恩智浦半导体
产品数据表
NPN通用晶体管
特点
低电流（最大100 mA时）
低电压（最大45 V ） 。
应用
低噪声级在音频设备。
描述
NPN晶体管在TO -92 ; SOT54塑料包装。
PNP补充： BC559和BC560 。
1
手册， halfpage
BC549 ; BC550
钉扎
针
1
2
3
辐射源
BASE
集热器
描述
2
3
3
2
1
MAM182
Fig.1
简化外形（ TO- 92 ; SOT54 ）
和符号。
订购信息
包
类型编号
名字
BC549C
BC550C
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
BC549
BC550
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BC549
BC550
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
2004年10月11日
2
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
集电极开路
开基
65
65
30
45
5
100
200
200
500
+150
150
+150
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
°C
参数
集电极 - 基极电压
条件
发射极开路
30
50
V
V
分钟。
马克斯。
单位
SC-43A
描述
塑料单端含铅（通孔）包; 3引线
VERSION
SOT54
恩智浦半导体
产品数据表
NPN通用晶体管
热特性
符号
R
号（j -a）的
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极 - 基极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
条件
V
CB
= 30 V ;我
E
= 0 A
V
CB
= 30 V ;我
E
= 0 ;吨
j
= 150
°C
V
EB
= 5 V ;我
C
= 0 A
V
CE
= 5 V ;见图2
I
C
= 10
μA
I
C
= 2毫安
V
CESAT
V
BESAT
V
BE
C
c
C
e
f
T
F
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压
集电极电容
发射极电容
跃迁频率
噪声系数
I
C
= 10毫安;我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安;我
B
= 5毫安
I
C
= 10毫安;我
B
= 0.5毫安;注1
I
C
= 100毫安;我
B
= 5毫安;注1
V
CE
= 5 V ;我
C
= 2毫安;注意2
V
CE
= 5 V ;我
C
= 10毫安;注意2
V
CB
= 10 V ;我
E
= i
e
= 0 A;
F = 1 MHz的
V
EB
= 0.5 V ;我
C
= i
c
= 0 A;
F = 1 MHz的
V
CE
= 5 V ;我
C
= 10毫安;
F = 100 MHz的
V
CE
= 5 V ;我
C
= 200
μA;
R
S
= 2 kΩ的; F = 10 Hz至15.7千赫
V
CE
= 5 V ;我
C
= 200
μA;
R
S
= 2 kΩ的; F = 1千赫B = 200赫兹
笔记
1. V
BESAT
降低了约1.7毫伏/ K随温度的升高。
2. V
BE
降低了约2毫伏/ K随温度的升高。
420
580
100
分钟。
参数
从结点到环境的热阻
条件
注1
BC549 ; BC550
价值
250
单位
K / W
典型值。
270
520
90
200
700
900
660
1.5
11
马克斯。
15
5
100
800
250
600
700
770
4
4
单位
nA
μA
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
pF
pF
兆赫
dB
dB
2004年10月11日
3
恩智浦半导体
产品数据表
NPN通用晶体管
包装外形
塑料单端含铅（通孔）包; 3引线
BC549 ; BC550
SOT54
c
E
d
A
L
b
1
D
2
e1
e
3
b
1
L1
0
2.5
规模
5 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
5.2
5.0
b
0.48
0.40
b1
0.66
0.55
c
0.45
0.38
D
4.8
4.4
d
1.7
1.4
E
4.2
3.6
e
2.54
e1
1.27
L
14.5
12.7
L
1(1)
马克斯。
2.5
记
这个区域内的终端1.尺寸不受控制允许流胶和终端违规行为。
概要
VERSION
SOT54
参考文献：
IEC
JEDEC
TO-92
JEITA
SC-43A
欧洲
投影
发行日期
04-06-28
04-11-16
2004年10月11日
5
BC546…BC550
NPN硅外延平面晶体管
用于切换自动对焦和放大器的应用
这些晶体管被分为三个组A，
根据其电流增益B和C的。
1.收藏家2.基地3.发射
TO- 92塑料包装
绝对最大额定值（T
a
= 25
O
C)
参数
集电极 - 基极电压
BC546
BC547 ， BC550
BC548 ， BC549
BC546
BC547 ， BC550
BC548 ， BC549
符号
V
CBO
价值
80
50
30
65
45
30
6
100
200
500
150
- 65至+ 150
单位
V
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
合计
T
j
T
S
V
V
mA
mA
mW
O
发射极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
总功耗
结温
存储温度范围
C
C
O
特点在T
a
= 25
O
C
参数
直流电流增益
在V
CE
= 5 V，I
C
= 2毫安
电流增益组
A
B
C
符号
h
FE
h
FE
h
FE
I
CBO
I
EBO
BC546
BC547 ， BC550
BC548 ， BC549
BC546
BC547 ， BC550
BC548 ， BC549
V
（ BR ） CBO
分钟。
110
200
420
-
-
80
50
30
65
45
30
6
马克斯。
220
450
800
15
100
-
-
-
-
-
-
-
单位
-
-
-
nA
nA
V
集电极基截止电流
在V
CB
= 30 V
发射基地截止电流
在V
EB
= 5 V
集电极基极击穿电压
在我
C
= 100 A
集电极发射极击穿电压
在我
C
= 1毫安
发射极基极击穿电压
在我
E
= 10 A
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
V
V
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 27/12/2007
BC546…BC550
特点在T
a
= 25
O
C
参数
集电极 - 发射极饱和电压
在我
C
= 10 mA时，我
B
- 0.5毫安
在我
C
= 100毫安，我
B
= 5毫安
基极发射极电压
在V
CE
= 5 V，I
C
= 2毫安
在V
CE
= 5 V，I
C
= 10毫安
跃迁频率
在V
CE
= 5 V，I
C
= 10 mA时， F = 100 MHz的
集电极电容基地
在V
CB
= 10 V ， F = 1兆赫
符号
V
CE （ SAT ）
分钟。
-
-
0.55
