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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第221页 > BC557BZL1
BC556B ， BC557A ， B，C ，
BC558B ，C
放大器晶体管
PNP硅
特点
http://onsemi.com
无铅包可用*
集热器
1
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
BC556
BC557
BC558
集电极 - 基极电压
BC556
BC557
BC558
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
集电极电流
- 山顶
基本电流 - 峰值
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
D
P
D
T
J
, T
英镑
V
CBO
80
50
30
5.0
100
200
200
625
5.0
1.5
12
-55到+150
VDC
MADC
1
2
MADC
mW
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
3
符号
V
首席执行官
65
45
30
VDC
价值
单位
VDC
2
BASE
3
辐射源
TO92
CASE 29
17风格
标记图
热特性
特征
热阻，
结到环境
热阻，
结到外壳
符号
R
qJA
R
QJC
最大
200
83.3
单位
° C / W
° C / W
BC
55xx
AYWW
G
G
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
=器件代码
X = 6,7或8
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
BC55x
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第6页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年9月 - 第2版
出版订单号：
BC556B/D
BC556B ， BC557A ， B，C ， BC558B ，C
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极发射极击穿电压
(I
C
= -2.0 MADC ，我
B
= 0)
V
（ BR ） CEO
BC556
BC557
BC558
V
（ BR ） CBO
BC556
BC557
BC558
V
（ BR ） EBO
BC556
BC557
BC558
I
CES
BC556
BC557
BC558
BC556
BC557
BC558
2.0
2.0
2.0
100
100
100
4.0
4.0
4.0
nA
5.0
5.0
5.0
80
50
30
V
65
45
30
V
V
符号
民
典型值
最大
单位
集电极基极击穿电压
(I
C
= 100
MADC ）
发射-Base击穿电压
(I
E
= 100
MADC ，
I
C
= 0)
集电极 - 发射极漏电流
(V
CES
= 40 V)
(V
CES
= 20 V)
(V
CES
= -20 V，T
A
= 125°C)
mA
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 10
MADC ，
V
CE
= 5.0 V)
h
FE
A系列设备
B系列设备
C系列设备
BC557
A系列设备
B系列设备
C系列设备
A系列设备
B系列设备
C系列设备
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
0.55
0.62
0.7
0.7
0.82
0.7
1.0
V
0.075
0.3
0.25
0.3
0.6
0.65
V
120
120
180
420
90
150
270
170
290
500
120
180
300
800
220
460
800
V
(I
C
= -2.0 MADC ，V
CE
= 5.0 V)
(I
C
= -100 MADC ，V
CE
= 5.0 V)
集电极发射极饱和电压
(I
C
= -10 MADC ，我
B
= -0.5 MADC ）
(I
C
= -10 MADC ，我
B
=见注1 ）
(I
C
= -100 MADC ，我
B
= -5.0 MADC ）
基地发射极饱和电压
(I
C
= -10 MADC ，我
B
= -0.5 MADC ）
(I
C
= -100 MADC ，我
B
= -5.0 MADC ）
基射极电压ON
(I
C
= -2.0 MADC ，V
CE
= -5.0 V直流）
(I
C
= -10 MADC ，V
CE
= -5.0 V直流）
小信号特性
电流 - 获得 - 带宽积
(I
C
= -10毫安，V
CE
= -5.0 V，F = 100兆赫）
f
T
BC556
BC557
BC558
C
ob
NF
BC556
BC557
BC558
h
fe
BC557
A系列设备
B系列设备
C系列设备
125
125
240
450
900
260
500
900
2.0
2.0
2.0
10
10
10
280
320
360
3.0
6.0
兆赫
输出电容
(V
CB
= -10 V，I
C
= 0中，f = 1.0 MHz）的
噪声系数
(I
C
= -0.2 MADC ，V
CE
= 5.0 V,
R
S
= 2.0千瓦， F = 1.0千赫，
Df
= 200赫兹）
小信号电流增益
(I
C
= -2.0 MADC ，V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0千赫）
pF
dB
1. I
C
= -10 MADC恒定基极电流的特性，它产生了一点，我在
C
= -11 MADC ，V
CE
= 1.0 V.
