BC556B ， BC557 ， A，B ，C ，
BC558B ，C
放大器晶体管
PNP硅
http://onsemi.com
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
BC556
BC557
BC558
集电极 - 基极电压
BC556
BC557
BC558
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
集电极电流
- 山顶
基本电流 - 峰值
器件总功耗
@ TA = 25°C
减免上述25℃
器件总功耗
@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
VEBO
IC
ICM
IBM
PD
625
5.0
PD
1.5
12
TJ ， TSTG
-55
+150
瓦
毫瓦/°C的
°C
mW
毫瓦/°C的
VCBO
–80
–50
–30
–5.0
–100
–200
–200
VDC
MADC
MADC
符号
VCEO
–65
–45
–30
VDC
价值
单位
VDC
2
BASE
集热器
1
1
2
3
辐射源
3
CASE 29
TO–92
17风格
订购信息
设备
BC556B
BC556BRL1
BC556BZL1
BC557
BC557ZL1
BC557A
BC557AZL1
BC557B
包
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
航运
5000单位/箱
2000 /磁带&卷轴
2000 /弹药包
5000单位/箱
2000 /弹药包
5000单位/箱
2000 /弹药包
5000单位/箱
2000 /磁带&卷轴
2000 /弹药包
5000单位/箱
2000 /弹药包
5000单位/箱
2000 /磁带&卷轴
2000 /磁带&卷轴
2000 /弹药包
5000单位/箱
2000 /磁带&卷轴
2000 /弹药包
2000 /弹药包
热特性
特征
热阻，
结到环境
热阻，
结到外壳
符号
R
θJA
R
θJC
最大
200
83.3
单位
° C / W
° C / W
BC557BRL1
BC557BZL1
BC557C
BC557CZL1
BC558B
BC558BRL
BC558BRL1
BC558BZL1
BC558C
BC558CRL1
BC558ZL1
BC558CZL1
半导体元件工业有限责任公司， 2001年
1
2000年6月 - 第1版
出版订单号：
BC556/D
BC556B ， BC557 ， A，B ，C ， BC558B ，C
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = -2.0 MADC ， IB = 0 ）
V（ BR ） CEO
BC556
BC557
BC558
V（ BR ） CBO
BC556
BC557
BC558
V（ BR ） EBO
BC556
BC557
BC558
冰
BC556
BC557
BC558
BC556
BC557
BC558
–
–
–
–
–
–
–2.0
–2.0
–2.0
–
–
–
–100
–100
–100
–4.0
–4.0
–4.0
nA
–5.0
–5.0
–5.0
–
–
–
–
–
–
–80
–50
–30
–
–
–
–
–
–
V
–65
–45
–30
–
–
–
–
–
–
V
V
集电极 - 基极击穿电压
（ IC = -100
μAdc ）
发射极 - 基极击穿电压
（IE = -100
MADC ，
IC = 0）
集电极 - 发射极漏电流
（ VCES = -40 V）
（ VCES = -20 V）
（ VCES = -20 V， TA = 125°C ）
A
http://onsemi.com
2
BC556B ， BC557 ， A，B ，C ， BC558B ，C
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
基本特征
直流电流增益
（ IC = -10
μAdc ，
VCE = -5.0 V）
的hFE
A系列设备
B系列设备
C系列设备
BC557
A系列设备
B系列设备
C系列设备
A系列设备
B系列设备
C系列设备
VCE （ SAT ）
–
–
–
VBE （ SAT ）
–
–
VBE （ON）的
–0.55
–
–0.62
–0.7
–0.7
–0.82
–0.7
–1.0
–
–
V
–0.075
–0.3
–0.25
–0.3
–0.6
–0.65
V
–
–
–
120
120
180
420
–
–
–
90
150
270
–
170
290
500
120
180
300
–
–
–
800
220
460
800
–
–
–
V
–
（ IC = -2.0 MADC ， VCE = -5.0 V）
（ IC = -100 MADC ， VCE = -5.0 V）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = -10 MADC ， IB = -0.5 MADC ）
（ IC = -10 MADC ， IB =见注1 ）
（ IC = -100 MADC ， IB = -5.0 MADC ）
基射极饱和电压
（ IC = -10 MADC ， IB = -0.5 MADC ）
（ IC = -100 MADC ， IB = -5.0 MADC ）
基射极电压ON
（ IC = -2.0 MADC ， VCE = -5.0 V直流）
（ IC = -10 MADC ， VCE = -5.0 V直流）
小信号特性
电流增益 - 带宽积
（ IC = -10毫安， VCE = -5.0 V，F = 100兆赫）
fT
BC556
BC557
BC558
COB
NF
BC556
BC557
BC558
的hFE
BC557
A系列设备
B系列设备
C系列设备
125
125
240
450
–
–
–
–
900
260
500
900
–
–
–
2.0
2.0
2.0
10
10
10
–
–
–
–
–
280
320
360
3.0
–
–
–
6.0
pF
dB
兆赫
输出电容
（ VCB = -10 V ， IC = 0 ， F = 1.0兆赫）
噪声系数
（ IC = -0.2 MADC ， VCE = -5.0 V，
RS = 2.0千瓦， F = 1.0千赫，
f
= 200赫兹）
小信号电流增益
（ IC = -2.0 MADC ， VCE = 5.0 V ， F = 1.0千赫）
注1 ： IC = -10 MADC恒定基极电流的特性，这将产生点IC = -11 MADC上， VCE = -1.0 V.
