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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第261页 > BC807-16
BC807.../BC808...
PNP硅晶体管自动对焦
对于一般自动对焦的应用
高集电极电流
高电流增益
低集电极 - 发射极饱和电压
互补型:
BC817 ... / W, BC818 ... / W( NPN)的
无铅(符合RoHS标准)封装
1)
合格的依据AEC Q101
TYPE
BC807-16
BC807-16W
BC807-25
BC807-25W
BC807-40
BC807-40W
BC808-25
BC808-25W
BC808-40
BC808-40W
1
含有铅,
记号
5As
5As
5Bs
5Bs
5Cs
5Cs
5Fs
5Fs
5Gs
5Gs
引脚配置
1 = B 2 = E 3 = C -
1 = B 2 = E 3 = C -
1 = B 2 = E 3 = C -
1 = B 2 = E 3 = C -
1 = B 2 = E 3 = C -
1 = B 2 = E 3 = C -
1 = B 2 = E 3 = C -
1 = B 2 = E 3 = C -
1 = B 2 = E 3 = C -
1 = B 2 = E 3 = C -
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
SOT23
SOT323
SOT23
SOT323
SOT23
SOT323
SOT23
SOT323
SOT23
SOT323
包可能是可根据特殊要求
1
2007-06-08
BC807.../BC808...
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
BC807...
BC808...
集电极 - 基极电压
BC807...
BC808...
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
峰值电流基地
总功率dissipation-
T
S
79℃ BC807 , BC808
T
S
130℃ BC807W , BC808W
结温
储存温度
热阻
参数
结 - 焊接点
1)
BC807 , BC808
BC807W , BC808W
1
符号
V
首席执行官
价值
45
25
单位
V
V
CBO
50
30
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
330
250
T
j
T
英镑
符号
R
thjs
150
-65 ... 150
价值
215
80
单位
K / W
°C
5
500
1000
100
200
mW
mA
计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
2
2007-06-08
BC807.../BC808...
电气特性
at
T
A
= 25℃ ,除非另有说明
符号
单位
参数
分钟。
典型值。马克斯。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
V
( BR ) CEO
V
I
C
= 10毫安,
I
B
= 0, BC807 ...
I
C
= 10毫安,
I
B
= 0, BC808 ...
45
25
V
( BR ) CBO
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
A
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10 A,
I
E
= 0, BC807 ...
I
C
= 10 A,
I
E
= 0, BC808 ...
50
30
V
( BR ) EBO
I
CBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10 A,
I
C
= 0
5
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 25 V,
I
E
= 0
V
CB
= 25 V,
I
E
= 0 ,
T
A
= 150 °C
-
-
I
EBO
h
FE
-
-
-
0.1
50
100
nA
-
发射基截止电流
V
EB
= 4 V,
I
C
= 0
-
直流电流增益
1)
I
C
= 100毫安,
V
CE
= 1 V,
h
FE
-grp 。 16
I
C
= 100毫安,
V
CE
= 1 V,
h
FE
-grp 。 25
I
C
= 100毫安,
V
CE
= 1 V,
h
FE
GRP 。 40
I
C
= 500毫安,
V
CE
= 1 V
100
160
250
40
V
CESAT
V
BESAT
160
250
350
-
-
-
250
400
630
-
0.7
1.2
V
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 500毫安,
I
B
= 50毫安
基极发射极饱和电压
1)
I
C
= 500毫安,
I
B
= 50毫安
1
脉冲
-
-
测试:吨< 300μS ; < 2 %
3
2007-06-08
BC807.../BC808...
电气特性
at
T
A
= 25℃ ,除非另有说明
参数
AC特性
跃迁频率
I
C
= 50毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 100兆赫
集电极 - 基极电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
发射极 - 基极电容
V
EB
= 0.5 V,
f
= 1兆赫
C
eb
-
60
-
C
cb
-
8
-
pF
f
T
-
200
-
兆赫
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
4
2007-06-08
BC807.../BC808...
