【SPICE模型： BC817-16W BC817-25W BC817-40W无铅绿色BC817-16】,IC型号BC817-40W,BC817-40W PDF资料,BC817-40W经销商,ic,电子元器件-51电子网

SPICE模型： BC817-16W BC817-25W BC817-40W

无铅绿色

BC817-16W / -25W / -40W

NPN表面贴装小信号晶体管

特点

·

非常适合自动插入

外延平面片建设

对于开关，自动对焦驱动器和放大器的应用

互补PNP类型可用（ BC807 - XXW ）

铅的设计免费/符合RoHS （注1 ）

"Green"设备（注2 ）

暗淡

A

C

B C

B

G

H

K

M

E

SOT-323

民

0.25

1.15

2.00

0.30

1.20

1.80

0.0

0.90

0.25

0.10

0°

最大

0.40

1.35

2.20

0.40

1.40

2.20

0.10

1.00

0.40

0.18

8°

A

B

C

D

E

G

H

J

K

D

E

L

机械数据

案例： SOT- 323

外壳材料：模压塑料。 "Green"模塑料。

UL可燃性分类额定值94V- 0

湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级

码头：完成 - 雾锡比退火合金42

引线框架。每MIL -STD- 202方法208

引脚连接：见图

标记：

J

0.65标称

P / N

BC817-16W

BC817-25W

BC817-40W

记号

K6A

K6B

K6C

L

M

a

尺寸：mm

·

订购&日期代码信息：见第3页

大约重量： 0.006克

@T

A

= 25 ° C除非另有说明

符号

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

EM

P

d

R

qJA

T

j

, T

英镑

价值

45

5.0

500

1000

200

625

-65到+150

单位

V

mA

mW

° C / W

°C

最大额定值

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

峰值集电极电流

峰值发射极电流

特征

在T功耗

SB

= 50℃（注3）

热阻，结到环境空气（注3 ）

工作和存储温度范围

电气特性

直流电流增益

@T

A

= 25 ° C除非另有说明

符号

民

100

160

250

60

100

170

—

100

—

最大

250

400

600

—

0.7

1.2

100

5.0

100

—

12

单位

测试条件

V

CE

= 1.0V ，我

C

= 100毫安

—

V

CE

= 1.0V ，我

C

= 300毫安

特性（注4 ）

电流增益集团-16

-25

-40

电流增益集团-16

-25

-40

h

FE

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压

集电极 - 发射极截止电流

发射基截止电流

增益带宽积

集电极 - 基极电容

注意事项：

V

CE （ SAT ）

V

BE

I

CES

I

EBO

f

T

C

CBO

V

nA

A

nA

兆赫

pF

I

C

= 500毫安，我

B

= 50毫安

V

CE

= 1.0V ，我

C

= 300毫安

V

CE

= 45V

V

CE

= 25V ，T

j

= 150°C

V

EB

= 4.0V

V

CE

= 5.0V ，我

C

= 10毫安，

F = 50MHz的

V

CB

= 10V ， F = 1.0MHz的

1.没有故意添加铅。

2.二极管公司的“绿色”政策，可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。

3.设备安装在FR- 4 PCB ， 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸;如图所示的二极管公司焊盘布局建议焊盘布局文件AP02001 ，

