恩智浦半导体
产品数据表
PNP通用晶体管
特点
低电流（最大100 mA时）
低电压（最大65V）时。
应用
通用的开关和放大。
描述
PNP晶体管在TO -92 ; SOT54塑料包装。
NPN补充： BC546和BC547 。
钉扎
针
1
2
3
辐射源
BASE
集热器
BC556 ; BC557
描述
1
手册， halfpage
2
3
3
2
1
MAM281
Fig.1
简化外形（ TO- 92 ; SOT54 ）
和符号。
订购信息
包
类型编号
名字
BC556
BC557
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
BC556
BC557
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BC556
BC557
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
环境温度
T
AMB
≤
25
°C
集电极开路
开基
65
65
65
45
5
100
200
200
500
+150
150
+150
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
°C
参数
集电极 - 基极电压
条件
发射极开路
80
50
V
V
分钟。
马克斯。
单位
SC-43A
描述
塑料单端含铅（通孔）包; 3引线
VERSION
SOT54
2004年10月11日
2
BC556…BC560
PNP硅外延平面晶体管
对于开关和AF放大器应用
这些晶体管被分为三个组A，
根据其电流增益B和C的。
绝对最大额定值（T
a
= 25
O
C)
参数
集电极 - 基极电压
BC556
BC557 ， BC560
BC558 ， BC559
BC556
BC557 ， BC560
BC558 ， BC559
1.收藏家2.基地3.发射
TO- 92塑料包装
符号
-V
CBO
价值
80
50
30
65
45
30
5
100
200
500
150
- 65至+ 150
单位
V
集电极 - 发射极电压
-V
首席执行官
-V
EBO
-I
C
-I
CM
P
合计
T
j
T
S
V
V
mA
mA
mW
O
发射极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
总功耗
结温
存储温度范围
C
C
O
特点在T
a
= 25
O
C
参数
直流电流增益
在-V
CE
= 5 V ， -I
C
= 2毫安
电流增益组
A
B
C
符号
h
FE
h
FE
h
FE
-I
CBO
-I
EBO
BC556
BC557 ， BC560
BC558 ， BC559
BC556
BC557 ， BC560
BC558 ， BC559
-V
（ BR ） CBO
分钟。
110
200
420
-
-
80
50
30
65
45
30
5
马克斯。
220
450
800
15
100
-
-
-
-
-
-
-
单位
-
-
-
nA
nA
V
集电极基截止电流
在-V
CB
= 30 V
发射基地截止电流
在-V
EB
= 5 V
集电极基极击穿电压
在-I
C
= 100 A
集电极发射极击穿电压
在-I
C
= 2毫安
发射极基极击穿电压
在-I
E
= 100 A
-V
（ BR ） CEO
-V
（ BR ） EBO
V
V
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 27/12/2007
BC556…BC560
特点在T
a
= 25
O
C
参数
集电极 - 发射极饱和电压
在-I
C
= 10毫安， -I
B
- 0.5毫安
在-I
C
= 100毫安， -I
B
= 5毫安
基极发射极电压
在-V
CE
= 5 V ， -I
C
= 2毫安
在-V
CE
= 5 V ， -I
C
= 10毫安
跃迁频率
在-V
CE
= 5 V ， -I
C
= 10 mA时， F = 100 MHz的
集电极电容基地
在-V
CB
= 10 V ， F = 1兆赫
符号
-V
CE （ SAT ）
分钟。
-
-
0.55
-
100
-
马克斯。
0.3