直流电流增益
h
FE
=
(I
C
)
V
CE
= 1 V
h
FE
-grp 。 16
10
3
直流电流增益
h
FE
=
(I
C
)
V
CE
= 1 V
h
FE
-grp 。 25
10
3
h
FE
10
2
h
FE
10
2
105 °C
85 °C
65 °C
25 °C
-40 °C
105 °C
85 °C
65 °C
25 °C
-40 °C
10
1 -5
10
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
A
10
0
10
1 -5
10
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
0
A
10
I
C
I
C
直流电流增益
h
FE
=
(I
C
)
V
CE
= 1 V
h
FE
-grp 。 40
10
3
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=
(V
CESAT
),
h
FE
= 10
10
3
EHP00215
Ι
C
mA
150 C
25 C
-50 C
10
2
h
FE
5
10
2
105 °C
85 °C
65 °C
25 °C
-40 °C
10
1
5
10
0
5
10
1 -5
10
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
A
10
0
10
-1
0
0.2
0.4
0.6
V
0.8
I
C
V
CESAT
5
2007-06-08
BC807-16
SOT- 23双极晶体管
晶体管( PNP )
特点
* Ldeally适合自动插入
*外延平面模具结构
*可互补NPN型( BC817 )
SOT-23
集热器
3
机械数据
*
*
*
*
*
BASE
案例:模压塑料
环氧树脂: UL94V-O率阻燃
导语: MIL -STD- 202E方法208C保证
安装位置:任意
重量: 0.008克
1
辐射源
2
0.055(1.40)
0.047(1.20)
0.006(0.15)
0.003(0.08)
0.020(0.50)
0.012(0.30)
0.043(1.10)
0.035(0.90)
0.004(0.10)
0.000(0.00)
0.020(0.50)
0.012(0.30)
0.100(2.55)
0.089(2.25)
最大额定值和电气特性
在25℃的环境温度额定值除非另有规定。
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 % 。
O
0.019(2.00)
0.071(1.80)
1
3
2
0.118(3.00)
0.110(2.80)
尺寸以英寸(毫米)
最大额定值
( @ T
A
= 25°C除非另有说明)
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极耗散
结温和存储温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J,
T
英镑
价值
-50
-45
-5
-0.5
0.3
-55 -150
单位
V
V
V
A
W
o
o
C
电气特性
( @ T
A
= 25
o
C除非另有说明)
特征
集电极 - 基极击穿电压(I
C
= -10mA ,我
E
=0)
集电极 - 发射极击穿电压(I
C
= -10mA ,我
B
=0)
发射极 - 基极击穿电压(I
E
= -1mA ,我
C
=0)
集电极截止电流(V
CB
= -45V ,我
E
=0)
集电极截止电流(V
CE
= -40V ,我
B
=0)
发射极截止电流(V
EB
= -4V ,我
C
=0)
直流电流增益(V
CE
= -1V ,我
C
= -100mA )
集电极 - 发射极饱和电压(I
C
= -500mA ,我
B
= -50mA )
基射极饱和电压(I
C
= -500mA ,我
B
= -50mA )
过渡频率(V
CE
= -5V ,我
C
= -10mA , F = 100MH
Z
)
记号
注:“完全符合RoHS标准” , “ 100 %镀锡(无铅) ” 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE(1)
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
-50
-45
-5
-
-
-
100
-
-
100
5A
2007-3
最大
-
-
-
-0.1
-0.2
-0.1
250
-0.7
-1.2
-
单位
V
V
V
mA
mA
mA
-
V
V
MH
Z
f
T
额定值和特性曲线( BC807-16 )
400
1000
见注1
TA = 25℃
f=20MH
Z
O
300
f
T
,增益带宽积( MH
Z
)
P
d
,功耗(毫瓦)
-V
CE
=5.0V
200
100
1.0V
100
0
0
100
T
SB ,
沉积温度(℃)
O
200
10
1
10
100
1000
-V
CESAT
,集电极饱和电压( V)
图一功率降额曲线
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
150 C
O
典型
范围
O
在T
A
=25 C
-I
C
/ - I
B
= 10
1000
图二的增益带宽积VS
集电极电流
-V
CE
= 1V
150 C
25 C
-50 C
O
O
O
-I
C
,集电极电流(毫安)
h
FE
,直流电流增益
-50 C
O
100
25 C
O
0.1
图三收藏家周六电压随集电极电流
500
3.2
2.8
-Ic ,集电极电流(mA )
1
10
100
1000
10
0.1
1
-Ic ,集电极电流(毫安)
10
100
1000
图四直流电流增益VS集电极电流
100
0.35
-Ic ,集电极电流(毫安)
-Ic ,集电极电流(毫安)
2.4
2
1.8
1.6
1.4
1.2
0.8
0.6
400
80
0.3
0.25
300
60
0.2
0.15
0.1
200
40
100
0.4
20
0
-I
B
= 0.05毫安
0
-I
B
= 0.2毫安
0
1
-V
CE
,集电极 - 发射极电压( V)
2
0
Figure.5典型发射极 - 集电极特性
Figure.6典型发射极 - 集电极特性
-V
CE
,集电极 - 发射极电压( V)
10
20
免责声明
RECTRON公司保留随时更改,恕不另行通知任何产品的权利
此规范,责令改正,修改,增强或其他
变化。 RECTRON公司或任何代其不承担任何责任或liabi-
lity的任何错误或不准确之处。数据表规格及其信息
包含的意在仅提供一个产品的描述。 "Typical" paramet-
这可能包括在RECTRON数据表和/或规格ERS钙
n和做不同的应用和实际性能可能会随TI-
我。 RECTRON公司不承担因应用程序的任何责任或
使用任何产品或电路。
RECTRON产品不是设计,意或授权使用的医疗,
救命的植入物或用于生命维持或其他厘清的其他应用程序
泰德应用组件或电路的故障或失灵可能迪
rectly或间接导致伤害或威胁生命没有明确的书面appr-
对使用或销售RECTRON组件在使用RECTRON公司客户椭圆形
这样的应用程序这样做在自己的风险,并应同意完全赔偿Rect-
罗恩公司及其子公司的所有索赔,损失和expendit-无害
URES 。
MCC
TM
微型商业组件
?????????? ?????? omponents
20736玛丽拉
街道查茨沃斯

???? ?????? ? ! ?? " # ???
$ % ? ? ? ???? ? ! ?? " # ???