它可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。

4.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。

DS30575牧师4 - 2

1第3

www.diodes.com

BC817-16W / -25W / -40W

Diodes公司

400

见注1

1000

f

T

，增益带宽积（兆赫）

T

A

= 25°C

F = 20MHz的

P

d

，功耗（毫瓦）

300

V

CE

= 5V

200

100

1V

100

0

100

T

SB

，沉积温度（℃）

图。 1 ，功率降额曲线

200

10

1

10

100

1000

I

C

，集电极电流（毫安）

图。 2 ，增益带宽积VS集电极电流

1000

V

CE

= 1V

0.5

V

CE （ SAT ）

，集电极饱和电压（ V）

典型

范围

在T

A

= 25°C

0.4

h

FE

，直流电流增益

I

C

/ I

B

= 10

150°C

T

A

= 25°C

-50°C

0.3

100

0.2

25°C

0.1

150°C

-50°C

0

0.1

1

10

100

1000

I

C

，集电极电流（毫安）

图。 3 ，收集星期六电压Vs集电极电流

10

0.1

1

10

100

1000

I

C

，集电极电流（毫安）

图。 4 ，直流电流增益VS集电极电流

100

0.35

500

3.2

2.8

2.4

I

C

，集电极电流（毫安）

400

I

C

，集电极电流（毫安）

2

1.8

1.6

1.4

1.2

80

0.3

0.25

300

60

0.2

200

0.8

0.6

40

0.15

100

0.4

0.1

20

I

B

= 0.05毫安

I

B

= 0.2毫安

0

1

V

CE

，集电极 - 发射极电压（ V）

图。 5 ，典型的发射极 - 集电极特性

2

0

10

V

CE

，集电极 - 发射极电压（ V）

图。 6 ，典型的发射极 - 集电极特性

20

DS30575牧师4 - 2

2 3

www.diodes.com

BC817-16W / -25W / -40W

订购信息

设备*

BC817-xxW-7

注意事项：

（注5 ）

包装

SOT-323

航运

3000 /磁带&卷轴

5.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。

* XX =获取群组，例如BC817-16W -7。

标识信息

XXX =产品型号标识代码（见第1页），例如： K6A = BC817-16

YM =日期代码标

Y =年份例如： S = 2005

M =月前： 9 =九月

XXX

日期代码的关键

YEAR

CODE

MONTH

CODE

2004

R

JAN

1

2005

S

FEB

2

2006

T

三月

3

YM

2007

U

APR

4

五月

5

2008

V

JUN

6

2009

W

JUL

7

八月

8

2010

X

SEP

9

2011

Y

十月

O

NOV

N

2012

Z

DEC

D

重要通知

Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改，补充，改进，修正或其他变化没有进一步的权利

注意任何产品在此。 Diodes公司不承担因本文所述的任何产品的应用或使用任何责任;也不

它转达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有使用风险，并会

同意举行Diodes公司，其产品代表我们的网站上，反对一切损害无害的所有公司。

生命支持

未经明确的书面批准Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件

Diodes公司的总裁。

DS30575牧师4 - 2

3 3

www.diodes.com

BC817-16W / -25W / -40W

BC817W ， BC818W

NPN硅晶体管自动对焦

对于一般自动对焦的应用

高集电极电流

高电流增益

低集电极 - 发射极饱和电压

互补类型： BC807W ， BC808W （ PNP ）

3

2

1

VSO05561

TYPE

BC817-16W

BC817-25W

BC817-40W

BC818-16W

BC818-25W

BC818-40W

最大额定值

参数

记号

6As

6Bs

6Cs

6Es

6Fs

6Gs

1=B

引脚配置

2=E

3=C

包

SOT323

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

BC817W

45

50

5

500

1

100

200

250

150

BC818W

25

30

5

单位

V

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

DC集电极电流

峰值集电极电流

基极电流

峰值电流基地

总功耗

,

T

S

= 130 °C

结温

储存温度

I

C

I

CM

I

B

I

BM

P

合计

T

j

T

英镑

mA

A

mA

mW

°C

-65 ... 150

热阻

结 - 焊接点

1)

