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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第638页 > BC639ZL1G
BC637 , BC639 , BC639-16
高电流晶体管
NPN硅
特点
这些无铅器件*
http://onsemi.com
集热器
2
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
BC637
BC639
集电极 - 基极电压
BC637
BC639
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
V
EBO
I
C
P
D
P
D
T
J
, T
英镑
V
CBO
60
80
5.0
1.0
625
5.0
800
12
-55到+150
VDC
ADC
mW
毫瓦/°C的
mW
毫瓦/°C的
°C
TO92
CASE 29
14风格
符号
V
首席执行官
60
80
VDC
价值
单位
VDC
3
BASE
1
辐射源
3
直引线
散装
12
1
热特性
特征
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
符号
R
qJA
R
QJC
最大
200
83.3
单位
° C / W
° C / W
3
BENT LEAD
磁带&卷轴
弹药包
2
标记DIAGRAMS
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
BC
63x
AYWW
G
G
BC63
916
AYWW
G
G
x
= 7或9的
A
=大会地点
Y
=年
WW =工作周
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册, SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2007年
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
1
2007年3月 - 修订版0
出版订单号:
BC637/D
BC637 , BC639 , BC639-16
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压(注1 )
(I
C
= 10
MADC ,
I
B
= 0)
集电极 - 发射极零栅极击穿电压(注1 )
(I
C
= 100
MADC ,
I
B
= 0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 100
MADC ,
I
E
= 0)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 10
MADC ,
I
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 30伏直流电,我
E
= 0)
(V
CB
= 30伏直流电,我
E
= 0, T
A
= 125°C)
基本特征
(注1 )
直流电流增益
(I
C
= 5.0 MADC ,V
CE
= 2.0伏)
(I
C
= 150 MADC ,V
CE
= 2.0伏)
(I
C
= 500毫安, V
CE
= 2.0 V)
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 500 MADC ,我
B
= 50 MADC )
基地 - 发射极电压上
(I
C
= 500 MADC ,V
CE
= 2.0伏)
动态特性
电流增益 - 带宽积
(I
C
= 50 MADC ,V
CE
= 2.0伏, F = 100兆赫)
输出电容
(V
CB
= 10 VDC ,我
E
= 0中,f = 1.0 MHz)的
输入电容
(V
EB
= 0.5伏,我
C
= 0中,f = 1.0 MHz)的
1.脉冲测试:脉冲宽度
300
女士,
占空比2.0 % 。
f
T
C
ob
C
ib
50
7.0
pF
200
pF
兆赫
V
CE ( SAT )
V
BE(上)
1.0
0.5
VDC
h
FE
BC637
BC639
BC63916ZLT1
25
40
40
100
25
160
160
250
VDC
V
( BR ) CEO
BC637
BC639
V
( BR ) CES
BC63916
V
( BR ) CBO
BC637
BC639
V
( BR ) EBO
I
CBO
100
10
NADC
MADC
60
80
5.0
VDC
120
VDC
60
80
VDC
VDC
符号
典型值
最大
单位
订购信息
设备
BC637G
BC639G
BC639RL1G
BC639ZL1G
BC63916ZL1G
TO92
(无铅)
TO92
(无铅)
TO92
(无铅)
TO92
(无铅)
TO92
(无铅)
航运
5000单位/散装
5000单位/散装
2000 /磁带&卷轴
2000 /弹药盒
2000 /弹药盒
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册, BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
2
BC637 , BC639 , BC639-16
1000
500
IC ,集电极电流(毫安)
200
100
50
20
10
5
2
1
1
P
D
T
A
25°C
P
D
T
C
25°C
BC635
BC637
BC639
100
P
D
T
A
25°C
P
D
T
C
25°C
SOA = 1S
的hFE , DC电流增益
200
500
V
CE
= 2 V
100
50
2
3 4 5
7 10
20 30 40 50 70
V
CE
,集电极 - 发射极电压(伏)
20
1
3
5
10
30 50 100
I
C
,集电极电流(毫安)
300 500
1000
图1.活动区的安全工作区
带宽积(兆赫)
图2.直流电流增益
500
300
V,电压(V )
1
0.8
0.6
0.4
0.2
V
CE ( SAT )
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE ( SAT )
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE(上)
@ V
CE
= 2 V
100
V
CE
= 2 V
F T ,电流增益
50
20
1
10
100
I
C
,集电极电流(毫安)
1000
0
1
10
100
I
C
,集电极电流(毫安)