BC807-16
BC807-25
BC807-40
PNP硅
通用
晶体管
SOT-23
A
D
特点
能功率耗散0.3Watts的。
集电极电流0.5A
集电极 - 基极电压50V
工作和存储结温范围: -55
O
C至+150
O
C
外壳材料:模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
和MSL等级1
机械数据
案例: SOT -23模压塑料
码头:每MIL -STD- 202方法208
重量: 0.008克(约)
器件标识:
BC807-16
5A1
BC807-25
5B
BC807-40
5C
F
3
C
B
C
电气特性@ 25
O
C除非另有说明
符号
参数
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= 10mAdc ,我
B
=0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 10uAdc ,我
E
=0)
集电极 - 发射极击穿电压
(I
E
= 1.0uAdc ,我
C
=0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
=45Vdc,I
E
=0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 40V DC ,我
E
=0)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 4.0Vdc ,我
C
=0)
直流电流增益
(I
C
= 100mAdc ,V
CE
=1.0Vdc)
BC807-16
BC807-25
BC807-40
直流电流增益
(I
C
= 500mAdc ,V
CE
=1.0Vdc)
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 500mAdc ,我
B
=50mAdc)
基射极饱和电压
(I
C
=500mAdc,I
B
=50mAdc)
电流增益带宽积
(V
CE
= 5.0V , F = 100MHz时,我
C
=10mA)
45
50
5.0
---
---
---
最大
---
---
---
0.1
0.2
0.1
单位
VDC
G
B
E
E
开关特性
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
H
J
VDC
K
VDC
uAdc
uAdc
uAdc
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
英寸
.110
.083
.047
.035
.070
.018
.0005
.035
.003
.015
尺寸
MM
2.80
2.10
1.20
.89
1.78
.45
.013
.89
.085
.37
基本特征
h
FE(1)
最大
.120
.098
.055
.041
.081
.024
.0039
.044
.007
.020
最大
3.04
2.64
1.40
1.03
2.05
.60
.100
1.12
.180
.51
h
FE(2)
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
100
160
250
40
---
---
250
400
600
---
0.7
1.2
---
---
---
---
VDC
VDC
.035
.900
建议焊料
焊盘布局
.031
.800
.079
2.000
英寸
mm
小信号特性
f
T
100
---
兆赫
.037
.950
.037
.950
www.mccsemi.com
修订: 4
1第3
2008/01/01
BC807-16通BC807-40
MCC
微型商业组件
+1.0
θ
VC的VCE (SAT)
TM
VCE = -1.0 V
TA = 25°C
的hFE , DC电流增益
θ
V,温度系数(MV /
°
C)
1000
0
100
-1.0
θ
VB的VBE
-2.0
10
-0.1
-1.0
-10
-100
IC ,集电极电流(毫安)
-1000
-1.0
-10
-100
IC ,集电极电流
-1000
图1.直流电流增益
图4.温度系数
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
-1.0
TJ = 25°C
-0.8
-0.6
-0.4
IC = -300毫安
-0.2
0
-0.01
IC = -10毫安
-0.1
-1.0
-10
IB ,基极电流(毫安)
-100
IC = -100毫安
IC =
-500毫安
V,电压(V )
-1.0
TA = 25°C
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
VCE (SAT) @ IC / IB = 10
0
-1.0
-10
-100
IC ,集电极电流(毫安)
-1000
VBE (星期六) @ IC / IB = 10
VBE ( ON) @ VCE = -1.0 V
图2.饱和区
图3. “开”电压
www.mccsemi.com
修订: 4
2 3
2008/01/01
MCC
微型商业组件
TM
订购信息
设备
(品名) -TP
填料
Tape&Reel;3Kpcs/Reel
***重要提示***
微型商业组件公司
.
保留随时更改,恕不另行通知任何权
此产品进行更正,修改,增强,改进或其它更改。
微型商业组件公司
.
不承担因应用程序的任何责任或
使用本文所述的任何产品的;它也没有传达任何许可在其专利的权利,也没有
他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有使用风险
并同意举行
微型商业组件公司
.
和所有的公司
产品的代表在我们的网站上,反对一切损害无害。
应用*** ***免责声明
产品提供了
微型商业组件公司
.
不打算用于医学,
航空航天和军事应用。
www.mccsemi.com
修订: 4
3 3
2008/01/01
BC807-16 / BC807-25 / BC807-40
BC807-16
BC807-25
BC807-40
C
E
SOT-23
马克: 5A 。 / 5B 。 / 5C 。
B
PNP通用放大器
该器件是专为通用放大器和开关
应用程序在电流为1.0 A.从过程78采购。
绝对最大额定值*
符号
V
首席执行官
V
CES
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
TA = 25° C除非另有说明
参数
价值
45
50
5.0
1.2
-55到+150
单位
V
V
V
A
°C
3
工作和存储结温范围
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项:
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
3)
所有的电压(V)和电流(A)中是负的极性为PNP晶体管。
热特性
符号
P
D
R
θJA
TA = 25° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻,结到环境
最大
* BC807-16 / -25 / -40
350
2.8