0.65
0.75
0.82
-
6
单位
V
-V
BE（上）
f
T
C
cb
V
兆赫
pF
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 27/12/2007
PNP硅平面外延晶体管
博卡半导体公司
BSC
http://www.bocasemi.com
公元前556 ， A，B
公元前557 ， 8 ， A，B ，C
TO-92
EBC
应用
PNP通用晶体管，特别适合用于音频的驱动器级
放大器，录音机的低噪声输入级， HI- FI放大器，信号处理
电视接收机的电路。
绝对最大额定值（Ta = 25℃ ，除非另有规定）
描述
符号
BC556
VCEO
65
集电极发射极电压
VCES
80
集电极发射极电压
VCBO
80
集电极基极电压
VEBO
发射极基极电压连续
IC
连续集电极电流
ICM
PEAK
IBM
基极电流 - 峰值
IEM
发射极电流 - 峰
PTA
功率耗散@ TA = 25摄氏度
减免上述25℃
TSTG
储存温度
Tj
结温
热阻
Rth的第（j-一）
结到环境
电气特性（Ta = 25℃除非另有说明）
描述
符号测试条件
BC556
VCEO
IC=2mA,IB=0
>65
集电极发射极电压
VCBO
IC=100uA.IE=0
>80
集电极基极电压
VEBO
IE =为100uA ， IC = 0 ALL
发射极 - 基极电压
ICBO
VCB = 30V ， IE = 0 ALL
集电极切断电流
TJ = 150℃
VCB = 30V ， IE = 0 ALL
VCE = 80V ， VBE = 0
VCE = 50V ， VBE = 0
VCE = 30V ， VBE = 0
TJ = 125摄氏度
VCE = 80V ， VBE = 0
VCE = 50V ， VBE = 0
VCE = 30V ， VBE = 0
BC557
45
50
50
5.0
100
200
200
200
500
4.0
-65到+150
150
BC558
30
30
30
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
毫瓦/摄氏度
摄氏度
摄氏度
250
BC557
BC558
>45
>30
>50
>30
>5.0
<15
摄氏度/ W
单位
V
V
V
nA
<5.0
<15
-
-
-
<15
-
-
-
<15
冰
uA
nA
nA
nA
集电极切断电流
冰
<4.0
-
-
-
<4.0
-
-
<4.0
uA
uA
uA
电气特性（Ta = 25℃除非另有说明）
BC556-558
描述
符号测试条件
价值
的hFE
IC=10uA,VCE=5V
typ90
直流电流增益
A
typ150
B
typ270
C
IC=2mA,VCE=5V
75-475
BC556
75-800
BC557,8
110-220
A
200-450
B
420-800
C
IC=100mA,VCE=5V
typ120
A
typ200
B
typ400
C
VCE （星期六） IC = 10毫安， IB = 0.5毫安
<0.30
集电极 - 发射极饱和电压
IC=100mA,IB=5mA
<0.65
VBE （星期六） IC = 10毫安， IB = 0.5毫安
typ0.70
基极发射极饱和电压
IC=100mA,IB=5mA
typ0.90
VBE （ON）的
IC=2mA,VCE=5V
0.55-0.70
基极发射极电压
IC=10mA,VCE=5V
<0.82
动态特性
ft
IC = 10毫安， VCE = 5V
typ150
晶体管频率
f=100MHz
Ccbo
VCB = 10V ， F = 1MHz的
<6.0
收藏家出放电容
兴业银行
VEB = 0.5V ， F = 1MHz的
typ9.0
发射极输入电容
NF
IC = 0.2毫安， VCE = 5V
<10
噪声系数
卢比= 2kohm中，f = 1kHz时
B=200Hz
所有的F = 1kHz时
IC = 2毫安， VCE = 5V
单位
V
V
V
V
V
V
兆赫
pF
pF
dB
小信号电流增益
的hFE
输入阻抗
缺氧缺血性脑病
IC = 2毫安， VCE = 5V
电压反馈比例