1000
图3.电流增益 - 带宽积
图4. “饱和度”和“开”电压
θ
V,温度系数(MV /
°
C)
0.2
1.0
V
CE
- 2伏
DT
= 0 ° C至+ 100°C
q
V
对于V
BE
1.6
2.2
1
3
5
10
30 50
100
I
C
,集电极电流(毫安)
300 500
1000
图5.温度系数
http://onsemi.com
3
BC637 , BC639 , BC639-16
包装尺寸
TO-92 (TO- 226)
CASE 29-11
ISSUE AM
A
R
P
L
座位
飞机
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.轮廓的包装BEYOND尺寸R
不加控制。
4. LEAD维不受控制IN P和
BEYOND尺寸k最低限度。
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
N
P
R
V
英寸
最大
0.175
0.205
0.170
0.210
0.125
0.165
0.016
0.021
0.045
0.055
0.095
0.105
0.015
0.020
0.500
0.250
0.080
0.105
0.100
0.115
0.135
MILLIMETERS
最大
4.45
5.20
4.32
5.33
3.18
4.19
0.407
0.533
1.15
1.39
2.42
2.66
0.39
0.50
12.70
6.35
2.04
2.66
2.54
2.93
3.43
B
直引线
散装
K
X X
G
H
V
1
D
J
C
第X-X
N
N
R
A
B
BENT LEAD
磁带&卷轴
弹药包
P
T
座位
飞机
注意事项:
1.尺寸和公差PER
ASME Y14.5M , 1994年。
2.控制尺寸:毫米。
3.轮廓包装超越
尺寸R不受控制。
4.铅尺寸不可控IN P
AND BEYOND尺寸k最低限度。
MILLIMETERS
最大
4.45
5.20
4.32
5.33
3.18
4.19
0.40
0.54
2.40
2.80
0.39
0.50
12.70
2.04
2.66
1.50
4.00
2.93
3.43
风格14 :
PIN 1.辐射源
2.收集
3. BASE
K
X X
G
D
J
V
C
第X-X
N
1
暗淡
A
B
C
D
G
J
K
N
P
R
V
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留随时更改,恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保,声明或保证,也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用,并特别声明,任何和所有责任,包括但不限于特殊,间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格,可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,或其他应用程序
旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并SCILLC及其高级人员,雇员,子公司,关联公司,
和分销商对所有索赔,费用,损失,费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关,即使此类索赔称, SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律,并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行:
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ,丹佛,科罗拉多州80217美国
电话:
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真:
303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件:
orderlit@onsemi.com
N.美国技术支持:
免费电话800-282-9855
美国/加拿大
欧洲,中东和非洲技术支持:
电话: 421 33 790 2910
日本以客户为中心中心
电话: 81-3-5773-3850
安森美半导体网站: www.onsemi.com
为了文学:
http://www.onsemi.com/orderlit
有关更多信息,请联系您当地的
销售代表
http://onsemi.com
4
BC637/D
BC637 , BC639 , BC639-16
高电流晶体管
NPN硅
特点
这些无铅器件*
http://onsemi.com
集热器
2
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
BC637
BC639
BC637
BC639
符号
V
首席执行官
价值
60
80
60
80
5.0
1.0
625
5.0
800
12
55
+150
单位
VDC
1
辐射源
3
BASE
集电极 - 基极电压
V
CBO
VDC
发射极 - 基极电压
集电极电流
连续
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
V
EBO
I
C
P
D
P
D
T
J
, T
英镑
VDC
ADC
mW
毫瓦/°C的
mW
毫瓦/°C的
°C
TO92
CASE 29
14风格
12
1
2
3
直引线
散装
热特性
特征
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
符号
R
qJA
R
QJC
最大
200
83.3
单位
° C / W
° C / W
3
BENT LEAD
磁带&卷轴
弹药包
标记DIAGRAMS
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
BC
63x
AYWW
G
G
BC63
916
AYWW
G
G
x
= 7或9的
A
=大会地点
Y
=年
WW =工作周
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册, SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2011
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
2011年2月
第1版
1