357
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
*
设备安装在FR-4电路板40毫米×40毫米×1.5毫米。
1997
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
BC807-16 / BC807-25 / BC807-40
PNP通用放大器
(续)
电气特性
符号
参数
TA = 25° C除非另有说明
测试条件
最大
单位
开关特性
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CES
V
( BR ) EBO
I
CBO
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
I
C
= 10 mA时,我
B
= 0
I
C
= 100
A,
I
E
= 0
I
E
= 10
A,
I
C
= 0
V
CB
= 20 V
V
CB
= 20 V ,T
A
= 150°C
45
50
5.0
100
5.0
V
V
V
nA
A
基本特征
h
FE
直流电流增益
I
C
= 100毫安, V
CE
= 1.0 V
- 16
- 25
- 40
I
C
= 500毫安, V
CE
= 1.0 V
I
C
= 500毫安,我
B
= 50毫安
I
C
= 500毫安, V
CE
= 1.0 V
100
160
250
40
250
400
600
0.7
1.2
V
V
V
CE(
SAT
)
V
BE (
on
)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
注意:
所有的电压(V)和电流(A)中是负的极性为PNP晶体管。
典型特征
V
CESAT
- COLLE CTOR - 发射极电压(V )
h
FE
- 典型ICAL脉冲CURRE NT GAIN
典型的脉冲电流增益
VS集电极电流
400
集电极 - 发射极饱和
电压Vs集电极电流
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
125 °C
V
CE
= 5V
300
125 °C
β
= 10
- 40 °C
25 °C
200
25 °C
100
- 40 °C
0.1
0
0.01
0
0.01
I
C
0.1
- 集电极电流( A)
1
0.1
I
C
- COLLE CTOR电流(A)
1
1.5
BC807-16 / BC807-25 / BC807-40
PNP通用放大器
(续)
典型特征
(续)
V
BE (O N)
- BASE -E米特电压( V)
V
BESAT
- 基极 - 发射VOLTAG E( V)
基射极饱和
电压Vs集电极电流
1
β
= 10
基射极电压ON VS
集电极电流
1
0.8
- 40 °C
0.8
- 40 °C
25 °C
0.6
25 °C
0.6
125 °C
0.4
125 °C
V
CE
= 5V
0.4
1
I
C
10
100
- 集电极电流(毫安)
1000
0.2
1
10
100
I
C
- 集电极电流(毫安)
1000
敖包
- 集电极 - 基极电容(pF )
集电极截止电流
VS环境温度
I
CBO
- 集电极电流( NA)
100
V
CB
= 40V
集电极 - 基极电容
VS集电极 - 基极电压
40
F = 1.0 MHz的
30
10
1
20
3
0.1
10
25
50
75
100
125
T
A
- 上午bient TE MPE叉涂抹(
°
C)
150
0
0
4
8
12
16
20
24
28
V
CB
- 集电极 - 基极电压( V)
h
FE
- 增益带宽积(兆赫)
增益带宽积
VS集电极电流
250
V
CE
= 10V
200
150
100
50
0
P
D
- 功耗(MW )
350
300
250
200
150
100
50
0
0
功耗与
环境温度
SOT-23
1
10
100
I
C
- 集电极电流(毫安)
1000
25
50
75
100
温度(
o
C)
125
150
SOT- 23磁带和卷轴数据
SOT- 23封装
CON组fi guration :
图1 。
0
定制香格里拉
BEL
包装说明:
SOT- 23零件运胶带。载带是
从耗散取得(碳填写)聚碳酸酯
树脂。盖带是一米
ultilayer膜(热激活
胶粘剂在NA
TURE )主要由聚酯薄膜,
粘合剂层, sealan和一个
t,
TI静电喷涂剂。
在斯坦RD选项,这些跌跌撞撞PA是shippe与
RTS
da
d
3000个单位7"或177厘米卷筒直径。卷轴是
深蓝色的颜色是由聚苯乙烯塑料(抗
d
静电涂层行吟选项来10000个单位13"
).
r
或330厘米卷筒直径。这和s
青梅其他选项
在P描述
d
ackaging信息表。
这些满盘都是individua labele内部放置
LLY
d d
A S
坦达中间由可回收的瓦楞纸
rd
棕色PAP与Fairchil 标志打印。一个比萨盒
er
包含最多八个卷轴。与THES中间物
e
在Iate
箱子被放置在一个标有出货箱,
有不同的大小取决于T E NU
h
部分MBER
shippe
d.
防静电盖带
人类可读
LABEL
压花
载带
3P
SOT- 23封装信息
包装选项
包装类型
每卷/管材/袋数量
带尺寸
箱尺寸(mm )
每箱数量最多
每单位重量(克)
每卷重量(kg )
注/评论
标准
(无码流
)
TNR
3,000
7"迪亚
187x107x183
24,000
0.0082
0.1175
D87Z
TNR
10,000
13"
343x343x64
30,000
0.0082
0.4006
3P
3P
3P
SOT- 23单元方向
343毫米X 342毫米X 64毫米
对于L87Z选项框的中间
人类可读的标签
人类可读的标签样本
乌曼可读
LABEL
SOT- 23磁带片头和片尾
CON组fi guration :
图2中。
0
187毫米X 107毫米X 183毫米
中间的框架选件
ARD
载带
盖带
组件
拖车带
300毫米最小或
75抢先 POC凯茨
引导带
500毫米最小或
125皆空
2000仙童半导体国际
1999年9月,版本C
SOT- 23磁带和卷轴数据,继续
SOT- 23压花载带
CON组fi guration :
图3.0
P0
T
E1
P2
D0
D1
F
E2
B0
Wc
W
Tc
K0
P1
A0
饲料用户方向
尺寸均为毫米
PKG型
SOT-23
(8mm)
A0
3.15
+/-0.10
B0
2.77
+/-0.10
W
8.0
+/-0.3
D0
1.55
+/-0.05
D1
1.125
+/-0.125
E1
1.75
+/-0.10
E2
6.25
F
3.50
+/-0.05
P1
4.0
+/-0.1
P0
4.0
+/-0.1
K0
1.30
+/-0.10
T
0.228
+/-0.013
Wc
5.2
+/-0.3
Tc
0.06
+/-0.02
备注: A0,B0 ,和K0尺寸相对于所述的EIA / JEDEC的RS- 481测定
旋转和横向移动的要求(见草图A, B和C ) 。
最高20度
典型
部件
空穴
中线
0.5mm
最大
B0
20度的最大组成部分旋转
0.5mm
最大
素描A(侧面或正面剖视图)
体旋转
A0
素描B(顶视图)
典型
部件
中线
素描C(顶视图)
组件横向移动