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3
BC556B ， BC557 ， A，B ，C ， BC558B ，C
BC557/BC558
2.0
的hFE ，规范直流电流增益
1.5
1.0
0.7
0.5
VCE = -10 V
TA = 25°C
V，电压（V ）
-1.0
-0.9
-0.8
-0.7
-0.6
-0.5
-0.4
-0.3
-0.2
-0.1
0.2
-0.2
-0.5 -1.0 -2.0
-5.0 -10 -20
-50
IC ，集电极电流（ MADC ）
-100 -200
0
-0.1 -0.2
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
-0.5 -1.0 -2.0
-5.0 -10 -20
IC ，集电极电流（ MADC ）
-50 -100
VBE （ ON） @ VCE = -10 V
TA = 25°C
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
0.3
图1.归DC电流增益
-2.0
TA = 25°C
-1.6
-1.2
-0.8
-0.4
0
IC =
-10毫安
IC = -50毫安
IC = -20毫安
IC = -200毫安
IC = -100毫安
1.0
θ
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
图2. “饱和度”和“开”电压
VCE ，集电极 - 发射极电压（ V）
-55 ° C至+ 125°C
-0.02
-0.1
-1.0
IB ，基极电流（毫安）
-10 -20
-0.2
-10
-1.0
IC ，集电极电流（毫安）
-100
图3.集电极饱和区
10
7.0
C，电容（pF ）
5.0
3.0
2.0
COB
兴业银行
TA = 25°C
F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）
400
300
200
150
100
80
60
40
30
图4.基射极温度系数
VCE = -10 V
TA = 25°C
1.0
-0.4 -0.6
-1.0
-2.0
-4.0 -6.0
-10
-20 -30 -40
20
-0.5
-1.0
-2.0 -3.0
-5.0
-10
-20
-30
-50
VR ，反向电压（伏）
IC ，集电极电流（ MADC ）
图5的电容
图6.电流增益 - 带宽积
http://onsemi.com
4
BC556B ， BC557 ， A，B ，C ， BC558B ，C
BC556
-1.0
的hFE ， DC电流增益（标准化）
VCE = -5.0 V
TA = 25°C
2.0
1.0
0.5
0.2
-0.1 -0.2
-1.0 -2.0 -5.0 -10 -20 -50 -100 -200
IC ，集电极电流（毫安）
V，电压（V ）
TJ = 25°C
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
0
-0.2
-0.5
-50 -100 -200
-5.0 -10 -20
-1.0 -2.0
IC ，集电极电流（毫安）
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
VBE @ VCE = -5.0 V
图7.直流电流增益
-2.0
-1.6
-1.2
-0.8
-0.4
TJ = 25°C
0
-0.02
-0.05 -0.1 -0.2
-0.5 -1.0 -2.0
IB ，基极电流（毫安）
-5.0
-10
-20
IC =
-10毫安
-20毫安
-50毫安
-100毫安-200毫安
-1.0
-1.4
-1.8
-2.2
-2.6
-3.0
-0.2
图8. “开”电压
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
θ
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
θ
VB的VBE
-55 ° C至125°C
-0.5 -1.0
-50
-2.0
-5.0 -10 -20
IC ，集电极电流（毫安）
-100 -200
图9.集电极饱和区
图10.基射极温度系数
F T ，电流增益 - 带宽积
40
TJ = 25°C
兴业银行
500
200
100
50
20
VCE = -5.0 V
C，电容（pF ）
20
10
8.0
6.0
4.0
2.0
-0.1 -0.2
COB
-0.5 -1.0 -2.0
-5.0 -10 -20
VR ，反向电压（伏）
-50 -100
-100
-1.0
-10
IC ，集电极电流（毫安）
图11.电容
图12.电流增益 - 带宽积
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5
BC556B ， BC557 ， A，B ，C ，
BC558B ，C
放大器晶体管
PNP硅
http://onsemi.com
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
BC556
BC557
BC558
集电极 - 基极电压
BC556
BC557
BC558
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
集电极电流
- 山顶
基本电流 - 峰值
器件总功耗
@ TA = 25°C
减免上述25℃
器件总功耗
@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
VEBO
IC
ICM
IBM
PD
625
5.0
PD
1.5
12
TJ ， TSTG