出版订单号:
BC637/D
BC637 , BC639 , BC639-16
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
集热器
发射极击穿电压(注1 )
(I
C
= 10
MADC ,
I
B
= 0)
集热器
发射零栅极击穿电压(注1 )
(I
C
= 100
MADC ,
I
B
= 0)
集热器
基极击穿电压
(I
C
= 100
MADC ,
I
E
= 0)
辐射源
基极击穿电压
(I
E
= 10
MADC ,
I
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 30伏直流电,我
E
= 0)
(V
CB
= 30伏直流电,我
E
= 0, T
A
= 125°C)
基本特征
(注1 )
直流电流增益
(I
C
= 5.0 MADC ,V
CE
= 2.0伏)
(I
C
= 150 MADC ,V
CE
= 2.0伏)
(I
C
= 500毫安, V
CE
= 2.0 V)
集热器
发射极饱和电压
(I
C
= 500 MADC ,我
B
= 50 MADC )
BASE
发射器上的电压
(I
C
= 500 MADC ,V
CE
= 2.0伏)
动态特性
电流增益
带宽积
(I
C
= 50 MADC ,V
CE
= 2.0伏, F = 100兆赫)
输出电容
(V
CB
= 10 VDC ,我
E
= 0中,f = 1.0 MHz)的
输入电容
(V
EB
= 0.5伏,我
C
= 0中,f = 1.0 MHz)的
1.脉冲测试:脉冲宽度
300
女士,
占空比2.0 % 。
f
T
C
ob
C
ib
200
7.0
50
兆赫
pF
pF
h
FE
BC637
BC639
BC63916ZLT1
V
CE ( SAT )
V
BE(上)
25
40
40
100
25
160
160
250
0.5
1.0
BC637
BC639
BC63916
BC637
BC639
V
( BR ) CEO
60
80
120
60
80
5.0
VDC
符号
典型值
最大
单位
V
( BR ) CES
V
( BR ) CBO
VDC
VDC
V
( BR ) EBO
I
CBO
VDC
100
10
NADC
MADC
VDC
VDC
订购信息
设备
BC637G
BC637RL1G
BC639G
BC639RL1G
BC639ZL1G
BC63916ZL1G
TO92
(无铅)
TO92
(无铅)
TO92
(无铅)
TO92
(无铅)
TO92
(无铅)
TO92
(无铅)
航运
5000单位/散装
2000 /磁带&卷轴
5000单位/散装
2000 /磁带&卷轴
2000 /弹药盒
2000 /弹药盒
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册, BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
2
BC637 , BC639 , BC639-16
1000
500
IC ,集电极电流(毫安)
200
100
50
20
10
5
2
1
1
P
D
T
A
25°C
P
D
T
C
25°C
BC635
BC637
BC639
100
P
D
T
C
25°C
P
D
T
A
25°C
SOA = 1S
的hFE , DC电流增益
200
500
V
CE
= 2 V
100
50
2
3 4 5
7 10
20 30 40 50 70
V
CE
,集电极 - 发射极电压(伏)
20
1
3
5
10
30 50 100
I
C
,集电极电流(毫安)
300 500
1000
图1.活动区的安全工作区
F T ,电流增益 - 带宽积(兆赫)
图2.直流电流增益
500
300
V,电压(V )
1
0.8
V
BE ( SAT )
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE(上)
@ V
CE
= 2 V
V
CE
= 2 V
100
0.6
0.4
50
0.2
V
CE ( SAT )
@ I
C
/I
B
= 10
20
1
10
100
I
C
,集电极电流(毫安)
1000
0
1
10
100
I
C
,集电极电流(毫安)
1000
图3.电流增益 - 带宽积
图4. “饱和度”和“开”电压
θ
V,温度系数(MV /
°
C)
-0.2
-1.0
V
CE
- 2伏
DT
= 0 ° C至+ 100°C
q
V
对于V
BE
-2.2
1
3
5
10
30 50
100
I
C
,集电极电流(毫安)
300 500
1000
-1.6
图5.温度系数
http://onsemi.com
3
BC637 , BC639 , BC639-16
包装尺寸
TO-92 (TO- 226)
CASE 29-11
ISSUE AM
A
R
P
L
座位
飞机
B
直引线
散装
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.轮廓的包装BEYOND尺寸R
不加控制。
4. LEAD维不受控制IN P和
BEYOND尺寸k最低限度。
英寸
最大
0.175
0.205
0.170
0.210
0.125
0.165
0.016
0.021
0.045
0.055
0.095
0.105
0.015
0.020
0.500
---
0.250
---
0.080
0.105
---
0.100
0.115
---
0.135
---
MILLIMETERS
最大
4.45
5.20
4.32
5.33
3.18
4.19
0.407
0.533
1.15
1.39
2.42
2.66
0.39
0.50
12.70
---
6.35
---
2.04
2.66
---
2.54
2.93
---
3.43
---
K
X X
H
V
1
D
G
J
C
N
N
第X-X
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
N
P
R
V
R
A
B
BENT LEAD
磁带&卷轴
弹药包
P
T
座位
飞机
注意事项:
1.尺寸和公差PER
ASME Y14.5M , 1994年。
2.控制尺寸:毫米。
3.轮廓包装超越
尺寸R不受控制。
4.铅尺寸不可控IN P
AND BEYOND尺寸k最低限度。
MILLIMETERS
最大
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风格14 :
PIN 1.辐射源
2.收集
3. BASE
K
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