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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第699页 > BC549C
分立半导体
数据表
dbook ， halfpage
M3D186
BC549 ; BC550
NPN通用晶体管
产品数据表
取代1999年的数据04月22日
2004年10月11日
恩智浦半导体
产品数据表
NPN通用晶体管
特点
低电流（最大100 mA时）
低电压（最大45 V ） 。
应用
低噪声级在音频设备。
描述
NPN晶体管在TO -92 ; SOT54塑料包装。
PNP补充： BC559和BC560 。
1
手册， halfpage
BC549 ; BC550
钉扎
针
1
2
3
辐射源
BASE
集热器
描述
2
3
3
2
1
MAM182
Fig.1
简化外形（ TO- 92 ; SOT54 ）
和符号。
订购信息
包
类型编号
名字
BC549C
BC550C
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
BC549
BC550
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BC549
BC550
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
2004年10月11日
2
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
集电极开路
开基
65
65
30
45
5
100
200
200
500
+150
150
+150
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
°C
参数
集电极 - 基极电压
条件
发射极开路
30
50
V
V
分钟。
马克斯。
单位
SC-43A
描述
塑料单端含铅（通孔）包; 3引线
VERSION
SOT54
恩智浦半导体
产品数据表
NPN通用晶体管
热特性
符号
R
号（j -a）的
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极 - 基极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
条件
V
CB
= 30 V ;我
E
= 0 A
V
CB
= 30 V ;我
E
= 0 ;吨
j
= 150
°C
V
EB
= 5 V ;我
C
= 0 A
V
CE
= 5 V ;见图2
I
C
= 10
μA
I
C
= 2毫安
V
CESAT
V
BESAT
V
BE
C
c
C
e
f
T
F
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压
集电极电容
发射极电容
跃迁频率
噪声系数
I
C
= 10毫安;我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安;我
B
= 5毫安
I
C
= 10毫安;我
B
= 0.5毫安;注1
I
C
= 100毫安;我
B
= 5毫安;注1
V
CE
= 5 V ;我
C
= 2毫安;注意2
V
CE
= 5 V ;我
C
= 10毫安;注意2
V
CB
= 10 V ;我
E
= i
e
= 0 A;
F = 1 MHz的
V
EB
= 0.5 V ;我
C
= i
c
= 0 A;
F = 1 MHz的
V
CE
= 5 V ;我
C
= 10毫安;
F = 100 MHz的
V
CE
= 5 V ;我
C
= 200
μA;
R
S
= 2 kΩ的; F = 10 Hz至15.7千赫
V
CE
= 5 V ;我
C
= 200
μA;
R
S
= 2 kΩ的; F = 1千赫B = 200赫兹
笔记
1. V
BESAT
降低了约1.7毫伏/ K随温度的升高。
2. V
BE
降低了约2毫伏/ K随温度的升高。
420
580
100
分钟。
参数
从结点到环境的热阻
条件
注1
BC549 ; BC550
价值
250
单位
K / W
典型值。
270
520
90
200
700
900
660
1.5
11
马克斯。
15
5
100
800
250
600
700
770
4
4
单位
nA
μA
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
pF
pF
兆赫
dB
dB
2004年10月11日
3
恩智浦半导体
产品数据表
NPN通用晶体管
BC549 ; BC550
手册，全页宽
600
MBH725
VCE = 5 V
的hFE
400
200
0
10
2
10
1
1
10
10
2
IC （MA ）
10
3
BC549C ; BC550C 。
图2直流电流增益;典型值。
2004年10月11日
4
恩智浦半导体
产品数据表
NPN通用晶体管
包装外形
塑料单端含铅（通孔）包; 3引线
BC549 ; BC550
SOT54
c
E
d
A
L
b
1
D
2
e1
e
3
b
1
L1
0
2.5
规模
5 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
5.2
5.0
b
0.48
0.40
b1
0.66
0.55
c
0.45