R

thjs

80

K / W

1对于计算

R

thJA

请参考应用笔记热阻

1

Nov-29-2001

BC817W ， BC818W

电气特性

at

T

A

= 25 ° C，除非另有规定ED 。

参数

符号

值

分钟。

DC特性

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

= 10毫安，

I

B

= 0

集电极 - 基极击穿电压

I

C

= 10 A,

I

E

= 0

发射极 - 基极击穿电压

I

E

= 10 A,

I

C

= 0

收藏家Cuto FF电流

V

CB

= 25 V,

I

E

= 0

收藏家Cuto FF电流

V

CB

= 25 V,

I

E

= 0 ,

T

A

= 150 °C

发射Cuto FF电流

V

EB

= 4 V,

I

C

= 0

直流电流增益1 ）

I

C

= 100毫安，

V

CE

= 1 V

h

FE

-grp 。

16

h

FE

-grp 。

25

h

FE

-grp 。

40

直流电流增益1 ）

I

C

= 300毫安，

V

CE

= 1 V

h

FE

-grp 。

16

h

FE

-grp 。

25

h

FE

-grp 。

40

集电极 - 发射极饱和电压1 ）

I

C

= 500毫安，

I

B

= 50毫安

基极 - 发射极饱和电压1）

I

C

= 500毫安，

I

B

= 50毫安

V

BESAT

V

CESAT

h

FE

h

FE

I

EBO

I

CBO

I

CBO

V

（ BR ） CEO

典型值。

马克斯。

单位

V

45

25

-

100

50

100

nA

A

nA

-

100

160

250

160

250

350

250

400

630

BC817W

BC818W

V

（ BR ） CBO

BC817W

BC818W

V

（ BR ） EBO

50

30

5

-

60

100

170

-

0.7

1.2

V

1 ）脉冲测试：吨

≤

300μS ，D = 2％

2

Nov-29-2001

BC817W ， BC818W

电气特性

at

T

A

= 25 ° C，除非另有规定ED 。

符号

值

参数

分钟。

AC特性

跃迁频率

I

C

= 50毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 100兆赫

集电极 - 基极电容

V

CB

= 10 V,

f

= 1兆赫

发射极 - 基极电容

V

EB

= 0.5 V,

f

= 1兆赫

C

eb

-

60

-

C

cb

-

6

-

f

T

-

170

-

典型值。

马克斯。

单位

兆赫

pF

3

Nov-29-2001

BC817W ， BC818W

总功耗

P

合计

=

f

(T

S

)

允许的脉冲负载

R

thjs

=

f

(t

p

)

300

10

3

K / W

mW

10

2

P

合计

200

R

thjs

10

1

150

100

10

0

50

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

0.005

D=0

0

20

40

60

80

100

120

°C

150

10

-1 -6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

s

10

0

T

S

t

p

允许的脉冲负载

收藏家Cuto FF电流

I

CBO

=

f

(T

A

)

V

CBO

= 25V

10

5

BC八百十八分之八百十七

EHP00221

P

totmax

/

P

totDC

=

f

(t

p

)

10

3

P

totmax

/ P

totDC

-

Ι

CBO

nA

10

4

10

2

D=0

0.005

0.01

0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

10

3

最大

10

2

典型值

10

1

10

1

10

0 -6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

s

10

0

10

0

50

100

C

T

A

150

t

p

4

Nov-29-2001

BC817W ， BC818W

直流电流增益

h

FE

=

f

(I

C

)

V

CE

= 1V

10

3

h

FE

5

BC八百十八分之八百十七

EHP00224

跃迁频率

f

T

=

f

(I

C

)