http://onsemi.com
2
BC556B ， BC557A ， B，C ， BC558B ，C
BC557/BC558
2.0
的hFE ，规范直流电流增益
1.5
1.0
0.7
0.5
V
CE
= 10 V
T
A
= 25°C
V，电压（V ）
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.2
0.2
0.5 1.0 2.0
5.0 10 20
50
I
C
，集电极电流（ MADC ）
100 200
0
0.1 0.2
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.5 1.0 2.0
5.0 10 20
I
C
，集电极电流（ MADC ）
50 100
V
BE（上）
@ V
CE
= 10 V
T
A
= 25°C
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.3
图1.归DC电流增益
图2. “饱和度”和“开”电压
θ
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
VCE ，集电极 - 发射极电压（ V）
2.0
T
A
= 25°C
1.6
1.2
I
C
=
= 10毫安
I
C
= -50毫安
I
C
= -20毫安
I
C
= -200毫安
I
C
= -100毫安
1.0
-55 ° C至+ 125°C
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
0.8
0.4
0
0.02
0.1
1.0
I
B
，基极电流（毫安）
10 20
0.2
10
1.0
I
C
，集电极电流（毫安）
100
图3.集电极饱和区
F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）
图4.基射极温度系数
10
7.0
C，电容（pF ）
5.0
C
ob
C
ib
T
A
= 25°C
400
300
200
150
100
80
60
40
30
20
0.5
1.0
2.0 3.0
5.0
10
20
30
50
V
CE
= 10 V
T
A
= 25°C
3.0
2.0
1.0
0.4 0.6
1.0
2.0
4.0 6.0
10
20 30 40
V
R
，反向电压（伏）
I
C
，集电极电流（ MADC ）
图5的电容
图6.电流增益 - 带宽积
http://onsemi.com
3
BC556B ， BC557A ， B，C ， BC558B ，C
BC556
1.0
的hFE ， DC电流增益（标准化）
V
CE
= 5.0 V
T
A
= 25°C
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1 0.2
1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200
I
C
，集电极电流（毫安）
V，电压（V ）
T
J
= 25°C
0.8
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.6
V
BE
@ V
CE
= 5.0 V
0.4
0.2
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0
0.2
0.5
50 100 200
5.0 10 20
1.0 2.0
I
C
，集电极电流（毫安）
图7.直流电流增益
图8. “开”电压
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
θ
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
2.0
1.0
1.6
I
C
=
= 10毫安
= 20毫安
-50毫安
-100毫安-200毫安
1.4
1.2
1.8
q
VB
对于V
BE
-55 ° C至125°C
0.8
2.2
0.4
T
J
= 25°C
0
0.02
0.05 0.1 0.2
0.5 1.0 2.0
I
B
，基极电流（毫安）
5.0
10
20
2.6
3.0
0.2
0.5 1.0
50
2.0
5.0 10 20
I
C
，集电极电流（毫安）
100 200
图9.集电极饱和区
图10.基射极温度系数
F T ，电流增益 - 带宽积
40
T
J
= 25°C
C，电容（pF ）
20
C
ib
500
V
CE
= 5.0 V
200
100
50