0.38
D
4.8
4.4
d
1.7
1.4
E
4.2
3.6
e
2.54
e1
1.27
L
14.5
12.7
L
1(1)
马克斯。
2.5
记
这个区域内的终端1.尺寸不受控制允许流胶和终端违规行为。
概要
VERSION
SOT54
参考文献：
IEC
JEDEC
TO-92
JEITA
SC-43A
欧洲
投影
发行日期
04-06-28
04-11-16
2004年10月11日
5
公元前546年公元前... 549
NPN
硅外延PlanarTransistors
通用晶体管
NPN
500毫瓦
TO-92
(10D3)
0.18 g
功耗 - Verlustleistung
塑料外壳
Kunststoffgehuse
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准钢钉
1 = C 2 = B 3 = E
标准包装录音中的弹药盒
在弹药，包装标准Lieferform gegurtet
最大额定值（T
A
= 25
/
C)
公元前546年
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基电压
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom （ DC ）
高峰科尔。电流 - Kollektor - Spitzenstrom
峰值基极电流 - 基础 - Spitzenstrom
峰值发射极电流 - 发射极Spitzenstrom
结温。 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
B开
B短路
ê开放
c打开
V
CE0
V
CES
V
CB0
V
EB0
P
合计
I
C
I
CM
I
BM
- I
EM
T
j
T
S
65 V
85 V
80 V
6V
Grenzwerte （T
A
= 25
/
C)
公元前547
45 V
50 V
50 V
6V
500毫瓦
1
)
百毫安
200毫安
200毫安
200毫安
150
/
C
- 65…+ 150
/
C
BC 549分之548
30 V
30 V
30 V
5V
特性，T
j
= 25
/
C
A组
直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhltnis
V
CE
= 5 V，I
C
= 10
:
A
V
CE
= 5 V，I
C
= 2毫安
V
CE
= 5 V，I
C
= 100毫安
H-参数在V
CE
= 5V ，我
C
= 2毫安， F = 1千赫
小信号电流增益 - Stromverst 。
输入阻抗 - Eingangsimpedanz
输出导纳 - Ausgangsleitwert
反向电压传输比
Spannungsrückwirkung
h
fe
h
ie
h
oe
h
re
（典型值） 。 220
1.6...4.5 k
S
18 < 30
:
S
typ.1.5 * 10
-4
h
FE
h
FE
h
FE
（典型值） 。 90
110...220
（典型值） 。 120
Kennwerte ，T
j
= 25
/
C
B组
（典型值） 。 150
200...450
（典型值） 。 200
（典型值） 。 330
3.2...8.5 k
S
30 < 60
:
S
（典型值） 。 2 * 10
-4
C组
（典型值） 。 270
420...800
typ.400
（典型值） 。 600
6...15 k
S
60 < 110
:
S
（典型值） 。 3 * 10
-4
1
）有效，如果引线被保持在环境温度下从壳体的距离为2毫米
Gültig ，德恩死Anschludrhte在2毫米Abstand冯Gehuse奥夫Umgebungstemperatur gehalten werden
6
01.11.2003
通用晶体管
特性，T
j
= 25
/
C
分钟。
集电极饱和电压 - Kollektor - Sttigungsspannung
I
C
= 10 mA时，我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安，我
B
= 5毫安
基本饱和电压 - 基础 - Sttigungsspannung
I
C
= 10 mA时，我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安，我
B
= 5毫安
基射极电压 - 基射极Spannung
V
CE
= 5 V，I
C
= 2毫安
V
CE
= 5 V，I
C
= 10毫安
集电极 - 发射极截止电流 - Kollektorreststrom
V
CE
= 80 V
V
CE
= 50 V
V
CE
= 30 V
V
CE
= 30 V
V
CE
= 80 V，T
j
= 125
/
C
V
CE
= 50 V ，T
j
= 125
/
C
V
CE
= 30 V ，T
j
= 125
/
C
V
CE
= 30 V ，T
j
= 125
/
C
V
CE
= 5 V，I
C
= 10 mA时， F = 100 MHz的
V
CB
= 10 V ， F = 1兆赫
发射极 - 基极电容 - 发射极 - 基 - Kapazitt
V
EB
= 0.5 V ， F = 1兆赫
噪声系数 - Rauschma
V
CE
= 5 V，I
C
= 200
:
A
R
G
= 2 k
S
