【BC636 ， BC636-16 ， BC638 ，BC640 ， BC640-16高电流晶体管PN】,IC型号BC640-16,BC640-16 PDF资料,BC640-16经销商,ic,电子元器件-51电子网

BC636 ， BC636-16 ， BC638 ，

BC640 ， BC640-16

高电流晶体管

PNP硅

http://onsemi.com

最大额定值

等级

集电极 - 发射极电压

BC636

BC638

BC640

集电极 - 基极电压

BC636

BC638

BC640

发射极 - 基极电压

连续集电极电流 -

器件总功耗

@ TA = 25°C

减免上述25℃

器件总功耗

@ TC = 25°C

减免上述25℃

工作和存储结

温度范围

VEBO

625

5.0

1.5

TJ ， TSTG

-55

+150

瓦

毫瓦/°C的

°C

毫瓦/°C的

VCBO

–45

–60

–80

–5.0

–0.5

VDC

ADC

符号

VCEO

–45

–60

–80

VDC

价值

单位

VDC

BASE

集热器

辐射源

CASE 29

TO–92

14风格

热特性

特征

热阻，

结到环境

热阻，

结到外壳

符号

θJA

θJC

最大

200

83.3

单位

° C / W

订购信息

° C / W

设备

BC636

BC636ZL1

BC636–16ZL1

BC638

BC638ZL1

BC640

BC640ZL1

BC640–16

包

TO–92

航运

5000单位/箱

2000 /弹药包

5000单位/箱

2000 /弹药包

5000单位/箱

2000 /弹药包

5000单位/箱

半导体元件工业有限责任公司， 2001年

2000年6月 - 第1版

出版订单号：

BC636/D

BC636 ， BC636-16 ， BC638 ， BC640 ， BC640-16

电气特性

（ TA = 25° C除非另有说明）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

开关特性

集电极 - 发射极击穿电压

（ IC = -10 MADC ， IB = 0 ）

V（ BR ） CEO

BC636

BC638

BC640

V（ BR ） CBO

BC636

BC638

BC640

V（ BR ） EBO

ICBO

—

–100

–10

NADC

μAdc

–45

–60

–80

–5.0

—

VDC

–45

–60

–80

—

VDC

集电极 - 基极击穿电压

（ IC = -100

μAdc ，

IE = 0 ）

发射极 - 基极击穿电压

（IE = -10

MADC ，

IC = 0）

收藏家Cuto FF电流

（ VCB = -30伏直流， IE = 0 ）

（ VCB = -30伏直流， IE = 0 ， TA = 125°C ）

基本特征（ 1 ）

直流电流增益

（ IC = -5.0 MADC ， VCE = -2.0 V直流）

（ IC = -150 MADC ， VCE = -2.0 V直流）

的hFE

BC636

BC636–16

BC638

BC640

BC640–16

VCE （ SAT ）

VBE （ON）的

100

—

–0.25

–0.5

—

250

160

250

—

–0.5

—

–1.0

VDC

—

（ IC = -500毫安， VCE = -2.0 V ）

集电极 - 发射极饱和电压

（ IC = -500 MADC ， IB = -50 MADC ）

基射极电压ON

（ IC = -500 MADC ， VCE = -2.0 V直流）

动态特性

电流增益 - 带宽积

（ IC = -50 MADC ， VCE = -2.0伏， F = 100兆赫）

输出电容

（ VCB = -10伏直流， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）

输入电容

（ VEB = -0.5伏， IC = 0 ， F = 1.0兆赫）

1.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

占空比2.0 ％。

COB

兴业银行

—

150

9.0

110

—

兆赫

http://onsemi.com

BC636 ， BC636-16 ， BC638 ， BC640 ， BC640-16

-1000

-500

IC ，集电极电流（毫安）

-200

-100

-50

-20

-10

-5

-2

-1

PD TA 25℃

PD TC 25℃

BC636

BC638

BC640

PD TA 25℃

PD TC 25℃

SOA = 1S

的hFE ， DC电流增益

200

-A

100

-L

500

VCE = -2 V

-B

-2 -3 -4 -5 -7 -10

-20 -30-40 -50 -70 -100

VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）

-1

-3

-5

-10

-30 -50 -100

IC ，集电极电流（毫安）

-300 -500 -1000

图1.活动区的安全工作区

带宽积（兆赫）

图2.直流电流增益

500

300

V，电压（V ）

-1

-0.8

-0.6

-0.4

-0.2

VCE （SAT） @ IC / IB = 10

VBE （星期六） @ IC / IB = 10

VBE （ ON） @ VCE = -2 V

100

VCE = -2 V

F T ，电流增益

-1

-10

-100

IC ，集电极电流（毫安）

-1000

-1

-100

-10

IC ，集电极电流（毫安）

-1000

图3.电流增益带宽积

图4. “饱和度”和“开”电压

V，温度系数（MV /

-0.2

-1.0

VCE = -2伏

= 0 ° C至+ 100°C

V的VBE

-1.6

-2.2

-1

-3

-5

-10

-30 -50 -100

IC ，集电极电流（毫安）

-300 -500 -1000

图5.温度系数

http://onsemi.com

BC636 ， BC636-16 ， BC638 ， BC640 ， BC640-16

包装尺寸

TO–92

(TO–226)

CASE 29-11

ISSUE AL

座位

飞机

注意事项：

1.尺寸和公差符合ANSI

Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：英寸。

