飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN达林顿晶体管
特点
低电流（最大500 mA）的
低电压（最大55 V ）
高直流电流增益。
应用
通用低频
继电器驱动器。
描述
NPN达林顿晶体管采用TO -92 ; SOT54塑料
封装。
手册， halfpage
BC618
钉扎
针
1
2
3
辐射源
BASE
集热器
描述
2
3
1
2
3
TR1
TR2
1
MAM302
Fig.1
简化外形（ TO- 92 ; SOT54 ）和
符号。
订购信息
包
类型编号
名字
BC618
SC-43A
描述
塑料单端含铅（通孔）包; 3引线
VERSION
SOT54
2004年11月05
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN达林顿晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
CES
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
热特性
符号
R
号（j -a）的
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
参数
从结点到环境的热阻
条件
注1
价值
200
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
基极电流（DC）的
总功耗
储存温度
结温
环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
V
BE
= 0 V
集电极开路
条件
发射极开路
65
65
分钟。
马克斯。
80
55
12
500
800
200
625
+150
150
+150
BC618
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
°C
单位
K / W
2004年11月05
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN达林顿晶体管
包装外形
塑料单端含铅（通孔）包; 3引线
BC618
SOT54
c
E
d
A
L
b
1
D
2
e1
e
3
b
1
L1
0
2.5
规模
5 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
5.2
5.0
b
0.48
0.40
b1
0.66
0.55
c
0.45
0.38
D
4.8
4.4
d
1.7
1.4
E
4.2
3.6
e
2.54
e1
1.27
L
14.5
12.7
L
1(1)
马克斯。
2.5
记
这个区域内的终端1.尺寸不受控制允许流胶和终端违规行为。
概要
VERSION
SOT54
参考文献：
IEC
JEDEC
TO-92
JEITA
SC-43A
欧洲
投影
发行日期
97-02-28
04-06-28
2004年11月05
5
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN达林顿晶体管
特点
低电流（最大500 mA）的
低电压（最大55 V ）
高直流电流增益。
应用
通用低频
继电器驱动器。
描述
NPN达林顿晶体管采用TO -92 ; SOT54塑料
封装。
手册， halfpage
BC618
钉扎
针
1
2
3
辐射源
BASE
集热器
描述
2
3
1
2
3
TR1
TR2
1
MAM302
Fig.1
简化外形（ TO- 92 ; SOT54 ）和
符号。
订购信息
包
类型编号
名字
BC618
SC-43A
描述
塑料单端含铅（通孔）包; 3引线
VERSION
SOT54
2004年11月05
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN达林顿晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
CES
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
热特性
符号
R
号（j -a）的
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
参数
从结点到环境的热阻
条件
注1
价值
200
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
基极电流（DC）的
总功耗
储存温度
结温
环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
V
BE
= 0 V
集电极开路
条件
发射极开路
65
65
分钟。
马克斯。
80
55
12
500
800
200
625
+150
150
+150
BC618
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
°C
单位
K / W
2004年11月05
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN达林顿晶体管
包装外形
塑料单端含铅（通孔）包; 3引线
BC618
SOT54
c
E
d
A
L
b
1
D
2
e1
e
3
b
1
L1
0
2.5
规模
5 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
5.2
5.0
b
0.48
0.40
b1
0.66
0.55
c
0.45
0.38
D
4.8
4.4
d
1.7
1.4
E
4.2
3.6
e
2.54
e1
1.27
L
14.5
12.7
L
1(1)
马克斯。
2.5
记
这个区域内的终端1.尺寸不受控制允许流胶和终端违规行为。
概要
VERSION
SOT54
参考文献：
IEC
JEDEC
TO-92
JEITA
SC-43A
欧洲
投影
发行日期