V

CE

= 5V

10

3

f

T

兆赫

5

BC八百十八分之八百十七

EHP00218

100 C

25 C

-50 C

10

2

5

10

2

10

1

5

10

0

10

-1

10

0

10

1

10

2

10毫安

3

10

1

10

0

10

1

10

2

mA

10

3

Ι

C

Ι

C

基射极饱和电压

I

C

=

f

(V

BESAT

),

h

FE

= 10

10

3

BC八百十八分之八百十七

EHP00222

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

=

f

(V

CESAT

),

h

FE

= 10

10

3

EHP00215

Ι

C

mA

150 C

25 C

-50 C

Ι

C

mA

150 C

25 C

-50 C

10

2

5

10

2

5

10

1

5

10

1

5

10

0

5

10

0

5

10

-1

0

1.0

2.0

3.0

V

4.0

10

-1

0

0.2

0.4

0.6

V

0.8

V

BESAT

V

CESAT

5

Nov-29-2001

BC 817-16W

NPN硅晶体管自动对焦

对于一般自动对焦的应用

高集电极电流

高电流增益

低集电极 - 发射极饱和电压

互补类型： BC807W ， BC808W （ PNP ）

TYPE

BC 817-16W

BC 817-25W

BC 817-40W

BC 818-16W

BC 818-25W

BC 818-40W

订购代码标识

6As

6Bs

6Cs

6Es

6Fs

6Gs

Q62702-C2320

Q62702-C2278

Q62702-C2321

Q62702-C2322

Q62702-C2323

Q62702-C2324

引脚配置

1=B

2=E

3=C

包

SOT-323

最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

公元前817 W

公元前818 W

集电极 - 基极电压

公元前817 W

公元前818 W

发射极 - 基极电压

DC集电极电流

峰值集电极电流

基极电流

总功耗，

T

S

= 130°C

结温

储存温度

热阻

交界处的环境

1)

符号

值

45

25

单位

V

首席执行官

V

CBO

50

30

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

合计

T

j

T

英镑

R

thJA

R

thjs

1

5

500

1

100

250

150

- 65 ... + 150

≤

215

≤

80

mA

A

mA

mW

°C

K / W

结 - 焊接点

1 ）包装安装在印刷电路板40× 40× 1.5毫米/ 0.5厘米

2

Cu

半导体集团

Dec-19-1996

BC 817-16W

电气特性

at

T

A

= 25℃ ，除非另有说明

参数

符号

分钟。

DC特性

集电极 - 发射极击穿电压

值

典型值。

马克斯。

单位

V

（ BR ） CEO

45

25

-

160

250

350

-

100

50

100

V

I

C

= 10毫安，

I

B

= 0 ，公元前817 W

I

C

= 10毫安，

I

B

= 0 ，公元前818 W

集电极 - 基极击穿电压

V

（ BR ） CBO

50

30

I

C

= 10 A,

I

B

= 0 ，公元前817 W

I

C

= 10 A,

I

B

= 0 ，公元前818 W

基极 - 发射极击穿电压

V

（ BR ） EBO

5

I

E

= 10 A,

I

C

= 0

集电极 - 基极截止电流

I

CBO

-

nA

A

nA

-

100

160

250

60

100

170

250

400

630

-

V

-

0.7

1.2

V

CB

= 25 V,

T

A

= 25 °C

V

CB

= 25 V,

T

A

= 150 °C

发射Cuto FF电流

I

EBO

h

FE

V

EB

= 4 V,

I

C

= 0

直流电流增益

I

C

= 100毫安，

V

CE

= 1 V ， BC ... 16 W

I

C

= 100毫安，

V

CE

= 1 V ， BC ... 25瓦

I

C

= 100毫安，

V

CE

= 1 V ， BC ... 40瓦

I

C

= 300毫安，

V

CE

= 1 V ， BC ... 16 W

I

C

= 300毫安，

V

CE

= 1 V ， BC ... 25瓦

I

C

= 300毫安，

V

CE

= 1 V ， BC ... 40瓦

集电极 - 发射极饱和电压1 ）

V

CESAT

V

BESAT

-

I

C

= 500毫安，

I

B

= 50毫安

基极 - 发射极饱和电压1）

I

C

= 500毫安，

I

B

= 50毫安

1 ）脉冲测试：吨< 300μS ; < 2 ％

半导体集团

2

Dec-19-1996

BC 817-16W

NPN硅晶体管自动对焦

电气特性

at

T

A

= 25℃ ，除非另有说明

参数

符号

分钟。

AC特性

跃迁频率

值

典型值。

马克斯。

单位

f

T

-

170

6

60

-

兆赫

pF

-

I

C

= 50毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 100兆赫

集电极 - 基极电容

C

cb

C

eb

-

V

CB

= 10 V,

f

= 1兆赫

发射极 - 基极电容

V

EB

= 0.5 V,

f

= 1兆赫

半导体集团

3

Dec-19-1996

BC 817-16W

总功耗

P

合计

=

f

(T

A

*;T

S

)

