【BC807.../BC808...PNP硅晶体管自动对焦对于一般自动对焦的应用高集电极电流高电流增益】,IC型号BC808-25W,BC808-25W PDF资料,BC808-25W经销商,ic,电子元器件-51电子网

BC807.../BC808...

PNP硅晶体管自动对焦

对于一般自动对焦的应用

高集电极电流

高电流增益

低集电极 - 发射极饱和电压

互补型：

BC817 ... / W， BC818 ... / W（ NPN）的

无铅（符合RoHS标准）封装

1)

合格的依据AEC Q101

TYPE

BC807-16

BC807-16W

BC807-25

BC807-25W

BC807-40

BC807-40W

BC808-25

BC808-25W

BC808-40

BC808-40W

1

含有铅，

记号

5As

5Bs

5Cs

5Fs

5Gs

引脚配置

1 = B 2 = E 3 = C -

-

包

SOT23

SOT323

SOT23

SOT323

SOT23

SOT323

SOT23

SOT323

SOT23

SOT323

包可能是可根据特殊要求

1

2007-06-08

BC807.../BC808...

最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

BC807...

BC808...

集电极 - 基极电压

BC807...

BC808...

发射极 - 基极电压

集电极电流

峰值集电极电流

基极电流

峰值电流基地

总功率dissipation-

T

S

≤

79℃ BC807 ， BC808

T

S

≤

130℃ BC807W ， BC808W

结温

储存温度

热阻

参数

结 - 焊接点

1)

BC807 ， BC808

BC807W ， BC808W

1

为

符号

V

首席执行官

价值

45

25

单位

V

CBO

50

30

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

I

BM

P

合计

330

250

T

j

T

英镑

符号

R

thjs

150

-65 ... 150

价值

≤

215

≤

80

单位

K / W

°C

5

500

1000

100

200

mW

mA

计算

R

thJA

请参考应用笔记热阻

2

2007-06-08

BC807.../BC808...

电气特性

at

T

A

= 25℃ ，除非另有说明

符号

值

单位

参数

分钟。

典型值。马克斯。

DC特性

集电极 - 发射极击穿电压

V

（ BR ） CEO

V

I

C

= 10毫安，

I

B

= 0， BC807 ...

I

C

= 10毫安，

I

B

= 0， BC808 ...

45

25

V

（ BR ） CBO

-

A

集电极 - 基极击穿电压

I

C

= 10 A,

I

E

= 0， BC807 ...

I

C

= 10 A,

I

E

= 0， BC808 ...

50

30

V

（ BR ） EBO

I

CBO

发射极 - 基极击穿电压

I

E

= 10 A,

I

C

= 0

5

集电极 - 基极截止电流

V

CB

= 25 V,

I

E

= 0

V

CB

= 25 V,

I

E

= 0 ,

T

A

= 150 °C

-

I

EBO

h

FE

-

0.1

50

100

nA

-

发射基截止电流

V

EB

= 4 V,

I

C

= 0

-

直流电流增益

1)

I

C

= 100毫安，

V

CE

= 1 V,

h

FE

-grp 。 16

I

C

= 100毫安，

V

CE

= 1 V,

h

FE

-grp 。 25

I

C

= 100毫安，

V

CE

= 1 V,

h

FE

GRP 。 40

I

C

= 500毫安，

V

CE

= 1 V

100

160

250

40

V

CESAT

V

BESAT

160

250

350

-

250

400

630

-

0.7

1.2

V

集电极 - 发射极饱和电压

1)

I

C

= 500毫安，

I

B

= 50毫安

基极发射极饱和电压

1)

I

C

= 500毫安，

I

B

= 50毫安

1

脉冲

-

测试：吨< 300μS ; < 2 ％

3

2007-06-08

BC807.../BC808...