97-02-28
04-06-28
2004年11月05
5
恩智浦半导体
产品数据表
NPN达林顿晶体管
特点
低电流（最大500 mA）的
低电压（最大55 V ）
高直流电流增益。
应用
通用低频
继电器驱动器。
描述
NPN达林顿晶体管采用TO -92 ; SOT54塑料
封装。
手册， halfpage
BC618
钉扎
针
1
2
3
辐射源
BASE
集热器
描述
2
3
1
2
3
TR1
TR2
1
MAM302
Fig.1
简化外形（ TO- 92 ; SOT54 ）和
符号。
订购信息
包
类型编号
名字
BC618
SC-43A
描述
塑料单端含铅（通孔）包; 3引线
VERSION
SOT54
2004年11月05
2
恩智浦半导体
产品数据表
NPN达林顿晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
CES
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
热特性
符号
R
号（j -a）的
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
参数
从结点到环境的热阻
条件
注1
价值
200
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
基极电流（DC）的
总功耗
储存温度
结温
环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
V
BE
= 0 V
集电极开路
条件
发射极开路
65
65
分钟。
马克斯。
80
55
12
500
800
200
625
+150
150
+150
BC618
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
°C
单位
K / W
2004年11月05
3
恩智浦半导体
产品数据表
NPN达林顿晶体管
包装外形
塑料单端含铅（通孔）包; 3引线
BC618
SOT54
c
E
d
A
L
b
1
D
2
e1
e
3
b
1
L1
0
2.5
规模
5 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
5.2
5.0
b
0.48
0.40
b1
0.66
0.55
c
0.45
0.38
D
4.8
4.4
d
1.7
1.4
E
4.2
3.6
e
2.54
e1
1.27
L
14.5
12.7
L
1(1)
马克斯。
2.5
记
这个区域内的终端1.尺寸不受控制允许流胶和终端违规行为。
概要
VERSION
SOT54
参考文献：
IEC
JEDEC
TO-92
JEITA
SC-43A
欧洲
投影
发行日期
04-06-28
04-11-16
2004年11月05
5
BC618
噪声特性
(V
CE
= 5.0伏，T
A
= 25°C)
500
200
100
带宽= 1.0赫兹
R
S
≈
0
I N ，噪声电流（PA ）
2.0
带宽= 1.0赫兹
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
10 20
100
mA
10
mA
恩，噪声电压（NV ）
I
C
= 1.0毫安
10
mA
50
100
mA
20
I
C
= 1.0毫安
10
5.0
10 20
50 100 200
500 1 k 2 k 5 k 10 k 20 k
男，频率（Hz ）
50 k 100 k
50 100 200
500 1 k 2 k 5 k 10 k 20 k
男，频率（Hz ）
50 k 100 k
图2.噪声电压
图3.噪声电流
VT ，总宽带噪声电压（NV ）
200
带宽= 10 Hz至15.7千赫
I
C
= 10
mA
14
带宽= 10 Hz至15.7千赫
12
NF ，噪声系数（dB ）
100
70
50
30
20
10
10
mA
8.0
6.0
4.0
2.0
I
C
= 1.0毫安
100
mA
100
mA
1.0毫安
10
1.0
2.0
5.0
10
20
50 100 200
R
S
，源电阻（千瓦）
500
1000
0
1.0
2.0
5.0
10
20
50 100 200
R
S
，源电阻（千瓦）
500
1000
图4.总宽带噪声电压
图5.宽带噪声图
http://onsemi.com
3
BC618
小信号特性
20
T
J
= 25°C
| H FE | ，小信号电流增益
4.0
V
CE
= 5.0 V
F = 100 MHz的
T
J
= 25°C
C，电容（pF ）
10
7.0
5.0
2.0
C
IBO
C
敖包
1.0
0.8
0.6
0.4
3.0
2.0
0.04
0.1
0.2 0.4
1.0 2.0 4.0
10
V
R
，反向电压（伏）
20
40
0.2
0.5
1.0
2.0
0.5 10 20
50
100 200
I
C
，集电极电流（毫安）
500
图6.电容
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
图7.高频电流增益
200 k
T
J
= 125°C
的hFE ， DC电流增益
100 k
70 k
50 k
30 k
20 k
10 k
7.0 k
5.0 k
3.0 k
2.0 k
5.0 7.0
10
20 30
50 70 100
200 300
I
C
，集电极电流（毫安）
500
3.0
T
J
= 25°C
2.5
I
C
= 10毫安
50毫安
250毫安
500毫安
25°C
2.0
1.5
55
°C
V
CE
= 5.0 V
1.0
0.5
0.1 0.2
0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200
I
B
，基极电流（毫安）
500 1000
图8.直流电流增益
图9.集电极饱和区
R
θ
V，温度系数（MV / C）
°
1.6
T
J
= 25°C
1.4