SOT- 23卷配置:
图4.0
体旋转
W1测得中心
黯淡了
最大
黯淡了
最大
昏暗的
详细信息,请参阅AA
7"直径选项
B敏
尺寸C
详细信息,请参阅AA
W3
昏暗的
13"直径选项
W2最大的测量中心
DETAIL AA
尺寸为英寸和毫米
磁带尺寸
8mm
REEL
选项
7"迪亚
黯淡了
7.00
177.8
13.00
330
昏暗的B
0.059
1.5
0.059
1.5
尺寸C
512 +0.020/-0.008
13 +0.5/-0.2
512 +0.020/-0.008
13 +0.5/-0.2
昏暗的
0.795
20.2
0.795
20.2
昏暗的
2.165
55
4.00
100
昏暗W1
0.331 +0.059/-0.000
8.4 +1.5/0
0.331 +0.059/-0.000
8.4 +1.5/0
昏暗的W2
0.567
14.4
0.567
14.4
朦胧W3 ( LSL - USL )
0.311 – 0.429
7.9 – 10.9
0.311 – 0.429
7.9 – 10.9
8mm
13"迪亚
1999年9月,版本C
公元前807 / BC 808
PNP
通用晶体管
PNP
表面贴装硅外延PlanarTransistors
硅外延PlanarTransistoren献给死去Oberflchenmontage
功耗 - Verlustleistung
2.9
±0.1
0.4
3
310毫瓦
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
1.1
塑料外壳
Kunststoffgehuse
1.3
±0.1
TYPE
CODE
1
2
2.5
最大
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
1.9
尺寸/集体单位为毫米
1=B
2=E
3=C
最大额定值(T
A
= 25
/
C)
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基电压
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom ( DC )
高峰科尔。电流 - Kollektor - Spitzenstrom
峰值基极电流 - 基础 - Spitzenstrom
峰值发射极电流 - 发射极Spitzenstrom
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
B开
B短路
ê开放
c打开
- V
CE0
- V
CES
- V
CB0
- V
EB0
P
合计
- I
C
- I
CM
- I
BM
I
EM
T
j
T
S
Grenzwerte (T
A
= 25
/
C)
公元前807
45 V
50 V
50 V
5V
310毫瓦
1
)
800毫安
千毫安
200毫安
千毫安
150
/
C
- 65…+ 150
/
C
公元前808
25 V
30 V
30 V
特性,T
j
= 25
/
C
分钟。
直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhltnis
- V
CE
= 1 V , - 我
C
= 100毫安
- V
CE
= 1 V , - 我
C
= 500毫安
- V
CE
= 1 V , - 我
C
= 100毫安
BC807
BC808
集团-16
集团-25
集团-40
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
100
40
100
160
250
Kennwerte ,T
j
= 25
/
C
典型值。
160
250
400
马克斯。
600
250
400
600
1
)安装在交媾主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag ( Ltpad )的jedem并吞
01.11.2003
2
通用晶体管
特性,T
j
= 25
/
C
分钟。
集电极饱和电压 - Kollektor - Sttigungsspg 。
- I
C
= 500毫安, - 我
B
= 50毫安
- I
C
= 500毫安, - 我
B
= 50毫安
基射极电压 - 基射极Spannung
- V
CE
= 1 V , - 我
C
= 500毫安
I
E
= 0, - V
CB
= 20 V
I
E
= 0, - V
CB
= 20 V ,T
j
= 150
/
C
发射基截止电流 - Emitterreststrom
I
C
= 0, - V
EB
= 4 V
增益带宽积 - Transitfrequenz
- V
CE
= 5 V , - 我
C
= 10 mA时, F = 50 MHz的
- V
CB
= 10 V,I
E
= i
e
= 0中,f = 1 MHz的
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
推荐互补NPN晶体管
Empfohlene komplementre NPN - Transistoren
可用的电流增益标记
每类群体
Stempelung德lieferbaren Strom-
verstrkungsgruppen亲典型值
f
T
C
CB0
80兆赫
R
THA
- I
EB0
- V
BE
- I
CB0
- I
CB0
- V
CESAT
- V
BESAT
公元前807 / BC 808
Kennwerte ,T
j
= 25
/
C
典型值。
100兆赫
12 pF的
马克斯。
0.7 V
1.3 V
1.2 V
100 nA的
5
:
A
100 nA的
320 K / W
1
)
公元前817 / BC 818
公元前807-40 = 5℃
公元前808-40 = 5G
基本饱和电压 - 基础 - Sttigungsspannung
集电极 - 基极截止电流 - Kollektorreststrom
集电极 - 基极电容 - Kollektor个基本Kapazitt
公元前807-16 = 5A公元前807-25 = 5B
公元前807 = 5D
公元前808-16 = 5E
公元前808 = 5H
公元前808-25 = 5F
1
)安装在交媾主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag ( Ltpad )的jedem并吞
01.11.2003
3
BC807 , BC808
PNP硅晶体管自动对焦
对于一般自动对焦的应用
高集电极电流
高电流增益
低集电极 - 发射极饱和电压
Comlementary类型: BC817 , BC818 ( NPN)的
3





2
1
VPS05161
TYPE
BC807-16
BC807-25
BC807-40
BC808-16
BC808-25
BC808-40
最大额定值
参数
记号
5As
5Bs
5Cs
5Es
5Fs
5Gs
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
引脚配置
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
BC807
45
50
5
500
1
100
200
330
150
BC808
25
30
5
单位
V
