FM120-M
THRU
BC817-40WT1
通用晶体管
FM1200-M
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
批量处理的设计，出色的功耗报价
威伦
包
无铅产品
特点
包装外形
SOD-123H
NPN硅
更好的反向漏电流和耐热性。
低调的表面安装，以便应用程序
优化电路板空间。
低功耗，
产品材质
我们宣布
高英法fi效率。
符合RoHS要求。
高电流能力，低正向电压降。
无铅封装可用
高浪涌能力。
符合RoHS的产品包装代号后缀“G”
Guardring过电压保护。
对于无卤素产品包装代号后缀为“H”
超高速开关。
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
无铅零件符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
最大额定值
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
等级
符号
价值
单位
无卤素产品的包装代号后缀"H"
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
SOT–323
0.040(1.0)
机械数据
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
45
V
V
连续集电极电流 -
方法2026
I
C
500
MADC
INA
符号
最大
单位
R
θJA
556
° C / W
15
mW
毫瓦/°C的
50
° C / W
35
°C
50
16
60
42
60
12
20
R
θJA
14
T
J
, T
英镑
20
13
30
极性：由阴极频带指示
安装位置：任意
热特性
重量：的逼近0.011克
特征
ry
1
BASE
环氧树脂： UL94 -V0
电压
集电极 - 基
额定阻燃
V
CBO
50
案例：模压塑料， SOD- 123H
V
5.0
发射极 - 基极电压
EBO
,
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
3
0.024(0.6)
集热器
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.031 （ 0.8 ）典型值。
V
尺寸以英寸（毫米）
2
辐射源
热阻，结
对于容性负载，减免电流20 ％
到环境
器件总功耗
评级
氧化铝基板， （2）T
A
= 25°C
标识代码
im
最大额定值和
(1)
器件总功耗FR- 5局，
电动
D
P
特征
T
A
25°C
在25 ℃评分
=
环境温度，除非另有规定。
225
mW
减免上述25℃
1.8
毫瓦/°C的
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
P
H
符号
FM120-M
D
FM130-MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
单位
300
14
2.4
40
18
80
56
80
1.0
最大
30
40
120
—
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
伏
伏
伏
减免上述25℃
最大的经常峰值反向电压
V
RRM
热阻，结到环境
最大RMS电压
V
RMS
结温和存储温度
最大直流阻断电压
V
DC
最大正向平均整流电流
25℃ ，除非另有说明）。
电气特性
(T
A
=
I
O
I
FSM
Pr
el
417
21
28
-55到+150
30
40
安培
峰值正向浪涌电流
特征
正弦波
8.3毫秒单半
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
符号
民
典型值
单位
℃/W
PF
℃
℃
安培
关闭
电阻（注2 ）
典型的热
特征
工作温度
毫安）
(I = –10
范围
存储温度范围
C
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
典型结电容（注1 ）
集电极 - 发射极击穿电压
V
（ BR ） CEO
-55到+125
45
—
V
-55到+150
集电极 - 发射极击穿电压
(V
EB
=
特征
0, I
C
= –10
A)
-
65
到+175
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
单位
V
（ BR ） CES
50
—
—
V
最大正向电压在1.0A DC
电压
发射极 - 基极击穿
额定阻断电压DC
V
F
I
R
最大平均
–1.0
A)
目前在@T A = 25 ℃
(I =
反向
E
V
（ BR ） EBO
0.50
5.0
0.70
—
0.5
—
10
0.85
V
0.9
0.92
伏
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 20 V)
@T A = 125 ℃
MAMP
I
CBO
—
—
—
—
注意事项：
100
5.0
nA
A
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
(V
CB
= 20 V ，T
A
= 150°C)
1， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
2012-06
威伦电子股份有限公司。
2012-
威伦电子股份有限公司。
FM120-M
BC817-40WT1
THRU
通用晶体管
FM1200-M
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
批量处理的设计，出色的功耗报价
低调的表面安装，以便应用程序
威伦
包
无铅产品
特点
包装外形
SOD-123H
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明） （续）
更好的反向漏电流和耐热性。
特征
优化电路板空间。
低功耗，高效率。
基本特征
正向电压降。
高电流能力，低
浪涌能力。
高
直流电流增益
保护。
Guardring过电压
V)
(I
C
= 100毫安， V
CE
= 1.0
超高速开关。
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
(I
C
= 500毫安， V
CE
= 1.0 V)
无铅零件符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
集电极 - 发射极饱和电压
无卤素产品的包装代号后缀"H"
(I
C
= 500毫安，我
B
= 50 mA）的
符号
民
典型值
0.146(3.7)
0.130(3.3)
最大
单位
0.012 （ 0.3 ）典型值。
h
FE
250
40
—
—
600
—
0.071(1.8)
0.056(1.4)
V
CE （ SAT ）
—
—
0.7
V
0.040(1.0)
0.024(0.6)
机械数据
ry
0.031 （ 0.8 ）典型值。
小信号特性