V，电压（V ）
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 1000
1.2
V
BE（上）
@ V
CE
= 5.0 V
1.0
1.0
2.0
3.0
*适用于我
C
/I
B
≤
h
FE
/3.0
*R
QVC
对于V
CE （ SAT ）
25 ° C至125°C
55
°C
至25℃
25 ° C至125°C
4.0
q
VB
对于V
BE
5.0
6.0
5.0 7.0 10
55
°C
至25℃
0.8
0.6
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 1000
5.0 7.0
10
20 30
50 70 100 200 300
I
C
，集电极电流（毫安）
500
20 30
50 70 100
200 300
I
C
，集电极电流（毫安）
500
图10. “开”电压
图11.温度系数
http://onsemi.com
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN达林顿晶体管
特点
低电流（最大500 mA）的
低电压（最大55 V ）
高直流电流增益。
应用
通用低频
继电器驱动器。
描述
NPN达林顿晶体管采用TO -92 ; SOT54塑料
封装。
手册， halfpage
BC618
钉扎
针
1
2
3
辐射源
BASE
集热器
描述
2
3
1
2
3
TR1
TR2
1
MAM302
Fig.1
简化外形（ TO- 92 ; SOT54 ）和
符号。
订购信息
包
类型编号
名字
BC618
SC-43A
描述
塑料单端含铅（通孔）包; 3引线
VERSION
SOT54
2004年11月05
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN达林顿晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
CES
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
热特性
符号
R
号（j -a）的
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
参数
从结点到环境的热阻
条件
注1
价值
200
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
基极电流（DC）的
总功耗
储存温度
结温
环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
V
BE
= 0 V
集电极开路
条件
发射极开路
65
65
分钟。
马克斯。
80
55
12
500
800
200
625
+150
150
+150
BC618
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
°C
单位
K / W
2004年11月05
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN达林顿晶体管
包装外形
塑料单端含铅（通孔）包; 3引线
BC618
SOT54
c
E
d
A
L
b
1
D
2
e1
e
3
b
1
L1
0
2.5
规模
5 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
5.2
5.0
b
0.48
0.40
b1
0.66
0.55
c
0.45
0.38
D
4.8
4.4
d
1.7
1.4
E
4.2
3.6
e
2.54
e1
1.27
L
14.5
12.7
L
1(1)
马克斯。
2.5
记
这个区域内的终端1.尺寸不受控制允许流胶和终端违规行为。
概要
VERSION
SOT54
参考文献：
IEC
JEDEC
TO-92
JEITA
SC-43A
欧洲
投影
发行日期
97-02-28
04-06-28
2004年11月05
5
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN达林顿晶体管
特点
低电流（最大500 mA）的
低电压（最大55 V ）
高直流电流增益。
应用
通用低频
继电器驱动器。
描述
NPN达林顿晶体管采用TO -92 ; SOT54塑料
封装。
手册， halfpage
BC618
钉扎
针
1
2
3
辐射源
BASE
集热器
描述
2
3
1
2
3
TR1
TR2
1
MAM302
Fig.1
简化外形（ TO- 92 ; SOT54 ）和
符号。
订购信息
包
类型编号
名字
BC618
SC-43A
描述
塑料单端含铅（通孔）包; 3引线
VERSION
SOT54
2004年11月05
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN达林顿晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
CES
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
热特性
符号
R
号（j -a）的
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
参数
从结点到环境的热阻
条件
注1
价值
200
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
基极电流（DC）的
总功耗
储存温度
结温
环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
V
BE
= 0 V
集电极开路
条件
发射极开路
65
65
分钟。
马克斯。
80
55
12
500
800
200
625
+150
150
+150
BC618
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
