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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第633页 > BC807-16W
BC 807W / 808W BC
PNP
通用晶体管
PNP
表面贴装硅外延PlanarTransistors
硅外延PlanarTransistoren献给死去Oberflchenmontage
功耗 - Verlustleistung
2
±0.1
0.3
3
225毫瓦
SOT-323
0.01 g
1
±0.1
1.25
±0.1
塑料外壳
Kunststoffgehuse
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
TYPE
CODE
1
2
1.3
尺寸/集体单位为毫米
1=B
2=E
3=C
最大额定值(T
A
= 25
/
C)
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基电压
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom ( DC )
高峰科尔。电流 - Kollektor - Spitzenstrom
峰值基极电流 - 基础 - Spitzenstrom
峰值发射极电流 - 发射极Spitzenstrom
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
B开
B短路
ê开放
c打开
- V
CE0
- V
CES
- V
CB0
- V
EB0
P
合计
- I
C
- I
CM
- I
BM
I
EM
T
j
T
S
2.1
±0.1
Grenzwerte (T
A
= 25
/
C)
BC 807W
45 V
50 V
50 V
5V
225毫瓦
1
)
500毫安
千毫安
200毫安
千毫安
150
/
C
- 65…+ 150
/
C
BC 808W
25 V
30 V
30 V
特性,T
j
= 25
/
C
分钟。
直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhltnis
- V
CE
= 1 V , - 我
C
= 100毫安
- V
CE
= 1 V , - 我
C
= 500毫安
- V
CE
= 1 V , - 我
C
= 100毫安
BC807W
BC808W
集团-16W
集团-25W
集团-40W
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
100
40
100
160
250
Kennwerte ,T
j
= 25
/
C
典型值。
160
250
400
马克斯。
600
250
400
600
1
)安装在交媾主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag ( Ltpad )的jedem并吞
01.11.2003
4
通用晶体管
特性,T
j
= 25
/
C
分钟。
集电极饱和电压 - Kollektor - Sttigungsspg 。
- I
C
= 500毫安, - 我
B
= 50毫安
- I
C
= 500毫安, - 我
B
= 50毫安
基射极电压 - 基射极Spannung
- V
CE
= 1 V , - 我
C
= 500毫安
I
E
= 0, - V
CB
= 20 V
I
E
= 0, - V
CB
= 20 V ,T
j
= 150
/
C
发射基截止电流 - Emitterreststrom
I
C
= 0, - V
EB
= 4 V
增益带宽积 - Transitfrequenz
- V
CE
= 5 V , - 我
C
= 10 mA时, F = 50 MHz的
- V
CB
= 10 V,I
E
= i
e
= 0中,f = 1 MHz的
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
推荐互补NPN晶体管
Empfohlene komplementre NPN - Transistoren
可用的电流增益标记
每类群体
Stempelung德lieferbaren斯特罗姆
verstrkungsgruppen亲典型值
BC 807-16W = 5A
BC 807W = 5D
BC 808-16W = 5E
BC 808W = 5H
BC 808-25W = 5F
BC 807W / 808W BC
Kennwerte ,T
j
= 25
/
C
典型值。
100兆赫
10 pF的
马克斯。
0.7 V
1.3 V
1.2 V
100 nA的
5
:
A
100 nA的
620 K / W
1
)
- V
CESAT
- V
BESAT
- V
BE
- I
CB0
- I
CB0
- I
EB0
f
T
C
CB0
80兆赫
R
THA
基本饱和电压 - 基础 - Sttigungsspannung
集电极 - 基极截止电流 - Kollektorreststrom
集电极 - 基极电容 - Kollektor个基本Kapazitt
BC 817W / 818W BC
BC 807-25W = 5B
BC 807-40W = 5℃
BC 808-40W = 5G
)安装在交媾主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag ( Ltpad )的jedem并吞
01.11.2003
1
5
BC807W , BC808W
PNP硅晶体管自动对焦
对于一般自动对焦的应用
高集电极电流
高电流增益
低集电极 - 发射极饱和电压
互补类型: BC817W , BC818W (NPN)
3





2
1
VSO05561
TYPE
BC807-16W
BC807-25W
BC807-40W
BC808-16W
BC808-25W
BC808-40W
最大额定值
参数
记号
5As
5Bs
5Cs
5Es
5Fs
5Gs
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
引脚配置
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
SOT323
SOT323
SOT323
SOT323
SOT323
SOT323
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
BC 807W
45
50
5
500
1
100
200
250
150
BC 808W
25
30
5
单位
V
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