20
100
1.0
10
I
C
，集电极电流（毫安）
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0.1 0.2
C
ob
0.5
1.0 2.0
5.0 10 20
V
R
，反向电压（伏）
50 100
图11.电容
图12.电流增益 - 带宽积
http://onsemi.com
4
BC556B ， BC557A ， B，C ， BC558B ，C
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
D = 0.5
0.2
0.05
单脉冲
单脉冲
P
（ PK）
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
R（T ） ，瞬态热
电阻（标准化）
Z
QJC
（吨）=（吨）R
QJC
R
QJC
= 83.3 ° C / W MAX
Z
qJA
（吨）= R（T ）R
qJA
R
qJA
= 200 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
T
J（下PK）
T
C
= P
（ PK）
R
QJC
(t)
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
吨，时间（ ms）的
100
200
500
1.0 k
2.0 k
5.0 k
10
图13.热响应
200
1s
IC ，集电极电流（毫安）
100
50
T
A
= 25°C
T
J
= 25°C
3毫秒
安全工作区曲线表明我
C
V
CE
的极限
晶体管必须为可靠的操作来观察。收藏家
具体电路的负载线必须低于所指示的限制
适用的曲线。
图14的数据是基于
J（下PK）
= 150_C ;牛逼
C
或T
A
is
变量，这取决于条件。脉冲曲线适用于
的占空比以10％的假定T
J（下PK）
≤
150℃。牛逼
J（下PK）
可能是
从该数据在图13中计算出的在高的情况下或室温
温度，热限制会降低所能比的力量
进行处理，以值小于第二规定的限制
击穿。
10
5.0
2.0
1.0
BC558
BC557
BC556
焊线LIMIT
热限制
第二击穿极限
5.0
10
30 45 65 100
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
图14.活动区 - 安全工作区
http://onsemi.com
5
BC556B ， BC557 ， A，B ，C ，
BC558B ，C
放大器晶体管
PNP硅
http://onsemi.com
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
BC556
BC557
BC558
集电极 - 基极电压
BC556
BC557
BC558
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
集电极电流
- 山顶
基本电流 - 峰值
器件总功耗
@ TA = 25°C
减免上述25℃
器件总功耗
@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
VEBO
IC
ICM
IBM
PD
625
5.0
PD
1.5
12
TJ ， TSTG
-55
+150
瓦
毫瓦/°C的
°C
mW
毫瓦/°C的
VCBO
–80
–50
–30
–5.0
–100
–200
–200
VDC
MADC
MADC
符号
VCEO
–65
–45
–30
VDC
价值
单位
VDC
2
BASE
集热器
1
1
2
3
辐射源
3
CASE 29
TO–92
17风格
订购信息
设备
BC556B
BC556BRL1
BC556BZL1
BC557
BC557ZL1
BC557A
BC557AZL1
BC557B
包
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
航运
5000单位/箱
2000 /磁带&卷轴
2000 /弹药包
5000单位/箱
2000 /弹药包
5000单位/箱
2000 /弹药包
5000单位/箱
2000 /磁带&卷轴
2000 /弹药包
5000单位/箱
2000 /弹药包
5000单位/箱
2000 /磁带&卷轴
2000 /磁带&卷轴
2000 /弹药包
5000单位/箱
2000 /磁带&卷轴
2000 /弹药包
2000 /弹药包
热特性
特征
热阻，
结到环境
热阻，
结到外壳
符号
R
θJA
R
θJC
最大