°C
单位
K / W
2004年11月05
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN达林顿晶体管
包装外形
塑料单端含铅（通孔）包; 3引线
BC618
SOT54
c
E
d
A
L
b
1
D
2
e1
e
3
b
1
L1
0
2.5
规模
5 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
5.2
5.0
b
0.48
0.40
b1
0.66
0.55
c
0.45
0.38
D
4.8
4.4
d
1.7
1.4
E
4.2
3.6
e
2.54
e1
1.27
L
14.5
12.7
L
1(1)
马克斯。
2.5
记
这个区域内的终端1.尺寸不受控制允许流胶和终端违规行为。
概要
VERSION
SOT54
参考文献：
IEC
JEDEC
TO-92
JEITA
SC-43A
欧洲
投影
发行日期
97-02-28
04-06-28
2004年11月05
5
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN达林顿晶体管
特点
低电流（最大500 mA）的
低电压（最大55 V ）
高直流电流增益。
应用
通用低频
继电器驱动器。
描述
NPN达林顿晶体管采用TO -92 ; SOT54塑料
封装。
手册， halfpage
BC618
钉扎
针
1
2
3
辐射源
BASE
集热器
描述
2
3
1
2
3
TR1
TR2
1
MAM302
Fig.1
简化外形（ TO- 92 ; SOT54 ）和
符号。
订购信息
包
类型编号
名字
BC618
SC-43A
描述
塑料单端含铅（通孔）包; 3引线
VERSION
SOT54
2004年11月05
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN达林顿晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
CES
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
热特性
符号
R
号（j -a）的
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
参数
从结点到环境的热阻
条件
注1
价值
200
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
基极电流（DC）的
总功耗
储存温度
结温
环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
V
BE
= 0 V
集电极开路
条件
发射极开路
65
65
分钟。
马克斯。
80
55
12
500
800
200
625
+150
150
+150
BC618
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
°C
单位
K / W
2004年11月05
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN达林顿晶体管
包装外形
塑料单端含铅（通孔）包; 3引线
BC618
SOT54
c
E
d
A
L
b
1
D
2
e1
e
3
b
1
L1
0
2.5
规模
5 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
5.2
5.0
b
0.48
0.40
b1
0.66
0.55
c
0.45
0.38
D
4.8
4.4
d
1.7
1.4
E
4.2
3.6
e
2.54
e1
1.27
L
14.5
12.7
L
1(1)
马克斯。
2.5
记
这个区域内的终端1.尺寸不受控制允许流胶和终端违规行为。
概要
VERSION
SOT54
参考文献：
IEC
JEDEC
TO-92
JEITA
SC-43A
欧洲
投影
发行日期
97-02-28
04-06-28
2004年11月05
5
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
由BC618 / D
达林顿晶体管
NPN硅
集热器1
BASE
2
BC618
辐射源3
1
2
3
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗@ TA = 25℃
减免上述25℃
器件总功耗@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
PD
TJ ， TSTG
价值
55
80
12
1.0
625
5.0
1.5
12
- 55 + 150
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
mW
毫瓦/°C的
瓦
毫瓦/°C的
°C
CASE 29-04 ，风格17
TO-92 （TO- 226AA ）
热特性
特征
热阻，结到
环境
热阻，结到外壳
符号
R
q
JA
R
q
JC
最大
200
83.3
单位
° C / W
° C / W
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
（IC = 10 MADC ， VBE = 0）的
集电极 - 基极击穿电压
（ IC = 100
m
的adc ，IE = 0）
发射极 - 基极击穿电压
（IE = 10
m
ADC ， IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 60 VDC ， VBE = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = 60 VDC ， IE = 0 ）
发射Cuto FF电流
（ VEB = 10 VDC ， IC = 0 ）
V（ BR ） CEO