-55
+150
瓦
毫瓦/°C的
°C
mW
毫瓦/°C的
VCBO
–80
–50
–30
–5.0
–100
–200
–200
VDC
MADC
MADC
符号
VCEO
–65
–45
–30
VDC
价值
单位
VDC
2
BASE
集热器
1
1
2
3
辐射源
3
CASE 29
TO–92
17风格
订购信息
设备
BC556B
BC556BRL1
BC556BZL1
BC557
BC557ZL1
BC557A
BC557AZL1
BC557B
包
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
航运
5000单位/箱
2000 /磁带&卷轴
2000 /弹药包
5000单位/箱
2000 /弹药包
5000单位/箱
2000 /弹药包
5000单位/箱
2000 /磁带&卷轴
2000 /弹药包
5000单位/箱
2000 /弹药包
5000单位/箱
2000 /磁带&卷轴
2000 /磁带&卷轴
2000 /弹药包
5000单位/箱
2000 /磁带&卷轴
2000 /弹药包
2000 /弹药包
热特性
特征
热阻，
结到环境
热阻，
结到外壳
符号
R
θJA
R
θJC
最大
200
83.3
单位
° C / W
° C / W
BC557BRL1
BC557BZL1
BC557C
BC557CZL1
BC558B
BC558BRL
BC558BRL1
BC558BZL1
BC558C
BC558CRL1
BC558ZL1
BC558CZL1
半导体元件工业有限责任公司， 2001年
1
2000年6月 - 第1版
出版订单号：
BC556/D
BC556B ， BC557 ， A，B ，C ， BC558B ，C
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = -2.0 MADC ， IB = 0 ）
V（ BR ） CEO
BC556
BC557
BC558
V（ BR ） CBO
BC556
BC557
BC558
V（ BR ） EBO
BC556
BC557
BC558
冰
BC556
BC557
BC558
BC556
BC557
BC558
–
–
–
–
–
–
–2.0
–2.0
–2.0
–
–
–
–100
–100
–100
–4.0
–4.0
–4.0
nA
–5.0
–5.0
–5.0
–
–
–
–
–
–
–80
–50
–30
–
–
–
–
–
–
V
–65
–45
–30
–
–
–
–
–
–
V
V
集电极 - 基极击穿电压
（ IC = -100
μAdc ）
发射极 - 基极击穿电压
（IE = -100
MADC ，
IC = 0）
集电极 - 发射极漏电流
（ VCES = -40 V）
（ VCES = -20 V）
（ VCES = -20 V， TA = 125°C ）
A
http://onsemi.com
2
BC556B ， BC557 ， A，B ，C ， BC558B ，C
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
基本特征
直流电流增益
（ IC = -10
μAdc ，
VCE = -5.0 V）
的hFE
A系列设备
B系列设备
C系列设备
BC557
A系列设备
B系列设备
C系列设备
A系列设备
B系列设备
C系列设备
VCE （ SAT ）
–
–
–
VBE （ SAT ）
–
–
VBE （ON）的
–0.55
–
–0.62
–0.7
–0.7
–0.82
–0.7
–1.0
–
–
V
–0.075
–0.3
–0.25
–0.3
–0.6
–0.65
V
–
–
–
120
120
180
420
–
–
–
90
150
270
–
170
290
500
120
180
300
–
–
–
800
220
460
800
–
–
–
V
–
（ IC = -2.0 MADC ， VCE = -5.0 V）
（ IC = -100 MADC ， VCE = -5.0 V）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = -10 MADC ， IB = -0.5 MADC ）
（ IC = -10 MADC ， IB =见注1 ）
（ IC = -100 MADC ， IB = -5.0 MADC ）
基射极饱和电压
（ IC = -10 MADC ， IB = -0.5 MADC ）
（ IC = -100 MADC ， IB = -5.0 MADC ）
基射极电压ON
（ IC = -2.0 MADC ， VCE = -5.0 V直流）
（ IC = -10 MADC ， VCE = -5.0 V直流）
小信号特性
电流增益 - 带宽积
（ IC = -10毫安， VCE = -5.0 V，F = 100兆赫）
fT
BC556
BC557
BC558
COB
NF
BC556
BC557
BC558
的hFE
BC557
A系列设备
B系列设备
C系列设备
125
125
240
450
–
–
–
–
900
260
500
900
–
–
–
2.0
2.0
2.0
10
10
10
–
–
–
–
–
280
320
360
3.0
–
–
–
6.0
pF
dB
兆赫
输出电容
（ VCB = -10 V ， IC = 0 ， F = 1.0兆赫）
噪声系数
（ IC = -0.2 MADC ， VCE = -5.0 V，
RS = 2.0千瓦， F = 1.0千赫，
f
= 200赫兹）
小信号电流增益
（ IC = -2.0 MADC ， VCE = 5.0 V ， F = 1.0千赫）
注1 ： IC = -10 MADC恒定基极电流的特性，这将产生点IC = -11 MADC上， VCE = -1.0 V.