200
83.3
单位
° C / W
° C / W
BC557BRL1
BC557BZL1
BC557C
BC557CZL1
BC558B
BC558BRL
BC558BRL1
BC558BZL1
BC558C
BC558CRL1
BC558ZL1
BC558CZL1
半导体元件工业有限责任公司， 2001年
1
2000年6月 - 第1版
出版订单号：
BC556/D
BC556B ， BC557 ， A，B ，C ， BC558B ，C
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = -2.0 MADC ， IB = 0 ）
V（ BR ） CEO
BC556
BC557
BC558
V（ BR ） CBO
BC556
BC557
BC558
V（ BR ） EBO
BC556
BC557
BC558
冰
BC556
BC557
BC558
BC556
BC557
BC558
–
–
–
–
–
–
–2.0
–2.0
–2.0
–
–
–
–100
–100
–100
–4.0
–4.0
–4.0
nA
–5.0
–5.0
–5.0
–
–
–
–
–
–
–80
–50
–30
–
–
–
–
–
–
V
–65
–45
–30
–
–
–
–
–
–
V
V
集电极 - 基极击穿电压
（ IC = -100
μAdc ）
发射极 - 基极击穿电压
（IE = -100
MADC ，
IC = 0）
集电极 - 发射极漏电流
（ VCES = -40 V）
（ VCES = -20 V）
（ VCES = -20 V， TA = 125°C ）
A
http://onsemi.com
2
BC556B ， BC557 ， A，B ，C ， BC558B ，C
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
基本特征
直流电流增益
（ IC = -10
μAdc ，
VCE = -5.0 V）
的hFE
A系列设备
B系列设备
C系列设备
BC557
A系列设备
B系列设备
C系列设备
A系列设备
B系列设备
C系列设备
VCE （ SAT ）
–
–
–
VBE （ SAT ）
–
–
VBE （ON）的
–0.55
–
–0.62
–0.7
–0.7
–0.82
–0.7
–1.0
–
–
V
–0.075
–0.3
–0.25
–0.3
–0.6
–0.65
V
–
–
–
120
120
180
420
–
–
–
90
150
270
–
170
290
500
120
180
300
–
–
–
800
220
460
800
–
–
–
V
–
（ IC = -2.0 MADC ， VCE = -5.0 V）
（ IC = -100 MADC ， VCE = -5.0 V）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = -10 MADC ， IB = -0.5 MADC ）
（ IC = -10 MADC ， IB =见注1 ）
（ IC = -100 MADC ， IB = -5.0 MADC ）
基射极饱和电压
（ IC = -10 MADC ， IB = -0.5 MADC ）
（ IC = -100 MADC ， IB = -5.0 MADC ）
基射极电压ON
（ IC = -2.0 MADC ， VCE = -5.0 V直流）
（ IC = -10 MADC ， VCE = -5.0 V直流）
小信号特性
电流增益 - 带宽积
（ IC = -10毫安， VCE = -5.0 V，F = 100兆赫）
fT
BC556
BC557
BC558
COB
NF
BC556
BC557
BC558
的hFE
BC557
A系列设备
B系列设备
C系列设备
125
125
240
450
–
–
–
–
900
260
500
900
–
–
–
2.0
2.0
2.0
10
10
10
–
–
–
–
–
280
320
360
3.0
–
–
–
6.0
pF
dB
兆赫
输出电容
（ VCB = -10 V ， IC = 0 ， F = 1.0兆赫）
噪声系数
（ IC = -0.2 MADC ， VCE = -5.0 V，
RS = 2.0千瓦， F = 1.0千赫，
f
= 200赫兹）
小信号电流增益
（ IC = -2.0 MADC ， VCE = 5.0 V ， F = 1.0千赫）
注1 ： IC = -10 MADC恒定基极电流的特性，这将产生点IC = -11 MADC上， VCE = -1.0 V.