HRE
IC = 2毫安， VCE = 5V
放出来Adimttance
HOE
IC = 2毫安， VCE = 5V
A
B
C
A
B
C
A
B
C
A
B
C
typ220
typ330
typ600
1.6-4.5
3.2-8.5
6.0-15
typ1.5
typ2.0
typ3.0
<30
<60
<110
胡姆斯
X`10-4
umhos
博卡半导体公司
BSC
http://www.bocasemi.com
TO- 92塑料包装
B
TO- 92晶体管上的磁带和弹药包
AMM 包装风格
M EC h的IC AL ATA
广告hesive带0：N顶面
P
h
A
A1
(p)
费
D
arrier
条
A
h
T
3 2 1
H1
H0
L
LA为L
FL舷侧
8.2"
W2
Wo
W1
W
K
t1
t
F1
F
P2
Po
F2
Do
1 3英寸
1 .7
7"
D
3
E
2
1
项
平虏身份证电子华氏度茶NSIS器和
广告hesive带V isible
20 00个。 / A M M O·P ACK
在M M所有的暗淡ensions除非另有说明
SYM BO L
A1
A
T
P
Po
SPEC IFICAT ION
REM方舟
M IN 。否M 。 M AX 。于升。
4.8
4.0
5.2
4.8
4.2
3.9
12.7
±1
12.7
± 0.3 CUM ü LATIVE PIT CH
这种现象以1.0米米/ 20
沥青
6.35
± 0.4为M EASURED AT
BOT TOM F c的林奇
+0.6
5.08
-0.2
0
1
在体温与P
18
± 0.5
6
± 0.2
9
+0.7
-0.5
0.5
± 0.2
16
± 0.5
23.25
11.0
4
± 0.2
1.2
t1 0.3 - 0 .6
2.54
+0.4
-0.1
3
6N
D
G
A A
SEC AA
BOD W IDT
BOD年小时EIG HT
BOD 牛逼HICKNESS
COM的PO新界东北PITCH
FEED何乐PITCH
F
F
暗淡
A
分钟。
4.32
4.45
3.18
0.41
0.35
马克斯。
5.33
5.20
4.19
0.55
0.50
FEED何乐CENTR E
CO M分量CENTR ê
DISTAN CE BET WEEN UTER
LEADS
CO M分量ALIGN M EN牛逼
TAPE W ID
HO LD -D OW N值磁带W IDT
何乐PO SITIO
HO LD -D OW N值磁带PO SIT ION
LEAD W IRE CLINCH EIG HT
CO M分量HEIGH牛逼
冷TH华氏度剪断铅S
FEED何乐DIAM ETER
TO TAPE TAL TH ICKNESS
铅 - 要 - 铅DISTAN CEF1 ，
医务室 HEIGH牛逼
拉 - UT FO RCE
P2
F
h
W
Wo
W1
W2
Ho
H1
L
Do
t
F2
H2
(P)
3 2 1
在MM都diminsions 。
B
C
D
E
F
G
H
K
H
C
引脚配置
1.发射器
2.基
3.收集
5度
1.14
1.40
1.14
1.53
12.70
—
OT ES
1 。 MAX IM UMAL IG NMENTDEV IAT IO NBETWEENLEADSNOT TO BEGRE AT ERTHAN 0 0.2毫米。
2 。 MAX IM UMNON -CUMUL AT IV E VA IAT IO NBETWEEN TA PEFEEDHOLESSHALLNOTEX CEED 1毫米的2 0
P IT建华（E S） 。
3 。 HOLDDOWN TA PENOTTOEXCEEDBEYONDTH EEDGE （S ） OFCARR IE浏览器TA PEANDTHERESHALLBENO
E X P 2 O 5 S ü ê F A深高（E S） IV E 。
4 。 NOMORETHAN 3 CONSECUT IV EM是S IN GCOMPONENTSAREPERM IT TED 。
5 。一个TA PETRA IL ER ，H AV G中AT LEASTTHREEFEEDHOLESAR EREQU IR EDAFTERTHELASTCOMPONE T.
