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BC807U
PNP硅晶体管阵列
对于AF输入级和驱动器应用
高电流增益
低集电极 - 发射极饱和电压
二（电流）的内部分离晶体管
在一个封装好的匹配
5
6
4




3
2
1
VPW09197
C1
6
B2
5
E2
4
TR2
TR1
1
E1
2
B1
3
C2
EHA07175
TYPE
BC807U
最大额定值
参数
记号
5Bs
引脚配置
包
1 = E1 2 = B 3 = C2 = 4 E2 5 = B2 6 = C1 SC74
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
价值
45
50
5
500
1
100
200
330
150
-65 ... 150
单位
V
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
DC集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
峰值电流基地
总功耗，
T
S
= 115 °C
结温
储存温度
mA
A
mA
mW
°C
热阻
结 - 焊接点
1)
R
thjs

105
K / W
1对于计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
1
Nov-29-2001
BC807U
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
值
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安，
I
B
= 0
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10 A,
I
E
= 0
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10 A,
I
C
= 0
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 25 V,
I
E
= 0
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 25 V,
I
E
= 0 ,
T
A
= 150 °C
发射Cuto FF电流
V
EB
= 4 V,
I
C
= 0
直流电流增益1 ）
I
C
= 100毫安，
V
CE
= 1 V
I
C
= 500毫安，
V
CE
= 1 V
集电极 - 发射极饱和电压1 ）
I
C
= 500毫安，
I
B
= 50毫安
基极 - 发射极饱和电压1）
I
C
= 500毫安，
I
B
= 50毫安
V
BESAT
V
CESAT
h
FE
I
EBO
I
CBO
I
CBO
V
（ BR ） EBO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
典型值。
马克斯。
单位
45
50
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
50
100
V
nA
A
nA
-
160
40
-
-
250
-
-
-
400
-
0.7
1.2
V
AC特性
跃迁频率
I
C
= 50毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 20 MHz的
集电极 - 基极电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
发射极 - 基极电容
V
EB
= 0.5 V,
f
= 1兆赫
C
eb
-
60
-
C
cb
-
10
-
pF
f
T
-
200
-
兆赫
1 ）脉冲测试：吨< 300秒; < 2 ％