*包装安装在环氧

允许的脉冲负载

R

thjs

=

F（T

p

)

300

10

3

K / W

mW

P

合计

200

T

S

R

thjs

10

2

150

T

A

10

1

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

0.005

D=0

100

10

0

50

0

20

40

60

80

100

120 °C 150

T

A

,T

S

10

-1

-6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

s 10

t

p

-1

0

允许的脉冲负载

P

totmax

/

P

totDC

=

F（T

p

)

Collectot截止电流

I

CBO

=

f

(T

A

)

V

CB

= 60V

10

3

-

P

totmax

/P

totDC

10

2

D=0

0.005

0.01

0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

10

1

10

0

-6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

s 10

t

p

-1

0

半导体集团

4

Dec-19-1996

BC 817-16W

直流电流增益

h

FE

=

f

(I

C

)

V

CE

= 1V

跃迁频率

f

T

=

f

(I

C

)

VCE = 5V

基射极饱和电压

I

C

= F（V

BESAT

),

h

FE

= 10

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

= F（V

CESAT

),

h

FE

= 10

半导体集团

5

Dec-19-1996

分立半导体

数据表

书， halfpage

M3D102

BC817W

NPN通用晶体管

产品speci fi cation

取代1997年的数据3月5日

1999年04月15日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN通用晶体管

特点

大电流（最大500 mA）的

低电压（最大45 V ）。

应用

通用的开关和放大。

描述

NPN晶体管在SOT323塑料包装。

PNP补充： BC807W 。

记号

TYPE

数

BC817W

BC817-16W

BC817-25W

BC817-40W

记

1.

= - ：香港制造。

= T：在马来西亚。

Fig.1

记号

CODE

(1)

6D

6A

6B

6C

TYPE

数

BC818W

BC818-16W

BC818-25W

BC818-40W

记号

CODE

(1)

6H

6E

6F

6G

顶视图

MAM062

BC817W

钉扎

针

1

2

3

BASE

辐射源

集热器

描述

手册， halfpage

3

1

2

1

2

简化外形（ SOT323 ）和符号。

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

BM

P

合计

T

英镑

T

j

T

AMB

记

1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

峰值集电极电流

峰值电流基地

总功耗

储存温度

结温

工作环境温度

T

AMB

≤

25

°C;

注1

条件

发射极开路

开基;我

C

= 10毫安

集电极开路

65

分钟。

马克斯。

50

45

5

500

1

200

+150

150

+150

V

mA

A

mA

mW

°C

单位

1999年04月15日

2

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN通用晶体管

热特性

符号

R

日J-一

记

1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。

特征

T

AMB

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

I

CBO

I

EBO

h

FE

参数

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

BC817W

BC817-16W

BC817-25W

BC817-40W

直流电流增益

V

CESAT

V

BE

C

c

f

T

记

1.脉冲测试：吨

p

≤

300

s; δ ≤

0.02.

集电极 - 发射极饱和

电压

基射极电压

集电极电容

跃迁频率

I

C

= 500毫安; V

CE

= 1V ;注1

I

C

= 500毫安;我

B

= 50毫安;注1

I

C

= 500毫安; V

CE

= 1V ;注1

I

E

= i

e

= 0; V

CB

= 10 V ; F = 1 MHz的

I

C

= 10毫安; V

CE

= 5 V ; F = 100 MHz的

条件

I

E

= 0; V

CB

= 20 V

I

E

= 0; V

CB

= 20V;牛逼

j

= 150

°C

I

C

= 0; V

EB

= 5 V

I

C

= 100毫安; V

CE

= 1V ;注意1 ;

参见图2 ，图3和4

100

160

250

40

100

分钟。

5

100

600

250

400

600

700

1.2

5

参数

从结点到环境的热阻

条件

注1

价值

625

BC817W

单位

K / W

马克斯。

100

单位

nA

A

nA

mV

pF

兆赫

1999年04月15日

3

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN通用晶体管

BC817W

手册，全页宽

20

MBH721

的hFE

160

VCE = 1V

120

80

40

0

10

1

10

2

IC （MA ）

10

3

BC817-16W.