V（ BR ） CBO
V（ BR ） EBO
冰
ICBO
IEBO
55
80
12
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
50
50
50
VDC
VDC
VDC
NADC
NADC
NADC
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1996年
1
BC618
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明） （续）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
基本特征
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 200 mA时， IB = 0.2 mA）的
基地 - 发射极饱和电压
（ IC = 200 mA时， IB = 0.2 mA）的
直流电流增益
（ IC = 100
A,
VCE = 5.0 V直流）
（ IC = 10 mA时， VCE = 5.0 V直流）
（ IC = 200 mA时， VCE = 5.0 V直流）
（ IC = 1.0 A， VCE = 5.0 V直流）
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
的hFE
2000
4000
10000
4000
—
—
—
—
—
—
50000
—
—
—
—
—
1.1
1.6
VDC
VDC
—
动态特性
电流 - 增益 - 带宽积
（ IC = 500 mA时， VCE = 5.0伏，P = 100兆赫）
输出电容
（ VCB = 10V ， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）
输入电容
（ VEB = 5.0 V ， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）
fT
COB
兴业银行
150
—
—
—
4.5
5.0
—
7.0
9.0
兆赫
pF
pF
RS
in
en
理想
晶体管
图1.晶体管噪声模型
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
BC618
噪声特性
（ VCE = 5.0伏， TA = 25 ° C）
500
200
恩，噪声电压（NV ）
100
10
A
50
100
A
20
IC = 1.0毫安
10
5.0
10 20
50 100 200
500 1 k 2 k 5 k 10 k 20 k
男，频率（Hz ）
50 k 100 k
带宽= 1.0赫兹
RS
≈
0
I N ，噪声电流（PA ）
2.0
带宽= 1.0赫兹
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
10 20
50 100 200
500 1 k 2 k 5 k 10 k 20 k
男，频率（Hz ）
50 k 100 k
100
A
10
A
IC = 1.0毫安
图2.噪声电压
图3.噪声电流
VT ，总宽带噪声电压（NV ）
200
14
带宽= 10 Hz至15.7千赫
12
NF ，噪声系数（dB ）
100
70
50
30
20
带宽= 10 Hz至15.7千赫
IC = 10
A
10
10
A
8.0
6.0
4.0
2.0
0
1.0
IC = 1.0毫安
100
A
100
A
1.0毫安
10
1.0
2.0
5.0
10
20
50 100 200
RS ，源电阻值（kΩ ）
500
100
0
2.0
5.0
10
20
50 100 200
RS ，源电阻值（kΩ ）
500
100
0
图4.总宽带噪声电压
图5.宽带噪声图
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
3
BC618
小信号特性
20
TJ = 25°C
10
C，电容（pF ）
7.0
5.0
CIBO
科博
| H FE | ，小信号电流增益
4.0
VCE = 5.0 V
F = 100 MHz的
TJ = 25°C
2.0
1.0
0.8
0.6
0.4
3.0
2.0
0.04
0.1
0.2
0.4
1.0 2.0 4.0
10
VR ，反向电压（伏）
20
40
0.2
0.5
1.0
2.0
0.5 10 20
50
100 200
IC ，集电极电流（毫安）
500
图6.电容
图7.高频电流增益
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
200 k
TJ = 125°C
的hFE ， DC电流增益
100 k
70 k
50 k
30 k
20 k
10 k
7.0 k
5.0 k
3.0 k
2.0 k
5.0 7.0
10
20 30
50 70 100
200 300
IC ，集电极电流（毫安）
500
3.0
TJ = 25°C
2.5
IC = 10毫安
2.0
50毫安
250毫安
500毫安
25°C
1.5
– 55°C
VCE = 5.0 V
1.0
0.5
0.1 0.2
0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200
IB ，基极电流（ μA ）
500 1000
图8.直流电流增益
图9.集电极饱和区
R
θ
V，温度系数（MV /
°
C)
1.6
TJ = 25°C
1.4
V，电压（V ）
VBE （星期六） @ IC / IB = 1000
1.2
VBE （ ON） @ VCE = 5.0 V
1.0
– 1.0
*适用于IC / IB
≤
hFE/3.0
*R
q
VC的VCE （SAT）
25 ° C至125°C
– 2.0
- 55 ° C至25°C时
– 3.0
25 ° C至125°C
– 4.0
q
VB的VBE
– 5.0
- 55 ° C至25°C时
0.8