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3
BC556B ， BC557 ， A，B ，C ， BC558B ，C
BC557/BC558
2.0
的hFE ，规范直流电流增益
1.5
1.0
0.7
0.5
VCE = -10 V
TA = 25°C
V，电压（V ）
-1.0
-0.9
-0.8
-0.7
-0.6
-0.5
-0.4
-0.3
-0.2
-0.1
0.2
-0.2
-0.5 -1.0 -2.0
-5.0 -10 -20
-50
IC ，集电极电流（ MADC ）
-100 -200
0
-0.1 -0.2
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
-0.5 -1.0 -2.0
-5.0 -10 -20
IC ，集电极电流（ MADC ）
-50 -100
VBE （ ON） @ VCE = -10 V
TA = 25°C
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
0.3
图1.归DC电流增益
-2.0
TA = 25°C
-1.6
-1.2
-0.8
-0.4
0
IC =
-10毫安
IC = -50毫安
IC = -20毫安
IC = -200毫安
IC = -100毫安
1.0
θ
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
图2. “饱和度”和“开”电压
VCE ，集电极 - 发射极电压（ V）
-55 ° C至+ 125°C
-0.02
-0.1
-1.0
IB ，基极电流（毫安）
-10 -20
-0.2
-10
-1.0
IC ，集电极电流（毫安）
-100
图3.集电极饱和区
10
7.0
C，电容（pF ）
5.0
3.0
2.0
COB
兴业银行
TA = 25°C
F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）
400
300
200
150
100
80
60
40
30
图4.基射极温度系数
VCE = -10 V
TA = 25°C
1.0
-0.4 -0.6
-1.0
-2.0
-4.0 -6.0
-10
-20 -30 -40
20
-0.5
-1.0
-2.0 -3.0
-5.0
-10
-20
-30
-50
VR ，反向电压（伏）
IC ，集电极电流（ MADC ）
图5的电容
图6.电流增益 - 带宽积
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4
BC556B ， BC557 ， A，B ，C ， BC558B ，C
BC556
-1.0
的hFE ， DC电流增益（标准化）
VCE = -5.0 V
TA = 25°C
2.0
1.0
0.5
0.2
-0.1 -0.2
-1.0 -2.0 -5.0 -10 -20 -50 -100 -200
IC ，集电极电流（毫安）
V，电压（V ）
TJ = 25°C
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
0
-0.2
-0.5
-50 -100 -200
-5.0 -10 -20
-1.0 -2.0
IC ，集电极电流（毫安）
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
VBE @ VCE = -5.0 V
图7.直流电流增益
-2.0
-1.6
-1.2
-0.8
-0.4
TJ = 25°C
0
-0.02
-0.05 -0.1 -0.2
-0.5 -1.0 -2.0
IB ，基极电流（毫安）
-5.0
-10
-20
IC =
-10毫安
-20毫安
-50毫安
-100毫安-200毫安
-1.0
-1.4
-1.8
-2.2
-2.6
-3.0
-0.2
图8. “开”电压
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
θ
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
θ
VB的VBE
-55 ° C至125°C
-0.5 -1.0
-50
-2.0
-5.0 -10 -20
IC ，集电极电流（毫安）
-100 -200
图9.集电极饱和区
图10.基射极温度系数
F T ，电流增益 - 带宽积
40
TJ = 25°C
兴业银行
500
200
100
50
20
VCE = -5.0 V
C，电容（pF ）
20
10
8.0
6.0
4.0
2.0
-0.1 -0.2
COB
-0.5 -1.0 -2.0
-5.0 -10 -20
VR ，反向电压（伏）
-50 -100
-100
-1.0
-10
IC ，集电极电流（毫安）
图11.电容
图12.电流增益 - 带宽积
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5
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