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3
BC556B ， BC557 ， A，B ，C ， BC558B ，C
BC557/BC558
2.0
的hFE ，规范直流电流增益
1.5
1.0
0.7
0.5
VCE = -10 V
TA = 25°C
V，电压（V ）
-1.0
-0.9
-0.8
-0.7
-0.6
-0.5
-0.4
-0.3
-0.2
-0.1
0.2
-0.2
-0.5 -1.0 -2.0
-5.0 -10 -20
-50
IC ，集电极电流（ MADC ）
-100 -200
0
-0.1 -0.2
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
-0.5 -1.0 -2.0
-5.0 -10 -20
IC ，集电极电流（ MADC ）
-50 -100
VBE （ ON） @ VCE = -10 V
TA = 25°C
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
0.3
图1.归DC电流增益
-2.0
TA = 25°C
-1.6
-1.2
-0.8
-0.4
0
IC =
-10毫安
IC = -50毫安
IC = -20毫安
IC = -200毫安
IC = -100毫安
1.0
θ
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
图2. “饱和度”和“开”电压
VCE ，集电极 - 发射极电压（ V）
-55 ° C至+ 125°C
-0.02
-0.1
-1.0
IB ，基极电流（毫安）
-10 -20
-0.2
-10
-1.0
IC ，集电极电流（毫安）
-100
图3.集电极饱和区
10
7.0
C，电容（pF ）
5.0
3.0
2.0
COB
兴业银行
TA = 25°C
F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）
400
300
200
150
100
80
60
40
30
图4.基射极温度系数
VCE = -10 V
TA = 25°C
1.0
-0.4 -0.6
-1.0
-2.0
-4.0 -6.0
-10
-20 -30 -40
20
-0.5
-1.0
-2.0 -3.0
-5.0
-10
-20
-30
-50
VR ，反向电压（伏）
IC ，集电极电流（ MADC ）
图5的电容
图6.电流增益 - 带宽积
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4
BC556B ， BC557 ， A，B ，C ， BC558B ，C
BC556
-1.0
的hFE ， DC电流增益（标准化）
VCE = -5.0 V
TA = 25°C
2.0
1.0
0.5
0.2
-0.1 -0.2
-1.0 -2.0 -5.0 -10 -20 -50 -100 -200
IC ，集电极电流（毫安）
V，电压（V ）
TJ = 25°C
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
0
-0.2
-0.5
-50 -100 -200
-5.0 -10 -20
-1.0 -2.0
IC ，集电极电流（毫安）
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
VBE @ VCE = -5.0 V
图7.直流电流增益
-2.0
-1.6
-1.2
-0.8
-0.4
TJ = 25°C
0
-0.02
-0.05 -0.1 -0.2
-0.5 -1.0 -2.0
IB ，基极电流（毫安）
-5.0
-10
-20
IC =
-10毫安
-20毫安
-50毫安
-100毫安-200毫安
-1.0
-1.4
-1.8
-2.2
-2.6
-3.0
-0.2
图8. “开”电压
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
θ
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
θ
VB的VBE
-55 ° C至125°C
-0.5 -1.0
-50
-2.0
-5.0 -10 -20
IC ，集电极电流（毫安）
-100 -200
图9.集电极饱和区
图10.基射极温度系数
F T ，电流增益 - 带宽积
40
TJ = 25°C
兴业银行
500
200
100
50
20
VCE = -5.0 V
C，电容（pF ）
20
10
8.0
6.0
4.0
2.0
-0.1 -0.2
COB
-0.5 -1.0 -2.0
-5.0 -10 -20
VR ，反向电压（伏）
-50 -100
-100
-1.0
-10
IC ，集电极电流（毫安）
图11.电容
图12.电流增益 - 带宽积
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5
BC556B ， BC557 ， A，B ，C ，
BC558B ，C
放大器晶体管
PNP硅
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最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
BC556
BC557
BC558
集电极 - 基极电压
BC556
BC557
BC558
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
集电极电流
- 山顶
基本电流 - 峰值
器件总功耗
@ TA = 25°C
减免上述25℃
器件总功耗
@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
VEBO
IC
ICM
IBM
PD
625