2
Nov-29-2001
BC807U
总功耗
P
合计
=
f
(T
S
)
收藏家Cuto FF电流
I
CBO
=
f
(
T
A
)
V
CB
= 25V
10
5
EHP00213
400
mW
Ι
CBO
nA
10
4
300
P
合计
250
10
3
最大
200
10
2
150
典型值
100
10
1
50
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
150
10
0
0
50
100
C
T
A
150
T
S
允许的脉冲负载
R
thjs
=
f
(t
p
)
允许的脉冲负载
P
totmax
/
P
totDC
=
f
(t
p
)
10
3
K / W
10
3
P
totmax
/ P
totDC
10
2
R
thjs
10
2
10
1
D=0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10
0
D=0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
0
10
1
10
-1 -6
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
10
0 -6
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
t
p
t
p
3
Nov-29-2001
BC807U
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=
f
(
V
CESAT
),
h
FE
= 10
10
3
EHP00215
基射极饱和电压
I
C
=
f
(V
BESAT
),
h
FE
= 10
10
3
EHP00214
Ι
C
mA
150 C
25 C
-50 C
Ι
C
mA
150 C
25 C
-50 C
10
2
5
10
2
5
10
1
5
10
1
5
10
0
5
10
0
5
10
-1
0
0.2
0.4
0.6
V
0.8
10
-1
0
1.0
2.0
3.0
V
4.0
V
CESAT
V
BESAT
直流电流增益
h
FE
=
f
(
I
C
)
V
CE
= 1V
10
3
h
FE
5
100 C
25 C
-50 C
10
2
5
EHP00216
跃迁频率
f
T
=
f
(
I
C
)
V
CE
= 5V
10
3
f
T
兆赫
5
EHP00210
10
2
10
1
5
5
10
0
10
-1
10
0
10
1
10
2
10毫安
3
10
1
10
0
10
1
10
2
mA
10
3
Ι
C
Ι
C
4
Nov-29-2001
BC807U
PNP硅AF晶体管阵列
对于AF输入级和驱动器应用
高电流增益
低集电极 - 发射极饱和电压
二（电流）的内部分离晶体管
具有良好的匹配的软件包
无铅（符合RoHS标准）封装
1)
合格的依据AEC Q101
4
5
6
1
2
3
C1
6
B2
5
E2
4
TR2
TR1
1
E1
2
B1
3
C2
EHA07175
TYPE
BC807U
最大额定值
参数
记号
引脚配置
包
5Bs
1 = E1 2 = B 3 = C2 = 4 E2 5 = B2 6 = C1 SC74
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
价值
45
50
5
500
1000
100
200
330
150
-65 ... 150
单位
V
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
峰值电流基地
总功率dissipation-
T
S
≤
115 °C
结温
储存温度
1
含有铅，
mA
mW
°C
包可能是可根据特殊要求
1
2007-04-20
BC807U
热阻
参数
结 - 焊接点
1)
符号
R
thjs
价值
≤
105
单位
K / W
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安，
I
B
= 0
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
符号
分钟。
45
50
5
值
典型值。
-
-
-
马克斯。
-
-
-
单位
V
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10 A,
I
E
= 0
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10 A,
I
C
= 0
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 25 V,
I
E
= 0
V
CB
= 25 V,
I
E
= 0 ,
T
A
= 150 °C
A
-
-
-
-
-
0.1
50
100
nA
-
160
40
250
-
-
-
400
-
0.7
1.2
V
发射基截止电流
V
EB
= 4 V,
I
C
= 0
I
EBO
h
FE
-
直流电流增益
2)
I
C
= 100毫安，
V
CE
= 1 V
I
C
= 500毫安，
V
CE
= 1 V
集电极 - 发射极饱和电压
2)
I
C
= 500毫安，
I
B
= 50毫安
V
CESAT
V
BESAT
-
-
基极发射极饱和电压
2)
I
C
= 500毫安，
I
B
= 50毫安
AC特性
跃迁频率
I
C
= 50毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 100兆赫
集电极 - 基极电容
f
= 1 MHz时，
V
BE
= 10 V
发射极 - 基极电容
V
EB
= 0.5 V,
f
= 1兆赫
1
为
f
T
C
cb
C
eb
-
-
-
200
8
60
-
-
-
兆赫
pF
计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
测试：吨< 300μS ; < 2 ％
2
脉冲
2
2007-04-20
BC807U
直流电流增益
h
FE
=
(I
C
)
V
CE
= 1 V
10
3
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=
(V
CESAT
),
h
FE
= 10
10
3
EHP00215
Ι
C
mA
150 C
25 C
-50 C
10
2
h
FE
5
10
2
10
1
5
105 °C
85 °C
65 °C
25 °C
-40 °C
10
0
5
10
1 -5
10
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
A
10
0
10
-1
0
0.2
0.4
0.6
V
0.8
I
C
V
CESAT
基射极饱和电压
I
C
=
(V
BESAT
),
h
FE
= 10
10
3
EHP00214
收藏家Cuto FF电流
I
CBO
=
(T
A
)
V
CBO
= 25 V
10
5
EHP00213
Ι
C
mA
150 C
25 C
-50 C
Ι
CBO
nA
10
4
10
2
5
10
10
1
5
3
最大
10
2
典型值
10
0
5
10
1
10
-1
0
1.0
2.0
3.0
V
4.0
10
0
0
50
100
C
T
A
150
V
BESAT
3
2007-04-20
BC807U
跃迁频率
f
T
=
(I
C
)
V
CE
= 5 V
10
3
f
T
兆赫
5
C
CB /
C
EB
55
50
45
40
35
30
EHP00210
集电极 - 基极电容
C
cb
=
(V
CB
)
发射极 - 基极电容
C
eb
=
(V
EB
)
65
pF
10
2
5
25
20
15
10
5
建行
CEB
10
1
10
0
10
1
10
2
mA
10
3
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
V
20
Ι
C
V
CB
/V
EB
总功耗
P
合计
=
(T
S
)
允许的脉冲负载
R
thjs
=
(t
p
)
400
mW
10
3
K / W
300
10
2
250
R
thjs
10
1
P
合计
200
150
10
0
100
50
10
-1 -6
10
D=0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
0
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
150
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
T
S
t
p
4
2007-04-20
BC807U
允许的脉冲负载
P
totmax
/P
totDC
=
(t
p
)
10
3
P
totmax
/P
totDC
10
2
D=0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10
1
10
0 -6
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
t
p
5
2007-04-20
查看更多BC807UPDF信息
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BC526
BQ20Z70
BAT754S.215
BQ24150AYFFT
BA152P
BQ-N512RD
BZT52C6V8T
BU7244SF
B6121E1-ND3G-5-50
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BL-HJB34A
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B37541K5103J060
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B37931K5561K001
B15V140
BQ48SH-28X6NSH
供货商
型号
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数量
封装
单价/备注
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    BC807U
    -
    -
    -
    -
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联系人：林小姐 胡先生 张先生
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