【BC546B ， BC547A ， B，C ，BC548B ，C放大器晶体管NPN硅特点http:/】,IC型号BC546_05,BC546_05 PDF资料,BC546

BC546B ， BC547A ， B，C ，

BC548B ，C

放大器晶体管

NPN硅

特点

http://onsemi.com

无铅包可用*

集热器

1

最大额定值

等级

集电极 - 发射极电压

BC546

BC547

BC548

集电极 - 基极电压

BC546

BC547

BC548

发射极 - 基极电压

连续集电极电流 -

器件总功耗@ T

A

= 25°C

减免上述25℃

器件总功耗@ T

C

= 25°C

减免上述25℃

工作和存储结

温度范围

V

EBO

I

C

P

D

P

D

T

J

, T

英镑

V

CBO

80

50

30

6.0

100

625

5.0

1.5

12

-55到+150

VDC

MADC

mW

毫瓦/°C的

W

毫瓦/°C的

°C

1

2

3

符号

V

首席执行官

65

45

30

VDC

价值

单位

VDC

2

BASE

3

辐射源

TO92

CASE 29

17风格

标记图

热特性

特征

热阻，

结到环境

热阻，

结到外壳

符号

R

qJA

R

QJC

最大

200

83.3

单位

° C / W

BC

54x

AYWWG

G

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和

可靠性可能受到影响。

=器件代码

X = 6,7或8

A

=大会地点

Y

=年

WW

=工作周

G

= Pb-Free包装

（注：微球可在任一位置）

BC54x

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册的第5页上。

*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请

下载安森美半导体焊接与安装技术

参考手册， SOLDERRM / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2005年

1

2005年9月 - 修订版5

出版订单号：

BC546/D

BC546B ， BC547A ， B，C ， BC548B ，C

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

集电极 - 发射极击穿电压

(I

C

= 1.0毫安，我

B

= 0)

集电极 - 基极击穿电压

(I

C

= 100

MADC ）

发射极 - 基极击穿电压

(I

E

= 10

毫安，

I

C

= 0)

收藏家Cuto FF电流

(V

CE

= 70 V, V

BE

= 0)

(V

CE

= 50 V, V

BE

= 0)

(V

CE

= 35 V, V

BE

= 0)

(V

CE

= 30 V ，T

A

= 125°C)

基本特征

直流电流增益

(I

C

= 10

毫安，

V

CE

= 5.0 V)

h

FE

BC547A

BC546B/547B/548B

BC548C

BC546

BC547

BC548

BC547A

BC546B/547B/548B

BC547C/BC548C

BC547A/548A

BC546B/547B/548B

BC548C

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

V

BE（上）

0.55

f

T

BC546

BC547

BC548

C

敖包

C

IBO

h

fe

BC546

BC547/548

BC547A

BC546B/547B/548B

BC547C/548C

NF

BC546

BC547

BC548

2.0

10

125

240

450

220

330

600

500

900

260

500

900

dB

150

300

1.7

10

4.5

pF

0.7

0.77

兆赫

0.09

0.2

0.3

0.7

0.25

0.6

V

110

200

420

90

150

270

180

290

520

120

180

300

450

800

220

450

800

V

BC546

BC547

BC548

BC546

BC547

BC548

BC546

BC547

BC548

BC546

BC547

BC548

BC546/547/548

V

（ BR ） CEO

65

45

30

80

50

30

6.0

0.2

15

4.0

V

符号

民

典型值

最大

单位

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） EBO

V

I

CES

nA

mA

(I

C

= 2.0毫安， V

CE

= 5.0 V)

(I

C

= 100毫安， V

CE

= 5.0 V)

集电极 - 发射极饱和电压

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 0.5 mA）的

(I

C

= 100毫安，我

B

= 5.0 mA）的

(I

C

= 10 mA时，我

B

=见注1 ）

基地 - 发射极饱和电压

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 0.5 mA）的

基地 - 发射极电压上

(I

C

= 2.0毫安， V

CE

= 5.0 V)

(I

C

= 10 mA时， V

CE

= 5.0 V)

小信号特性

电流 - 增益 - 带宽积

(I

C

= 10 mA时， V

CE

= 5.0 V ， F = 100兆赫）

输出电容

(V

CB

= 10 V，I

C

= 0中，f = 1.0 MHz）的

输入电容

(V

EB

= 0.5 V，I

C

= 0中，f = 1.0 MHz）的

小 - 信号电流增益

(I

C

= 2.0毫安， V

CE

= 5.0 V ， F = 1.0千赫）

噪声系数

(I

C

= 0.2毫安， V

CE

= 5.0 V ，R

S

= 2千瓦，

F = 1.0千赫，

Df

= 200赫兹）

1. I

B

是价值，我

C

= 11 mA的V

CE

= 1.0 V.