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
(
模压塑料， SOD- 123H
例
I
:
C
= 500毫安， V
CE
= 1.0 V)
,
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
方法2026
电流增益 - 带宽积
极性：由阴极频带指示
( I
C
= 10 mA时， V
CE
= 5.0 V
dc
， F = 100兆赫）
安装位置：任意
输出电容
重量：的逼近0.011克
(V
CB
= 10 V ， F = 1.0兆赫）
基射极电压ON
V
BE（上）
—
—
1.2
V
0.031 （ 0.8 ）典型值。
INA
f
T
C
敖包
—
12
20
14
20
13
30
21
30
14
40
28
40
15
50
35
50
16
60
42
60
尺寸以英寸（毫米）
兆赫
100
—
—
10
—
pF
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
设备
记号
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
航运
对于容性负载，减免电流20 ％
BC817-40WT1
YM
3000/Tape&Reel
评级
标识代码
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
Pr
el
im
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
订购信息
最大额定值和电气特性
符号
FM120-M
FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
UNI
18
80
56
80
1.0
30
40
120
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
伏
伏
伏
最大正向平均整流电流
AMP
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
I
FSM
AMP
典型热阻（注2 ）
典型结电容（注1 ）
工作温度范围
存储温度范围
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
-55到+125
-55到+150
℃/W
PF
℃
℃
-
65
到+175
特征
最大正向电压在1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定阻断电压DC
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
单位
V
F
@T A = 125 ℃
0.50
0.70
0.5
10
0.85
0.9
0.92
伏
I
R
MAM
注意事项：
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
2012-06
威伦电子股份有限公司。
2012-
威伦电子股份有限公司。
FM120-M
THRU
BC817-40WT1
通用晶体管
FM1200-M
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
低调的表面安装，以便应用程序
优化电路板空间。
低功耗，高效率。
.087(2.20)
高电流能力，低正向电压降。
高浪涌能力。
.070(1.80)
Guardring过电压保护。
超高速开关。
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
无铅零件符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
无卤素产品的包装代号后缀"H"
威伦
包
无铅产品
特点
包装外形
SOT323
SOD-123H
.004(0.10)MIN.
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
.054(1.35)
.045(1.15)
0.071(1.8)
0.056(1.4)
ry
0.031 （ 0.8 ）典型值。
机械数据
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
案例：模压塑料， SOD- 123H
,
.056(1.40)
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
方法2026
.096(2.45)
.078(2.00)
0.040(1.0)
0.024(0.6)
.047(1.20)
最大额定值和电气特性
评级
符号
FM120-M
FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
UNI
标识代码
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
.016(0.40)
V
RRM
.008(0.20)
V
RMS
V
DC
12
20
14
.043(1.10)
.032(0.80)
Pr
el
.004(0.10)MAX.
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
对于容性负载，减免电流20 ％
im
i
13
30
21
14
40
28
40
20
30
I
FSM
极性：由阴极频带指示
安装位置：任意
重量：的逼近0.011克
na
15
50
35
50
16
60
42
60
.010(0.25)
.003(0.08)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
尺寸以英寸（毫米）
18
80
56
80
1.0
30
40
120
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
伏
伏
伏
最大正向平均整流电流
尺寸以英寸（毫米）
I
O
焊接足迹*
R
θJA
C
J
AMP
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
AMP
典型热阻（注2 ）
典型结电容（注1 ）
工作温度范围
存储温度范围
0.65
0.025
T
J
TSTG
0.65
0.025
-55到+125
-55到+150
℃/W
PF
℃
℃
-
65
到+175
特征
最大正向电压在1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定阻断电压DC
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
单位
V
F
@T A = 125 ℃
I
R
0.50
1.9
0.075
0.70
0.5
10
0.85
0.9
0.92
伏
MAM
注意事项：
2-热阻结点到环境
0.9
0.035
0.7
0.028
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
SCALE 10 ： 1
mm
英寸
2012-
威伦电子股份有限公司。
QQ：2881677436 复制