F = 1千赫
公元前547
公元前548
公元前549
F
F
F
–
–
–
R
THA
C
EB0
–
公元前546年
公元前547
公元前548
公元前549
公元前546年
公元前547
公元前548
公元前549
I
CES
I
CES
I
CES
I
CES
I
CES
I
CES
I
CES
I
CES
f
T
C
CB0
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
V
BE
V
BE
580毫伏
–
V
BESAT
V
BESAT
–
–
V
CESAT
V
CESAT
–
–
公元前546年公元前... 549
Kennwerte ，T
j
= 25
/
C
典型值。
80毫伏
200毫伏
700毫伏
900毫伏
660毫伏
–
0.2 nA的
0.2 nA的
0.2 nA的
0.2 nA的
–
–
–
–
300兆赫
3.5 pF的
9 pF的
2分贝
1.2分贝
1.2分贝
马克斯。
200毫伏
600毫伏
–
–
700毫伏
720毫伏
15 nA的
15 nA的
15 nA的
15 nA的
4
:
A
4
:
A
4
:
A
4
:
A
–
6 pF的
–
10分贝
4分贝
4分贝
250 K / W
1
)
公元前556 ...公元前559
集电极 - 发射极截止电流 - Kollektorreststrom
增益带宽积 - Transitfrequenz
集电极 - 基极电容 - Kollektor个基本Kapazitt
)
F = 200赫兹
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
推荐互补PNP晶体管
Empfohlene komplementre PNP - Transistoren
每个类型的可用电流增益组
Lieferbare Stromverstrkungsgruppen亲典型值
BC 546A
BC 547A
BC 548A
BC 546B
BC 547B
BC 548B
BC 549B
BC 547C
BC 548C
BC 549C
1
）有效，如果引线被保持在环境温度下从壳体的距离为2毫米
Gültig ，德恩死Anschludrhte在2毫米Abstand冯Gehuse奥夫Umgebungstemperatur gehalten werden
01.11.2003
7
摩托罗拉
半导体技术资料
低噪声晶体管
订购此文件
通过BC549B / D
NPN硅
集热器
1
2
BASE
3
辐射源
BC549B,C
BC550B,C
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗@ TA = 25℃
减免上述25℃
器件总功耗@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
PD
TJ ， TSTG
BC549
30
30
5.0
100
625
5.0
1.5
12
- 55 + 150
BC550
45
50
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
瓦
毫瓦/°C的
°C
1
2
3
CASE 29-04 ，风格17
TO-92 （TO- 226AA ）
热特性
特征
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
符号
R
q
JA
R
q
JC
最大
200
83.3
单位
° C / W
° C / W
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = 10 MADC ， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压
（ IC = 10
μAdc ，
IE = 0 ）
发射极 - 基极击穿电压
（IE = 10
m
ADC ， IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = 30V， IE = 0 ）
（ VCB = 30V， IE = 0 ， TA = + 125 ° C）
发射Cuto FF电流
（ VEB = 4.0伏， IC = 0 ）
V（ BR ） CEO
BC549B,C
BC550B,C
V（ BR ） CBO
BC549B,C
BC550B,C
V（ BR ） EBO
ICBO
—
—
IEBO
—
—
—
—
15
5.0
15
NADC
μAdc
NADC
30
50
5.0
—
—
—
—
—
—
VDC
30
45
—
—
—
—
VDC
VDC
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1996年
1
BC549B ，C BC550B ，C
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明） （续）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
基本特征
直流电流增益
（ IC = 10
μAdc ，
VCE = 5.0 V直流）
（ IC = 2.0 MADC ， VCE = 5.0 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 10 MADC ， IB = 0.5 MADC ）