6 。 SPL IC ESSHALLNOT在TERFEREW IT HTHESPROCKETFEEDHOLES 。
博卡半导体公司
BSC
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MCC
特点
l
通孔封装
l
150
o
C的结温
引脚配置
底部视图
?????????? ?????? omponents
21201 Itasca的街查茨沃斯
???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
BC556,B
BC557,A,B,C
BC558,B
PNP硅
晶体管放大器
625mW
C
B
E
机械数据
l
案例： TO- 92 ，模压塑料
l
极性：如上面所指出的。
A
TO-92
E
B
最大额定值@ 25
o
C除非另有说明
charateristic
集电极 - 发射极电压
符号价值
-65
V
首席执行官
-45
-30
-80
V
CBO
-50
-30
V
EBO
-5.0
I
C
P
d
P
d
R
q
JA
单位
V
C
集电极 - 基极电压
BC556
BC557
BC558
BC556
BC557
BC558
V
V
mA
mW
毫瓦/
o
C
W
毫瓦/
o
C
o
D
发射极 - 基极电压
集电极电流（DC）的
功率耗散@ T
A
=25
o
C
功率耗散@ T
C
=25
o
C
热阻，结到
环境空气
热阻，结到
例
工作&储存温度
-100
625
5.0
1.5
12
200
83.3
G
尺寸
C / W
C / W
o
暗淡
A
B
C
D
E
G
R
q
JC
o
T
j
, T
英镑
-55~150
C
英寸
民
.175
.175
.500
.016
.135
.095
最大
.185
.185
---
.020
.145
.105
MM
民
4.45
4.46
12.7
0.41
3.43
2.42
最大
4.70
4.70
---
0.63
3.68
2.67
记
www.mccsemi.com
BC556通BC558B
MCC
符号
民
典型值
最大
单位
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = -2.0 MADC ， IB = 0 ）
V（ BR ） CEO
BC556
BC557
BC558
V（ BR ） CBO
BC556
BC557
BC558
V（ BR ） EBO
BC556
BC557
BC558
–5.0
–5.0
–5.0
—
—
—
—
—
—
–80
–50
–30
—
—
—
—
—
—
V
–65
–45
–30
—
—
—
—
—
—
V
V
集电极 - 基极击穿电压
（ IC = -100
μAdc ）
发射极 - 基极击穿电压
（IE = -100
m
ADC ， IC = 0 ）
基本特征
直流电流增益
（ IC = -10
μAdc ，
VCE = -5.0 V）
的hFE
BC557A
BC556B/557B/558B
BC557C
BC556
BC557
BC558
BC557A
BC556B/557B/558B
BC557C
BC557A
BC556B/557B/558B
BC557C
VCE （ SAT ）
—
VBE （ SAT ）
—
VBE （ON）的
–0.55
—
–0.62
–0.7
–0.7
–0.82
—
–1.0
V
---
–0.3
V
—
—
—
120
120
120
120
180
420
—
—
—
90
150
270
—
—
—
170
290
500
120
180
300
—
—
—
500
800
800
220
460
800
—
—
—
V
—
（ IC = -2.0 MADC ， VCE = -5.0 V）
（ IC = -100 MADC ， VCE = -5.0 V）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = -100mAdc ， IB = -5.0 MADC ）
基地 - 发射极饱和电压
（ IC = -100 MADC ， IB = -5.0mAdc ）
基射极电压ON
（ IC = -2.0 MADC ， VCE = -5.0 V直流）
（ IC = -10 MADC ， VCE = -5.0 V直流）
小信号特性
电流 - 增益 - 带宽积
（ IC = -10毫安， VCE = -5.0 V，F = 100兆赫）
fT
BC556
BC557
BC558
COB
—
—
—
—
280
320
360
3.0
—
—
—
6.0
pF
兆赫
输出电容
（ VCB = -10 V ， IC = 0 ， F = 1.0兆赫）
www.mccsemi.com
BC556通BC558B
BC556
–1.0
的hFE ， DC电流增益（标准化）
VCE = -5.0 V
TA = 25°C
2.0
1.0
0.5
V，电压（V ）
TJ = 25°C
–0.8
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
–0.6
VBE @ VCE = -5.0 V
–0.4
MCC
–0.2
0.2
0
–0.2
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
–1.0 –2.0 –5.0 –10 –20 –50 –100 –200