DC集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
峰值电流基地
总功耗
,
T
S
= 130 °C
结温
储存温度
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
mA
A
mA
mW
°C
-65 ... 150
热阻
结 - 焊接点
1)
R
thjs

80
K / W
1对于计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
1
Nov-29-2001
BC807W , BC808W
电气特性
at
T
A
= 25 ° C,除非另有规定ED 。
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安,
I
B
= 0
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10 A,
I
E
= 0
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10 A,
I
C
= 0
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 25 V,
I
E
= 0
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 25 V,
I
E
= 0 ,
T
A
= 150 °C
发射Cuto FF电流
V
EB
= 4 V,
I
C
= 0
直流电流增益1 )
I
C
= 100毫安,
V
CE
= 1 V
h
FE
-grp 。
16
h
FE
-grp 。
25
h
FE
-grp 。
40
直流电流增益1 )
I
C
= 500毫安,
V
CE
= 1 V
集电极 - 发射极饱和电压1 )
I
C
= 500毫安,
I
B
= 50毫安
基极 - 发射极饱和电压1)
I
C
= 500毫安,
I
B
= 50毫安
V
BESAT
V
CESAT
h
FE
h
FE
I
EBO
I
CBO
I
CBO
V
( BR ) CEO
典型值。
马克斯。
单位
V
45
25
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
50
100
nA
A
nA
-
100
160
250
40
-
-
160
250
350
-
-
-
250
400
630
-
0.7
1.2
V
BC807W
BC808W
V
( BR ) CBO
BC807W
BC808W
V
( BR ) EBO
50
30
5
-
-
-
1 )脉冲测试:吨
300μS ,D = 2%
2
Nov-29-2001
BC807W , BC808W
电气特性
at
T
A
= 25 ° C,除非另有规定ED 。
符号
参数
分钟。
AC特性
跃迁频率
I
C
= 50毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 100兆赫
集电极 - 基极电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
发射极 - 基极电容
V
EB
= 0.5 V,
f
= 1兆赫
C
eb
-
60
-
C
cb
-
10
-
f
T
-
200
-
典型值。
马克斯。
单位
兆赫
pF
3
Nov-29-2001
BC807W , BC808W
总功耗
P
合计
=
f
(T
S
)
允许的脉冲负载
R
thjs
=
f
(t
p
)
300
10
3
K / W
mW
10
2
P
合计
200
R
thjs
10
1
150
100
10
0
50
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
D=0
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
150
10
-1 -6
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
T
S
t
p
允许的脉冲负载
收藏家Cuto FF电流
I
CBO
=
F(T
A
)
V
CB
= 25V
10
5
EHP00213
P
totmax
/
P
totDC
=
f
(t
p
)
10
3
P
totmax
/ P
totDC
-
Ι
CBO
nA
10
4
10
2
D=0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10
3
最大
10
2
典型值
10
1
10
1
10
0 -6
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
10
0
0
50
100
C
T
A
150
t
p
4
Nov-29-2001
BC807W , BC808W
直流电流增益
h
FE
=
F(我
C
)
V
CE
= 1V
3
EHP00216
跃迁频率
f
T
=
f
(I
C
)
V
CE
= 5V
10
3
f
T
兆赫
5
EHP00210
10
h
FE
5
100 C
25 C
-50 C
10
2
5
10
2
10
1
5
5
10
0
10
-1
10
0
10
1
10
2
10毫安
3
10
1
10
0
10
1
10
2
mA
10
3
Ι
C
Ι
C
基射极饱和电压
I
C
=
F(V
BESAT
),
h
FE
= 10
10
3
EHP00214
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=
f
(V
CESAT
),
h
FE
= 10
10
3
EHP00215
Ι
C
mA
150 C
25 C
-50 C
Ι
C
mA
150 C
25 C
-50 C
10
2
5
10
2
5
10
1
5
10
1
5
10
0
5
10
0
5
10
-1
0
1.0
2.0
3.0
V
4.0
10
-1
0
0.2
0.4
0.6
V
0.8
V
BESAT
V
CESAT
5
Nov-29-2001
分立半导体
数据表
书, halfpage
M3D187
BC807W
PNP通用晶体管
产品speci fi cation
取代1997年的数据6月09
1999年5月18日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP通用晶体管
特点
大电流(最大500 mA)的
低电压(最大45 V ) 。
应用
通用的开关和放大。
描述
PNP晶体管在SOT323塑料包装。
NPN补充: BC817W 。
记号
TYPE
BC807W
BC807-16W
1.
