通用技术资料
1
电子设备的电感元件
尤其是在这个年龄段的完全电子和高度集成的设备，感应组件
缺一不可。它们被用来在开关模式电源间歇地存储能量并
直流/直流转换器，高频电路部分，作为过滤元件以及最后但并非最不重要的是
干扰抑制组件，以确保EMC 。
当然，放置在电感器的需求依赖于他们如何以及在哪里都可以使用。在HF
电路中，需要具有高品质因子和谐振频率的线圈。在EMC应用，
高电感均实现良好的抗干扰特性要求，以低
Q
因素是更期望在这里，由于需要避免共振。
爱普科斯为所有应用合适的电感元件。本数据手册包含了广泛的
选择标准组件，从SMT类型（从SIMID 0402） ，一直到4行
大电流电感功率电子应用。
注意力被吸引到优秀的高频特性和调试的极高的可靠性
ponents ，由于实现了规模化生产的自动化和多年的经验
这种组件的制造。
典型应用的电感器和扼流圈的概述
应用
电感
额定电流共振
频率
低
非常高
高
高
中
Q
因素
非常高
低
低
高
直流电阻
低
非常低
非常低
低
高频电路，
低
谐振电路
EMC
高
滤波电路
高
高
开关模式
电源供应器，
DC / DC转换器
取决于具体的应用
1.1
高频电路
SMT样式（ SIMID产品系列）和含铅射频扼流圈特别适用于射频和其它
高频电路。典型的应用是谐振电路和频率选择滤波器
类型电信工程及汽车电子正越来越多地使用。在
某些情况下，对电感元件的特殊需求出现，例如，在反式使用时
移动电话的米特输出电路（高
Q
因子和谐振频率），并在空气
包控制电路（高脉冲电流） 。
1.2
滤波电路
当电感元件用于过滤器的电源适用于电子，高电感的
尽可能低的直流电阻和低的
Q
因数是必需的。的阻抗应具有宽
频带的频率特性。除了所述的额定电流，最大允许脉冲电流
（开关瞬态电流）和足够高的芯材饱和度是重要的。
电抗器属于所有类型的串联这里提出可用于这种应用范围，从
在SIMID类型直到扼流圈与磁粉芯和一个或两行。
9
04/00
通用技术资料
1.3
开关模式电源，DC / DC转换器
感性元件用于磁能存储在各种开关模式功率支持
层片和DC / DC转换器。例如， SIMID 1812系列产品中使用的低功率步进
上变频器在汽车电子和电池供电设备。它们可经受
短期内，以电流这是他们的额定电流的四倍，没有任何饱和
效果出现。
1.4
EMC应用
对于宽带干扰抑制，电流补偿扼流圈与环形铁芯或D芯
和磁粉芯电抗器尤其适合。
除了用作电源及其他电源线滤波器，扼流圈等都是重要数据
线作为通信工程，电子应用。克。在NTBAs （网络终端基本AC-
塞斯单位， ISDN） ，在电话交换机的线路卡（ ISDN和类似物），并在快速膨胀式
ING CAN总线的应用领域（ = CAN控制器局域网络）在汽车电子领域。
几乎所有的构件族批准按照主要的国际标
dards 。所有扼流圈低频电源网络的尺寸和测试符合
适用的EN和IEC标准。
具有特别良好的RF特性的电感元件是由使用的无间隙实现
内核。爱普科斯开发的制造方法导致良好的衰减的重现
化的特点，使生产高品质的元件以优惠的价格。
该公司的多年经验，保证客户快速，经济转播
泰恩恰到好处的解决方案，以他们的EMC问题。我们自己的EMC实验室雷根斯堡或1
我们在欧洲的合作伙伴EMC实验室是在您的处置在任何时候，以帮助专业
咨询和进行测量（也指
章的“服务”） 。
1.4.1
干扰的传播
干扰电压和电流可以被分组到共模干扰，差模
模干扰和非对称干扰：
1a
1b
1c
U
s
U
as
U
us1
U
us2
U
=
V
=电压
SSB1465-P
不对称
asymmetrische
传播
Ausbreitung
对称
symmetrische
传播
Ausbreitung
非对称的
unsymmetrische
传播
Ausbreitung
SSB1465-P
图。 1
传播模式
s
共模干扰（不对称干扰） ：
- 发生在电缆和参考电势（图的行之间。
1a),
- 主要发生在高频率（从约1MHz以上） 。
s
差模干扰（对称干扰） ：
- 发生两条线（ L-L ， L-N ） （图之间。
1b),
- 主要发生在低频率（高达几百千赫兹） 。
10
04/00
通用技术资料
s
非对称干扰：
- 该术语用来描述干扰在一行中，相对于基准电位
（图。
1c)
1.4.2
干扰特性
为了能够选择正确的EMC对策，我们需要知道的特性
干扰，它们是如何传播的机制，通过它们耦合到税务局局长
CUIT 。原则上，所述的干扰，也可以根据自己的范围内（图归类。
2).
