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BC635 , BC637 , BC639 ,
BC639-16
高电流晶体管
NPN硅
http://onsemi.com
集热器
2
符号
VCEO
BC635
BC637
BC639
集电极 - 基极电压
BC635
BC637
BC639
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗
@ TA = 25°C
减免上述25℃
器件总功耗
@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
VEBO
IC
PD
625
5.0
PD
800
12
TJ , TSTG
-55
+150
mW
毫瓦/°C的
°C
mW
毫瓦/°C的
VCBO
45
60
80
5.0
1.0
VDC
ADC
1
2
3
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
价值
45
60
80
VDC
单位
VDC
3
BASE
1
辐射源
TO-92 (TO- 226AA )
CASE 29
14风格
订购信息
设备
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
航运
2000 /磁带&卷轴
2000 /弹药包
5000单位/箱
5000单位/箱
2000 /磁带&卷轴
2000 /弹药包
2000 /弹药包
单位
° C / W
° C / W
热特性
特征
热阻,
结到环境
热阻,
结到外壳
符号
R
θJA
R
θJC
最大
200
83.3
BC635RL1
BC635ZL1
BC637
BC639
BC639RL1
BC639ZL1
BC639–16ZL1
半导体元件工业有限责任公司, 2001年
1
2000年6月 - 第3版
出版订单号:
BC635/D
BC635 , BC637 , BC639 , BC639-16
电气特性
( TA = 25° C除非另有说明)
特征
符号
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压( 1 )
( IC = 10
MADC ,
IB = 0)的
V( BR ) CEO
BC635
BC637
BC639
V( BR ) CES
120
V( BR ) CBO
BC635
BC637
BC639
V( BR ) EBO
ICBO
100
10
NADC
μAdc
45
60
80
5.0
VDC
VDC
45
60
80
VDC
VDC
集电极 - 发射极零栅极击穿电压( 1 )
( IC = 100
MADC ,
IB = 0)的
BC639–16
集电极 - 基极击穿电压
( IC = 100
μAdc ,
IE = 0 )
发射极 - 基极击穿电压
(IE = 10
MADC ,
IC = 0)
收藏家Cuto FF电流
( VCB = 30伏直流电, IE = 0 )
( VCB = 30伏直流电, IE = 0 , TA = 125°C )
基本特征( 1 )
直流电流增益
( IC = 5.0 MADC , VCE = 2.0 V直流)
( IC = 150 MADC , VCE = 2.0 V直流)
的hFE
BC635
BC637
BC639
BC639–16ZLT1
VCE ( SAT )
VBE (ON)的
25
40
40
40
100
25
250
160
160
250
0.5
1.0
VDC
VDC
( IC = 500 mA时, VCE = 2.0 V)
集电极 - 发射极饱和电压
( IC = 500 MADC , IB = 50 MADC )
基射极电压ON
( IC = 500 MADC , VCE = 2.0 V直流)
动态特性
电流增益 - 带宽积
( IC = 50 MADC , VCE = 2.0伏, F = 100兆赫)
输出电容
( VCB = 10 VDC , IE = 0 , F = 1.0兆赫)
输入电容
( VEB = 0.5伏, IC = 0 , F = 1.0兆赫)
1.脉冲测试:脉冲宽度
300
s,
占空比2.0 % 。
fT
COB
兴业银行
200
7.0
50
兆赫
pF
pF
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2
BC635 , BC637 , BC639 , BC639-16
1000
500
IC ,集电极电流(毫安)
200
100
50
20
10
5
2
1
1
PD TA 25℃
PD TC 25℃
BC635
BC637
BC639
100
PD TA 25℃
PD TC 25℃
SOA = 1S
的hFE , DC电流增益
200
500
VCE = 2 V
100
50
2
3 4 5
7 10
20 30 40 50 70
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
20
1
3
5
10
30 50 100
IC ,集电极电流(毫安)
300 500
1000
图1.活动区的安全工作区
带宽积(兆赫)
图2.直流电流增益
500
300
V,电压(V )
1
0.8
0.6
0.4
0.2
VCE (SAT) @ IC / IB = 10
VBE (星期六) @ IC / IB = 10
VBE ( ON) @ VCE = 2 V
100
VCE = 2 V
F T ,电流增益
50
20
1
10
100
IC ,集电极电流(毫安)
1000
0
1
10
100
IC ,集电极电流(毫安)
1000
图3.电流增益 - 带宽积
图4. “饱和度”和“开”电压
θ
V,温度系数(MV /
°
C)
-0.2
-1.0
VCE = 2伏
T
= 0 ° C至+ 100°C
θ
V的VBE
-1.6
-2.2
1
3
5
10
30 50
100
IC ,集电极电流(毫安)
300 500
1000
图5.温度系数
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3
BC635 , BC637 , BC639 , BC639-16
包装尺寸
TO–92
(TO–226)
CASE 29-11
ISSUE AL
A
R
P
L
座位
飞机
B
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.轮廓的包装BEYOND尺寸R
不加控制。
4. LEAD维不受控制IN P和
BEYOND尺寸k最低限度。
英寸
最大
0.175
0.205
0.170
0.210
0.125
0.165
0.016
0.021
0.045
0.055
0.095
0.105