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
DC集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
峰值电流基地
总功耗
,
T
S
= 79 °C
结温
储存温度
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
mA
A
mA
mW
°C
-65 ... 150
热阻
结 - 焊接点
1)
R
thjs

215
K / W
1对于计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
1
Nov-29-2001
BC807 , BC808
电气特性
at
T
A
= 25 ° C,除非另有规定ED 。
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安,
I
B
= 0
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10 A,
I
E
= 0
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10 A,
I
C
= 0
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 25 V,
I
E
= 0
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 25 V,
I
E
= 0 ,
T
A
= 150 °C
发射Cuto FF电流
V
EB
= 4 V,
I
C
= 0
直流电流增益1 )
I
C
= 100毫安,
V
CE
= 1 V
h
FE
-grp 。
16
h
FE
-grp 。
25
h
FE
-grp 。
40
直流电流增益1 )
I
C
= 500毫安,
V
CE
= 1 V
集电极 - 发射极饱和电压1 )
I
C
= 500毫安,
I
B
= 50毫安
基极 - 发射极饱和电压1)
I
C
= 500毫安,
I
B
= 50毫安
V
BESAT
V
CESAT
h
FE
h
FE
I
EBO
I
CBO
I
CBO
V
( BR ) CEO
典型值。
马克斯。
单位
V
45
25
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
50
100
nA
A
nA
-
100
160
250
40
-
-
160
250
350
-
-
-
250
400
630
-
0.7
1.2
V
BC807
BC808
V
( BR ) CBO
BC807
BC808
V
( BR ) EBO
50
30
5
-
-
-
1 )脉冲测试:吨
300μS ,D = 2%
2
Nov-29-2001
BC807 , BC808
电气特性
at
T
A
= 25 ° C,除非另有规定ED 。
符号
参数
分钟。
AC特性
跃迁频率
I
C
= 50毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 100兆赫
集电极 - 基极电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
发射极 - 基极电容
V
EB
= 0.5 V,
f
= 1兆赫
C
eb
-
60
-
C
cb
-
10
-
f
T
-
200
-
典型值。
马克斯。
单位
兆赫
pF
3
Nov-29-2001
BC807 , BC808
总功耗
P
合计
=
F(T
S
)
跃迁频率
f
T
=
f
(I
C
)
V
CE
= 5V
10
3
f
T
兆赫
5
EHP00210
360
mW
300
270
P
合计
240
210
180
150
120
90
60
30
0
0
15
30
45
60
75
90 105 120
10
2
5
°C
150
T
S
10
1
10
0
10
1
10
2
mA
10
3
Ι
C
允许的脉冲负载
P
totmax
/
P
totDC
=
f
(t
p
)
10
3
P
TOT最大
P
TOT DC
D
=
t
p
T
t
p
T
EHP00212
收藏家Cuto FF电流
I
CBO
=
F(T
A
)
V
CBO
= 25V
10
5
EHP00213
Ι
CBO
nA
10
4
10
2
5
10
1
5
D
=
0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10
3
最大
10
2
典型值
10
1
10
0
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
t
p
10
0
10
0
0
50
100
C
T
A
150
4
Nov-29-2001
BC807 , BC808
基射极饱和电压
I
C
=
F(V
BESAT
),
h
FE
= 10
10
3
EHP00214
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=
f
(V
CESAT
),
h
FE
= 10
10
3
EHP00215
Ι
C
mA
150 C
25 C
-50 C
Ι
C
mA
150 C
25 C
-50 C
10
2
5
10
2
5
10
1
5
10
1
5
10
0
5
10
0
5
10
-1
0
1.0
2.0
3.0
V
4.0
10
-1
0
0.2
0.4
0.6
V
0.8
V
BESAT
V
CESAT
直流电流增益
h
FE
=
F(我
C
)
V
CE
= 1V
10
3
h
FE
5
100 C
25 C
-50 C
10
2
5
EHP00216
10
1
5
10
0
10
-1
10
0
10
1
10
2
10毫安
3
Ι
C
5
Nov-29-2001
BC807-16 / -25 / -40
PNP表面贴装晶体管
特点
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
非常适合自动插入
外延平面片建设
对于开关,自动对焦驱动器和放大器
应用
可提供互补NPN类型( BC817 )
SOT-23
暗淡
A
A
C
B
B
E
顶视图
0.37
1.20
2.30
0.89
0.45
1.78
2.80
0.013
0.903
0.45
0.85
最大
0.51
1.40
2.50
1.03
0.60
2.05
3.00
0.10
1.10
0.61
0.80
B
C
D
C
机械数据
案例: SOT -23 ,模压塑料
外壳材料 - UL防火等级
分类科幻阳离子94V- 0
湿度敏感性:每J- STD- 020A等级1
码头:每MIL -STD- 202焊接的,
方法208
引脚连接:见图
标记(见第3页) : BC807-16 5A , K5A
BC807-25 5B , K5B
BC807-40 5C , K5C
订购&日期代码信息:见第3页
约。重量: 0.008克
E
D
G
H
E
G
H
J
K
M
L
K
J
D
L
M
a
尺寸:mm
最大额定值
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
峰值发射极电流
在T功耗
SB
= 50 ° C(注1 )
热阻,结到衬底背面(注1 )
热阻,结到环境空气(注1 )