3.轮廓的包装BEYOND尺寸R

不加控制。

4. LEAD维不受控制IN P和

BEYOND尺寸k最低限度。

英寸

民

最大

0.175

0.205

0.170

0.210

0.125

0.165

0.016

0.021

0.045

0.055

0.095

0.105

0.015

0.020

0.500

---

0.250

---

0.080

0.105

---

0.100

0.115

---

0.135

---

MILLIMETERS

民

最大

4.45

5.20

4.32

5.33

3.18

4.19

0.407

0.533

1.15

1.39

2.42

2.66

0.39

0.50

12.70

---

6.35

---

2.04

2.66

---

2.54

2.93

---

3.43

---

X X

第X-X

暗淡

风格14 ：

PIN 1.辐射源

2.收集

3. BASE

安森美半导体

和

是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留修改的权利

恕不另行通知这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定的任何保证，声明或担保

目的，也不SCILLC承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，并明确拒绝承担任何责任，

包括但不限于特殊，间接或附带损失。这可能SCILLC数据表提供“典型”参数和/或

规格可以做不同在不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数，包括“典型”必须是

验证每个客户的客户应用的技术专家。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。

SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序

旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况或

可能会出现死亡。如果买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有

SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的

直接或间接引起的，律师费，人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔，即使此类索赔

称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是一个机会均等/肯定行动雇主。

出版物订货信息

文学履行：

安森美半导体文学配送中心

P.O.盒5163 ，丹佛，科罗拉多州80217美国

电话：

303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大

传真：

303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大

电子邮件：

ONlit@hibbertco.com

N.美国技术支持：

800-282-9855免费电话美国/加拿大

日本：

安森美半导体，日本顾客焦点中心

4-32-1西五反田，品川区，东京，日本141-0031

电话：

81–3–5740–2700

电子邮件：

r14525@onsemi.com

安森美半导体网站：

http://onsemi.com

有关更多信息，请联系您当地的

销售代表。

http://onsemi.com

BC636/D

分立半导体

数据表

书， halfpage

M3D186

BC636 ; BC638 ; BC640

PNP中功率晶体管

产品speci fi cation

取代1997年的数据3月7日

1999年04月23

飞利浦半导体

产品speci fi cation

PNP中功率晶体管

特点

大电流（最大1 A）

低电压（最大80 V）。

应用

音频和视频放大器。

描述

PNP中功率晶体管采用TO -92 ; SOT54塑料

封装。 NP补充： BC635 ， BC637和BC639 。

手册， halfpage

BC636 ; BC638 ; BC640

钉扎

针

BASE

集热器

辐射源

描述

MAM285

Fig.1

简化外形（ TO- 92 ; SOT54 ）

和符号。

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

CBO

BC636

BC638

BC640

首席执行官

集电极 - 发射极电压

BC636

BC638

BC640

EBO

合计

英镑

AMB

记

1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

峰值集电极电流

峰值电流基地

总功耗

储存温度

结温

工作环境温度

AMB

≤

°C;

注1

集电极开路

开基

1.5

200

0.83

+150

150

+150

°C

参数

集电极 - 基极电压

条件

发射极开路

100

分钟。

马克斯。

单位

1999年04月23

飞利浦半导体

产品speci fi cation

PNP中功率晶体管

热特性

符号

日J-一

记

1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。

特征

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

CBO

EBO

参数

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

条件

= 0; V

参数

从结点到环境的热阻

条件

注1

BC636 ; BC638 ; BC640

价值

150

单位

K / W

分钟。

100

马克斯。

100

250

160

250

0.5

1.6

单位

= 0; V

V ;牛逼

= 150

°C

= 0; V

V ;见图2

150

500

直流电流增益

BC636-10

BC636-16 ; BC638-16 ; BC640-16

CESAT

FE1

-----------

FE2

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压

跃迁频率

的直流电流增益比

互补对

500

毫安;我

500

毫安; V

= 150毫安;