电气特性

at

T

A

= 25℃ ，除非另有说明

参数

AC特性

跃迁频率

I

C

= 50毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 100兆赫

集电极 - 基极电容

V

CB

= 10 V,

f

= 1兆赫

发射极 - 基极电容

V

EB

= 0.5 V,

f

= 1兆赫

C

eb

-

60

-

C

cb

-

8

-

pF

f

T

-

200

-

兆赫

符号

分钟。

值

典型值。

马克斯。

单位

4

2007-06-08

BC807.../BC808...

直流电流增益

h

FE

=

(I

C

)

V

CE

= 1 V

h

FE

-grp 。 16

10

3

直流电流增益

h

FE

=

(I

C

)

V

CE

= 1 V

h

FE

-grp 。 25

10

3

h

FE

10

2

h

FE

10

2

105 °C

85 °C

65 °C

25 °C

-40 °C

105 °C

85 °C

65 °C

25 °C

-40 °C

10

1 -5

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

A

10

0

10

1 -5

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

0

A

10

I

C

I

C

直流电流增益

h

FE

=

(I

C

)

V

CE

= 1 V

h

FE

-grp 。 40

10

3

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

=

(V

CESAT

),

h

FE

= 10

10

3

EHP00215

Ι

C

mA

150 C

25 C

-50 C

10

2

h

FE

5

10

2

105 °C

85 °C

65 °C

25 °C

-40 °C

10

1

5

10

0

5

10

1 -5

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

A

10

0

10

-1

0

0.2

0.4

0.6

V

0.8

I

C

V

CESAT

5

2007-06-08

BC 807W / 808W BC

PNP

通用晶体管

PNP

表面贴装硅外延PlanarTransistors

硅外延PlanarTransistoren献给死去Oberflchenmontage

功耗 - Verlustleistung

2

±0.1

0.3

3

225毫瓦

SOT-323

0.01 g

1

±0.1

1.25

±0.1

塑料外壳

Kunststoffgehuse

重量约。 - Gewicht约

塑料材料具有UL分类94V- 0

Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert

标准包装卷带封装

标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔

TYPE

CODE

1

2

1.3

尺寸/集体单位为毫米

1=B

2=E

3=C

最大额定值（T

A

= 25

/

C)

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基电压

功耗 - Verlustleistung

集电极电流 - Kollektorstrom （ DC ）

高峰科尔。电流 - Kollektor - Spitzenstrom

峰值基极电流 - 基础 - Spitzenstrom

峰值发射极电流 - 发射极Spitzenstrom

结温 - Sperrschichttemperatur

储存温度 - Lagerungstemperatur

B开

B短路

ê开放

c打开

- V

CE0

- V

CES

- V

CB0

- V

EB0

P

合计

- I

C

- I

CM

- I

BM

I

EM

T

j

T

S

2.1

±0.1

Grenzwerte （T

A

= 25

/

C)

BC 807W

45 V

50 V

5V

225毫瓦

1

)