= - :香港制造。
= T:在马来西亚。
记号
CODE
(1)
5D
5A
TYPE
BC807-25W
BC807-40W
记号
CODE
(1)
5B
5C
1
顶视图
2
MAM048
BC807W
钉扎
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
手册, halfpage
3
3
1
2
Fig.1简化外形( SOT323 )和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
25
°C;
注1
条件
发射极开路
开基;我
C
=
10
mA
集电极开路
65
65
分钟。
马克斯。
50
45
5
500
1
200
200
+150
150
+150
V
V
V
mA
A
mA
mW
°C
°C
°C
单位
1999年5月18日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP通用晶体管
热特性
符号
R
日J-一
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
BC807W
BC807-16W
BC807-25W
BC807-40W
直流电流增益
V
CESAT
V
BE
C
c
f
T
1.脉冲测试:吨
p
300
s; δ ≤
0.02.
集电极 - 发射极饱和
电压
基射极电压
集电极电容
跃迁频率
I
C
=
500
毫安; V
CE
=
1
V ;注1
I
C
=
500
毫安;我
B
=
50
毫安;注1
I
C
=
500
毫安; V
CE
=
1
V ;注1
I
E
= i
e
= 0; V
CB
=
10
V ; F = 1 MHz的
条件
I
E
= 0; V
CB
=
20
V
I
E
= 0; V
CB
=
20
V ;牛逼
j
= 150
°C
I
C
= 0; V
EB
=
5
V
I
C
=
100
毫安; V
CE
=
1
V ;注意1 ;
参见图2 ,图3和4
100
100
160
250
40
分钟。
参数
从结点到环境的热阻
条件
注1
价值
625
BC807W
单位
K / W
马克斯。
100
5
100
600
250
400
600
700
1.2
10
单位
nA
A
nA
mV
V
pF
兆赫
I
C
=
10
毫安; V
CE
=
5
V ; F = 100 MHz的80
1999年5月18日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP通用晶体管
BC807W
手册,全页宽
250
MBH717
的hFE
200
VCE =
1
V
150
100
50
0
10
1
1
10
10
2
IC (MA )
10
3
BC807-16W.
图2直流电流增益;典型值。
1999年5月18日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP通用晶体管
BC807W
手册,全页宽
500
MBH718
的hFE
400
VCE =
1
V
300
200
100
0
10
1
1
10
10
2
IC (MA )
10
3
BC807-25W.
图3直流电流增益;典型值。
手册,全页宽
500
MBH719
的hFE
400
VCE =
1
V
300
200
100
0
10
1
1
10
10
2
IC (MA )
10
3
BC807-40W.
