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BC807/BC808
BC807/BC808
开关和放大器应用
适用于自动对焦驱动级和低功率输出级
补至BC817 / BC818
3
2
1
SOT-23
1.底座2.辐射源3.收藏家
PNP外延硅晶体管
绝对最大额定值
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CES
集电极 - 发射极电压
： BC807
： BC808
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
： BC807
： BC808
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极耗散功率
结温
储存温度
-45
-25
-5
-800
-310
150
-65 ~ 150
V
V
V
mA
mW
°C
°C
-50
-30
V
V
参数
价值
单位
电气特性
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
首席执行官
参数
集电极 - 发射极击穿电压
： BC807
： BC808
集电极 - 发射极击穿电压
： BC807
： BC808
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
电流增益带宽积
输出电容
测试条件
I
C
= -10mA ，我
B
=0
分钟。
-45
-25
I
C
= -0.1mA ，V
BE
=0
-50
-30
I
E
= -0.1mA ，我
C
=0
V
CE
= -25V, V
BE
=0
V
EB
= -4V ，我
C
=0
V
CE
= -1V ，我
C
= -100mA
V
CE
= -1V ，我
C
= -300mA
I
C
= -500mA ，我
B
= -50mA
V
CE
= -1V ，我
C
= -300mA
V
CE
= -5V ，我
C
= -10mA
f=50MHz
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的
100
12
100
60
-5
-100
-100
630
-0.7
-1.2
V
V
兆赫
pF
V
V
V
nA
nA
典型值。
马克斯。
单位
V
V
BV
CES
BV
EBO
I
CES
I
EBO
h
FE1
h
FE2
V
CE
（SAT）
V
BE
（上）
f
T
C
ob
2002仙童半导体公司
修订版A2 ， 2002年8月
BC807/BC808
h
FE
分类
分类
h
FE1
h
FE2
16
100 ~ 250
60-
25
160 ~ 400
100-
40
250 ~ 630
170-
标识代码
TYPE
记号
807-16
9FA
807-25
9FB
807-40
9FC
808-16
9GA
808-25
9GB
808-40
9GC
2002仙童半导体公司
修订版A2 ， 2002年8月
BC807/BC808
典型特征
-500
-20
I
C
[马] ，集电极电流
I
C
[马] ，集电极电流
-400
-300
mA
- 5. 0 A
I
B
= - 4.5m
I
B
= 4.0毫安
-
A
I
B
= - 3.5米一
I
B
= - 3.0米一
=
m
I
B
- 2. 5
A
I
B
=
2.0m
-
I
B
=
I
B
=
-16
- 80
A
I
B
=
- 70
A
- 60
I
B
=
A
- 50
P
T
I
B
=
-12
A
- 40
=6
00
mW
I
B
=
-200
mA
- 1. 5
P
T
= 60
0mW
I
B
=
-8
A
30
A
I
B
= -
I
B
= - 1.0毫安
I
B
= - 0.5毫安
I
B
= - 20
-4
A
-100
I
B
= - 10
A
I
B
= 0
-0
-0
-1
-2
-3
-4
-5
-0
-0
-10
-20
-30
I
B
= 0
-40
-50
V
CE
[V] ，集电极 - 发射极电压
V
CE
[V] ，集电极 - 发射极电压
图1.静态特性
图2.静态特性
V
BE
（SAT） ，V
CE
（饱和） [ V]时，饱和电压
1000
-10
脉冲
I
C
= 10 I
B
脉冲
V
CE
（SAT）
V
CE
= - 2.0V
h
FE
，直流电流增益
100
-1
- 1.0V
10
-0.1
V
BE
（SAT）
1
-0.1
-1
-10
-100
-1000
-0.01
-0.1
-1
-10
-100
-1000
I
C
[马] ，集电极电流
I
C
[马] ，集电极电流
图3.直流电流增益
图4.基射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
-1000
100
I
C
[马] ，集电极电流
V
CE
= -1V
脉冲
F = 1.0MHz的
C
ib
, C
ob
[ pF的] ，电容
-100
C
ib
C
ob
10
-10
-1
-0.1
-0.4
-0.5
-0.6
-0.7
-0.8
-0.9
1
-0.1
-1
-10
-100
V
CB
[V] ，集电极 - 基极电压
V
BE
[ V]时，基极发射极电压
V
EB
[V] ，发射极 - 基极电压
图5.基射极电压上
图6.输入输出电容
2002仙童半导体公司
修订版A2 ， 2002年8月
BC807/BC808
典型特征
（续）
1000
f
T
[兆赫]的增益带宽积
V
CE
= -5.0V
100
10
-1
-10
-100
I
C
[马] ，集电极电流
图7.电流增益带宽积
2002仙童半导体公司
修订版A2 ， 2002年8月
BC807/BC808
包装尺寸
SOT-23
0.20 MIN
2.40
±0.10
0.40
±0.03
1.30
±0.10
0.45~0.60
0.03~0.10
0.38 REF
0.40
±0.03
0.96~1.14
2.90
±0.10
0.12
–0.023
+0.05
0.95
±0.03
0.95
±0.03
1.90
±0.03
0.508REF
0.97REF
单位：毫米
2002仙童半导体公司
修订版A2 ， 2002年8月
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