-
100
-
马克斯。
0.25
0.6
0.7
0.77
-
6
单位
V
V
BE（上）
f
T
C
cb
V
兆赫
pF
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 27/12/2007
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用，不
旨在成为所有此类商标的详尽清单。
ACEX
FACT
ActiveArray
FACT静音系列
深不见底
快
FASTr
CoolFET
CROSSVOLT
FRFET
GlobalOptoisolator
DOME
EcoSPARK
GTO
2
CMOS
E
HiSeC
Ensigna
I
2
C
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
放弃
ImpliedDisconnect
等平面
LittleFET
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
MSX
MSXPro
OCX
OCXPro
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
RapidConnect
SILENT SWITCHER
SMART START
SPM
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何
责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;
它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
公司。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或系统
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内，
或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行
如果使用得当按照使用说明
提供的标签，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
2.关键部件是在生命支持任何组件
设备或系统，其未能履行可
合理预期造成的生命支持故障
装置或系统，或影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2002仙童半导体公司
牧师I1
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN通用晶体管
特点
低电流（最大100 mA时）
低电压（最大45 V ） 。
应用
低噪声级在音频设备。
描述
NPN晶体管在TO -92 ; SOT54塑料包装。
PNP补充： BC559和BC560 。
1
手册， halfpage
BC549 ; BC550
钉扎
针
1
2
3
辐射源
BASE
集热器
描述
2
3
3
2
1
MAM182
Fig.1
简化外形（ TO- 92 ; SOT54 ）
和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
BC549
BC550
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BC549
BC550
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
集电极开路
开基
65
65
30
45
5
100
200
200
500
+150
150
+150
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
°C
参数
集电极 - 基极电压
条件
发射极开路
30
50
V
V
分钟。
马克斯。
单位
1999年04月22
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN通用晶体管
热特性
符号
R
日J-一
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
BC549C ; BC550C
V
CESAT
V
BESAT
V
BE
C
c
C
e
f
T
F
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压
集电极电容
发射极电容
跃迁频率
噪音科幻gure
I
C
= 10
A;
V
CE
= 5 V ;见图2
I
C
= 2毫安; V
CE
= 5 V ;见图2
I
C
= 10毫安;我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安;我
B
= 5毫安
I
C
= 10毫安;我
B
= 0.5毫安;注1
I
C
= 100毫安;我
B
= 5毫安;注1
I
C
= 2毫安; V
CE
= 5 V ;注意2
I
C
= 10毫安; V
CE
= 5 V ;注意2
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
I
C
= i
c
= 0; V
EB
= 0.5 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 10毫安; V
CE
= 5 V;
F = 100 MHz的
I
C
= 200
A;
V
CE
= 5 V;
R
S
= 2 kΩ的; F = 10 Hz至15.7千赫
I
C
= 200
A;
V
CE
= 5 V;
R
S
= 2 kΩ的; F = 1千赫B = 200赫兹
笔记
1. V
BESAT
降低了约1.7毫伏/ K随温度的升高。
2. V
BE
降低了约2毫伏/ K随温度的升高。
420
580
100
条件
I
E
= 0; V
CB
= 30 V
I
E
= 0; V
CB
= 30 V ;牛逼
j
= 150
°C
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
分钟。
参数
从结点到环境的热阻
条件
注1
BC549 ; BC550
价值
250
单位
K / W
典型值。
270
520
90
200
700
900
660
1.5
11
马克斯。
15
5
100
800
250
600
700
770
4
4
单位
nA
A
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
pF
pF
兆赫
dB
dB
1999年04月22
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN通用晶体管
包装外形
塑料单端含铅（通孔）包; 3引线
BC549 ; BC550
SOT54
c
E
d
A
L
b
1
D
2
e1
e
3
b
1
L1
0
2.5
规模
5 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
5.2
5.0
b
0.48
0.40
b1
0.66
0.56
c
0.45
0.40
D
4.8
4.4
d
1.7
1.4
E
4.2
3.6
e
2.54
e1
1.27
L
14.5
12.7
L1
(1)
2.5
记
这个区域内的终端1.尺寸不受控制允许流胶和终端违规行为。
概要
VERSION
SOT54
参考文献：
IEC
JEDEC
TO-92
EIAJ
SC-43
欧洲
投影
发行日期
97-02-28
1999年04月22
5
QQ：2881677436 复制
