差值应为最大10 ℃。
焊接温度和时间应不超过
260 ℃下进行10秒以上。
当从预热焊接移位时,
最大温度梯度应为5 ℃或更小。
焊接完成后,该设备应
可以使其自然冷却至少三分钟。
逐渐冷却应作为采用强制
冷却将增加的温度梯度,从而导致
在潜失效由于机械应力。
机械应力或冲击不应在被应用
冷却。
*进行焊接装置无需预热可导致过度
热冲击和应力,这可能导致损坏
装置。
该方程的值被发现的最大
评级表上的数据表。这些值代入
该方程对于环境温度为25℃的TA ,一个也可以
计算在此所述装置的功率耗散
情况是225毫瓦。
PD =
150°C – 25°C
556°C/W
= 225毫瓦
为SOT- 23封装的556 ° C / W,假设使用
玻璃环氧印刷电路上推荐的足迹
板实现了225毫瓦的功耗。那里
其他选择实现更高的功率耗散
从SOT- 23封装。另一个替代方案是
使用陶瓷基板或铝芯板如
热复合 。使用的基板材料,如热
包层,铝芯板,功耗可
翻倍使用相同的足迹。
摩托罗拉小信号晶体管, FET和二极管设备数据
3
BC817-16LT1 BC817-25LT1 BC817-40LT1
包装尺寸
A
L
3
B·S
1
2
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最小引线厚度
是Base的最小厚度
材料。
英寸
民
最大
0.1102 0.1197
0.0472 0.0551
0.0350 0.0440
0.0150 0.0200
0.0701 0.0807
0.0005 0.0040
0.0034 0.0070
0.0180 0.0236
0.0350 0.0401
0.0830 0.0984
0.0177 0.0236
MILLIMETERS
民
最大
2.80
3.04
1.20
1.40
0.89
1.11
0.37
0.50
1.78
2.04
0.013
0.100
0.085
0.177
0.45
0.60
0.89
1.02
2.10
2.50
0.45
0.60
V
G
C
D
H
K
J
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
V
CASE 318-08
ISSUE AE
SOT- 23 ( TO- 236AB )
类型6 :
1. PIN BASE
2.辐射源
3.收集
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摩托罗拉小信号晶体管, FET和二极管设备数据
*BC817-16LT1/D*
BC817–16LT1/D