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分立半导体
数据表
书, halfpage
M3D088
BC817
NPN通用晶体管
产品speci fi cation
取代1997年的数据03月12日
1999年6月01
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN通用晶体管
特点
大电流(最大500 mA)的
低电压(最大45 V ) 。
应用
通用的开关和放大。
描述
NPN晶体管在SOT23塑料包装。
PNP补充: BC807 。
记号
TYPE
BC817
BC817-16
1.
= P :香港制造。
= T:在马来西亚。
记号
CODE
(1)
6D
6A
TYPE
BC817-25
BC817-40
记号
CODE
(1)
6B
6C
顶视图
MAM255
BC817
钉扎
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
手册, halfpage
3
3
1
2
1
2
Fig.1简化外形( SOT23 )和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
25
°C;
注1
条件
发射极开路
开基;我
C
= 10毫安
集电极开路
65
65
分钟。
马克斯。
50
45
5
500
1
200
250
+150
150
+150
V
V
V
mA
A
mA
mW
°C
°C
°C
单位
1999年6月01
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN通用晶体管
热特性
符号
R
日J-一
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
BC817
BC817-16
BC817-25
BC817-40
h
FE
V
CESAT
V
BE
C
c
f
T
笔记
1.脉冲测试:吨
p
300
s; δ ≤
0.02.
2. V
BE
减少了约。 2毫伏/ K随温度的升高。
直流电流增益
基射极电压
集电极电容
跃迁频率
I
C
= 500毫安; V
CE
= 1V ;注1
I
C
= 500毫安; V
CE
= 1V ;注意2
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V ; F = 1兆赫;
I
C
= 10毫安; V
CE
= 5 V ; F = 100 MHz的;
集电极 - 发射极饱和电压I
C
= 500毫安;我
B
= 50毫安;注1
条件
I
E
= 0; V
CB
= 20 V
I
E
= 0; V
CB
= 20V;牛逼
j
= 150
°C
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
I
C
= 100毫安; V
CE
= 1V ;注意1 ;
参见图2 ,图3和4
分钟。
100
100
160
250
40
100
典型值。
5
参数
从结点到环境的热阻
条件
注1
价值
500
BC817
单位
K / W
MAX 。 UNIT
100
5
100
600
250
400
600
700
1.2
mV
V
pF
兆赫
nA
A
nA
1999年6月01
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN通用晶体管
BC817
手册,全页宽
20
MBH721
的hFE
160
VCE = 1V
120
80
40
0
10
1
BC817-16.
1
10
10
2
IC (MA )
10
3
图2直流电流增益;典型值。
手册,全页宽
500
MBH720
的hFE
400
VCE = 1V
300
200
100
0
10
1
1
10
10
2
IC (MA )
10
3
BC817-25.
图3直流电流增益;典型值。
1999年6月01
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN通用晶体管
BC817
手册,全页宽
500
MBH722
的hFE
400
VCE = 1V
300
200
100
0
10
1
1
10
10
2
IC (MA )
10
3
BC817-40.
图4直流电流增益;典型值。
1999年6月01
5
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