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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第579页 > BC549
分立半导体
数据表
书, halfpage
M3D186
BC549 ; BC550
NPN通用晶体管
产品speci fi cation
取代1997年的数据6月20日
1999年04月22
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN通用晶体管
特点
低电流(最大100 mA时)
低电压(最大45 V ) 。
应用
低噪声级在音频设备。
描述
NPN晶体管在TO -92 ; SOT54塑料包装。
PNP补充: BC559和BC560 。
1
手册, halfpage
BC549 ; BC550
钉扎
1
2
3
辐射源
BASE
集热器
描述
2
3
3
2
1
MAM182
Fig.1
简化外形( TO- 92 ; SOT54 )
和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。
符号
V
CBO
BC549
BC550
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BC549
BC550
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
25
°C;
注1
集电极开路
开基
65
65
30
45
5
100
200
200
500
+150
150
+150
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
°C
参数
集电极 - 基极电压
条件
发射极开路
30
50
V
V
分钟。
马克斯。
单位
1999年04月22
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN通用晶体管
热特性
符号
R
日J-一
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
BC549C ; BC550C
V
CESAT
V
BESAT
V
BE
C
c
C
e
f
T
F
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压
集电极电容
发射极电容
跃迁频率
噪音科幻gure
I
C
= 10
A;
V
CE
= 5 V ;见图2
I
C
= 2毫安; V
CE
= 5 V ;见图2
I
C
= 10毫安;我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安;我
B
= 5毫安
I
C
= 10毫安;我
B
= 0.5毫安;注1
I
C
= 100毫安;我
B
= 5毫安;注1
I
C
= 2毫安; V
CE
= 5 V ;注意2
I
C
= 10毫安; V
CE
= 5 V ;注意2
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
I
C
= i
c
= 0; V
EB
= 0.5 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 10毫安; V
CE
= 5 V;
F = 100 MHz的
I
C
= 200
A;
V
CE
= 5 V;
R
S
= 2 kΩ的; F = 10 Hz至15.7千赫
I
C
= 200
A;
V
CE
= 5 V;
R
S
= 2 kΩ的; F = 1千赫B = 200赫兹
笔记
1. V
BESAT
降低了约1.7毫伏/ K随温度的升高。
2. V
BE
降低了约2毫伏/ K随温度的升高。
420
580
100
条件
I
E
= 0; V
CB
= 30 V
I
E
= 0; V
CB
= 30 V ;牛逼
j
= 150
°C
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
分钟。
参数
从结点到环境的热阻
条件
注1
BC549 ; BC550
价值
250
单位
K / W
典型值。
270
520
90
200
700
900
660
1.5
11
马克斯。
15
5
100
800
250
600
700
770
4
4
单位
nA
A
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
pF
pF
兆赫
dB
dB
1999年04月22
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN通用晶体管
BC549 ; BC550
手册,全页宽
600
MBH725
VCE = 5 V
的hFE
400
200
0
10
2
10
1
1
10
10
2
IC (MA )
10
3
BC549C ; BC550C 。
图2直流电流增益;典型值。
1999年04月22
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN通用晶体管
包装外形
塑料单端含铅(通孔)包; 3引线
BC549 ; BC550
SOT54
c
E
d
A
L
b
1
D
2
e1
e
3
b
1
L1
0
2.5
规模
5 mm
外形尺寸(mm是原始尺寸)
单位
mm
A
5.2
5.0
b
0.48
0.40
b1
0.66
0.56
c
0.45
0.40
D
4.8
4.4
d
1.7
1.4
E
4.2
3.6
e
2.54
e1
1.27
L
14.5
12.7
L1
(1)
2.5
这个区域内的终端1.尺寸不受控制允许流胶和终端违规行为。
概要
VERSION
SOT54
参考文献:
IEC
JEDEC
TO-92
EIAJ
SC-43
欧洲
投影
发行日期
97-02-28
1999年04月22
5
BC546 BC549 ...
BC546 BC549 ...