工作和存储温度范围
符号
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
EM
P
d
R
qJSB
R
qJA
T
j
, T
英镑
价值
-45
-5.0
-500
-1000
-1000
310
320
403
-65到+150
单位
V
V
mA
mA
mA
mW
° C / W
° C / W
°C
电气特性
直流电流增益
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
100
160
250
60
100
170
100
典型值
最大
250
400
600
-0.7
-1.2
-100
-5.0
-100
12
单位
测试条件
V
CE
= 1.0V ,我
C
= 100毫安
V
CE
= 1.0V ,我
C
= 300毫安
特性(注2)
电流增益集团-16
-25
-40
电流增益集团-16
-25
-40
h
FE
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
集电极 - 发射极截止电流
发射基截止电流
增益带宽积
集电极 - 基极电容
注意事项:
V
CE ( SAT )
V
BE
I
CES
I
EBO
f
T
C
CBO
V
V
nA
A
nA
兆赫
pF
I
C
= 500毫安,我
B
= 50毫安
V
CE
= 1.0V ,我
C
= 300毫安
V
CE
= 45V
V
CE
= 25V ,T
j
= 150°C
V
EB
= 4.0V
V
CE
= 5.0V ,我
C
= 10毫安,
F = 50MHz的
V
CB
= 10V , F = 1.0MHz的
2
1.装置安装在陶瓷基板0.7毫米; 2.5厘米区。
2.短持续时间脉冲试验中使用,以尽量减少自热效应。
DS11208牧师9 - 2
1第3
BC807-16/-25/-40
400
见注1
1000
300
f
T
,增益带宽积(兆赫)
T
A
= 25
°
C
F = 20MHz的
P
d
,功耗(毫瓦)
-V
CE
= 5.0V
1.0V
200
100
100
0
0
100
T
SB
,衬底温度(
°
C)
图。 1 ,功率降额曲线
200
10
1
10
100
1000
-I
C
,集电极电流(毫安)
图。 2 ,增益带宽积VS集电极电流
1000
-V
CE
= 1V
150
°
C
0.5
-V
CESAT
,集电极饱和电压( V)
典型
范围
在T
A
= 25
°
C
0.4
h
FE
,直流电流增益
-I
C
/ -I
B
= 10
25
°
C
-50
°
C
100
0.3
0.2
25
°
C
0.1
150
°
C
-50
°
C
0
0.1
1
10
100
1000
10
0.1
1
10
100
1000
-I
C
,集电极电流(毫安)
图。 3 ,收集星期六电压Vs集电极电流
-I
C
,集电极电流(毫安)
图。 4 ,直流电流增益VS集电极电流
100
500
3.2
2.8
2.4
-I
C
,集电极电流(毫安)
400
-I
C
,集电极电流(毫安)
0.35
2
1.8
1.6
1.4
1.2
80
0.3
0.25
300
60
0.2
200
0.8
0.6
40
0.15
100
0.4
0.1
20
-I
B
= 0.05毫安
-I
B
= 0.2毫安
0
0
1
-V
CE
,集电极 - 发射极电压( V)
图。 5 ,典型的发射极 - 集电极特性
2
0
0
10
-V
CE
,集电极 - 发射极电压( V)
图。 6 ,典型的发射极 - 集电极特性
20
DS11208牧师9 - 2
2 3
BC807-16/-25/-40
订购信息
设备*
BC807-xx-7
注意事项:
包装
SOT-23
航运
3000 /磁带&卷轴
3.包装详细信息,请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
* XX =增益组,例如。 BC807-16-7 。
标识信息
XXX
XXX =产品型号标识代码(见第1页) :例如。 K5A = BC807-16
YM =日期代码标
Y =年份例如: N = 2002年
M =月前: 9 =九月
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
JAN
1
1998
J
FEB
2
三月
3
1999
K
APR
4
五月
5
2000
L
JUN
6
JUL
7
2001
M
八月
8
2002
N
SEP
9
2003
P
十月
O
NOV
N
2004
R
DEC
D
DS11208牧师9 - 2
YM
3 3
BC807-16/-25/-40
PNP硅晶体管自动对焦
公元前807
公元前808
q
对于一般自动对焦的应用
q
高集电极电流
q
高电流增益
q
低集电极 - 发射极饱和电压
q
互补类型:公元前817 ,公元前818 ( NPN )
TYPE
公元前807-16
公元前807-25
公元前807-40
公元前808-16
公元前808-25
公元前808-40
记号
5As
5Bs
5Cs
5Es
5Fs
5Gs
订购代码
Q62702-C1735
Q62702-C1689
Q62702-C1721
Q62702-C1736
Q62702-C1504
Q62702-C1692
引脚配置
1
2
3
B
E
C
1)
SOT-23
1)
有关详细信息,请参阅本章包装纲要。
半导体集团
1
5.91
公元前807
公元前808
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
峰值电流基地
结温
存储温度范围
热阻
结 - 环境
1)
结 - 焊接点
R
日JA
R
日JS
285
215
符号
公元前807
V
CE0
V
CB0
V
EB0
I
C
I
CM
I
B
I
BM
T
j
T
英镑
45
50
5
公元前808
25
30
5
500
1
100
200
330
150
– 65 … + 150
单位
V
mA
A
mA
mW
C
总功耗,
T
C
= 79 C
P
合计
K / W
1)
安装在环氧树脂PCB 40毫米套餐
×
40 mm
×
1.5毫米/ 6厘米
2
铜。
半导体集团
2
公元前807
公元前808
电气特性
at
T
A
= 25℃,除非另有规定。
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安
公元前807
公元前808
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 100
A
公元前807
公元前808
发射极 - 基极击穿电压,
I
E
= 10
A
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 25 V
V
CB
= 25 V,
T
A
= 150 C
发射极截止电流,
V
EB
= 4 V
直流电流增益
1)
I
C
= 100毫安;
V
CE
= 1 V
公元前807-16 ,公元前808-16
公元前807-25 , 808-25 BC
公元前807-40 ,公元前808-40
I
C
= 300毫安;
V
CE
= 1 V
公元前807-16 ,公元前808-16
公元前807-25 , 808-25 BC
公元前807-40 ,公元前808-40