500毫安

千毫安

200毫安

千毫安

150

/

C

- 65…+ 150

/

C

BC 808W

25 V

30 V

特性，T

j

= 25

/

C

分钟。

直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhltnis

- V

CE

= 1 V ， - 我

C

= 100毫安

- V

CE

= 1 V ， - 我

C

= 500毫安

- V

CE

= 1 V ， - 我

C

= 100毫安

BC807W

BC808W

集团-16W

集团-25W

集团-40W

h

FE

h

FE

h

FE

h

FE

h

FE

100

40

100

160

250

Kennwerte ，T

j

= 25

/

C

典型值。

–

160

250

400

马克斯。

600

–

250

400

600

1

）安装在交媾主板为3 mm

2

铜垫在每个终端

蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米

2

Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞

01.11.2003

4

通用晶体管

特性，T

j

= 25

/

C

分钟。

集电极饱和电压 - Kollektor - Sttigungsspg 。

- I

C

= 500毫安， - 我

B

= 50毫安

- I

C

= 500毫安， - 我

B

= 50毫安

基射极电压 - 基射极Spannung

- V

CE

= 1 V ， - 我

C

= 500毫安

I

E

= 0, - V

CB

= 20 V

I

E

= 0, - V

CB

= 20 V ，T

j

= 150

/

C

发射基截止电流 - Emitterreststrom

I

C

= 0, - V

EB

= 4 V

增益带宽积 - Transitfrequenz

- V

CE

= 5 V ， - 我

C

= 10 mA时， F = 50 MHz的

- V

CB

= 10 V，I

E

= i

e

= 0中，f = 1 MHz的

热阻结到环境空气

Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特

推荐互补NPN晶体管

Empfohlene komplementre NPN - Transistoren

可用的电流增益标记

每类群体

Stempelung德lieferbaren斯特罗姆

verstrkungsgruppen亲典型值

BC 807-16W = 5A

BC 807W = 5D

BC 808-16W = 5E

BC 808W = 5H

BC 808-25W = 5F

BC 807W / 808W BC

Kennwerte ，T

j

= 25

/

C

典型值。

–

100兆赫

10 pF的

马克斯。

0.7 V

1.3 V

1.2 V

100 nA的

5

:

A

100 nA的

–

620 K / W

1

)

- V

CESAT

- V

BESAT

- V

BE

- I

CB0

- I

CB0

- I

EB0

f

T

C

CB0

–

80兆赫

–

R

THA

基本饱和电压 - 基础 - Sttigungsspannung

集电极 - 基极截止电流 - Kollektorreststrom

集电极 - 基极电容 - Kollektor个基本Kapazitt

BC 817W / 818W BC

BC 807-25W = 5B

BC 807-40W = 5℃

BC 808-40W = 5G

）安装在交媾主板为3 mm

2

铜垫在每个终端

蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米

2

Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞

01.11.2003

1

5

BC807W ， BC808W

PNP硅晶体管自动对焦

对于一般自动对焦的应用

高集电极电流

高电流增益

低集电极 - 发射极饱和电压

互补类型： BC817W ， BC818W （NPN）

3

2

1

VSO05561

TYPE

BC807-16W

BC807-25W

BC807-40W

BC808-16W

BC808-25W

BC808-40W

最大额定值

参数

记号

5As

5Bs

5Cs

5Es

5Fs

5Gs

1=B

引脚配置

2=E

3=C

包

SOT323

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

BC 807W

45

50

5

500

1

100

200

250

150

BC 808W

25

30

5

单位

V

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

DC集电极电流

峰值集电极电流

基极电流

峰值电流基地

总功耗

,

T

S

= 130 °C

结温

储存温度

I

C

I

CM

I

B

I

BM

P

合计

T

j

T

英镑

mA

A

mA

mW

°C

-65 ... 150

热阻

结 - 焊接点

1)