= 2 V

150

毫安; V

V ;见图2

兆赫

毫安; V

V ; F = 100 MHz的100

1999年04月23

飞利浦半导体

产品speci fi cation

PNP中功率晶体管

BC636 ; BC638 ; BC640

手册，全页宽

160

MBH730

的hFE

120

VCE =

IC （MA ）

图2直流电流增益;典型值。

1999年04月23

飞利浦半导体

产品speci fi cation

PNP中功率晶体管

包装外形

塑料单端含铅（通孔）包; 3引线

BC636 ; BC638 ; BC640

SOT54

2.5

规模

5 mm

外形尺寸（mm是原始尺寸）

单位

5.2

5.0

0.48

0.40

0.66

0.56

0.45

0.40

4.8

4.4

1.7

1.4

4.2

3.6

2.54

1.27

14.5

12.7

(1)

2.5

记

这个区域内的终端1.尺寸不受控制允许流胶和终端违规行为。

概要

VERSION

SOT54

参考文献：

IEC

JEDEC

TO-92

EIAJ

SC-43

欧洲

投影

发行日期

97-02-28

1999年04月23

BC640 ， BC640-16

高电流晶体管

PNP硅

特点

无铅包可用*

http://onsemi.com

集热器

最大额定值

等级

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流 -

器件总功耗@ T

= 25°C

减免上述25℃

器件总功耗@ T

= 25°C

减免上述25℃

工作和存储结

温度范围

符号

首席执行官

CBO

EBO

, T

英镑

价值

5.0

0.5

625

5.0

1.5

-55到+150

单位

VDC

ADC

毫瓦/°C的

°C

TO92

CASE 29

14风格

BASE

辐射源

热特性

特征

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

符号

qJA

QJC

最大

200

83.3

单位

° C / W

直引线

散装

BENT LEAD

磁带&卷轴

弹药包

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

标记DIAGRAMS

640

AYWW

BC64

016

AYWW

=大会地点

=年

=工作周

= Pb-Free包装

（注：微球可在任一位置）

*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请

下载安森美半导体焊接与安装技术

参考手册， SOLDERRM / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2007年

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册的第2页。

2007年3月 - 修订版0

出版订单号：

BC640/D

BC640 ， BC640-16

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

集电极 - 发射极击穿电压

= -10 MADC ，我

= 0)

集电极 - 基极击穿电压

= 100

MADC ，

= 0)

发射极 - 基极击穿电压

= 10

MADC ，

= 0)

收藏家Cuto FF电流

= -30伏直流，我

= 0)

= -30伏直流，我

= 0, T

= 125°C)

基本特征

（注1 ）

直流电流增益

= -5.0 MADC ，V

= -2.0 V直流）

= -150 MADC ，V

= -2.0 V直流）

= -500毫安，V

= 2.0 V)