VCE （SAT） @ IC / IB = 1000
0.6
5.0 7.0
10
20 30
50 70 100 200 300
IC ，集电极电流（毫安）
500
– 6.0
5.0 7.0 10
20 30
50 70 100
200 300
IC ，集电极电流（毫安）
500
图10. “开”电压
图11.温度系数
4
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
BC618
R（T ） ，瞬态热
电阻（标准化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.1
0.05
单脉冲
D = 0.5
0.2
单脉冲
Z
θJC （T ）
= R （t）的
R
θJC
TJ （ PK） - TC = P （ PK ）z
θJC （T ）
Z
θJA （T ）
= R （t）的
R
θJA
TJ （ PK） - TA = P （ PK ）z
θJA （T ）
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
吨，时间（ ms）的
100
200
500
1.0 k
2.0 k
5.0 k
10 k
图12.热响应
IC ，集电极电流（毫安）
1.0 k
700
500
300
200
100
70
50
30
20
10
0.4 0.6
电流限制
热限制
第二击穿极限
TA = 25°C
TC = 25°C
1.0毫秒
100
s
图A
tP
1.0 s
PP
PP
t1
1/f
占空比
1.0
2.0
4.0 6.0
10
20
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
40
1
+
T1 F
+
TTP
峰值脉冲功率= PP
图13.活动区的安全工作区
设计说明：采用瞬态热阻数据
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
5
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
由BC618 / D
达林顿晶体管
NPN硅
集热器1
BASE
2
BC618
辐射源3
1
2
3
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗@ TA = 25℃
减免上述25℃
器件总功耗@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
PD
TJ ， TSTG
价值
55
80
12
1.0
625
5.0
1.5
12
- 55 + 150
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
mW
毫瓦/°C的
瓦
毫瓦/°C的
°C
CASE 29-04 ，风格17
TO-92 （TO- 226AA ）
热特性
特征
热阻，结到
环境
热阻，结到外壳
符号
R
q
JA
R
q
JC
最大
200
83.3
单位
° C / W
° C / W
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
（IC = 10 MADC ， VBE = 0）的
集电极 - 基极击穿电压
（ IC = 100
m
的adc ，IE = 0）
发射极 - 基极击穿电压
（IE = 10
m
ADC ， IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 60 VDC ， VBE = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = 60 VDC ， IE = 0 ）
发射Cuto FF电流
（ VEB = 10 VDC ， IC = 0 ）
V（ BR ） CEO
V（ BR ） CBO
V（ BR ） EBO
冰
ICBO
IEBO
55
80
12
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
50
50
50
VDC
VDC
VDC
NADC
NADC
NADC
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1996年
1
BC618
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明） （续）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
基本特征
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 200 mA时， IB = 0.2 mA）的
基地 - 发射极饱和电压
（ IC = 200 mA时， IB = 0.2 mA）的
直流电流增益
（ IC = 100
A,
VCE = 5.0 V直流）
（ IC = 10 mA时， VCE = 5.0 V直流）
（ IC = 200 mA时， VCE = 5.0 V直流）
（ IC = 1.0 A， VCE = 5.0 V直流）
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
的hFE
2000
4000
10000
4000
—
—
—
—
—
—
50000
—
—
—
—
—
1.1
1.6
VDC
VDC
—
动态特性
电流 - 增益 - 带宽积
（ IC = 500 mA时， VCE = 5.0伏，P = 100兆赫）
输出电容
（ VCB = 10V ， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）
输入电容
（ VEB = 5.0 V ， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）
fT
COB
兴业银行
150
—
—
—
4.5
5.0
—
7.0