（ IC = 10 MADC ， IB =见注1 ）
（ IC = 100 MADC ， IB = 5.0 MADC ，见注2 ）
基射极饱和电压
（ IC = 100 MADC ， IB = 5.0 MADC ）
基射极电压ON
（ IC = 10
μAdc ，
VCE = 5.0 V直流）
（ IC = 100
μAdc ，
VCE = 5.0 V直流）
（ IC = 2.0 MADC ， VCE = 5.0 V直流）
的hFE
BC549B/550B
BC549C/550C
BC549B/550B
BC549C/550C
VCE （ SAT ）
—
—
—
VBE （ SAT ）
VBE （ON）的
—
—
0.55
0.52
0.55
0.62
—
—
0.7
—
0.075
0.3
0.25
1.1
0.25
0.6
0.6
—
VDC
VDC
100
100
200
420
150
270
290
500
—
—
450
800
VDC
—
小信号特性
电流 - 增益 - 带宽积
（ IC = 10 MADC ， VCE = 5.0伏， F = 100兆赫）
集电极 - 基极电容
（ VCB = 10 VDC ， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）
小信号电流增益
（ IC = 2.0 MADC ， VCE = 5.0 V ， F = 1.0千赫）
BC549B/BC550B
BC549C/BC550C
NF1
NF2
fT
Ccbo
的hFE
240
450
—
—
330
600
0.6
—
500
900
dB
2.5
10
—
—
250
2.5
—
—
兆赫
pF
—
噪声系数
（ IC = 200
μAdc ，
VCE = 5.0伏， RS = 2.0千欧， F = 1.0千赫）
（ IC = 200
μAdc ，
VCE = 5.0伏， RS = 100 kΩ的， F = 1.0千赫）
注意事项：
1. IB的值，使得IC = 11 mA的VCE = 1.0 V.
2.脉冲测试= 300
s
- 占空比= 2 ％ 。
RS
in
en
理想
晶体管
图1.晶体管噪声模型
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
BC549B ，C BC550B ，C
2.0
的hFE ，规范直流电流增益
1.5
1.0
0.8
0.6
0.4
0.3
0.2
0.2
VCE = 10 V
TA = 25°C
V，电压（V ）
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.5
1.0 2.0
5.0
10
20
50
IC ，集电极电流（ MADC ）
100 200
0
0.1
0.2
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
0.5
1.0 2.0
5.0 10
20
IC ，集电极电流（ MADC ）
50
100
TA = 25°C
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
VBE （ ON） @ VCE = 10 V
图2.归一化直流电流增益
F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）
图3. “饱和度”和“开”电压
400
300
200
C，电容（pF ）
10
7.0
5.0
兴业银行
TA = 25°C
100
80
60
40
30
20
VCE = 10 V
TA = 25°C
3.0
COB
2.0
0.5 0.7
1.0
2.0
5.0 7.0 10
20
IC ，集电极电流（ MADC ）
50
1.0
0.4
0.6
1.0
2.0
4.0
10
VR ，反向电压（伏）
20
40
图4.电流增益 - 带宽积
图5.电容
R B ，底座扩展电阻（欧姆）
170
160
150
VCE = 10 V
F = 1.0千赫
TA = 25°C
140
130
120
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
IC ，集电极电流（ MADC ）
5.0
10
图6.基地扩展电阻
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
3
BC549B ，C BC550B ，C
包装尺寸
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.轮廓的包装BEYOND尺寸R
不加控制。
4.尺寸f适用P和L之间
尺寸D和J适用I和K之间
最低限度。 LEAD DIMENSION不受控制
在P型和超越维数k最低限度。
英寸
民
最大
0.175
0.205
0.170
0.210
0.125
0.165
0.016
0.022
0.016
0.019
0.045
0.055
0.095
0.105
0.015
0.020
0.500
–––
0.250
–––
0.080
0.105
–––
0.100
0.115
–––
0.135
–––
MILLIMETERS
民
最大
4.45
5.20
4.32
5.33
3.18
4.19
0.41
0.55
0.41
0.48
1.15
1.39
2.42
2.66
0.39
0.50
12.70
–––
6.35
–––
2.04
2.66
–––
2.54
2.93
–––
3.43
–––
A
R
P
座位
飞机
B
F
L
K
D
X X
G
H
V
1
J
C
N
N
第X-X
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
P
R
V
CASE 029-04
(TO–226AA)
ISSUE AD
风格17 ：
PIN 1.集热器
2.基
3.辐射源
摩托罗拉保留更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。摩托罗拉公司对于任何担保，声明或保证
其产品适用于任何特定用途，也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，
并明确拒绝承担任何责任，包括但不限于间接或附带损失。 “典型”参数，并会根据不同的
应用程序。所有的操作参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并
不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。摩托罗拉产品不是设计，意，或授权用作组件
旨在系统通过外科手术移植到体内，或其他应用程序旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的故障
摩托罗拉的产品可能会造成这样一种情况人身伤害或死亡可能会发生。如果买方购买或使用摩托罗拉产品的任何此类
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有摩托罗拉和其职员，雇员，子公司，联营公司及分销商无害
对所有索赔，费用，损失，费用，以及直接或间接引起的，合理的律师费，人身伤害或死亡的任何索赔
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称，摩托罗拉对零件的设计或制造疏忽造成的。
摩托罗拉
注册摩托罗拉公司，摩托罗拉公司的商标是一个平等机会/ AF连接rmative行动雇主。
如何找到我们：
美国/欧洲：
摩托罗拉文学分布;