NPN
版本2006-05-31
功耗 - Verlustleistung
CBE
通用硅外延平面晶体管
硅外延平面- Transistoren献给universellen Einsatz
NPN
500毫瓦
TO-92
(10D3)
0.18 g
塑料外壳
Kunststoffgehuse
重量约。 - Gewicht约
18
9
16
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装录音中的弹药盒
在弹药,包装标准Lieferform gegurtet
2 x 2.54
尺寸 - 集体[MM ]
最大额定值(T
A
= 25°C)
BC546
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基电压
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom ( DC )
峰值集电极电流 - Kollektor - Spitzenstrom
峰值基极电流 - 基础 - Spitzenstrom
峰值发射极电流 - 发射极Spitzenstrom
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
特性(T
j
= 25°C)
A组
直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhltnis
2
)
V
CE
= 5 V,I
C
= 10 A
V
CE
= 5 V,I
C
= 2毫安
V
CE
= 5 V,I
C
= 100毫安
H-参数为/贝V
CE
= 5 V,I
C
= 2毫安, F = 1千赫
小信号电流增益
Kleinsignal - Stromverstrkung
输入阻抗 - Eingangs - Impedanz
输出导纳 - Ausgangs - Leitwert
反向电压传输比
Spannungsrückwirkung
h
fe
h
ie
h
oe
h
re
(典型值) 。 220
1.6 ... 4.5 k
18 < 30 μS
(典型值) 。 1.5 * 10
-4
h
FE
h
FE
h
FE
(典型值) 。 90
110 ... 220
(典型值) 。 120
E- B的短
B开
ê开放
c打开
V
CES
V
首席执行官
V
CBO
V
EB0
P
合计
I
C
I
CM
I
BM
- I
EM
T
j
T
S
85 V
65 V
80 V
Grenzwerte (T
A
= 25°C)
BC547
50 V
45 V
50 V
5V
500毫瓦
1
)
百毫安
200毫安
200毫安
200毫安
-55...+150°C
-55…+150°C
Kennwerte (T
j
= 25°C)
B组
(典型值) 。 150
200 ... 450
(典型值) 。 200
C组
(典型值) 。 270
420 ... 800
(典型值) 。 400
BC548/549
30 V
30 V
30 V
(典型值) 。 330
3.2 ...8.5 k
30 < 60 μS
(典型值) 。 2 * 10
-4
(典型值) 。 600
6 ... 15 k
60 < 110 μS
(典型值) 。 3 * 10
-4
1
有效的,如果引线被保持在环境温度下从壳体的距离为2毫米
Gültig德恩死Anschlussdrhte在2毫米Abstand VOM Gehuse奥夫Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
1
BC546 BC549 ...
特性(T
j
= 25°C)
分钟。
集电极 - 发射极截止电流 - Kollektor发射极 - Reststrom
V
CE
= 80 V, (B -E短)
V
CE
= 50 V , (B -E短)
V
CE
= 30 V , (B -E短)
V
CE
= 80 V,T
j
= 125°C , (B -E短)
V
CE
= 50 V ,T
j
= 125°C , (B -E短)
V
CE
= 30 V ,T
j
= 125°C , (B -E短)
I
C
= 10 mA时,我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安,我
B
= 5毫安
基本饱和电压 - 基础 - Sttigungsspannung
2
)
I
C
= 10 mA时,我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安,我
B
= 5毫安
基极发射极电压 - 基射极Spannung
2
)
V
CE
= 5 V,I
C
= 2毫安
V
CE
= 5 V,I
C
= 10毫安
增益带宽积 - Transitfrequenz
V
CE
= 5 V,I
C
= 10 mA时, F = 100 MHz的
集电极 - 基极电容 - Kollektor个基本Kapazitt
V
CB
= 10 V,I
E
=i
e
= 0中,f = 1 MHz的
发射极 - 基极电容 - 发射极 - 基 - Kapazitt
V
EB
= 0.5 V,
I
C
= i
c
= 0,
F = 1 MHz的
噪声系数 - Rauschzahl
V
CE
= 5 V,I
C
= 200 μA ,R
G
= 2 k
F = 1千赫
Δf
= 200赫兹
BC546 / BC547
BC548 / BC549
F
F
R
THA
2分贝
1.2分贝
< 200 K / W
1
)
BC556 BC559 ...