R

thjs

80

K / W

1对于计算

R

thJA

请参考应用笔记热阻

1

Nov-29-2001

BC807W ， BC808W

电气特性

at

T

A

= 25 ° C，除非另有规定ED 。

参数

符号

值

分钟。

DC特性

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

= 10毫安，

I

B

= 0

集电极 - 基极击穿电压

I

C

= 10 A,

I

E

= 0

发射极 - 基极击穿电压

I

E

= 10 A,

I

C

= 0

收藏家Cuto FF电流

V

CB

= 25 V,

I

E

= 0

收藏家Cuto FF电流

V

CB

= 25 V,

I

E

= 0 ,

T

A

= 150 °C

发射Cuto FF电流

V

EB

= 4 V,

I

C

= 0

直流电流增益1 ）

I

C

= 100毫安，

V

CE

= 1 V

h

FE

-grp 。

16

h

FE

-grp 。

25

h

FE

-grp 。

40

直流电流增益1 ）

I

C

= 500毫安，

V

CE

= 1 V

集电极 - 发射极饱和电压1 ）

I

C

= 500毫安，

I

B

= 50毫安

基极 - 发射极饱和电压1）

I

C

= 500毫安，

I

B

= 50毫安

V

BESAT

V

CESAT

h

FE

h

FE

I

EBO

I

CBO

I

CBO

V

（ BR ） CEO

典型值。

马克斯。

单位

V

45

25

-

100

50

100

nA

A

nA

-

100

160

250

40

-

160

250

350

-

250

400

630

-

0.7

1.2

V

BC807W

BC808W

V

（ BR ） CBO

BC807W

BC808W

V

（ BR ） EBO

50

30

5

-

1 ）脉冲测试：吨

≤

300μS ，D = 2％

2

Nov-29-2001

BC807W ， BC808W

电气特性

at

T

A

= 25 ° C，除非另有规定ED 。

符号

值

参数

分钟。

AC特性

跃迁频率

I

C

= 50毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 100兆赫

集电极 - 基极电容

V

CB

= 10 V,

f

= 1兆赫

发射极 - 基极电容

V

EB

= 0.5 V,

f

= 1兆赫

C

eb

-

60

-

C

cb

-

10

-

f

T

-

200

-

典型值。

马克斯。

单位

兆赫

pF

3

Nov-29-2001

BC807W ， BC808W

总功耗

P

合计

=

f

(T

S

)

允许的脉冲负载

R

thjs

=

f

(t

p

)

300

10

3

K / W

mW

10

2

P

合计

200

R

thjs

10

1

150

100

10

0

50

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

0.005

D=0

0

20

40

60

80

100

120

°C

150

10

-1 -6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

s

10

0

T

S

t

p

允许的脉冲负载

收藏家Cuto FF电流

I

CBO

=

F（T

A

)

V

CB

= 25V

10

5

EHP00213

P

totmax

/

P

totDC

=

f

(t

p

)

10

3

P

totmax

/ P

totDC

-

Ι

CBO

nA

10

4

10

2

D=0

0.005

0.01

0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

10

3

最大

10

2

典型值

10

1

10

1

10

0 -6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

s

10

0

10

0

50

100

C

T

A

150

t

p

4

Nov-29-2001

BC807W ， BC808W

直流电流增益

h

FE

=

F（我

C

)

V

CE

= 1V

3

EHP00216

跃迁频率

f

T

=

f

(I

C

)

V

CE

= 5V

10

3

f

T

兆赫

5

EHP00210

10

h

FE

5

100 C

25 C

-50 C

10

2

5

10

2

10

1

5

10

0

10

-1

10

0

10

1

10

2

10毫安

3

10

1

10

0

10

1

10

2

mA

10

3

Ι

C

Ι

C

基射极饱和电压

I

C

=

F（V

BESAT

),

h

FE

= 10

10

3

EHP00214

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

=

f

(V

CESAT

),

h

FE

= 10

10

3

EHP00215

Ι

C

mA

150 C

25 C

-50 C

Ι

C

mA

150 C

25 C

-50 C

10

2

5

10

2

5

10

1

5

10

1

5

10

0

5

10

0

5

10

-1

0

1.0

2.0

3.0

V

4.0

10

-1

0

0.2

0.4

0.6

V

0.8

V

BESAT

V

CESAT

5

Nov-29-2001

BC 807-16W

PNP硅晶体管自动对焦

对于一般自动对焦的应用

高集电极电流

高电流增益

低集电极 - 发射极饱和电压

互补类型： BC817W ， BC818W （ NPN ）

TYPE

BC 807-16W

BC 807-25W

BC 807-40W

BC 808-16W

BC 808-25W

BC 808-40W

订购代码标识

5As

5Bs

5Cs

5Es

5Fs

5Gs

Q62702-C2325

Q62702-C2326

Q62702-C2327

Q62702-C2328

Q62702-C2329

Q62702-C2330

引脚配置

1=B

2=E

3=C

包

SOT-323

最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

公元前807 W

公元前808 W

集电极 - 基极电压

公元前807 W

公元前808 W

发射极 - 基极电压

DC集电极电流

峰值集电极电流

基极电流

总功耗，

T

S

= 130°C

结温

储存温度

热阻

交界处的环境

1)