P.O. 20912盒;亚利桑那州凤凰城85036. 1-800-441-2447
M传真：
RMFAX0@email.sps.mot.com - 按键（ 602 ） 244-6609
互联网：
http://Design-NET.com
日本：
日本摩托罗拉有限公司;巽SPD- JLDC ，利胜乙木，
6F西武Butsuryu中心， 3-14-2巽江东区，东京135 ，日本。 03-3521-8315
香港：
摩托罗拉半导体H.K.有限公司; 8B太平工业园，
51汀角路，大埔，新界，香港。 852-26629298
4
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
*BC549B/D*
BC549B/D
分立半导体
数据表
书， halfpage
M3D186
BC549 ; BC550
NPN通用晶体管
产品speci fi cation
取代1997年的数据6月20日
1999年04月22
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN通用晶体管
特点
低电流（最大100 mA时）
低电压（最大45 V ） 。
应用
低噪声级在音频设备。
描述
NPN晶体管在TO -92 ; SOT54塑料包装。
PNP补充： BC559和BC560 。
1
手册， halfpage
BC549 ; BC550
钉扎
针
1
2
3
辐射源
BASE
集热器
描述
2
3
3
2
1
MAM182
Fig.1
简化外形（ TO- 92 ; SOT54 ）
和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
BC549
BC550
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BC549
BC550
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
集电极开路
开基
65
65
30
45
5
100
200
200
500
+150
150
+150
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
°C
参数
集电极 - 基极电压
条件
发射极开路
30
50
V
V
分钟。
马克斯。
单位
1999年04月22
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN通用晶体管
热特性
符号
R
日J-一
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
BC549C ; BC550C
V
CESAT
V
BESAT
V
BE
C
c
C
e
f
T
F
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压
集电极电容
发射极电容
跃迁频率
噪音科幻gure
I
C
= 10
A;
V
CE
= 5 V ;见图2
I
C
= 2毫安; V
CE
= 5 V ;见图2
I
C
= 10毫安;我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安;我
B
= 5毫安
I
C
= 10毫安;我
B
= 0.5毫安;注1
I
C
= 100毫安;我
B
= 5毫安;注1
I
C
= 2毫安; V
CE
= 5 V ;注意2
I
C
= 10毫安; V
CE
= 5 V ;注意2
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
I
C
= i
c
= 0; V
EB
= 0.5 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 10毫安; V
CE
= 5 V;
F = 100 MHz的
I
C
= 200
A;
V
CE
= 5 V;
R
S
= 2 kΩ的; F = 10 Hz至15.7千赫
I
C
= 200
A;
V
CE
= 5 V;
R
S
= 2 kΩ的; F = 1千赫B = 200赫兹
笔记
1. V
BESAT
降低了约1.7毫伏/ K随温度的升高。
2. V
BE
降低了约2毫伏/ K随温度的升高。
420
580
100
条件
I
E
= 0; V
CB
= 30 V
I
E
= 0; V
CB
= 30 V ;牛逼
j
= 150
°C
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
分钟。
参数
从结点到环境的热阻
条件
注1
BC549 ; BC550
价值
250
单位
K / W
典型值。
270
520
90
200
700
900
660
1.5
11
马克斯。
15
5
100
800
250
600
700
770
4
4
单位
nA
A
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
pF
pF
兆赫
dB
dB
1999年04月22
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN通用晶体管
BC549 ; BC550
手册，全页宽
600
MBH725
VCE = 5 V
的hFE
400
200
0
10
2
10
1
1
10
10
2
IC （MA ）
10
3
BC549C ; BC550C 。
图2直流电流增益;典型值。
1999年04月22
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN通用晶体管
包装外形
塑料单端含铅（通孔）包; 3引线
BC549 ; BC550
SOT54
c
E
d
A
L
b
1
D
2
e1
e
3
b
1
L1
0
2.5
规模
5 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
5.2
5.0
b
0.48
0.40
b1
0.66
0.56
c
0.45
0.40
D
4.8
4.4
d
1.7
1.4
E
4.2
3.6
e
2.54
e1
1.27
L
14.5
12.7
L1
(1)
2.5
记
这个区域内的终端1.尺寸不受控制允许流胶和终端违规行为。
概要
VERSION
SOT54
参考文献：
IEC
JEDEC
TO-92
EIAJ
SC-43
欧洲
投影
发行日期
97-02-28
1999年04月22
5
低噪声晶体管
NPN硅
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
P
D
T
J
, T
英镑
BC549
30
30
5.0
100
625
5.0
1.5
12
-55到+150
BC550
45
50
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
瓦
毫瓦/°C的
°C
BC549B,C
BC550B,C
1
2
3
CASE 29-04 ，风格17
TO-92 （TO- 226AA ）
热特性
特征
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
符号
R
qJA
R
QJC
最大
200
83.3
单位
° C / W
° C / W
2
BASE
3
辐射源
集热器
1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= 10 MADC ，我
B
= 0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 10