BC546A
BC547A
BC548A
BC546B
BC547B
BC548B
BC549B
BC547C
BC548C
BC549C
10分贝
4分贝
C
EB0
9 pF的
C
CBO
3.5 pF的
6 pF的
f
T
300兆赫
V
BE
V
BE
580毫伏
660毫伏
700毫伏
720毫伏
V
BESAT
V
BESAT
700毫伏
900毫伏
BC546
BC547
BC548 / BC549
BC546
BC547
BC548 / BC549
I
CES
I
CES
I
CES
I
CES
I
CES
I
CES
V
CESAT
V
CESAT
0.2 nA的
0.2 nA的
0.2 nA的
80毫伏
200毫伏
15 nA的
15 nA的
15 nA的
4 A
4 A
4 A
200毫伏
600毫伏
Kennwerte (T
j
= 25°C)
典型值。
马克斯。
集电极 - 发射极饱和电压 - Kollektor - EmitterSttigungsspg 。
2
)
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
推荐互补PNP晶体管
Empfohlene komplementre PNP - Transistoren
每个类型的可用电流增益组
Lieferbare Stromverstrkungsgruppen亲典型值
2
1
测试了脉冲吨
p
= 300微秒,占空比
2 % - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300微秒, Schaltverhltnis
2%
有效的,如果引线被保持在环境温度下从壳体的距离为2毫米
Gültig德恩死Anschlussdrhte在2毫米Abstand VOM Gehuse奥夫Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
2
半导体
技术参数
低噪声放大器应用。
特征
互补与PNP型BC559 / 560 。
B
BC549/550
外延平面NPN晶体管
C
A
N
K
E
G
最大额定值( TA = 25
特征
)
D
符号
BC549
V
CBO
等级
30
单位
V
集电极 - 基极电压
BC550
BC549
集电极 - 发射极电压
BC550
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
50
30
V
L
1
2
F
H
F
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
3
5
100
625
150
-55 150
V
mA
mW
M
C
45
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
MILLIMETERS
4.70 MAX
4.80 MAX
3.70 MAX
0.45
1.00
1.27
0.85
0.45
_
14.00 + 0.50
0.55最大
2.30
0.45最大
1.00
J
1.集热器
2.基
3.辐射源
TO-92
电气特性( TA = 25 )
特征
集电极 - 发射极
击穿电压
集电极 - 基
击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
直流电流增益
基射极电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
BC549
噪声系数
BC550
注:H
FE
A类: 110
220,
B:200 450,
NF
BC549
BC550
BC549
BC550
符号
V
( BR ) CEO
测试条件
I
C
= 10毫安,我
B
=0
分钟。
30
45
30
I
C
= 10 A,I
E
=0
I
E
= 10 A,I
C
=0
V
CB
= 30V ,我
E
=0
I
C
= 2毫安,V
CE
=5V
I
C
= 2毫安,V
CE
=5V
I
C
= 100mA时我
B
=5mA
I
C
= 100mA时我
B
=5mA
I
C
= 10毫安,V
CE
= 5V , F = 100MHz的
V
CB
= 10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
I
C
= 200 A,V
CE
=5V
Rg=10k
C:420 800
, f≤1kHz
50
5.0
-
110
0.55
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.9
300
-
-
-
马克斯。
-
V
-
-
V
-
-
15
800
0.7
0.6
-
-
4.5
4.0
dB
10
V
V
V
兆赫
pF
V
nA
单位
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
I
CBO
h
FE
(注)
V
BE(上)
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
C
ob
1999. 11. 30
版本号: 2
1/1
晶体管
BC549
晶体管
BC549
公元前546年公元前... 549
NPN
硅外延PlanarTransistors
通用晶体管
NPN
500毫瓦
TO-92
(10D3)
0.18 g
功耗 - Verlustleistung
塑料外壳
Kunststoffgehuse
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准钢钉
1 = C 2 = B 3 = E
标准包装录音中的弹药盒
在弹药,包装标准Lieferform gegurtet
最大额定值(T
A
= 25
/
C)
公元前546年
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基电压
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom ( DC )