图2直流电流增益;典型值。

手册，全页宽

500

MBH720

的hFE

400

VCE = 1V

300

200

100

0

10

1

BC817-25W.

1

10

2

IC （MA ）

10

3

图3直流电流增益;典型值。

1999年04月15日

4

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN通用晶体管

BC817W

手册，全页宽

500

MBH722

的hFE

400

VCE = 1V

300

200

100

0

10

1

10

2

IC （MA ）

10

3

BC817-40W.

图4直流电流增益;典型值。

1999年04月15日

5

BC817 -16W ， -25W ， -40W

公司Bauelemente

符合RoHS产品

的“-C”后缀指定卤素&无铅

500毫安， 50 V

NPN塑料封装晶体管

特点

SOT-323

A

L

3

对于一般自动对焦的应用

高集电极电流

高电流增益

低集电极 - 发射极饱和电压

1

顶视图

2

C B

1

2

K

E

D

包装信息

重量： 0.0074克（约）

F

G

REF 。

A

B

C

D

E

F

毫米

分钟。

马克斯。

1.80

2.20

1.80

2.45

1.15

1.35

0.80

1.10

1.20

1.40

0.20

0.40

H

REF 。

G

H

J

K

L

毫米

分钟。

马克斯。

0.100 REF 。

0.525 REF 。

0.08

0.25

-

0.650典型。

J

集热器

记号

BC817-16W ：

BC817-25W ：

BC817-40W ：

6A

6B

6C

， YM

BASE

辐射源

绝对最大额定值在Ta = 25°C

参数

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

集电极耗散功率

交界处，贮存温度

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

P

C

T

J

, T

英镑

评级

50

45

5

500

300

-55 ~ +150

单位

V

mA

mW

℃

特性在TA = 25℃

参数

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

发射极截止电流

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

符号

BV

CBO

BV

首席执行官

BV

EBO

I

CBO

I

EBO

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

V

BE（上）

h

FE(1)

分钟。

50

45

5

-

马克斯。

-

0.1

0.7

1.2

单位

V

uA

V

测试条件

I

C

= 10微安，我

E

= 0

I

C

= 10 mA时，我

B

= 0

I

E

= 1微安，我

C

= 0

V

CB

= 20V ，我

E

= 0

V

EB

= 5V ，我

C

= 0

I

C

= 500毫安，我

B

= 50毫安

I

C

= 500毫安，我

B

= 50毫安

V

CE

= 1V ，我

C

= 500毫安

V

CE

= 1 V，I

C

= 100毫安

V

CE

= 1 V，I

C

= 500毫安

V

CE

= 5 V，I

C

= 10毫安，

F = 100MHz的

V

CB

= 10V ， F = 1MHz的

基射极电压

直流电流增益

跃迁频率

集电极电容

100

40

100

-

600

-

5

兆赫

pF

h

FE(2)

f

T

C

分类h及

FE(1)

秩

范围

BC817-16W

100 - 250

BC817-25W

160 - 400

BC817-40W

250 - 600

7月28日， 2010版本C

第1页2

BC817 -16W ， -25W ， -40W

公司Bauelemente

500毫安， 50 V

NPN塑料封装晶体管

特性曲线

7月28日， 2010版本C

第2页2

BC817.../BC818...