μAdc ，
I
E
= 0)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 10
MADC ，
I
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 30 V，I
E
= 0)
(V
CB
= 30 V，I
E
= 0, T
A
= +125°C)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 4.0伏，我
C
= 0)
V
（ BR ） CEO
BC549B,C
BC550B,C
V
（ BR ） CBO
BC549B,C
BC550B,C
V
（ BR ） EBO
I
CBO
—
—
I
EBO
—
—
—
—
15
5.0
15
NADC
μAdc
NADC
30
50
5.0
—
—
—
—
—
—
VDC
30
45
—
—
—
—
VDC
VDC
半导体元件工业有限责任公司， 2001年
1
2001年2月 - 第1版
出版订单号：
BC549B/D
BC549B ，C BC550B ，C
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明） （续）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 10
μAdc ，
V
CE
= 5.0伏）
(I
C
= 2.0 MADC ，V
CE
= 5.0伏）
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 10 MADC ，我
B
= 0.5 MADC ）
(I
C
= 10 MADC ，我
B
=见注1 ）
(I
C
= 100 MADC ，我
B
= 5.0 MADC ，见注2 ）
基射极饱和电压
(I
C
= 100 MADC ，我
B
= 5.0 MADC ）
基射极电压ON
(I
C
= 10
μAdc ，
V
CE
= 5.0伏）
(I
C
= 100
μAdc ，
V
CE
= 5.0伏）
(I
C
= 2.0 MADC ，V
CE
= 5.0伏）
h
FE
BC549B/550B
BC549C/550C
BC549B/550B
BC549C/550C
V
CE （ SAT ）
—
—
—
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
—
—
0.55
0.52
0.55
0.62
—
—
0.7
—
0.075
0.3
0.25
1.1
0.25
0.6
0.6
—
VDC
VDC
100
100
200
420
150
270
290
500
—
—
450
800
VDC
—
小信号特性
电流增益 - 带宽积
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 5.0伏， F = 100兆赫）
集电极 - 基极电容
(V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0中，f = 1.0 MHz）的
小信号电流增益
(I
C
= 2.0 MADC ，V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0千赫）
BC549B/BC550B
BC549C/BC550C
NF
1
NF
2
f
T
C
CBO
h
fe
240
450
—
—
330
600
0.6
—
500
900
dB
2.5
10
—
—
250
2.5
—
—
兆赫
pF
—
噪声系数
(I
C
= 200
μAdc ，
V
CE
= 5.0伏，R
S
= 2.0千欧， F = 1.0千赫）
(I
C
= 200
μAdc ，
V
CE
= 5.0伏，R
S
= 100 kΩ的， F = 1.0千赫）
注意事项：
1. I
B
是价值，我
C
= 11 mA的V
CE
= 1.0 V.
2.脉冲测试= 300
s
- 占空比= 2 ％ 。
R
S
i
n
e
n
理想
晶体管
图1.晶体管噪声模型
http://onsemi.com
2
BC549B ，C BC550B ，C
2.0
的hFE ，规范直流电流增益
1.5
1.0
0.8
0.6
0.4
0.3
0.2
0.2
V
CE
= 10 V
T
A
= 25°C
V，电压（V ）
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.5
1.0 2.0
5.0
10
20
50
I
C
，集电极电流（ MADC ）
100 200
0
0.1
0.2
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.5
1.0 2.0
5.0 10
20
I
C
，集电极电流（ MADC ）
50
100
T
A
= 25°C
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE（上）
@ V
CE
= 10 V
图2.归一化直流电流增益
带宽积（兆赫）
图3. “饱和度”和“开”电压
400
300
C，电容（pF ）
200
100
80
60
40
30
20
10
7.0
5.0
C
ib
T
A
= 25°C
V
CE
= 10 V
T
A
= 25°C
3.0
2.0
C
ob
F T ，电流增益
0.5 0.7
1.0
2.0
5.0 7.0 10
20
I
C
，集电极电流（ MADC ）
50
1.0
0.4
0.6
1.0
2.0
4.0
10
V
R
，反向电压（伏）
20
40
图4.电流增益 - 带宽积
图5.电容
R B ，底座扩展电阻（欧姆）
170
160
150
140
130
120
0.1
V
CE
= 10 V
F = 1.0千赫
T
A
= 25°C
0.2
0.5
1.0
2.0
I
C
，集电极电流（ MADC ）
5.0
10
图6.基地扩展电阻
http://onsemi.com
3
BC549B ，C BC550B ，C
包装尺寸
CASE 029-04
(TO–226AA)
ISSUE AD
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.轮廓的包装BEYOND尺寸R
不加控制。
4.尺寸f适用P和L之间
尺寸D和J适用I和K之间
最低限度。 LEAD DIMENSION不受控制
在P型和超越维数k最低限度。
英寸
民
最大
0.175
0.205
0.170
0.210
0.125
0.165
0.016
0.022
0.016
0.019
0.045
0.055
0.095
0.105
0.015
0.020
0.500
---
0.250
---
0.080
0.105
---
0.100
0.115
---
0.135
---
MILLIMETERS
民
最大
4.45
5.20
4.32
5.33
3.18
4.19
0.41
0.55
0.41
0.48
1.15
1.39
2.42
2.66
0.39
0.50
12.70
---
6.35
---
2.04
2.66
---
2.54
2.93
---
3.43
---
A
R
P
座位
飞机
B
F
L
K
D
X X
G
H
V
1
J
C
N
N
第X-X
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
P
R
V
风格17 ：
PIN 1.集热器
2.基
3.辐射源
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留修改的权利