图4直流电流增益;典型值。
1999年5月18日
5
BC 807-16W
PNP硅晶体管自动对焦
对于一般自动对焦的应用
高集电极电流
高电流增益
低集电极 - 发射极饱和电压
互补类型: BC817W , BC818W ( NPN )
TYPE
BC 807-16W
BC 807-25W
BC 807-40W
BC 808-16W
BC 808-25W
BC 808-40W
订购代码标识
5As
5Bs
5Cs
5Es
5Fs
5Gs
Q62702-C2325
Q62702-C2326
Q62702-C2327
Q62702-C2328
Q62702-C2329
Q62702-C2330
引脚配置
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
SOT-323
SOT-323
SOT-323
SOT-323
SOT-323
SOT-323
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
公元前807 W
公元前808 W
集电极 - 基极电压
公元前807 W
公元前808 W
发射极 - 基极电压
DC集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
总功耗,
T
S
= 130°C
结温
储存温度
热阻
交界处的环境
1)
符号
45
25
单位
V
V
首席执行官
V
CBO
50
30
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
T
j
T
英镑
R
thJA
R
thjs
1
5
500
1
100
250
150
- 65 ... + 150
215
80
mA
A
mA
mW
°C
K / W
结 - 焊接点
1 )包装安装在印刷电路板40× 40× 1.5毫米/ 0.5厘米
2
Cu
半导体集团
Dec-19-1996
BC 807-16W
电气特性
at
T
A
= 25℃ ,除非另有说明
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
典型值。
马克斯。
单位
V
( BR ) CEO
45
25
-
-
-
-
-
-
-
-
160
250
350
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
50
100
V
I
C
= 10毫安,
I
B
= 0 ,公元前807 W
I
C
= 10毫安,
I
B
= 0 ,公元前808 W
集电极 - 基极击穿电压
V
( BR ) CBO
50
30
I
C
= 10 A,
I
B
= 0 ,公元前807 W
I
C
= 10 A,
I
B
= 0 ,公元前808 W
基极 - 发射极击穿电压
V
( BR ) EBO
5
I
E
= 10 A,
I
C
= 0
集电极 - 基极截止电流
I
CBO
-
-
nA
A
nA
-
-
100
160
250
60
100
170
250
400
630
-
-
-
V
-
0.7
1.2
V
CB
= 25 V,
T
A
= 25 °C
V
CB
= 25 V,
T
A
= 150 °C
发射Cuto FF电流
I
EBO
h
FE
V
EB
= 4 V,
I
C
= 0
直流电流增益
I
C
= 100毫安,
V
CE
= 1 V , BC ... 16 W
I
C
= 100毫安,
V
CE
= 1 V , BC ... 25瓦
I
C
= 100毫安,
V
CE
= 1 V , BC ... 40瓦
I
C
= 300毫安,
V
CE
= 1 V , BC ... 16 W
I
C
= 300毫安,
V
CE
= 1 V , BC ... 25瓦
I
C
= 300毫安,
V
CE
= 1 V , BC ... 40瓦
集电极 - 发射极饱和电压1 )
V
CESAT
V
BESAT
-
I
C
= 500毫安,
I
B
= 50毫安
基极 - 发射极饱和电压1)
I
C
= 500毫安,
I
B
= 50毫安
1 )脉冲测试:吨< 300μS ; < 2 %
半导体集团
2
Dec-19-1996
BC 807-16W
PNP硅晶体管自动对焦
电气特性
at
T
A
= 25℃ ,除非另有说明
参数
符号
分钟。
AC特性
跃迁频率
典型值。
马克斯。
单位
f
T
-
200
10
60
-
兆赫
pF
-
-
-
I
C
= 50毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 100兆赫
集电极 - 基极电容
C
cb
C
eb
-
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
发射极 - 基极电容
V
EB
= 0.5 V,
f
= 1兆赫
半导体集团
3
Dec-19-1996
BC 807-16W
总功耗
P
合计
=
f
(T
A
*;T
S
)
*包装安装在环氧
允许的脉冲负载
R
thjs
=
F(T
p
)
300
10
3
K / W
mW
P
合计
200
T
S
R
thjs
10
2
150
T
A
10
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
D=0
100
10
0
50
0
0
20
40
60
80
100
120 °C 150
T
A
,T
S
10
-1
-6
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
s 10
t
p
-1
0
允许的脉冲负载
P
totmax
/
P
totDC
=
F(T
p
)
Collectot截止电流
I
CBO
=
f
(T
A
)
V
CB