5.0
PD
1.5
12
TJ ， TSTG
-55
+150
瓦
毫瓦/°C的
°C
mW
毫瓦/°C的
VCBO
–80
–50
–30
–5.0
–100
–200
–200
VDC
MADC
MADC
符号
VCEO
–65
–45
–30
VDC
价值
单位
VDC
2
BASE
集热器
1
1
2
3
辐射源
3
CASE 29
TO–92
17风格
订购信息
设备
BC556B
BC556BRL1
BC556BZL1
BC557
BC557ZL1
BC557A
BC557AZL1
BC557B
包
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
航运
5000单位/箱
2000 /磁带&卷轴
2000 /弹药包
5000单位/箱
2000 /弹药包
5000单位/箱
2000 /弹药包
5000单位/箱
2000 /磁带&卷轴
2000 /弹药包
5000单位/箱
2000 /弹药包
5000单位/箱
2000 /磁带&卷轴
2000 /磁带&卷轴
2000 /弹药包
5000单位/箱
2000 /磁带&卷轴
2000 /弹药包
2000 /弹药包
热特性
特征
热阻，
结到环境
热阻，
结到外壳
符号
R
θJA
R
θJC
最大
200
83.3
单位
° C / W
° C / W
BC557BRL1
BC557BZL1
BC557C
BC557CZL1
BC558B
BC558BRL
BC558BRL1
BC558BZL1
BC558C
BC558CRL1
BC558ZL1
BC558CZL1
半导体元件工业有限责任公司， 2001年
1
2000年6月 - 第1版
出版订单号：
BC556/D
BC556B ， BC557 ， A，B ，C ， BC558B ，C
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = -2.0 MADC ， IB = 0 ）
V（ BR ） CEO
BC556
BC557
BC558
V（ BR ） CBO
BC556
BC557
BC558
V（ BR ） EBO
BC556
BC557
BC558
冰
BC556
BC557
BC558
BC556
BC557
BC558
–
–
–
–
–
–
–2.0
–2.0
–2.0
–
–
–
–100
–100
–100
–4.0
–4.0
–4.0
nA
–5.0
–5.0
–5.0
–
–
–
–
–
–
–80
–50
–30
–
–
–
–
–
–
V
–65
–45
–30
–
–
–
–
–
–
V
V
集电极 - 基极击穿电压
（ IC = -100
μAdc ）
发射极 - 基极击穿电压
（IE = -100
MADC ，
IC = 0）
集电极 - 发射极漏电流
（ VCES = -40 V）
（ VCES = -20 V）
（ VCES = -20 V， TA = 125°C ）
A
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2
BC556B ， BC557 ， A，B ，C ， BC558B ，C
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
基本特征
直流电流增益
（ IC = -10
μAdc ，
VCE = -5.0 V）
的hFE
A系列设备
B系列设备
C系列设备
BC557
A系列设备
B系列设备
C系列设备
A系列设备
B系列设备
C系列设备
VCE （ SAT ）
–
–
–
VBE （ SAT ）
–
–
VBE （ON）的
–0.55
–
–0.62
–0.7
–0.7
–0.82
–0.7
–1.0
–
–
V
–0.075
–0.3
–0.25
–0.3
–0.6
–0.65
V
–
–
–
120
120
180
420
–
–
–
90
150
270
–
170
290
500
120
180
300
–
–
–
800
220
460
800
–
–
–
V
–
（ IC = -2.0 MADC ， VCE = -5.0 V）
（ IC = -100 MADC ， VCE = -5.0 V）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = -10 MADC ， IB = -0.5 MADC ）
（ IC = -10 MADC ， IB =见注1 ）
（ IC = -100 MADC ， IB = -5.0 MADC ）
基射极饱和电压
（ IC = -10 MADC ， IB = -0.5 MADC ）
（ IC = -100 MADC ， IB = -5.0 MADC ）
基射极电压ON
（ IC = -2.0 MADC ， VCE = -5.0 V直流）
（ IC = -10 MADC ， VCE = -5.0 V直流）
小信号特性
电流增益 - 带宽积
（ IC = -10毫安， VCE = -5.0 V，F = 100兆赫）
fT
BC556
BC557
BC558
COB
NF
BC556
BC557
BC558
的hFE
BC557
A系列设备
B系列设备
C系列设备
125
125
240
450
–
–
–
–
900
260
500
900
–
–
–
2.0
2.0
2.0
10
10
10
–
–
–
–
–
280
320
360
3.0
–
–
–
6.0
pF
dB
兆赫
输出电容
（ VCB = -10 V ， IC = 0 ， F = 1.0兆赫）
噪声系数
（ IC = -0.2 MADC ， VCE = -5.0 V，
RS = 2.0千瓦， F = 1.0千赫，
f
= 200赫兹）
小信号电流增益
（ IC = -2.0 MADC ， VCE = 5.0 V ， F = 1.0千赫）
注1 ： IC = -10 MADC恒定基极电流的特性，这将产生点IC = -11 MADC上， VCE = -1.0 V.