恕不另行通知这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定的任何保证，声明或担保
目的，也不SCILLC承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，并明确拒绝承担任何责任，
包括但不限于特殊，间接或附带损失。这可能SCILLC数据表提供“典型”参数和/或
规格可以做不同在不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数，包括“典型”必须是
验证每个客户的客户应用的技术专家。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。
SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况或
可能会出现死亡。如果买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有
SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的
直接或间接引起的，律师费，人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔，即使此类索赔
称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是一个机会均等/肯定行动雇主。
出版物订货信息
北美文学履行：
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ，丹佛，科罗拉多州80217美国
电话：
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真：
303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件：
ONlit@hibbertco.com
传真响应行： 303-675-2167或800-344-3810免费电话美国/加拿大
N.美国技术支持：
800-282-9855免费电话美国/加拿大
欧洲：
最不发达国家的安森美半导体 - 欧洲支持
德国电话：
（ +1 ） 303-308-7140 （周一至周五下午2:30至下午7:00 CET）
电子邮件：
ONlit-german@hibbertco.com
法国电话：
（ +1 ） 303-308-7141 （周一至周五下午2时00分至晚上7时CET）
电子邮件：
ONlit-french@hibbertco.com
英语电话：
（ +1 ） 303-308-7142 （周一至周五下午12时00分至下午5:00 GMT ）
电子邮件：
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4
BC549B/D
BC549C ， BC550C
低噪声晶体管
NPN硅
特点
这些无铅器件*
最大额定值
等级
集电极发射极电压
BC549C
BC550C
集电极基极电压
BC549C
BC550C
发射极基极电压连续
连续集电极电流 -
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述= 25°C
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述= 25°C
工作和存储结
温度范围
V
EBO
I
C
P
D
P
D
T
J
, T
英镑
V
CBO
30
50
5.0
100
625
5.0
1.5
12
-55到+150
VDC
VDC
mW
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
符号
V
首席执行官
30
45
VDC
价值
单位
VDC
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集热器
1
2
BASE
3
辐射源
3
直引线
散装
12
TO92
CASE 29
17风格
热特性
特征
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
符号
R
qJA
R
QJC
最大
200
83.3
单位
° C / W
° C / W
BC5x
yC
AYWW
G
G
标记图
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
BC5xyC =器件代码
X = 4或5的
Y = 9或0
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
设备
BC549CG
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2007年
包
TO92
（无铅）
TO92
（无铅）
航运
5000单位/散装
BC550CG
5000单位/散装
1
2007年3月 - 第2版
出版订单号：
BC550C/D
BC549C ， BC550C
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极发射极击穿电压
(I
C
= 10 MADC ，我
B
= 0)
集电极基极击穿电压
(I
C
= 10
MADC ，
I
E
= 0)
发射-Base击穿电压
(I
E
= 10
MADC ，
I
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 30 V，I
E
= 0)
(V
CB
= 30 V，I
E
= 0, T
A
= +125°C)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 4.0伏，我
C
= 0)
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 10
MADC ，
V
CE
= 5.0伏）
(I
C
= 2.0 MADC ，V
CE
= 5.0伏）
集电极发射极饱和电压
(I
C
= 10 MADC ，我
B
= 0.5 MADC ）
(I
C
= 10 MADC ，我
B
=见注1 ）
(I
C
= 100 MADC ，我
B
= 5.0 MADC ，见注2 ）
基射极饱和电压
(I
C
= 100 MADC ，我
B
= 5.0 MADC ）
基射极电压ON
(I
C
= 10
MADC ，
V
CE
= 5.0伏）
(I
C
= 100
MADC ，
V
CE
= 5.0伏）
(I
C
= 2.0 MADC ，V
CE
= 5.0伏）
小信号特性
电流 - 获得 - 带宽积
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 5.0伏， F = 100兆赫）
集电极 - 基极电容
(V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0中，f = 1.0 MHz）的
小信号电流增益
(I
C
= 2.0 MADC ，V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0千赫）
噪声系数
(I
C
= 200
MADC ，
V
CE
= 5.0伏，R
S
= 2.0千瓦， F = 1.0千赫）
(I
C
= 200
MADC ，
V
CE
= 5.0伏，R
S
= 100千瓦， F = 1.0千赫）
1. I
B
是价值，我
C
= 11 mA的V
CE
= 1.0 V.