IC ，集电极电流（ AMP ）
–0.5
–50 –100 –200
–1.0 –2.0
–5.0 –10 –20
IC ，集电极电流（毫安）
–0.1 –0.2
图7.直流电流增益
图8. “开”电压
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
–2.0
θ
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
–1.0
–1.6
IC =
= 10毫安
= 20毫安
-50毫安
-100毫安-200毫安
–1.4
–1.2
–1.8
θ
VB的VBE
-55 ° C至125°C
–0.8
–2.2
–0.4
TJ = 25°C
0
–0.02
–0.05 –0.1 –0.2
–0.5 –1.0 –2.0
IB ，基极电流（毫安）
–5.0
–10
–20
–2.6
–3.0
–0.2
–0.5 –1.0
–50
–2.0
–5.0 –10 –20
IC ，集电极电流（毫安）
–100 –200
图9.集电极饱和区
图10.基射极温度系数
F T电流增益 - 带宽积
,
40
TJ = 25°C
C，电容（pF ）
20
兴业银行
500
VCE = -5.0 V
200
100
50
10
8.0
6.0
4.0
2.0
–0.1 –0.2
COB
20
–0.5 –1.0 –2.0
–5.0 –10 –20
VR ，反向电压（伏）
–50 –100
–100
–1.0
–10
IC ，集电极电流（毫安）
图11.电容
图12.电流增益 - 带宽积
www.mccsemi.com
BC556 THRU BC559
小信号晶体管（ PNP ）
TO-92
.181 (4.6)
分钟。 0.492 （12.5） 0.181 （4.6）
.142 (3.6)
PNP硅外延平面晶体管
开关和AF放大器应用。
特点
这些晶体管被细分为
三组A， B和C根据
其电流增益。类型BC556是可用
能够在组A和B ，但是，该类型
BC557和BC558可以在所有三个供给
组。该BC559是一种低噪声型可用
在所有三组。互补型的
NPN晶体管BC546 ... BC549建议。
.098 (2.5)
马克斯。
.022 (0.55)
特殊要求，这些晶体管也制造
捕获的原始图像中的引脚配置TO- 18 。
E
C
B
机械数据
案例：
TO- 92塑料包装
重量：
约。 0.18克
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度，除非另有规定等级
符号
集电极 - 基极电压
BC556
BC557
BC558 ， BC559
BC556
BC557
BC558 ， BC559
BC556
BC557
BC558 ， BC559
–V
CBO
–V
CBO
–V
CBO
–V
CES
–V
CES
–V
CES
–V
首席执行官
–V
首席执行官
–V
首席执行官
–V
EBO
–I
C
–I
CM
–I
BM
I
EM
P
合计
T
j
T
S
价值
80
50
30
80
50
30
65
45
30
5
100
200
200
200
500
1)
150
-65到+150
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
°C
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
峰值电流基地
峰值发射极电流
在T功耗
AMB
= 25 °C
结温
存储温度范围
1)
有效的条件是引线保持在环境温度下，以2毫米的情况下的距离。
4/98
BC556 THRU BC559
电气特性
在25 ° C环境温度，除非另有规定等级
符号
H-参数
在-V
CE
= 5 V ， -I
C
= 2毫安， F = 1千赫
电流增益
电流增益A组
B
C
输入阻抗
电流增益A组
B
C
输出导纳
电流增益A组
B
C
反向电压传输比
电流增益A组
B
C
直流电流增益
在-V
CE
= 5 V ， -I
C
= 10
A
电流增益A组
B
C
在-V
CE
= 5 V ， -I
C
= 2毫安
电流增益A组
B
C
在-V
CE
= 5 V ， -I
C
= 100毫安
电流增益A组
B
C
热阻结到环境空气
集电极饱和电压
在-I
C
= 10毫安， -I
B
- 0.5毫安
在-I
C
= 100毫安， -I
B
= 5毫安
基本饱和电压
在-I
C
= 10毫安， -I
B
- 0.5毫安
在-I
C
= 100毫安， -I
B
= 5毫安
基射极电压
在-V
CE
= 5 V ， -I
C
= 2毫安
在-V
CE
= 5 V ， -I
C
= 10毫安
集电极 - 发射极截止电流
BC556
在-V
CE
= 80 V
在-V
CE
= 50 V
BC557
BC558
在-V
CE
= 30 V
BC556
在-V
CE
= 80 V，T
j
= 125 °C
在-V
CE
= 50 V ，T
j
= 125 °C
BC557
BC558 ， BC559
在-V
CE
= 30 V ，T
j
= 125 °C
1)
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
h
fe
h
fe
h
fe
h
ie
h
ie
h
ie
h
oe
h
oe
h
oe
h
re
h
re
h
re
–
–
–