高峰科尔。电流 - Kollektor - Spitzenstrom
峰值基极电流 - 基础 - Spitzenstrom
峰值发射极电流 - 发射极Spitzenstrom
结温。 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
B开
B短路
ê开放
c打开
V
CE0
V
CES
V
CB0
V
EB0
P
合计
I
C
I
CM
I
BM
- I
EM
T
j
T
S
65 V
85 V
80 V
6V
Grenzwerte (T
A
= 25
/
C)
公元前547
45 V
50 V
50 V
6V
500毫瓦
1
)
百毫安
200毫安
200毫安
200毫安
150
/
C
- 65…+ 150
/
C
BC 549分之548
30 V
30 V
30 V
5V
特性,T
j
= 25
/
C
A组
直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhltnis
V
CE
= 5 V,I
C
= 10
:
A
V
CE
= 5 V,I
C
= 2毫安
V
CE
= 5 V,I
C
= 100毫安
H-参数在V
CE
= 5V ,我
C
= 2毫安, F = 1千赫
小信号电流增益 - Stromverst 。
输入阻抗 - Eingangsimpedanz
输出导纳 - Ausgangsleitwert
反向电压传输比
Spannungsrückwirkung
h
fe
h
ie
h
oe
h
re
(典型值) 。 220
1.6...4.5 k
S
18 < 30
:
S
typ.1.5 * 10
-4
h
FE
h
FE
h
FE
(典型值) 。 90
110...220
(典型值) 。 120
Kennwerte ,T
j
= 25
/
C
B组
(典型值) 。 150
200...450
(典型值) 。 200
(典型值) 。 330
3.2...8.5 k
S
30 < 60
:
S
(典型值) 。 2 * 10
-4
C组
(典型值) 。 270
420...800
typ.400
(典型值) 。 600
6...15 k
S
60 < 110
:
S
(典型值) 。 3 * 10
-4
1
)有效,如果引线被保持在环境温度下从壳体的距离为2毫米
Gültig ,德恩死Anschludrhte在2毫米Abstand冯Gehuse奥夫Umgebungstemperatur gehalten werden
6
01.11.2003
通用晶体管
特性,T
j
= 25
/
C
分钟。
集电极饱和电压 - Kollektor - Sttigungsspannung
I
C
= 10 mA时,我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安,我
B
= 5毫安
基本饱和电压 - 基础 - Sttigungsspannung
I
C
= 10 mA时,我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安,我
B
= 5毫安
基射极电压 - 基射极Spannung
V
CE
= 5 V,I
C
= 2毫安
V
CE
= 5 V,I
C
= 10毫安
集电极 - 发射极截止电流 - Kollektorreststrom
V
CE
= 80 V
V
CE
= 50 V
V
CE
= 30 V
V
CE
= 30 V
V
CE
= 80 V,T
j
= 125
/
C
V
CE
= 50 V ,T
j
= 125
/
C
V
CE
= 30 V ,T
j
= 125
/
C
V
CE
= 30 V ,T
j
= 125
/
C
V
CE
= 5 V,I
C
= 10 mA时, F = 100 MHz的
V
CB
= 10 V , F = 1兆赫
发射极 - 基极电容 - 发射极 - 基 - Kapazitt
V
EB
= 0.5 V , F = 1兆赫
噪声系数 - Rauschma
V
CE
= 5 V,I
C
= 200
:
A
R
G
= 2 k
S
F = 1千赫
公元前547
公元前548
公元前549
F
F
F
R
THA
C
EB0
公元前546年
公元前547
公元前548
公元前549
公元前546年
公元前547
公元前548
公元前549
I
CES
I
CES
I
CES
I
CES
I
CES
I
CES
I
CES
I
CES
f
T
C
CB0
V
BE
V
BE
580毫伏
V
BESAT
V
BESAT
V
CESAT
V
CESAT
公元前546年公元前... 549
Kennwerte ,T
j
= 25
/
C
典型值。
80毫伏
200毫伏
700毫伏
900毫伏
660毫伏
0.2 nA的
0.2 nA的
0.2 nA的
0.2 nA的
300兆赫
3.5 pF的
9 pF的
2分贝
1.2分贝
1.2分贝
马克斯。
200毫伏
600毫伏
700毫伏
720毫伏
15 nA的
15 nA的
15 nA的
15 nA的
4
:
A
4
:
A
4
:
A
4
:
A
6 pF的
10分贝
4分贝
4分贝
250 K / W
1
)
公元前556 ...公元前559
集电极 - 发射极截止电流 - Kollektorreststrom
增益带宽积 - Transitfrequenz
集电极 - 基极电容 - Kollektor个基本Kapazitt
)
F = 200赫兹
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
推荐互补PNP晶体管
Empfohlene komplementre PNP - Transistoren
每个类型的可用电流增益组
Lieferbare Stromverstrkungsgruppen亲典型值
BC 546A
BC 547A
BC 548A
BC 546B
BC 547B
BC 548B
BC 549B
BC 547C
BC 548C
BC 549C
1
)有效,如果引线被保持在环境温度下从壳体的距离为2毫米