2.脉冲测试= 300
ms
- 占空比= 2 ％ 。
f
T
C
CBO
h
fe
450
NF
1
NF
2
600
0.6
900
dB
2.5
10
2.5
250
pF
兆赫
h
FE
100
420
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
0.55
0.52
0.55
0.62
0.7
1.1
VDC
0.075
0.3
0.25
0.25
0.6
0.6
VDC
270
500
800
VDC
V
（ BR ） CEO
45
V
（ BR ） CBO
50
V
（ BR ） EBO
5.0
I
CBO
I
EBO
15
15
5.0
NADC
MADC
NADC
VDC
VDC
VDC
符号
民
典型值
最大
单位
R
S
i
n
e
n
理想
晶体管
图1.晶体管噪声模型
http://onsemi.com
2
BC549C ， BC550C
2.0
的hFE ，规范直流电流增益
1.5
1.0
0.8
0.6
0.4
0.3
0.2
0.2
V
CE
= 10 V
T
A
= 25°C
V，电压（V ）
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.5
1.0 2.0
5.0
10
20
50
I
C
，集电极电流（ MADC ）
100 200
0
0.1
0.2
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.5
1.0 2.0
5.0 10
20
I
C
，集电极电流（ MADC ）
50
100
T
A
= 25°C
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE（上）
@ V
CE
= 10 V
图2.归一化直流电流增益
带宽积（兆赫）
图3. “饱和度”和“开”电压
400
300
C，电容（pF ）
200
100
80
60
40
30
20
10
7.0
5.0
C
ib
T
A
= 25°C
V
CE
= 10 V
T
A
= 25°C
3.0
C
ob
2.0
F T ，电流增益
0.5 0.7
1.0
2.0
5.0 7.0 10
20
I
C
，集电极电流（ MADC ）
50
1.0
0.4
0.6
1.0
2.0
4.0
10
V
R
，反向电压（伏）
20
40
图4.电流增益 - 带宽积
图5.电容
R B ，底座扩展电阻（欧姆）
170
160
150
V
CE
= 10 V
F = 1.0千赫
T
A
= 25°C
140
130
120
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
I
C
，集电极电流（ MADC ）
5.0
10
图6.基地扩展电阻
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3
BC549C ， BC550C
包装尺寸
TO-92 （TO- 226）
CASE 29-11
ISSUE AM
A
R
P
L
座位
飞机
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.轮廓的包装BEYOND尺寸R
不加控制。
4. LEAD维不受控制IN P和
BEYOND尺寸k最低限度。
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
N
P
R
V
英寸
民
最大
0.175
0.205
0.170
0.210
0.125
0.165
0.016
0.021
0.045
0.055
0.095
0.105
0.015
0.020
0.500
0.250
0.080
0.105
0.100
0.115
0.135
MILLIMETERS
民
最大
4.45
5.20
4.32
5.33
3.18
4.19
0.407
0.533
1.15
1.39
2.42
2.66
0.39
0.50
12.70
6.35
2.04
2.66
2.54
2.93
3.43
B
直引线
散装
K
X X
G
H
V
1
D
J
C
第X-X
N
N
R
A
B
BENT LEAD
磁带&卷轴
弹药包
P
T
座位
飞机
注意事项：
1.尺寸和公差PER
ASME Y14.5M ， 1994年。
2.控制尺寸：毫米。
3.轮廓包装超越
尺寸R不受控制。
4.铅尺寸不可控IN P
AND BEYOND尺寸k最低限度。
MILLIMETERS
民
最大
4.45
5.20
4.32
5.33
3.18
4.19
0.40
0.54
2.40
2.80
0.39
0.50
12.70
2.04
2.66
1.50
4.00
2.93
3.43
风格17 ：
PIN 1.集热器
2.基
3.辐射源
K
X X
G
D
J
V
C
第X-X
N
1
暗淡
A
B
C
D
G
J
K
N
P
R
V
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
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和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
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4
BC550C/D
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BGY887BO
BAL99TB
BA0320HR3A
BUF634UE4
BT137-600E
BLM18HE102SN1B
BL-PSY-CSS-C10
BZT52C5V1-TP
BZX84C5V6-AU
B41044A2157M000
B43540C2827M082
BYX107G
B32620-A6152
BKME6R3ESS682MMP1S
BSY83
BTB06-400S
BTB06400S
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