9.0
兆赫
pF
pF
RS
in
en
理想
晶体管
图1.晶体管噪声模型
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
BC618
噪声特性
（ VCE = 5.0伏， TA = 25 ° C）
500
200
恩，噪声电压（NV ）
100
10
A
50
100
A
20
IC = 1.0毫安
10
5.0
10 20
50 100 200
500 1 k 2 k 5 k 10 k 20 k
男，频率（Hz ）
50 k 100 k
带宽= 1.0赫兹
RS
≈
0
I N ，噪声电流（PA ）
2.0
带宽= 1.0赫兹
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
10 20
50 100 200
500 1 k 2 k 5 k 10 k 20 k
男，频率（Hz ）
50 k 100 k
100
A
10
A
IC = 1.0毫安
图2.噪声电压
图3.噪声电流
VT ，总宽带噪声电压（NV ）
200
14
带宽= 10 Hz至15.7千赫
12
NF ，噪声系数（dB ）
100
70
50
30
20
带宽= 10 Hz至15.7千赫
IC = 10
A
10
10
A
8.0
6.0
4.0
2.0
0
1.0
IC = 1.0毫安
100
A
100
A
1.0毫安
10
1.0
2.0
5.0
10
20
50 100 200
RS ，源电阻值（kΩ ）
500
100
0
2.0
5.0
10
20
50 100 200
RS ，源电阻值（kΩ ）
500
100
0
图4.总宽带噪声电压
图5.宽带噪声图
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
3
BC618
小信号特性
20
TJ = 25°C
C，电容（pF ）
10
7.0
5.0
CIBO
科博
| H FE | ，小信号电流增益
4.0
VCE = 5.0 V
F = 100 MHz的
TJ = 25°C
2.0
1.0
0.8
0.6
0.4
3.0
2.0
0.04
0.1
0.2
0.4
1.0 2.0 4.0
10
VR ，反向电压（伏）
20
40
0.2
0.5
1.0
2.0
0.5 10 20
50
100 200
IC ，集电极电流（毫安）
500
图6.电容
图7.高频电流增益
200 k
TJ = 125°C
的hFE ， DC电流增益
100 k
70 k
50 k
30 k
20 k
10 k
7.0 k
5.0 k
3.0 k
2.0 k
5.0 7.0
10
20 30
50 70 100
200 300
IC ，集电极电流（毫安）
500
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
3.0
TJ = 25°C
2.5
IC = 10毫安
2.0
50毫安
250毫安
500毫安
25°C
1.5
– 55°C
VCE = 5.0 V
1.0
0.5
0.1 0.2
0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200
IB ，基极电流（ μA ）
500 1000
图8.直流电流增益
图9.集电极饱和区
R
θ
V，温度系数（MV /
°
C)
1.6
TJ = 25°C
1.4
V，电压（V ）
VBE （星期六） @ IC / IB = 1000
1.2
VBE （ ON） @ VCE = 5.0 V
1.0
– 1.0
*适用于IC / IB
≤
hFE/3.0
*R
q
VC的VCE （SAT）
25 ° C至125°C
– 2.0
- 55 ° C至25°C时
– 3.0
25 ° C至125°C
– 4.0
q
VB的VBE
– 5.0
- 55 ° C至25°C时
0.8
VCE （SAT） @ IC / IB = 1000
0.6
5.0 7.0
10
20 30
50 70 100 200 300
IC ，集电极电流（毫安）
500
– 6.0
5.0 7.0 10
20 30
50 70 100
200 300
IC ，集电极电流（毫安）
500
图10. “开”电压
图11.温度系数
4
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
BC618
R（T ） ，瞬态热
电阻（标准化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.1
0.05
单脉冲
D = 0.5
0.2
单脉冲
Z
θJC （T ）
= R （t）的
R
θJC
TJ （ PK） - TC = P （ PK ）z
θJC （T ）
Z
θJA （T ）
= R （t）的
R
θJA
TJ （ PK） - TA = P （ PK ）z
θJA （T ）
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
吨，时间（ ms）的
100
200
500
1.0 k
2.0 k
5.0 k
10 k
图12.热响应
IC ，集电极电流（毫安）
1.0 k
700
500
300
200
100
70
50
30
20
10
0.4 0.6
电流限制
热限制
第二击穿极限
TA = 25°C
TC = 25°C
1.0毫秒
100
s
图A
tP
1.0 s
PP
PP
t1
1/f
占空比
1.0
2.0
4.0 6.0
10
20
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
40
1
+
T1 F
+
TTP
峰值脉冲功率= PP
图13.活动区的安全工作区
设计说明：采用瞬态热阻数据
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
5
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