在低频
quencies ，它可以假设该干扰只敷于沿导电结构，在高
频率只由电磁辐射的装置。在MHz频率范围的，术语cou-
耦一般是用来描述的机制。
类似地，在最高频率上线传导干扰到几百kHz的是main-
LY对称（差
模式） ，
在较高频率上，它们是不对称的（共同
模式）。
这是因为耦合系数之间的寄生电容和电感的影响
导体随频率增加。
X电容和一个电感适合作为抑制措施的差模的COM
元件。其中，非对称的，即共模干扰已被消除，电流的COM
补偿的扼流圈和Y电容器主要应用于中，前提这之中，但是，一个良好
设计，符合EMC的接地和布线系统。
类型的干扰和抑制措施的分类及其关系的频
昆西范围体现在对干扰电压和干扰场的频率限制
强度测量。
SSB1558-D
差模
共模
场
干扰
特征
LINE
耦合
场
干扰
传播
X CAP
PC通道。
Y顶盖
抄送通道。
地
屏蔽
补救措施
干扰电压
10
_
2
场强
10
1
10
2
马克斯。评级
10
_
1
10
0
兆赫10
3
f
图。 2
频率范围一览
PC通道。 =铁粉芯电感，也是所有单电抗器/ X帽= X电容
抄送通道。 =电流补偿扼流圈/ Y帽= Y电容
11
04/00
通用技术资料
2
2.1
电磁兼容性（ EMC ）
介绍
只要电子传输设备，如广播，电视，电话等已
存在，它已经有易感性的历史，以来自其他电子设备的干扰。法律
对干扰抑制（电磁和射频干扰，电磁干扰法规
和RFI ）已自1928年以来一直存在，这些法规保护的传输路径，并重新
ception设备的限制辐射干扰。
鉴于越来越多的电气和电子设备中使用的，不仅princi-
干扰抑制的普莱斯必须注意，而且在电磁的COM的感
兼容性（ EMC），它必须保证所有的设备能够同时运行而不
问题。电磁兼容性被定义为电气设备中正常运行在其elec-的能力
在不影响其他设备在此环境中，以一个不允许tromagnetic环境
程度。
欧洲共同体“ EMC指令（ 89/336 / EEC ）生效的。1. 1996年，有
被改造成单个EU（欧盟）成员国相应的立法
状态。与此，它已成为强制性的设计电子设备遵从亲
本指令tection目标;即，以满足对电磁发射的要求，并
电磁抗扰度在相应的EN标准（欧洲标准）规定。
EMC的概念包括电磁辐射（ EME）和抗电磁干扰/
敏感性（EMS ），见
图。 3 。
EMC电磁=
兼容性
感受性
EMC
发射
EME
CE
RE
干扰
来源
图。 3
EMC条款
进行
EMS
CS
RS
EME =电磁
发射
EMS =电磁
免疫力/易感性
CE
CS
=传导发射
=易感性
传导发射
=辐射发射
=易感性
辐射发射
辐射
传播
RE
不安
设备
RS
干扰源可能产生传导或辐射的电磁能量，即进行
发射（ CE）和辐射发射（ RE ） 。这也适用于该传播路径和到elec-
干扰设备tromagnetic易感性。
为了制定出经济的解决方案，有必要考虑这两种现象，即propaga-
灰和敏感性，以相等的程度，而不是仅仅一个方面，如传导发射。
12
04/00
通用技术资料
EMC元件用于降低传导电磁干扰在一个极限
EMC计划或减至低于EMC标准规定的极限值这种干扰。
这些组件可以或者在潜在干扰源，或在不安装
设备（图
4).
