BC81716LT1,
BC817-25LT1 ， BC817-40LT1
通用
晶体管
NPN硅
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特点
无铅包可用
1
BASE
集热器
3
最大额定值
等级
集电极发射极电压
集电极基极电压
发射极基极电压连续
连续集电极电流 -
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
价值
45
50
5.0
500
单位
V
V
V
MADC
1
2
3
2
辐射源
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
热特性
特征
器件总功耗FR- 5委员会（注1 ）
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
器件总功耗
氧化铝基板， （注2 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
1， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024 99.5 ％的氧化铝。
符号
P
D
225
1.8
R
qJA
P
D
300
2.4
R
qJA
T
J
, T
英镑
417
-55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
xx
D
556
mW
毫瓦/°C的
° C / W
最大
单位
SOT23
CASE 318
类型6
标记图
XXD
=具体设备守则
=日期代码
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年6月 - 修订版6
出版订单号：
BC81716LT/D
BC817-16LT1 ， BC817-25LT1 ， BC817-40LT1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极发射极击穿电压
(I
C
= -10毫安）
集电极发射极击穿电压
(V
EB
= 0, I
C
= 10
毫安）
发射-Base击穿电压
(I
E
= 1.0
毫安）
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 20 V)
(V
CB
= 20 V ，T
A
= 150°C)
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 100毫安， V
CE
= 1.0 V)
BC81725
BC81740
(I
C
= 500毫安， V
CE
= 1.0 V)
h
FE
BC81716
100
160
250
40
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
250
400
600
0.7
1.2
V
V
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CES
V
（ BR ） EBO
I
CBO
100
5.0
nA
mA
45
50
5.0
V
V
V
符号
民
典型值
最大
单位
集电极发射极饱和电压
(I
C
= 500毫安，我
B
= 50 mA）的
基地发射极电压上
(I
C
= 500毫安， V
CE
= 1.0 V)
小信号特性
电流 - 获得 - 带宽积
(I
C
= 10 mA时， V
CE
= 5.0伏， F = 100兆赫）
输出电容
(V
CB
= 10 V ， F = 1.0兆赫）
f
T
C
敖包
100
10
兆赫
pF
订购信息
设备
BC81716LT1
BC81716LT1G
BC81716LT3
BC81725LT1
BC81725LT1G
BC81725LT3
BC81725LT3G
BC81740LT1
BC81740LT1G
BC81740LT3
BC81740LT3G
SBC81740LT1
SBC81740LT3
具体的标识代码
6A
6A
6A
6B
6B
6B
6B
6C
6C
6C
6C
6C
6C
包
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
航运
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装Specifi-
阳离子小册子， BRD8011 / D 。
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2
BC817-16LT1 ， BC817-25LT1 ， BC817-40LT1
1000
V
CE
= 1 V
T
J
= 25°C
的hFE ， DC电流增益
100
10
0.1
1.0
10
100
I
C
，集电极电流（毫安）
1000
图1.直流电流增益
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
1.0
T
J
= 25°C
0.8
V，电压（V ）
0.6
0.4
0.2
0
0.01
I
C
= 10毫安
百毫安
300毫安
500毫安
1.0
T
A
= 25°C
0.8
0.6
0.4
0.2
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.1
1
I
B
，基极电流（毫安）
10
100
0
1
10
100
I
C
，集电极电流（毫安）
1000
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE（上）
@ V
CE
= 1 V
图2.饱和区
图3. “开”电压
θ
V，温度系数（MV /
°
C)
+1
q
VC
对于V
CE （ SAT ）
C，电容（pF ）
100
0
C
ib
10
1
2
q
VB
对于V
BE
C
ob
1
10
100
I
C
，集电极电流（毫安）
1000
1
0.1
1
10
V
R
，反向电压（伏）
100
图4.温度系数
图5的电容
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3
BC817-16LT1 ， BC817-25LT1 ， BC817-40LT1
包装尺寸
SOT- 23 （ TO- 236 ）
CASE 318-09
ISSUE AI
A
L
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3. MAXIUMUM引线厚度包括对引线FINISH
厚度。最小引线厚度是最小的
厚度基体材料。
4. 318-01 ， -02 ， -06和陈旧，新标准318-09 。
2
3
1
B
S
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
V
V
G
C
D
H
K
J
英寸
民
最大
0.1102
0.1197
0.0472 0.0551
0.0385 0.0498
0.0140 0.0200
0.0670 0.0826
0.0040 0.0098
0.0034 0.0070
0.0180 0.0236
0.0350 0.0401
0.0830 0.0984
0.0177 0.0236
MILLIMETERS
民
最大
2.80
3.04
1.20
1.40
0.99
1.26
0.36
0.50
1.70
2.10
0.10
0.25
0.085
0.177
0.45
0.60
0.89
1.02
2.10
2.50
0.45
0.60
类型6 ：
1. PIN BASE
2.辐射源
3.收集
焊接足迹*
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
0.9
0.035
0.8
0.031
SCALE 10 ： 1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
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和
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4
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