飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN型中功率晶体管
特点
大电流（最大1 A）
低电压（最大80 V） 。
应用
音频/视频放大器驱动阶段。
描述
NPN晶体管在TO -92 ; SOT54塑料包装。
PNP补充： BC636 ， BC638和BC640 。
钉扎
针
1
2
3
BC635 ; BC637 ; BC639
描述
BASE
集热器
辐射源
1
手册， halfpage
2
3
2
1
3
MAM259
Fig.1
简化外形（ TO- 92 ; SOT54 ）
和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
BC635
BC637
BC639
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BC635
BC637
BC639
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C
集电极开路
开基
65
65
45
60
80
5
1
1.5
200
0.83
+150
150
+150
V
V
V
V
A
A
mA
W
°C
°C
°C
参数
集电极 - 基极电压
条件
发射极开路
45
60
100
V
V
V
分钟。
马克斯。
单位
1999年04月23
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN型中功率晶体管
热特性
符号
R
日J-一
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
E
= 0; V
CB
= 30 V
参数
从结点到环境的热阻
BC635 ; BC637 ; BC639
条件
注1
价值
150
单位
K / W
分钟。
40
63
25
63
100
马克斯。
100
10
100
250
160
250
500
1
1.6
单位
nA
A
nA
I
E
= 0; V
CB
= 30 V ;牛逼
j
= 150
°C
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
V
CE
= 2 V ;见图2
I
C
= 5毫安
I
C
= 150毫安
I
C
= 500毫安
直流电流增益
BC639-10
BC635-16 ; BC637-16 ; BC639-16
V
CESAT
V
BE
f
T
h
FE1
-----------
h
FE2
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
的直流电流增益比
互补对
I
C
= 500毫安;我
B
= 50毫安
I
C
= 500毫安; V
CE
= 2 V
I
C
= 50毫安; V
CE
= 5 V ; F = 100 MHz的
I
C
= 150毫安;
V
CE
= 2 V
I
C
= 150毫安; V
CE
= 2 V ;见图2
100
mV
V
兆赫
1999年04月23
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN型中功率晶体管
包装外形
塑料单端含铅（通孔）包; 3引线
BC635 ; BC637 ; BC639
SOT54
c
E
d
A
L
b
1
D
2
e1
e
3
b
1
L1
0
2.5
规模
5 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
5.2
5.0
b
0.48
0.40
b1
0.66
0.56
c
0.45
0.40
D
4.8
4.4
d
1.7
1.4
E
4.2
3.6
e
2.54
e1
1.27
L
14.5
12.7
L1
(1)
2.5
记
这个区域内的终端1.尺寸不受控制允许流胶和终端违规行为。
概要
VERSION
SOT54
参考文献：
IEC
JEDEC
TO-92
EIAJ
SC-43
欧洲
投影
发行日期
97-02-28
1999年04月23
5
MCC
微型商业组件
TM
?????????? ?????? omponents
20736玛丽拉
街道查茨沃斯
???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
BC639-10
BC639-16
特点
无铅涂层/符合RoHS （ "P"后缀候
符合RoHS 。参见订购信息）
环氧符合UL 94 V - 0阻燃等级
水分动态敏感度等级1
标记： BC639
NPN外延
硅晶体管
TO-92
最大额定值
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
价值
80
100
5.0
1.0
1
-55到+150
-55到+150
单位
V
V
V
A
W
A
E
B
电气特性@ 25 ° C除非另有说明
符号
参数
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
=1mAdc,I
B
=0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
=100
Adc,I
E
=0)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
=100Adc,I
C
=0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 30V直流，我
E
=0)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 5.0VDC ，我