RE
RE
电源
CE
不安
分析装备
换货
来源
CE
CE
CE
RE
RE
CE
控制线
CE
滤波器
干扰电流
干扰电压
RE
SA
CE
信号线
电场
磁场
电磁科幻场
图。 4
敏感性模型和过滤
爱普科斯提供的EMI抑制元件额定电压和电流的均衡范围
租金电源线以及信号线和控制线。
13
04/00
BCP54 ; BCX54 ; BC54PA
45 V ，1 A NPN型中功率晶体管
启8 - 2011年10月21日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
NPN型中功率晶体管系列表面贴装器件（ SMD ）塑料封装。
表1中。
产品概述
包
恩智浦
BCP54
BCX54
BC54PA
[1]
类型编号
[1]
PNP补充
JEITA
SC-73
SC-62
-
JEDEC
-
TO-243
-
BCP51
BCX51
BC51PA
SOT223
SOT89
SOT1061
适用于所有可用的选项组。
1.2特点和优点
HIGH CURRENT
三个电流增益的选择
高功率耗散能力
裸露散热片的优良导热和导电性能（ SOT89 ， SOT1061 ）
无铅非常小的SMD塑料封装中功率能力（ SOT1061 ）
AEC- Q101对外贸易资质网络编辑
1.3应用
线性稳压器
低边开关
电池驱动设备
电源管理
MOSFET驱动器
放大器器
1.4快速参考数据
表2中。
符号
V
首席执行官
I
C
I
CM
h
FE
快速参考数据
参数
集电极 - 发射极电压
集电极电流
峰值集电极电流
直流电流增益
h
FE
选择-10
h
FE
选择-16
[1]
脉冲测试：吨
p
300
s;
= 0.02.
条件
开基
单脉冲;吨
p
1毫秒
V
CE
= 2 V ;我
C
= 150毫安
V
CE
= 2 V ;我
C
= 150毫安
V
CE
= 2 V ;我
C
= 150毫安
[1]
[1]
[1]
民
-
-
-
63
63
100
典型值
-
-
-
-
-
-
最大
45
1
2
250
160
250
单位
V
A
A
恩智浦半导体
BCP54 ; BCX54 ; BC54PA
45 V ，1 A NPN型中功率晶体管
5.极限值
表6 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
峰值电流基地
总功耗
BCP54
单脉冲;
t
p
1毫秒
T
AMB
25
C
[1]
[2]
[3]
条件
发射极开路
开基
集电极开路
单脉冲;
t
p
1毫秒
民
-
-
-
-
-
-
-
最大
45
45
5
1
2
0.3
0.3
单位
V
V
V
A
A
A
A
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
55
65
0.65
1.00
1.35
0.50
0.95
1.35
0.42
0.83
1.10
0.81
1.65
150
+150
+150
W
W
W
W
W
W
W
W
W
W
W
C
C
C
BCX54
[1]
[2]
[3]
BC54PA
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
结温
环境温度
储存温度
设备安装在一FR4印刷电路板（PCB） ，单面铜，镀锡和标准
足迹。
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡，安装垫集热1厘米
2
.
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡，安装垫集热6厘米
2
.
设备安装在一FR4 PCB ， 4层铜，镀锡和标准的足迹。
设备安装在一FR4 PCB ， 4层铜，镀锡，安装垫集热1厘米
2
.
BCP54_BCX54_BC54PA
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2011保留所有权利。
产品数据表
启8 - 2011年10月21日
4 22
恩智浦半导体
BCP54 ; BCX54 ; BC54PA
45 V ，1 A NPN型中功率晶体管
1.5
(1)
006aac674
1.5
(1)
006aac675
P
合计
(W)
(2)
P
合计
(W)
1.0
(2)
1.0
(3)
(3)
0.5
0.5
0.0
–75
–25
25
75
125
175
T
AMB
(°C)
0.0
–75
–25
25
75
125
175
T
AMB
(°C)
（ 1 ） FR4印刷电路板，安装板集热6厘米
2
（ 2 ） FR4印刷电路板，安装板集热1厘米
2
（ 3 ） FR4 PCB，标准的足迹
（ 1 ） FR4印刷电路板，安装板集热6厘米
2
（ 2 ） FR4印刷电路板，安装板集热1厘米
2
（ 3 ） FR4 PCB，标准的足迹
图1 。
功率降额曲线SOT223
2.0
P
合计
(W)
1.5
(1)
图2 。
功率降额曲线SOT89
006aac676
(2)
1.0
(3)
(4)
0.5
(5)
0.0
–75
–25
25
75
125
175
T
AMB
(°C)
（ 1 ） FR4 PCB ， 4层铜垫安装集热1厘米
2
（ 2 ） FR4 PCB ，单面铜，安装垫集热6厘米
2
（3）的FR4印刷电路板，单面铜，集电极安装焊盘1厘米
2
（ 4 ） FR4 PCB ， 4层铜，标准的足迹
（ 5 ） FR4 PCB ，单面铜，标准的足迹
图3 。
功率降额曲线SOT1061
BCP54_BCX54_BC54PA
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
NXP B.V. 2011保留所有权利。
产品数据表
启8 - 2011年10月21日
5 22
QQ：2881677436 复制