0.015
0.020
0.500
---
0.250
---
0.080
0.105
---
0.100
0.115
---
0.135
---
MILLIMETERS
最大
4.45
5.20
4.32
5.33
3.18
4.19
0.407
0.533
1.15
1.39
2.42
2.66
0.39
0.50
12.70
---
6.35
---
2.04
2.66
---
2.54
2.93
---
3.43
---
K
X X
G
H
V
1
D
J
C
第X-X
N
N
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
N
P
R
V
风格14 :
PIN 1.辐射源
2.收集
3. BASE
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留修改的权利
恕不另行通知这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定的任何保证,声明或担保
目的,也不SCILLC承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任,并明确拒绝承担任何责任,
包括但不限于特殊,间接或附带损失。这可能SCILLC数据表提供“典型”参数和/或
规格可以做不同在不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数,包括“典型”必须是
验证每个客户的客户应用的技术专家。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。
SCILLC产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,或其他应用程序
旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况或
可能会出现死亡。如果买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并持有
SCILLC及其高级人员,雇员,子公司,联营公司及分销商对所有索赔,费用,损失,费用和合理的
直接或间接引起的,律师费,人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔,即使此类索赔
称, SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是一个机会均等/肯定行动雇主。
出版物订货信息
文学履行:
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ,丹佛,科罗拉多州80217美国
电话:
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真:
303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件:
ONlit@hibbertco.com
N.美国技术支持:
800-282-9855免费电话美国/加拿大
日本:
安森美半导体,日本顾客焦点中心
4-32-1西五反田,品川区,东京,日本141-0031
电话:
81–3–5740–2700
电子邮件:
r14525@onsemi.com
安森美半导体网站:
http://onsemi.com
有关更多信息,请联系您当地的
销售代表。
http://onsemi.com
4
BC635/D
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BC635ZL1
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
BC635ZL1
onsemi
24+
10000
TO-92(TO-226)
原厂一级代理,原装现货
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
BC635ZL1
ONS
24+
8420
TO-92
全新原装现货,原厂代理。
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联系人:小邹
地址:深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
BC635ZL1
ON
22+
14000
原厂封装
原装正品★真实库存★价格优势★欢迎洽谈
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联系人:雷小姐
地址:深圳市福田区华强北街道华红社区红荔路3002号交行大厦一单元711
BC635ZL1
ONS
2024+
9675
TO-92
优势现货,全新原装进口
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电话:0755-/83218466/83200833
联系人:销售部
地址:深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
BC635ZL1
ON Semiconductor
24+
22000
000¥/片,原装正品假一赔百!
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
BC635ZL1
ON/安森美
21+
8500
全新原装正品/质量有保证
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电话:13681678667
联系人:吴
地址:上海市宝山区大场镇锦秋路699弄锦秋花园
BC635ZL1
ON SEMICONDUCTOR
23+
80000
原厂封装
只做进口原装,假一赔十;欢迎致电:杨先生15001712988
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
BC635ZL1
ON SEMICONDUCTOR
1405+
1000
全新原装正品/质量有保证
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电话:0755-83039139
联系人:邓小姐
地址:深圳市福田区福华路29号16G(深圳市华美锐科技有限公司)
BC635ZL1
ON SEMICONDUCTOR
7622
原装正品!价格优势!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院
BC635ZL1
ON Semiconductor
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