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BC556B ， BC557 ， A，B ，C ， BC558B ，C
BC557/BC558
2.0
的hFE ，规范直流电流增益
1.5
1.0
0.7
0.5
VCE = -10 V
TA = 25°C
V，电压（V ）
-1.0
-0.9
-0.8
-0.7
-0.6
-0.5
-0.4
-0.3
-0.2
-0.1
0.2
-0.2
-0.5 -1.0 -2.0
-5.0 -10 -20
-50
IC ，集电极电流（ MADC ）
-100 -200
0
-0.1 -0.2
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
-0.5 -1.0 -2.0
-5.0 -10 -20
IC ，集电极电流（ MADC ）
-50 -100
VBE （ ON） @ VCE = -10 V
TA = 25°C
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
0.3
图1.归DC电流增益
-2.0
TA = 25°C
-1.6
-1.2
-0.8
-0.4
0
IC =
-10毫安
IC = -50毫安
IC = -20毫安
IC = -200毫安
IC = -100毫安
1.0
θ
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
图2. “饱和度”和“开”电压
VCE ，集电极 - 发射极电压（ V）
-55 ° C至+ 125°C
-0.02
-0.1
-1.0
IB ，基极电流（毫安）
-10 -20
-0.2
-10
-1.0
IC ，集电极电流（毫安）
-100
图3.集电极饱和区
10
7.0
C，电容（pF ）
5.0
3.0
2.0
COB
兴业银行
TA = 25°C
F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）
400
300
200
150
100
80
60
40
30
图4.基射极温度系数
VCE = -10 V
TA = 25°C
1.0
-0.4 -0.6
-1.0
-2.0
-4.0 -6.0
-10
-20 -30 -40
20
-0.5
-1.0
-2.0 -3.0
-5.0
-10
-20
-30
-50
VR ，反向电压（伏）
IC ，集电极电流（ MADC ）
图5的电容
图6.电流增益 - 带宽积
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4
BC556B ， BC557 ， A，B ，C ， BC558B ，C
BC556
-1.0
的hFE ， DC电流增益（标准化）
VCE = -5.0 V
TA = 25°C
2.0
1.0
0.5
0.2
-0.1 -0.2
-1.0 -2.0 -5.0 -10 -20 -50 -100 -200
IC ，集电极电流（毫安）
V，电压（V ）
TJ = 25°C
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
0
-0.2
-0.5
-50 -100 -200
-5.0 -10 -20
-1.0 -2.0
IC ，集电极电流（毫安）
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
VBE @ VCE = -5.0 V
图7.直流电流增益
-2.0
-1.6
-1.2
-0.8
-0.4
TJ = 25°C
0
-0.02
-0.05 -0.1 -0.2
-0.5 -1.0 -2.0
IB ，基极电流（毫安）
-5.0
-10
-20
IC =
-10毫安
-20毫安
-50毫安
-100毫安-200毫安
-1.0
-1.4
-1.8
-2.2
-2.6
-3.0
-0.2
图8. “开”电压
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
θ
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
θ
VB的VBE
-55 ° C至125°C
-0.5 -1.0
-50
-2.0
-5.0 -10 -20
IC ，集电极电流（毫安）
-100 -200
图9.集电极饱和区
图10.基射极温度系数
F T ，电流增益 - 带宽积
40
TJ = 25°C
兴业银行
500
200
100
50
20
VCE = -5.0 V
C，电容（pF ）
20
10
8.0
6.0
4.0
2.0
-0.1 -0.2
COB
-0.5 -1.0 -2.0
-5.0 -10 -20
VR ，反向电压（伏）
-50 -100
-100
-1.0
-10
IC ，集电极电流（毫安）
图11.电容
图12.电流增益 - 带宽积
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B37979G1221J000
BSC240N12NS3G
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B43458A5129M003
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