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 500毫安;
I
B
= 50毫安
基射极饱和电压
1)
I
C
= 500毫安;
I
B
= 50毫安
AC特性
跃迁频率
I
C
= 50毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 20 MHz的
输出电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
输入电容
V
EB
= 0.5 V,
f
= 1兆赫
1)
典型值。
马克斯。
单位
V
(BR)CE0
45
25
V
(BR)CB0
50
30
V
(BR)EB0
I
CB0
I
EB0
h
FE
100
160
250
60
100
170
V
CESAT
V
BESAT
160
250
350
250
400
630
0.7
2
100
50
100
5
V
nA
A
nA
V
f
T
C
敖包
C
IBO
200
10
60
兆赫
pF
脉冲测试:
t
300
s,
D
2 %.
半导体集团
3
公元前807
公元前808
总功耗
P
合计
=
f
(T
A
*;
T
S
)
*包装安装在环氧
跃迁频率
f
T
=
f
(I
C
)
V
CE
= 5 V
允许的脉冲负载
P
TOT最大
/P
TOT DC
=
f
(t
p
)
收藏家Cuto FF电流
I
CB0
=
f
(T
A
)
V
CB0
= 25 V
半导体集团
4
公元前807
公元前808
基射极饱和电压
I
C
=
f
(V
BESAT
)
h
FE
= 10
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=
f
(V
CESAT
)
h
FE
= 10
直流电流增益
h
FE
=
f
(I
C
)
V
CE
= 1 V
半导体集团
5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BC807-16
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880133232 复制 点击这里给我发消息 QQ:2880133232 复制 点击这里给我发消息 QQ:2880133232 复制

电话:0755-83202411
联系人:杨泽鹏
地址:深圳市福田区 汉国中心55楼
BC807-16
NXP(恩智浦)
22+
27508
原装原厂公司现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:421123133 复制

电话:13410941925
联系人:李先生【原装正品,可开发票】
地址:深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋1511A12
BC807-16
NXP(恩智浦)
24+
7800
原装正品现货,可开增值税专用发票
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1248156793 复制 点击这里给我发消息 QQ:519794981 复制

电话:0755-83242658
联系人:廖先生
地址:广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★
BC807-16
Nexperia/安世
24+
7500
SOT-23
100%原装正品,只做原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3004330546 复制

电话:13510131896
联系人:欧阳
地址:龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
BC807-16
NXP
16+
68000
SOT23
原装进口,样品可出
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2236823936 复制

电话:0755-82569753-32922817-36561078-801
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼508-510室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
BC807-16
NEXPERIA
1926+
28562
SOT-23
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2236823936 复制

电话:0755-82569753-32922817-36561078-801
联系人:李小姐
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BC807-16
NEXPERIA
1926+
28562
SOT23
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2276945435 复制 点击这里给我发消息 QQ:2801615837 复制

电话:0755-82522939
联系人:彭小姐
地址:广东省深圳市福田区福华路嘉汇新汇商中心1020
BC807-16
NEXPERIA
165690
22+21
原包装原标现货,假一罚十,
0.1
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3449124707 复制 点击这里给我发消息 QQ:3441530696 复制 点击这里给我发消息 QQ:2480898381 复制

电话:0755-23140719/23915992
联系人:李先生 李小姐
地址:深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1607室
BC807-16
Nexperia
24+
68500
SOT23
一级代理/放心采购
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ:515102657 复制
电话:0755-83777607/83777708/82799993
联系人:销售部1部
地址:美驻深办公室:广东省深圳市福田区上步工业区201栋4楼A18室/分公司:深圳市福田区华强北深纺大厦C座西7楼,展销柜:深圳市福田区华强北新亚洲电子城3B047柜,分展销柜:湖南省桂阳和平杉林下展销柜
BC807-16
NEXPERIA/安世
25+23+
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QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1281623813 复制 点击这里给我发消息 QQ:1281623813 复制

电话:0755-23914006/18318877587
联系人:陈佳隆
地址:深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
BC807-16
NEXPERIA/安世
24+
21000
NA
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