NPN硅晶体管自动对焦

对于一般自动对焦的应用

高集电极电流

高电流增益

低集电极 - 发射极饱和电压

互补类型：

BC807 ... / W ， BC808 ... / W （ PNP ）

无铅（符合RoHS标准）封装

1)

合格的依据AEC Q101

TYPE

BC817-16

BC817K-16*

BC817-25

BC817K-25*

BC817-25W

BC817K-25W*

BC817-40

BC817K-40*

BC817-40W

BC817K-40W*

BC818-16W

BC818K-16W*

BC818-25

BC818K-25*

BC818-40

BC818K-40*

*收缩的芯片版本

1

含有铅，

记号

6As

6Bs

6Cs

6Es

6Fs

6Gs

引脚配置

1 = B 2 = E 3 = C -

-

包

SOT23

SOT323

SOT23

SOT323

SOT23

包可能是可根据特殊要求

1

2008-04-11

BC817.../BC818...

最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

BC817...

BC818...

集电极 - 基极电压

BC817...

BC818...

发射极 - 基极电压

集电极电流

峰值集电极电流

基极电流

峰值电流基地

总功率dissipation-

T

S

≤

79 ° C， BC817 ， BC818

T

S

≤

115 ° C， BC817K ， BC818K

T

S

≤

130 ° C， BC817W / KW ， BC818 ... W / KW

结温

储存温度

T

j

T

英镑

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

I

BM

P

合计

330

500

250

150

-65 ... 150

°C

V

CBO

50

30

5

500

1000

100

200

mW

mA

符号

V

首席执行官

45

25

价值

单位

V

热阻

参数

结 - 焊接点

1)

BC817 ， BC818

BC817K ， BC818K

BC817W / KW ， BC818W / KW

1

为

符号

R

thjs

价值

≤

215

≤

70

≤

80

单位

K / W

计算

R

thJA

请参考应用笔记热阻

2

2008-04-11

BC817.../BC818...

电气特性

at

T

A

= 25℃ ，除非另有说明

符号

值

单位

参数

分钟。

典型值。马克斯。

DC特性

集电极 - 发射极击穿电压

V

（ BR ） CEO

V

I

C

= 10毫安，

I

B

= 0， BC817 ...

I

C

= 10毫安，

I

B

= 0， BC818 ...

45

25

V

（ BR ） CBO

-

V

A

集电极 - 基极击穿电压

I

C

= 10 A,

I

E

= 0， BC817 ...

I

C

= 10 A,

I

E

= 0， BC818 ...

50

30

V

（ BR ） EBO

I

CBO

发射极 - 基极击穿电压

I

E

= 10 A,

I

C

= 0

5

集电极 - 基极截止电流

V

CB

= 25 V,

I

E

= 0

V

CB

= 25 V,

I

E

= 0 ,

T

A

= 150 °C

-

I

EBO

h

FE

-

0.1

50

100

nA

-

发射基截止电流

V

EB

= 4 V,

I

C

= 0

-

直流电流增益

1)

I

C

= 100毫安，

V

CE

= 1 V,

h

FE

-grp.16

I

C

= 100毫安，

V

CE

= 1 V,

h

FE

-grp.25

I

C

= 100毫安，

V

CE

= 1 V,

h

FE

-grp.40

I

C

= 300毫安，

V

CE

= 1 V,

h

FE

-grp.16

2)

I

C

= 300毫安，

V

CE

= 1 V,

h

FE

-grp.25

2)

I

C

= 300毫安，

V

CE

= 1 V,

h

FE

-grp.40

2)

I

C

= 500毫安，

V

CE

= 1 V ，所有

h

FE

-grps 。

3)

100

160

250

60

100

170

40

V

CESAT

V

BESAT

160

250

350

-

250

400

630

-

0.7

1.2

V

集电极 - 发射极饱和电压

1)

I

C

= 500毫安，

I

B

= 50毫安

基极发射极饱和电压

1)

I

C

= 500毫安，

I

B

= 50毫安

1

脉冲

-

测试：吨< 300μS ; < 2 ％

2

对于所有BC817和BC818亚型

3

对于所有BC817K和BC818K亚型

3

2008-04-11

BC817.../BC818...