1.6
3.2
6
–
–
–
–
–
–
220
330
600
2.7
4.5
8.7
18
30
60
1.5 · 10
–4
2 · 10
–4
3 · 10
–4
–
–
–
4.5
8.5
15
30
60
110
–
–
–
–
–
–
k
k
k
S
S
S
–
–
–
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
R
thJA
–V
CESAT
–V
CESAT
–V
BESAT
–V
BESAT
–V
BE
–V
BE
–I
CES
–I
CES
–I
CES
–I
CES
–I
CES
–I
CES
–
–
–
110
200
420
–
–
–
–
–
–
–
–
600
–
–
–
–
–
–
–
90
150
270
180
290
500
120
200
400
–
80
250
700
900
660
–
0.2
0.2
0.2
–
–
–
–
–
–
220
450
800
–
–
–
250
1)
300
650
–
–
750
800
15
15
15
4
4
4
–
–
–
–
–
–
–
–
–
K / W
mV
mV
mV
mV
mV
mV
nA
nA
nA
A
A
A
有效的条件是引线保持在环境温度下，以2毫米的情况下的距离。
BC556 BC559 ...
BC556 BC559 ...
PNP
版本2006-05-31
功耗 - Verlustleistung
CBE
通用硅外延PlanarTransistors
硅外延平面- Transistoren献给universellen Einsatz
PNP
500毫瓦
TO-92
(10D3)
0.18 g
塑料外壳
Kunststoffgehuse
重量约。 - Gewicht约
18
9
16
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装录音中的弹药盒
在弹药，包装标准Lieferform gegurtet
2 x 2.54
尺寸 - 集体[MM ]
最大额定值（T
A
= 25°C)
BC556
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基电压
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom （ DC ）
峰值集电极电流 - Kollektor - Spitzenstrom
峰值基极电流 - 基础 - Spitzenstrom
峰值发射极电流 - 发射极Spitzenstrom
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
特性（T
j
= 25°C)
A组
直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhltnis
2
)
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 10 A
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 2毫安
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 100毫安
小信号电流增益
Kleinsignal - Stromverstrkung
输入阻抗 - Eingangs - Impedanz
输出导纳 - Ausgangs - Leitwert
反向电压传输比
Spannungsrückwirkung
h
FE
h
FE
h
FE
（典型值） 。 90
110 ... 220
（典型值） 。 120
E- B的短
B开
ê开放
c打开
- V
CES
- V
首席执行官
- V
CBO
- V
EB0
P
合计
- I
C
- I
CM
- I
BM
I
EM
T
j
T
S
80 V
65 V
80 V
Grenzwerte （T
A
= 25°C)
BC557
50 V
45 V
50 V
5V
500毫瓦
1
)
百毫安
200毫安
200毫安
200毫安
-55...+150°C
-55…+150°C
Kennwerte （T
j
= 25°C)
B组
（典型值） 。 150
200 ... 450
（典型值） 。 200
C组
（典型值） 。 270
420 ... 800
（典型值） 。 400
BC558/559
30 V
30 V
30 V
H-参数为/贝 - V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 2毫安， F = 1千赫
h
fe
h
ie
h
oe
h
re
（典型值） 。 220
1.6 ... 4.5 k
18 < 30 μS
（典型值） 。 1.5 * 10-4
（典型值） 。 330
3.2 ...8.5 k
30 < 60 μS
（典型值） 。 2 * 10-4
（典型值） 。 600
6 ... 15 k
60 < 110 μS
（典型值） 。 3 * 10-4
1
有效的，如果引线被保持在环境温度下从壳体的距离为2毫米
Gültig德恩死Anschlussdrhte在2毫米Abstand VOM Gehuse奥夫Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
1
BC556 BC559 ...