= 60V
10
3
-
P
totmax
/P
totDC
10
2
D=0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10
1
10
0
-6
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
s 10
t
p
-1
0
半导体集团
4
Dec-19-1996
BC 807-16W
直流电流增益
h
FE
=
f
(I
C
)
V
CE
= 1V
跃迁频率
f
T
=
f
(I
C
)
VCE = 5V
基射极饱和电压
I
C
= F(V
BESAT
),
h
FE
= 10
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= F(V
CESAT
),
h
FE
= 10
半导体集团
5
Dec-19-1996
BC80W7
晶体管( PNP )
BC807-16W
BC807-25W
BC807-40W
特点
·
Ldeally适合自动插入
·
外延平面片建设
·
可互补NPN型( BC817 )
SOT-23
1.基地
2.辐射源
3.收集
标记: 807-16 : 5A ;
807-25:5B;
807-40:5C
最大额定值(T
A
= 25℃除非另有说明)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散功率
结温
储存温度
价值
-50
-45
-5
-0.5
0.3
150
-55-150
单位
V
V
V
A
W
电气特性(除非另有规定环境温度Tamb = 25℃)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
807-16
807-25
807-40
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
V
CE
(SAT)
V
BE
(SAT)
I
C
= -500mA ,我
B
= -50mA
I
C
= -500mA ,我
B
= -50mA
V
CE
= -5V ,我
C
= -10mA
100
h
FE(1)
V
CE
= -1V,
I
C
= -100mA
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
TEST
条件
-50
-45
-5
-0.1
-0.2
-0.1
100
160
250
250
400
600
-0.7
-1.2
V
V
兆赫
最大
单位
V
V
V
I
C
= -10
μ
A,I
E
=0
I
C
= -10mA ,我
B
=0
I
E
= -1
μ
A,I
C
=0
V
CB
= -45V ,我
E
=0
V
CE
= -40V ,我
B
=0
V
EB
= -4 V,I
C
=0
μ
A
μ
A
μ
A
f
T
f=
100MHz
1 
金隅
半导体
www.htsemi.com
D½½½:2011/05
BC80W7
典型特征
2 
金隅
半导体
www.htsemi.com
D½½½:2011/05
MCC
TM
微型商业组件
?????????? ?????? omponents
20736玛丽拉
街道查茨沃斯

???? ?????? ? ! ?? " # ???
$ % ? ? ? ???? ? ! ?? " # ???
BC807-16W
BC807-25W
BC807-40W
PNP硅
通用
晶体管
SOT-323
A
D
特点
无铅涂层/符合RoHS ( "P"后缀候
符合RoHS 。参见订购信息)
环氧符合UL 94 V - 0阻燃等级
水分动态敏感度等级1
能功率耗散0.2Watts的。
集电极电流0.5A
工作和存储结温范围: -55
O
C至+150
O
C
机械数据
案例: SOT- 323模压塑料
码头:每MIL -STD- 202方法208
重量:0.005克数(大约)
器件标识:
BC807-16W
5A
BC807-25W
5B
BC807-40W
5C
F
C
B
C
电气特性@ 25
O
C除非另有说明
符号
参数
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= 10mAdc ,我
B
=0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 10uAdc ,我
E
=0)
集电极 - 发射极击穿电压
(I
E
= 1.0uAdc ,我
C
=0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
=20Vdc,I
E
=0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 20V DC ,我
B
=0)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 5.0VDC ,我
C
=0)
直流电流增益
(I
C
= 100mAdc ,V
CE
=1.0Vdc)
BC807-16W
BC807-25W
BC807-40W
直流电流增益
(I
C
= 500mAdc ,V
CE
=1.0Vdc)
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 500mAdc ,我
B
=50mAdc)
基射极电压
(I
C
=500mAdc,V
CE
=1Vdc)
电流增益带宽积
(V
CE
= 5.0V , F = 100MHz时,我
C
=10mA)
集电极输出电容
(V
CB
= 10V , F = 1MHz的)
45
50
5.0
---
---
---
最大
---
---
---
0.1
0.2
0.1
单位