电气特性

at

T

A

= 25℃ ，除非另有说明

参数

符号

值

分钟。

AC特性

跃迁频率

I

C

= 50毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 100兆赫

f

T

C

cb

单位

马克斯。

-

兆赫

pF

典型值。

170

-

集电极 - 基极电容

V

CB

= 10 V,

f

= 1兆赫

1)

V

CB

= 10 V,

f

= 1兆赫

2)

-

C

eb

6

3

60

40

-

发射极 - 基极电容

V

EB

= 0.5 V,

f

= 1兆赫

1)

V

EB

= 0.5 V,

f

= 1兆赫

2)

1

为

-

所有BC817和BC818亚型

2

对于所有BC817K和BC818K亚型

4

2008-04-11

BC817.../BC818...

直流电流增益

h

FE

=

(

I

C

)

V

CE

= 1 V

h

FE

-grp.16

10

3

直流电流增益

h

FE

=

(

I

C

)

V

CE

= 1 V

h

FE

-grp.25

10

3

h

FE

10

2

h

FE

10

2

105 °C

85 °C

65 °C

25 °C

-40 °C

10

1 -5

10

-4

105 °C

85 °C

65 °C

25 °C

-40 °C

10

-3

10

-2

10

-1

A

10

0

10

1 -5

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

0

A

10

I

C

I

C

直流电流增益

h

FE

=

(

I

C

)

V

CE

= 1 V

h

FE

-grp.40

10

3

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

=

(

V

CESAT

),

h

FE

= 10

10

3

BC八百十八分之八百十七

EHP00223

Ι

C

mA

150 C

25 C

-50 C

10

2

h

FE

5

10

2

10

1

105 °C

85 °C

65 °C

25 °C

-40 °C

5

10

0

5

10

1 -5

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

A

10

0

10

-1

0

0.2

0.4

0.6

V

0.8

I

C

V

CESAT

5

2008-04-11

SMD型

晶体管

IC

产品speci fi cation

BC817W

特点

大电流。

低电压。

1辐射源

2基地

3收藏家

绝对最大额定值大= 25

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压（I

C

= 10 mA）的

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

峰值集电极电流

峰值电流基地

总功耗

储存温度

结温

工作环境温度

从结点到环境的热阻

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

BM

P

合计

T

英镑

T

j

R

AMB

R

日J-一

等级

50

45

5

500

1

200

-65到+150

150

-65到+150

625

K / W

单位

V

mA

A

mA

mW

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

1 2

SMD型

晶体管

IC

产品speci fi cation

BC817W

电气特性TA = 25

参数

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

BC817W

直流电流增益

BC817-16W

BC817-25W

BC817-40W

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压

集电极电容

跃迁频率

*脉冲测试：吨

300ìs ，D

2%.

V

CE （ SAT ）

V

BE

C

f

T

I

C

= 500毫安;我

B

= 50毫安

I

C

= 500毫安; V

CE

= 1 V

I

E

= IE = 0 ; V

CB

= 10 V ; F = 1兆赫

I

C

= 10毫安; V

CE

= 5 V ; F = 100 MHz的

100

3

h

FE

I

C

= 100毫安; V

CE

= 1 V *

符号

I

CBO

I

CBO

I

EBO

Testconditons

I

E

= 0 ; V

CB

= 20 V

I

E

= 0 ; V

CB

= 20 V ;吨

j

= 150

I

C

= 0 ; V

EB

= 5 V

100

160

250

民

典型值

最大

100

5

100

600

250

400

600

700

1.2

mV

V

pF

兆赫

单位

nA

ìA

nA

h

FE

分类

TYPE

记号

BC817W

6D

BC817-16W

6A

BC817-25W

6B

BC817-40W

6C

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