特性（T
j
= 25°C)
分钟。
集电极 - 发射极截止电流 - Kollektor发射极 - Reststrom
- V
CE
= 80 V， （B -E短）
- V
CE
= 50 V ， （B -E短）
- V
CE
= 30 V ， （B -E短）
- V
CE
= 80 V，T
j
= 125°C ， （B -E短）
- V
CE
= 50 V ，T
j
= 125°C ， （B -E短）
- V
CE
= 30 V ，T
j
= 125°C ， （B -E短）
- I
C
= 10毫安， - 我
B
- 0.5毫安
- I
C
= 100毫安， - 我
B
= 5毫安
- I
C
= 10毫安， - 我
B
- 0.5毫安
- I
C
= 100毫安， - 我
B
= 5毫安
基极发射极电压 - 基射极Spannung
2
)
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 2毫安
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 10毫安
增益带宽积 - Transitfrequenz
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 10 mA时， F = 100 MHz的
集电极 - 基极电容 - Kollektor个基本Kapazitt
- V
CB
= 10 V，I
E
= IE = 0 ， F = 1兆赫
发射极 - 基极电容 - 发射极 - 基 - Kapazitt
- V
EB
= 0.5 V，I
C
= i
c
= 0中，f = 1 MHz的
噪声系数 - Rauschzahl
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 200 μA ，R
G
= 2 k
F = 1千赫
Δf
= 200赫兹
BC556 BC558 ...
BC559
F
F
R
THA
–
–
2分贝
1分贝
< 200 K / W
1
)
BC546 BC549 ...
BC556A
BC557A
BC558A
BC556B
BC557B
BC558B
BC559B
BC557C
BC558C
BC559C
10分贝
4分贝
C
EB0
–
10 pF的
–
C
CBO
–
3.5 pF的
6 pF的
f
T
–
150兆赫
–
- V
BE
- V
BE
600毫伏
–
660毫伏
–
750毫伏
800毫伏
BC546
BC547
BC548 / BC549
BC546
BC547
BC548 / BC549
- I
CES
- I
CES
- I
CES
- I
CES
- I
CES
- I
CES
- V
CESAT
- V
CESAT
- V
BESAT
- V
BESAT
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
0.2 nA的
0.2 nA的
0.2 nA的
–
–
–
80毫伏
250毫伏
700毫伏
900毫伏
15 nA的
15 nA的
15 nA的
4 A
4 A
4 A
300毫伏
650毫伏
–
–
Kennwerte （T
j
= 25°C)
典型值。
马克斯。
集电极 - 发射极饱和电压 - Kollektor发射极 - Sttigungsspg
2
)
基射极饱和电压 - 基射极Sttigungsspannung
2
)
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
推荐互补NPN晶体管
Empfohlene komplementre NPN - Transistoren
每个类型的可用电流增益组
Lieferbare Stromverstrkungsgruppen亲典型值
2
1
测试了脉冲吨
p
= 300微秒，占空比
≤
2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300微秒， Schaltverhltnis
≤
2%
有效的，如果引线被保持在环境温度下从壳体的距离为2毫米
Gültig德恩死Anschlussdrhte在2毫米Abstand VOM Gehuse奥夫Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
2
QQ：2880707522 复制