VDC
VDC
VDC
uAdc
uAdc
uAdc
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
E
B
E
开关特性
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
G
H
J
K
尺寸
基本特征
h
FE(1)
英寸
最大
.071
.087
.045
.053
.079
.087
0.026名义
.047
.055
.012
.016
.000
.004
.035
.039
.004
.010
.012
.016
MM
最大
1.80
2.20
1.15
1.35
2.00
2.20
0.65Nominal
1.20
1.40
.30
.40
.000
.100
.90
1.00
.100
.250
.30
.40
h
FE(2)
V
CE ( SAT )
V
BE(上)
100
160
250
40
---
---
250
400
600
---
0.7
1.2
---
---
---
---
0.90
0.70
VDC
1.90
MM
VDC
小信号特性
f
T
C
ob
80
---
10
兆赫
pF
0.65
0.65
www.mccsemi.com
修订版:A
1作者:
4
2011/01/01
BC807-16W通BC807-40W
MCC
微型商业组件
TM
www.mccsemi.com
修订版:A
2
4
2011/01/01
BC807-16W通BC807-40W
MCC
微型商业组件
TM
www.mccsemi.com
修订版:A
3
of
4
2011/01/01
MCC
微型商业组件
TM
订购信息:
设备
型号-TP
填料
Tape&Reel;3Kpcs/Reel
***重要提示***
微型商业组件公司
保留随时更改,恕不另行通知任何产品在此向右
进行更正,修改,增强,改进或其它更改。
微型商业组件
公司。
不承担因本文所述的任何产品的应用或使用任何责任;它也不
转达根据其专利权的任何许可,也没有他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有
这样的使用和风险会同意举行
微型商业组件公司。
和其产品都是公司
代表我们的网站上,反对一切损害无害。
***生命支持***
未经明确的书面MCC的产品不得用于生命支持设备或系统使用的关键部件
微审批商业组件公司。
***客户意识***
半导体部分假冒是在行业内日益严重的问题。微型商业组件( MCC )正在
强有力的措施保护自己和我们的客户从假冒伪劣配件泛滥。 MCC大力鼓励
客户可以直接从MCC或谁是对上市按国家授权分销商MCC MCC采购零部件
我们的网页引用
下文。
产品购买客户无论是从MCC直接或授权分销商MCC均为正品
件,具有完整的可追溯性,满足MCC的质量标准进行处理和存储。
MCC将不提供任何保修
覆盖或其他援助的零件未经授权来源购买。
MCC致力于打击这一全球
的问题,并鼓励我们的客户尽自己的一份制止这种做法通过购买或直接从授权
分销商。
www.mccsemi.com
修改:
A
4
of
4
2011/01/01
3
BC807 -16W , -25W , -40W
公司Bauelemente
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素&无铅
-500毫安, -50 V
PNP塑料封装晶体管
特点
SOT-323
A
L
3
3
非常适合自动插入
外延平面片建设
补充BC817W
1
顶视图
2
C B
1
2
包装信息
重量: 0.0074克(约)
集热器
K
E
D
F
REF 。
G
毫米
分钟。
马克斯。
1.80
2.20
1.80
2.45
1.15
1.35
0.80
1.10
1.20
1.40
0.20
0.40
H
REF 。
G
H
J
K
L
毫米
分钟。
马克斯。
0.100 REF 。
0.525 REF 。
0.08
0.25
-
-
0.650典型。
J
记号
BC807-16W :
BC807-25W :
BC807-40W :
5A
5B
5C,
YL
BASE
辐射源
A
B
C
D
E
F
绝对最大额定值在Ta = 25°C
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
交界处,贮存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
, T
英镑
评级
-50
-45
-5
-500
200
+150, -55 ~ +150
单位
V
V
V
mA
mW
特性在TA = 25℃
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
V
CE ( SAT )
V
BE(上)
h
FE(1)
分钟。
-50
-45
-5
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
-0.1
-0.2
-0.1
-0.7
-1.2
250
400
600
-
-
10
单位
V
V
V
uA
uA
uA
V
V
测试条件
I
C
= -10微安,我
E
= 0
I
C
= -10毫安,我
B
= 0
I
E
= -1 UA,我
C
= 0
V
CB
= -20V ,我
E
= 0
V
CE
= -20V ,我
B
= 0
V
EB
= -5V ,我
C
= 0
I
C
= -500mA ,我
B
= -50毫安
V
CE
= -1 V,I
C
= -500毫安
V
CE
= -1 V,I
C
= -100毫安
V
CE
= -1 V,I
C
= -500毫安
807-16W
807-25W
807-40W
100
160
250
40
80
-
h