C
=0)
直流电流增益
(V
CE
= 2VDC ，我
C
=5mAdc)
(V
CE
= 2VDC ，我
C
=150mAdc)
BC639-10
(V
CE
= 2VDC ，我
C
=150mAdc)
BC639-16
(V
CE
= 2VDC ，我
C
=500mAdc)
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
=500mAdc,I
B
=50mAdc)
基射极电压
(I
C
= 500mAdc ，V
CE
=2Vdc)
跃迁频率
(V
CE
= 5.0VDC ，我
C
= 50mAdc ， F = 100MHz时）
民
典型值
最大
单位
C
开关特性
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
80
100
5.0
---
---
25
63
100
25
---
---
100
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
0.1
0.1
---
160
250
---
0.5
1.0
---
VDC
VDC
VDC
-ADC
-ADC
---
---
---
---
VDC
VDC
兆赫
暗淡
A
B
C
D
E
G
D
E
G
尺寸
英寸
民
.170
.170
.550
.010
.130
.096
C
B
V
CE （ SAT ）
V
BE
f
T
MM
最大
.190
.190
.590
.020
.160
.104
民
4.33
4.30
13.97
0.36
3.30
2.44
最大
4.83
4.83
14.97
0.56
3.96
2.64
记
修改：
A
www.mccsemi.com
1作者：
3
2011/01/01
MCC
微型商业组件
TM
订购信息：
设备
型号-AP
型号-BP
填料
弹药包装：
2Kpcs/Ammo
箱
BULK ：
100Kpcs/Carton
***重要提示***
微型商业组件公司
保留随时更改，恕不另行通知任何产品在此向右
进行更正，修改，增强，改进或其它更改。
微型商业组件
公司。
不承担因本文所述的任何产品的应用或使用任何责任;它也不
转达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有
这样的使用和风险会同意举行
微型商业组件公司。
和其产品都是公司
代表我们的网站上，反对一切损害无害。
***生命支持***
未经明确的书面MCC的产品不得用于生命支持设备或系统使用的关键部件
微审批商业组件公司。
***客户意识***
半导体部分假冒是在行业内日益严重的问题。微型商业组件（ MCC ）正在
强有力的措施保护自己和我们的客户从假冒伪劣配件泛滥。 MCC大力鼓励
客户可以直接从MCC或谁是对上市按国家授权分销商MCC MCC采购零部件
我们的网页引用
下文。
产品购买客户无论是从MCC直接或授权分销商MCC均为正品
件，具有完整的可追溯性，满足MCC的质量标准进行处理和存储。
MCC将不提供任何保修
覆盖或其他援助的零件未经授权来源购买。
MCC致力于打击这一全球
的问题，并鼓励我们的客户尽自己的一份制止这种做法通过购买或直接从授权
分销商。
www.mccsemi.com
修订版：A
3
of
3
2011/01/01
3
BC637 ， BC639 ， BC639-16
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压（注1 ）
(I
C
= 10
MADC ，
I
B
= 0)
集电极 - 发射极零栅极击穿电压（注1 ）
(I
C
= 100
MADC ，
I
B
= 0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 100
MADC ，
I
E
= 0)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 10
MADC ，
I
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 30伏直流电，我
E
= 0)
(V
CB
= 30伏直流电，我
E
= 0, T
A
= 125°C)
基本特征
（注1 ）
直流电流增益
(I
C
= 5.0 MADC ，V
CE
= 2.0伏）
(I
C
= 150 MADC ，V
CE
= 2.0伏）
(I
C
= 500毫安， V
CE
= 2.0 V)
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 500 MADC ，我
B
= 50 MADC ）
基地 - 发射极电压上
(I
C
= 500 MADC ，V
CE
= 2.0伏）
动态特性
电流增益 - 带宽积
(I
C
= 50 MADC ，V
CE
= 2.0伏， F = 100兆赫）
输出电容
(V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0中，f = 1.0 MHz）的
输入电容
(V
EB
= 0.5伏，我
C
= 0中，f = 1.0 MHz）的
1.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比2.0 ％ 。
f
T
C
ob
C
ib
50
7.0
pF
200
pF
兆赫
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
1.0
0.5
VDC
h
FE
BC637
BC639
BC63916ZLT1