集电极 - 发射极饱和电压

= -500 MADC ，我

= -50 MADC ）

基地 - 发射极电压上

= -500 MADC ，V

= -2.0 V直流）

动态特性

电流增益 - 带宽积

= -50 MADC ，V

= -2.0伏， F = 100兆赫）

输出电容

= -10伏直流，我

= 0中，f = 1.0 MHz）的

输入电容

= -0.5伏，我

= 0中，f = 1.0 MHz）的

1.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

女士，

占空比2.0 ％。

110

9.0

150

兆赫

CE （ SAT ）

BE（上）

1.0

BC640

BC64016

100

0.25

0.5

160

250

0.5

VDC

（ BR ） CEO

（ BR ） CBO

（ BR ） EBO

CBO

100

NADC

MADC

5.0

VDC

符号

民

典型值

最大

单位

订购信息

设备

BC640G

BC640ZL1G

BC64016

BC64016G

包

TO92

（无铅）

TO92

（无铅）

TO92

（无铅）

航运

5000单位/散装

2000单位/弹药盒

5000单位/散装

http://onsemi.com

BC640 ， BC640-16

1000

500

IC ，集电极电流（毫安）

200

100

25°C

BC636

BC638

BC640

25°C

SOA = 1S

的hFE ， DC电流增益

200

100

500

= 2 V

2 3 4 5 7 10

20 3040 50 70 100

，集电极 - 发射极电压（伏）

30 50 100

，集电极电流（毫安）

300 500 1000

图1.活动区的安全工作区

带宽积（兆赫）

图2.直流电流增益

500

300

V，电压（V ）

0.8

0.6

0.4

0.2

CE （ SAT ）

@ I

= 10

BE （ SAT ）

@ I

= 10

BE（上）

@ V

= 2 V

100

= 2 V

F T ，电流增益

100

，集电极电流（毫安）

1000

100

，集电极电流（毫安）

1000

图3.电流增益带宽积

图4. “饱和度”和“开”电压

V，温度系数（MV /

0.2

1.0

= -2伏

= 0 ° C至+ 100°C

对于V

1.6

2.2

30 50 100

，集电极电流（毫安）

300 500 1000

图5.温度系数

http://onsemi.com

BC640 ， BC640-16

包装尺寸

TO-92 （TO- 226）

CASE 29-11

ISSUE AM

座位

飞机

注意事项：

1.尺寸和公差符合ANSI

Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：英寸。

3.轮廓的包装BEYOND尺寸R

不加控制。

4. LEAD维不受控制IN P和

BEYOND尺寸k最低限度。

暗淡

英寸

民

最大

0.175

0.205

0.170

0.210

0.125

0.165

0.016

0.021

0.045

0.055

0.095

0.105

0.015

0.020

0.500

0.250

0.080

0.105

0.100

0.115

0.135

MILLIMETERS

民

最大

4.45

5.20

4.32

5.33

3.18

4.19

0.407

0.533

1.15

1.39

2.42

2.66

0.39

0.50

12.70

6.35

2.04

2.66

2.54

2.93

3.43

直引线

散装

X X

第X-X

BENT LEAD

磁带&卷轴

弹药包

座位

飞机

注意事项：

1.尺寸和公差PER

ASME Y14.5M ， 1994年。

2.控制尺寸：毫米。

3.轮廓包装超越

尺寸R不受控制。

4.铅尺寸不可控IN P

AND BEYOND尺寸k最低限度。

MILLIMETERS

民

最大

4.45

5.20

4.32

5.33

3.18

4.19

0.40

0.54

2.40

2.80

0.39

0.50

12.70

2.04

2.66

1.50

4.00

2.93

3.43

风格14 ：

PIN 1.辐射源

2.收集

3. BASE

X X

第X-X

暗淡

安森美半导体

和

是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利

这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任

由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。

这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有

运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可

也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序

旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应

买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，

和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害

与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等

机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。

出版物订货信息

文学履行：

安森美半导体文学配送中心

P.O.盒5163 ，丹佛，科罗拉多州80217美国

电话：

303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大

传真：

303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大

电子邮件：

orderlit@onsemi.com

N.美国技术支持：

免费电话800-282-9855

美国/加拿大

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BC640/D

BC636 ， BC636-16 ， BC638 ，

BC640 ， BC640-16

高电流晶体管

PNP硅

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最大额定值

等级

集电极 - 发射极电压

BC636

BC638

BC640

集电极 - 基极电压

BC636

BC638

BC640

发射极 - 基极电压

连续集电极电流 -

器件总功耗

@ TA = 25°C

减免上述25℃

器件总功耗

@ TC = 25°C