Gültig ,德恩死Anschludrhte在2毫米Abstand冯Gehuse奥夫Umgebungstemperatur gehalten werden
01.11.2003
7
BC546通BC549
小信号晶体管( NPN )
TO-92
.181 (4.6)
分钟。 0.492 (12.5) 0.181 (4.6)
.142 (3.6)
NPN硅外延平面晶体管
这些晶体管被分为3组
的A,B和C ,根据其电流增益。类型
BC546在A组和B可用,然而
以往,该类型BC547和BC548可
三组供电。该BC549是
低噪声类型和可用在组B和
C.作为互补型, PNP型晶体管
器BC556 ... BC559建议。
特点
马克斯。
.022 (0.55)
.098 (2.5)
C
B
E
特殊要求,这些晶体管也
在引脚配置TO- 18制造。
机械数据
案例:
TO- 92塑料包装
重量:
约。 0.18克
尺寸以英寸(毫米)
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度,除非另有规定等级
符号
集电极 - 基极电压
BC546
BC547
BC548 , BC549
BC546
BC547
BC548 , BC549
BC546
BC547
BC548 , BC549
BC546 , BC547
BC548 , BC549
V
CBO
V
CBO
V
CBO
V
CES
V
CES
V
CES
V
首席执行官
V
首席执行官
V
首席执行官
V
EBO
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
–I
EM
P
合计
T
j
T
S
价值
80
50
30
80
50
30
65
45
30
6
5
100
200
200
200
500
1)
150
-65到+150
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
°C
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
峰值电流基地
峰值发射极电流
在T功耗
AMB
= 25 °C
结温
存储温度范围
1)
在从情况下的距离为2毫米的有效条件是引线被保持在环境温度
4/98
BC546通BC549
电气特性
在25 ° C环境温度,除非另有规定等级
符号
H-参数在V
CE
= 5 V,I
C
= 2毫安,
F = 1千赫
小信号电流增益
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
电流增益A组
B
C
电流增益A组
输入阻抗
B
C
输出导纳
电流增益A组
B
C
反向电压传输比
h
fe
h
fe
h
fe
h
ie
h
ie
h
ie
h
oe
h
oe
h
oe
h
re
h
re
h
re
1.6
3.2
6
220
330
600
2.7
4.5
8.7
18
30
60
1.5 · 10
–4
2 · 10
–4
3 · 10
–4
4.5
8.5
15
30
60
110
k
k
k
S
S
S
电流增益A组
B
C
直流电流增益
在V
CE
= 5 V,I
C
= 10A
电流增益A组
B
C
电流增益A组
B
C
电流增益A组
B
C
在V
CE
= 5 V,I
C
= 2毫安
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
R
thJA
V
CESAT
V
CESAT
V
BESAT
V
BESAT
V
BE
V
BE
110
200
420
580
90
150
270
180
290
500
120
200
400
80
200
700
900
660
0.2
0.2
0.2
220
450
800
250
1)
200
600
700
720
15
15
15
4
4
K / W
mV
mV
mV
mV
mV
mV
nA
nA
nA
A
A
在V
CE
= 5 V,I
C
= 100毫安
热阻结到环境空气
集电极饱和电压
在我
C
= 10 mA时,我
B
- 0.5毫安
在我
C
= 100毫安,我
B
= 5毫安
基本饱和电压
在我
C
= 10 mA时,我
B
- 0.5毫安
在我
C
= 100毫安,我
B
= 5毫安
基射极电压
在V
CE
= 5 V,I
C
= 2毫安
在V
CE
= 5 V,I
C
= 10毫安
集电极 - 发射极截止电流
在V
CE
= 80 V
在V
CE
= 50 V
在V
CE
= 30 V
在V
CE
= 80 V,T
j
= 125 °C
在V
CE
= 50 V ,T
j
= 125 °C
1)
BC546
BC547
I
CES
I
CES
I
CES
I
CES
I
CES
BC548 , BC549
BC546
BC547
在从情况下的距离为2毫米的有效条件是引线被保持在环境温度
BC546通BC549
电气特性
在25 ° C环境温度,除非另有规定等级
符号
在V
CE
= 30 V ,T
j
= 125 °C
BC548 , BC549
I
CES
f
T
C
CBO
C
EBO
分钟。
典型值。
300
3.5
9
马克斯。
4
4
6
单位
A
A
兆赫
pF
pF
增益带宽积
在V
CE
= 5 V,I
C
= 10 mA时, F = 100 MHz的
集电极 - 基极电容
在V
CB
= 10 V , F = 1兆赫
发射极 - 基极电容
在V
EB
= 0.5 V , F = 1兆赫
噪声系数
在V
CE
= 5 V,I
C
= 200
A,
R
G
= 2 k,
F = 1千赫
f
= 200赫兹
BC546 , BC547
BC548
BC549
BC549
F
F
F
2
1.2
1.4
10
4
4
dB
dB
dB
在V
CE
= 5 V,I
C
= 200
A,
R
G
= 2 k,
F = 30 ... 15000赫兹
额定值和特性曲线BC546 THRU BC549
额定值和特性曲线BC546 THRU BC549
额定值和特性曲线BC546 THRU BC549
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