FE(2)
fT
C
OB
兆赫
pF
V
CE
= -5 V,I
C
= -10毫安, F = 100MHz的
V
CB
= -10V , F = 1MHz的
7月28日, 2010版本F
第1页3
BC807 -16W , -25W , -40W
公司Bauelemente
-500毫安, -50 V
PNP塑料封装晶体管
特性曲线
7月28日, 2010版本F
分页: 1 2 3
BC807 -16W , -25W , -40W
公司Bauelemente
-500毫安, -50 V
PNP塑料封装晶体管
特性曲线
7月28日, 2010版本F
第3页3
BC807-16W
BC807-25W
BC807-40W
通用晶体管
PNP硅
P B
铅(Pb ) - 免费
1
BASE
集热器
3
3
1
2
2
辐射源
SOT-323(SC-70)
MaximumRatings
(T
A
= 25° Cunless另有说明)
等级
符号
价值
单位
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
器件总功耗FR- 5局
(1)
T
A
=25°C
热阻, Junctionto环境
(1)
结温范围
存储温度范围
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
R
θJA
T
J
TSTG
-45
-50
-5.0
500
150
833
-55到+150
-55到+150
V
V
V
m
A
mW
° C / W
°C
°C
器件标识
BC807-16W = 5A, BC807-25W = 5B , BC807-40W =
1, FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
1/3
22-Jul-10
BC807-16W
BC807-25W
BC807-40W
WEITRON
符号
典型值
最大
单位
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
=-10mA
集电极 - 基极击穿电压
I
C
=-10A
发射极 - 基极击穿电压
I
E
=-1.0A
V
CB
=-20V
V
CE
=-20V
V
EB
=-5V
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
CBO
I
CBO
-45
-50
-5.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-0.1
-0.2
-0.1
V
V
V
A
A
A
基本特征
直流电流增益
I
C
= -100mA ,V
CE
=-1.0V
BC807-16W
BC807-25W
BC807-40W
100
160
250
40
V
CE ( SAT )
V
BE(上)
-
-
-
-
-
-
-
-
250
400
600
-
-0.7
-1.2
V
V
h
FE
-
I
C
=-500mA,V
CE
=-1.0V)
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -500mA ,我
B
=-50mA
基射极电压上
I
C
= -500mA ,V
CE
=-1.0V
小信号特性
电流增益带宽积
I
C
= -10mA ,V
CE
= -5.0V , F = 100MHz的
输出电容
V
CB
=-10V,f=1.0MHz
f
T
C
ob
80
-
-
-
-
10
兆赫
pF
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
2/3
22-Jul-10
BC807-16W
BC807-25W
BC807-40W
WEITRON
SOT- 323外形Demensions
单位:mm
A
SOT-323
B
C
顶视图
D
E
G
H
K
L
J
M
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
0.30
1.15
2.00
-
0.30
1.20
1.80
0.00
0.80
0.42
0.10
最大
0.40
1.35
2.40
0.65
0.40
1.40
2.20
0.10
1.00
0.53
0.25
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
3/3
22-Jul-10
BC807-16W
BC807-25W
BC807-40W
通用晶体管
PNP硅
P B
铅(Pb ) - 免费
1
BASE
集热器
3
3
1
2
2
辐射源
SOT-323(SC-70)
MaximumRatings
(T
A
= 25° Cunless另有说明)
等级
符号
价值
单位
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
器件总功耗FR- 5局
(1)
T
A
=25°C
热阻, Junctionto环境
(1)
结温范围
存储温度范围
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
R
θJA
T
J
TSTG
-45
-50
-5.0
500
150
833
-55到+150
-55到+150
V
V
V
m
A
mW
° C / W
°C
°C
器件标识
BC807-16W = 5A, BC807-25W = 5B , BC807-40W = 5℃
1, FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
1/3
25-Nov-08
BC807-16W
BC807-25W
BC807-40W
WEITRON
符号
典型值
最大
单位
