BC807-16LT1G,
BC807-25LT1G,
BC807-40LT1G
通用
晶体管
PNP硅
特点
http://onsemi.com
集热器
3
1
BASE
2
辐射源
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
价值
45
50
5.0
500
单位
V
V
V
MADC
1
2
SOT23
CASE 318
类型6
3
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
最大额定值
等级
集热器
发射极电压
集热器
基极电压
辐射源
基极电压
集电极电流
连续
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局，
（注1 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
器件总功耗氧化铝
基板， （注2 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
最大
225
1.8
556
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
标记图
R
qJA
P
D
300
2.4
417
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
5XX M
G
G
1
5XX =器件代码
XX为A1，B1或C
M
=日期代码*
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向和/或横线可能
这取决于制造地点而有所不同。
R
qJA
T
J
, T
英镑
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024 99.5 ％的氧化铝。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
半导体元件工业有限责任公司， 2010
2010年10月
9牧师
1
出版订单号：
BC80716LT1/D
BC807-16LT1G ， BC807-25LT1G ， BC807-40LT1G
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明。 ）
特征
开关特性
集热器
：辐射源
击穿电压
(I
C
=
10
毫安）
集热器
：辐射源
击穿电压
(V
EB
= 0, I
C
=
10
毫安）
辐射源
： BASE
击穿电压
(I
E
=
1.0
毫安）
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
=
20
V)
(V
CB
=
20
V，T
J
= 150°C)
基本特征
直流电流增益
(I
C
=
100
毫安，V
CE
=
1.0
V)
(I
C
=
500
毫安，V
CE
=
1.0
V)
集热器
：辐射源
饱和电压
(I
C
=
500
妈，我
B
=
50
毫安）
BASE
：辐射源
ON电压
(I
C
=
500
妈，我
B
=
1.0
V)
小信号特性
当前
- 获得 -
带宽积
(I
C
=
10
毫安，V
CE
=
5.0
VDC ， F = 100兆赫）
输出电容
(V
CB
=
10
V，F = 1.0兆赫）
f
T
C
敖包
100
10
兆赫
pF
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
BC80716
BC80725
BC80740
h
FE
100
160
250
40
250
400
600
0.7
1.2
V
V
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CES
V
（ BR ） EBO
I
CBO
45
50
5.0
V
V
V
符号
民
典型值
最大
单位
100
5.0
nA
mA
订购信息
设备
BC80716LT1G
BC80716LT3G
BC80725LT1G
BC80725LT3G
BC80740LT1G
BC80740LT3G
5C
5B1
5A1
特殊标记
包
SOT23
（无铅）
SOT23
（无铅）
SOT23
（无铅）
SOT23
（无铅）
SOT23
（无铅）
SOT23
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
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2
BC807-16LT1G ， BC807-25LT1G ， BC807-40LT1G
典型特征
BC80716LT1
500
400
300
25°C
200
55°C
100
0
150°C
V
CE （ SAT ）
，集电极 - 发射极
饱和电压（ V）
V
CE
= 1 V
h
FE
，直流电流增益
1
I
C
/I
B
= 10
150°C
25°C
0.1
55°C
0.001
0.01
0.1
1
0.01
0.001
0.01
0.1
1
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
图1. DC电流增益与集电极
当前
V
BE（上）
，基极发射极电压（V）的
1.1
V
BE （ SAT ）
，基极 - 发射
饱和电压（ V）
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
150°C
I
C
/I
B
= 10
55°C
25°C
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
图2.集电极发射极饱和电压
与集电极电流
V
CE
= 5 V
55°C
25°C
150°C
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
图3.基射极饱和电压与
集电极电流
图4.基极发射极电压与集电极
当前
http://onsemi.com
3
BC807-16LT1G ， BC807-25LT1G ， BC807-40LT1G
典型特征
BC80716LT1
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
-1.0
T
J
= 25°C
-0.8
I
C
=
-500毫安
-0.6
-0.4
I
C
= -300毫安
-0.2
I
C
= -10毫安
0
-0.01
-0.1
I
C
= -100毫安
-1.0
-10
I
B
，基极电流（毫安）
-100
图5.饱和区
θ
V，温度系数（MV /
°
C)
+1.0
q
VC
对于V
CE （ SAT ）
0
100
C，电容（pF ）
C
ib
10
-1.0
-2.0
q
VB
对于V
BE
C
ob
-1.0
-10
-100
I
C
，集电极电流
-1000
1.0
-0.1
-1.0
-10
V
R
，反向电压（伏）
-100
图6.温度系数
图7的电容
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4
BC807-16LT1G ， BC807-25LT1G ， BC807-40LT1G
典型特征
BC80725LT1
500
400
300
200
55°C
100
0
25°C
V
CE （ SAT ）
，集电极 - 发射极
饱和电压（ V）
150°C
h
FE
，直流电流增益
V
CE
= 1 V
1
I
C
/I
B
= 10
150°C
25°C
0.1
55°C
0.001
0.01
0.1
1
0.01
0.001
0.01
0.1
1
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
图8. DC电流增益与集电极
当前
V
BE（上）
，基极发射极电压（V）的
1.1
V
BE （ SAT ）
，基极 - 发射
饱和电压（ V）
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
150°C
I
C
/I
B
= 10
55°C
25°C
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
图9.集电极发射极饱和电压
与集电极电流
V
CE
= 5 V
55°C
25°C
150°C
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
图10.基极发射极饱和电压与
集电极电流
1000
f
T
，电流增益带宽
产品（兆赫）
V
CE
= 1 V
T
A
= 25°C
图11.基极发射极电压与集电极
当前
100
10
0.1
1
10
100
1000
I
C
，集电极电流（ A）
图12.电流增益带宽积
与集电极电流
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5
QQ：2881677436 复制