减免上述25℃

工作和存储结

温度范围

VEBO

625

5.0

1.5

TJ ， TSTG

-55

+150

瓦

毫瓦/°C的

°C

毫瓦/°C的

VCBO

–45

–60

–80

–5.0

–0.5

VDC

ADC

符号

VCEO

–45

–60

–80

VDC

价值

单位

VDC

BASE

集热器

辐射源

CASE 29

TO–92

14风格

热特性

特征

热阻，

结到环境

热阻，

结到外壳

符号

θJA

θJC

最大

200

83.3

单位

° C / W

订购信息

° C / W

设备

BC636

BC636ZL1

BC636–16ZL1

BC638

BC638ZL1

BC640

BC640ZL1

BC640–16

包

TO–92

航运

5000单位/箱

2000 /弹药包

5000单位/箱

2000 /弹药包

5000单位/箱

2000 /弹药包

5000单位/箱

半导体元件工业有限责任公司， 2001年

2000年6月 - 第1版

出版订单号：

BC636/D

BC636 ， BC636-16 ， BC638 ， BC640 ， BC640-16

电气特性

（ TA = 25° C除非另有说明）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

开关特性

集电极 - 发射极击穿电压

（ IC = -10 MADC ， IB = 0 ）

V（ BR ） CEO

BC636

BC638

BC640

V（ BR ） CBO

BC636

BC638

BC640

V（ BR ） EBO

ICBO

—

–100

–10

NADC

μAdc

–45

–60

–80

–5.0

—

VDC

–45

–60

–80

—

VDC

集电极 - 基极击穿电压

（ IC = -100

μAdc ，

IE = 0 ）

发射极 - 基极击穿电压

（IE = -10

MADC ，

IC = 0）

收藏家Cuto FF电流

（ VCB = -30伏直流， IE = 0 ）

（ VCB = -30伏直流， IE = 0 ， TA = 125°C ）

基本特征（ 1 ）

直流电流增益

（ IC = -5.0 MADC ， VCE = -2.0 V直流）

（ IC = -150 MADC ， VCE = -2.0 V直流）

的hFE

BC636

BC636–16

BC638

BC640

BC640–16

VCE （ SAT ）

VBE （ON）的

100

—

–0.25

–0.5

—

250

160

250

—

–0.5

—

–1.0

VDC

—

（ IC = -500毫安， VCE = -2.0 V ）

集电极 - 发射极饱和电压

（ IC = -500 MADC ， IB = -50 MADC ）

基射极电压ON

（ IC = -500 MADC ， VCE = -2.0 V直流）

动态特性

电流增益 - 带宽积

（ IC = -50 MADC ， VCE = -2.0伏， F = 100兆赫）

输出电容

（ VCB = -10伏直流， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）

输入电容

（ VEB = -0.5伏， IC = 0 ， F = 1.0兆赫）

1.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

占空比2.0 ％。

COB

兴业银行

—

150

9.0

110

—

兆赫

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BC636 ， BC636-16 ， BC638 ， BC640 ， BC640-16

-1000

-500

IC ，集电极电流（毫安）

-200

-100

-50

-20

-10

-5

-2

-1

PD TA 25℃

PD TC 25℃

BC636

BC638

BC640

PD TA 25℃

PD TC 25℃

SOA = 1S

的hFE ， DC电流增益

200

-A

100

-L

500

VCE = -2 V

-B

-2 -3 -4 -5 -7 -10

-20 -30-40 -50 -70 -100

VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）

-1

-3

-5

-10

-30 -50 -100

IC ，集电极电流（毫安）

-300 -500 -1000

图1.活动区的安全工作区

带宽积（兆赫）

图2.直流电流增益

500

300

V，电压（V ）

-1

-0.8

-0.6

-0.4

-0.2

VCE （SAT） @ IC / IB = 10

VBE （星期六） @ IC / IB = 10

VBE （ ON） @ VCE = -2 V

100

VCE = -2 V

F T ，电流增益

-1

-10

-100

IC ，集电极电流（毫安）

-1000

-1

-100

-10

IC ，集电极电流（毫安）

-1000

图3.电流增益带宽积

图4. “饱和度”和“开”电压

V，温度系数（MV /

-0.2

-1.0

VCE = -2伏

= 0 ° C至+ 100°C

V的VBE

-1.6

-2.2

-1

-3

-5

-10

-30 -50 -100

IC ，集电极电流（毫安）

-300 -500 -1000

图5.温度系数

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包装尺寸

TO–92

(TO–226)

CASE 29-11

ISSUE AL

座位

飞机

注意事项：

1.尺寸和公差符合ANSI

Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：英寸。

3.轮廓的包装BEYOND尺寸R

不加控制。

4. LEAD维不受控制IN P和

BEYOND尺寸k最低限度。

英寸

民

最大

0.175

0.205

0.170

0.210

0.125

0.165

0.016

0.021

0.045

0.055

0.095

0.105

0.015

0.020

0.500

---

0.250

---

0.080

0.105

---

0.100

0.115

---

0.135

---

MILLIMETERS

民

最大

4.45

5.20

4.32

5.33

3.18

4.19

0.407

0.533

1.15

1.39

2.42

2.66

0.39

0.50

12.70

---

6.35

---

2.04

2.66

---

2.54

2.93

---

3.43

---

X X

第X-X

暗淡

风格14 ：

PIN 1.辐射源

2.收集

3. BASE

安森美半导体

和

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