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
=-10mA
集电极 - 基极击穿电压
I
C
=-10A
发射极 - 基极击穿电压
I
E
=-1.0A
V
CB
=-20V
V
CE
=-20V
V
EB
=-5V
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
CBO
I
CBO
-45
-50
-5.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-0.1
-0.2
-0.1
V
V
V
A
A
A
基本特征
直流电流增益
I
C
= -100mA ,V
CE
=-1.0V
BC807-16W
BC807-25W
BC807-40W
100
160
250
40
V
CE ( SAT )
V
BE(上)
-
-
-
-
-
-
-
-
250
400
600
-
-0.7
-1.2
V
V
h
FE
-
I
C
=-500mA,V
CE
=-1.0V)
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -500mA ,我
B
=-50mA
基射极电压上
I
C
= -500mA ,V
CE
=-1.0V
小信号特性
电流增益带宽积
I
C
= -10mA ,V
CE
= -5.0V , F = 100MHz的
输出电容
V
CB
=-10V,f=1.0MHz
f
T
C
ob
80
-
-
-
-
10
兆赫
pF
WEITRON
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2/3
25-Nov-08
BC807-16W
BC807-25W
BC807-40W
WEITRON
SOT- 323外形Demensions
单位:mm
A
顶视图
D
E
G
H
B
C
K
L
J
M
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
SOT-323
0.30
1.15
2.00
-
0.30
1.20
1.80
0.00
0.80
0.42
0.10
最大
0.40
1.35
2.40
0.65
0.40
1.40
2.20
0.10
1.00
0.53
0.25
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
3/3
25-Nov-08
BC807-16W , -25W , -40W
公司Bauelemente
-500毫安, -50 V
PNP塑料封装晶体管
特点
非常适合自动插入
外延平面片建设
补充BC817W
记号
16W : 5A ; 25W : 5B ; 40W : 5C
包装尺寸
REF 。
A
A1
A2
D
E
HE
毫米
分钟。
马克斯。
0.80
1.10
0
0.10
0.80
1.00
1.80
2.20
1.15
1.35
1.80
2.40
REF 。
L1
L
b
c
e
Q1
毫米
分钟。
马克斯。
0.42参考。
0.15
0.35
0.25
0.40
0.10
0.25
0.65参考。
0.15 BSC 。
绝对最大额定值在Ta = 25°C
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
收藏家Currrent
集电极耗散功率
交界处,贮存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
, T
英镑
评级
-50
-45
-5
500
200
+150, -55 ~ +150
单位
V
V
V
mA
mW
特性在TA = 25℃
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
V
CE ( SAT )
V
BE(上)
h
FE(1)
分钟。
-50
-45
-5
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
-0.1
-0.2
-0.1
-0.7
-1.2
250
400
600
-
-
10
单位
V
V
V
uA
uA
uA
V
V
I
C
= -10微安,我
E
= 0
I
C
= -10毫安,我
B
= 0
I
E
= -1 UA,我
C
= 0
V
CB
= -20V ,我
E
= 0
V
CE
= -20V ,我
B
= 0
V
EB
= -5V ,我
C
= 0
测试条件
I
C
= -500mA ,我
B
= -50毫安
V
CE
= -1 V,I
C
= -500毫安
V
CE
= -1 V,I
C
= -100毫安
V
CE
= -1 V,I
C
= -500毫安
807-16W
807-25W
807-40W
100
160
250
40
80
-
h
FE(2)
fT
C
OB
兆赫
pF
V
CE
= -5 V,I
C
= -10毫安, F = 100MHz的
V
CB
= -10V , F = 1MHz的
01月, 2002年修订版A
第1页3
BC807-16W , -25W , -40W
公司Bauelemente
-500毫安, -50 V
PNP塑料封装晶体管
特性曲线
01月, 2002年修订版A
分页: 1 2 3
BC807-16W , -25W , -40W
公司Bauelemente
-500毫安, -50 V
PNP塑料封装晶体管
特性曲线
01月, 2002年修订版A
第3页3
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BC807-16W
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