25
40
40
100
25
160
160
250
VDC
V
（ BR ） CEO
BC637
BC639
V
（ BR ） CES
BC63916
V
（ BR ） CBO
BC637
BC639
V
（ BR ） EBO
I
CBO
100
10
NADC
MADC
60
80
5.0
VDC
120
VDC
60
80
VDC
VDC
符号
民
典型值
最大
单位
订购信息
设备
BC637G
BC639G
BC639RL1G
BC639ZL1G
BC63916ZL1G
包
TO92
（无铅）
TO92
（无铅）
TO92
（无铅）
TO92
（无铅）
TO92
（无铅）
航运
5000单位/散装
5000单位/散装
2000 /磁带&卷轴
2000 /弹药盒
2000 /弹药盒
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
2
BC637 ， BC639 ， BC639-16
包装尺寸
TO-92 （TO- 226）
CASE 29-11
ISSUE AM
A
R
P
L
座位
飞机
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.轮廓的包装BEYOND尺寸R
不加控制。
4. LEAD维不受控制IN P和
BEYOND尺寸k最低限度。
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
N
P
R
V
英寸
民
最大
0.175
0.205
0.170
0.210
0.125
0.165
0.016
0.021
0.045
0.055
0.095
0.105
0.015
0.020
0.500
0.250
0.080
0.105
0.100
0.115
0.135
MILLIMETERS
民
最大
4.45
5.20
4.32
5.33
3.18
4.19
0.407
0.533
1.15
1.39
2.42
2.66
0.39
0.50
12.70
6.35
2.04
2.66
2.54
2.93
3.43
B
直引线
散装
K
X X
G
H
V
1
D
J
C
第X-X
N
N
R
A
B
BENT LEAD
磁带&卷轴
弹药包
P
T
座位
飞机
注意事项：
1.尺寸和公差PER
ASME Y14.5M ， 1994年。
2.控制尺寸：毫米。
3.轮廓包装超越
尺寸R不受控制。
4.铅尺寸不可控IN P
AND BEYOND尺寸k最低限度。
MILLIMETERS
民
最大
4.45
5.20
4.32
5.33
3.18
4.19
0.40
0.54
2.40
2.80
0.39
0.50
12.70
2.04
2.66
1.50
4.00
2.93
3.43
风格14 ：
PIN 1.辐射源
2.收集
3. BASE
K
X X
G
D
J
V
C
第X-X
N
1
暗淡
A
B
C
D
G
J
K
N
P
R
V
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行：
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ，丹佛，科罗拉多州80217美国
电话：
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真：
303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件：
orderlit@onsemi.com
N.美国技术支持：
免费电话800-282-9855
美国/加拿大
欧洲，中东和非洲技术支持：
电话： 421 33 790 2910
日本以客户为中心中心
电话： 81-3-5773-3850
安森美半导体网站： www.onsemi.com
为了文学：
http://www.onsemi.com/orderlit
有关更多信息，请联系您当地的
销售代表
http://onsemi.com
4
BC637/D
恩智浦半导体
BC639 ; BCP56 ; BCX56
80 V ，1 A NPN型中功率晶体管
5.极限值
表6 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
BC639
BCP56
BCX56
单脉冲;
t
p
≤
1毫秒
单脉冲;
t
p
≤
1毫秒
T
AMB
≤
25
°C
[1]
[1]
[2]
[1]
[2]
[3]
条件
发射极开路
开基
集电极开路
民
-
-
-
-
-
-
最大
100
80
5
1
1.5
0.2
单位
V
V
V
A
A
A
-
-
-
-
-
-
-
65
65
0.83
0.64
0.96
0.5
0.85
1.25
150
+150
+150
W
W
W
W
W
W
°C
°C
°C
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
[3]
结温
环境温度
储存温度
设备安装在一FR4印刷电路板（PCB） ，单面铜，镀锡和标准
足迹。
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡，安装垫集热1厘米
2
.
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡，安装垫集热6厘米
2
.
BC639_BCP56_BCX56_8
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
牧师08 - 2007年6月22日
4 15
QQ：2880707522 复制