符号

值

45

25

单位

V

首席执行官

V

CBO

50

30

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

合计

T

j

T

英镑

R

thJA

R

thjs

1

5

500

1

100

250

150

- 65 ... + 150

≤

215

≤

80

mA

A

mA

mW

°C

K / W

结 - 焊接点

1 ）包装安装在印刷电路板40× 40× 1.5毫米/ 0.5厘米

2

Cu

半导体集团

Dec-19-1996

BC 807-16W

电气特性

at

T

A

= 25℃ ，除非另有说明

参数

符号

分钟。

DC特性

集电极 - 发射极击穿电压

值

典型值。

马克斯。

单位

V

（ BR ） CEO

45

25

-

160

250

350

-

100

50

100

V

I

C

= 10毫安，

I

B

= 0 ，公元前807 W

I

C

= 10毫安，

I

B

= 0 ，公元前808 W

集电极 - 基极击穿电压

V

（ BR ） CBO

50

30

I

C

= 10 A,

I

B

= 0 ，公元前807 W

I

C

= 10 A,

I

B

= 0 ，公元前808 W

基极 - 发射极击穿电压

V

（ BR ） EBO

5

I

E

= 10 A,

I

C

= 0

集电极 - 基极截止电流

I

CBO

-

nA

A

nA

-

100

160

250

60

100

170

250

400

630

-

V

-

0.7

1.2

V

CB

= 25 V,

T

A

= 25 °C

V

CB

= 25 V,

T

A

= 150 °C

发射Cuto FF电流

I

EBO

h

FE

V

EB

= 4 V,

I

C

= 0

直流电流增益

I

C

= 100毫安，

V

CE

= 1 V ， BC ... 16 W

I

C

= 100毫安，

V

CE

= 1 V ， BC ... 25瓦

I

C

= 100毫安，

V

CE

= 1 V ， BC ... 40瓦

I

C

= 300毫安，

V

CE

= 1 V ， BC ... 16 W

I

C

= 300毫安，

V

CE

= 1 V ， BC ... 25瓦

I

C

= 300毫安，

V

CE

= 1 V ， BC ... 40瓦

集电极 - 发射极饱和电压1 ）

V

CESAT

V

BESAT

-

I

C

= 500毫安，

I

B

= 50毫安

基极 - 发射极饱和电压1）

I

C

= 500毫安，

I

B

= 50毫安

1 ）脉冲测试：吨< 300μS ; < 2 ％

半导体集团

2

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BC 807-16W

PNP硅晶体管自动对焦

电气特性

at

T

A

= 25℃ ，除非另有说明

参数

符号

分钟。

AC特性

跃迁频率

值

典型值。

马克斯。

单位

f

T

-

200

10

60

-

兆赫

pF

-

I

C

= 50毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 100兆赫

集电极 - 基极电容

C

cb

C

eb

-

V

CB

= 10 V,

f

= 1兆赫

发射极 - 基极电容

V

EB

= 0.5 V,

f

= 1兆赫

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3

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BC 807-16W

总功耗

P

合计

=

f

(T

A

*;T

S

)

*包装安装在环氧

允许的脉冲负载

R

thjs

=

F（T

p

)

300

10

3

K / W

mW

P

合计

200

T

S

R

thjs

10

2

150

T

A

10

1

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

0.005

D=0

100

10

0

50

0

20

40

60

80

100

120 °C 150

T

A

,T

S

10

-1

-6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

s 10

t

p

-1

0

允许的脉冲负载

P

totmax

/

P

totDC

=

F（T

p

)

Collectot截止电流

I

CBO

=

f

(T

A

)

V

CB

= 60V

10

3

-

P

totmax

/P

totDC

10

2

D=0

0.005

0.01

0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

10

1

10

0

-6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

s 10

t

p

-1

0

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4

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直流电流增益

h

FE

=

f

(I

C

)

V

CE

= 1V

跃迁频率

f

T

=

f

(I

C

)

VCE = 5V

基射极饱和电压

I

C

= F（V

BESAT

),

h

FE

= 10

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

= F（V

CESAT

),

h

FE

= 10

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5

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