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2

BC546B ， BC547A ， B，C ， BC548B ，C

BC547/BC548

2.0

的hFE ，规范直流电流增益

1.5

1.0

0.8

0.6

0.4

0.3

0.2

V

CE

= 10 V

T

A

= 25°C

V，电压（V ）

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0.2

0.5

50

2.0

5.0 10

1.0

20

I

C

，集电极电流（ MADC ）

100

200

0

0.1

V

CE （ SAT ）

@ I

C

/I

B

= 10

0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30

I

C

，集电极电流（ MADC ）

50 70 100

V

BE（上）

@ V

CE

= 10 V

T

A

= 25°C

V

BE （ SAT ）

@ I

C

/I

B

= 10

图1.归DC电流增益

2.0

T

A

= 25°C

1.6

I

C

= 200毫安

1.2

I

C

=

I

C

=

10毫安20毫安

0.8

I

C

= 50毫安

I

C

= 100毫安

1.0

图2. “饱和度”和“开”电压

VCE ，集电极 - 发射极电压（ V）

θ

VB ，温度系数（毫伏/

°

C)

-55 ° C至+ 125°C

1.2

1.6

2.0

2.4

2.8

0.4

0

0.02

0.1

1.0

I

B

，基极电流（毫安）

10

20

0.2

10

1.0

I

C

，集电极电流（毫安）

100

图3.集电极饱和区

F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）

图4.基射极温度系数

10

7.0

C，电容（pF ）

5.0

C

ib

T

A

= 25°C

400

300

200

3.0

C

ob

2.0

100

80

60

40

30

20

0.5 0.7

1.0

V

CE

= 10 V

T

A

= 25°C

1.0

0.4 0.6 0.8 1.0

2.0

4.0 6.0 8.0 10

V

R

，反向电压（伏）

20

40

2.0 3.0

5.0 7.0 10

20

I

C

，集电极电流（ MADC ）

30

50

图5的电容

图6.电流增益 - 带宽积

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3

BC546B ， BC547A ， B，C ， BC548B ，C

BC546

1.0

的hFE ， DC电流增益（标准化）

V

CE

= 5 V

T

A

= 25°C

2.0

1.0

0.5

0.2

0.1 0.2

10

100

1.0

I

C

，集电极电流（毫安）

V，电压（V ）

T

A

= 25°C

0.8

V

BE （ SAT ）

@ I

C

/I

B

= 10

0.6

V

BE

@ V

CE

= 5.0 V

0.4

0.2

V

CE （ SAT ）

@ I

C

/I

B

= 10

0

0.2

0.5

1.0

10 20

2.0

5.0

I

C

，集电极电流（毫安）

50

100

200

图7.直流电流增益

图8. “开”电压

VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）

T

A

= 25°C

1.6

20毫安

1.2

I

C

=

10毫安

50毫安

百毫安

200毫安

θ

VB ，温度系数（毫伏/

°

C)

2.0

1.0

1.4

1.8

q

VB

对于V

BE

2.2

-55 ° C至125°C

0.8

0.4

2.6

0

0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

1.0 2.0

I

B

，基极电流（毫安）

5.0

10

20

3.0

0.2

0.5

10 20

1.0 2.0

5.0

I

C

，集电极电流（毫安）

50

100

200

图9.集电极饱和区

40

T

A

= 25°C

C，电容（pF ）

20

C

ib

10

6.0

4.0

C

ob

图10.基射极温度系数

F T ，电流增益 - 带宽积

500

V

CE

= 5 V

T

A

= 25°C

200

100

50

20

2.0

0.1

0.2

0.5

1.0 2.0

10 20

5.0

V

R

，反向电压（伏）

50

100

1.0

5.0 10

50 100

I

C

，集电极电流（毫安）

图11.电容

图12.电流增益 - 带宽积

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4

BC546B ， BC547A ， B，C ， BC548B ，C

设备订货信息

设备

BC546B

BC546BG

BC546BRL1

BC546BRL1G

BC546BZL1

BC546BZL1G

BC547ARL

BC547ARLG

BC547ARL1

BC547ARL1G

BC547AZL1

BC547AZL1G

BC547B

BC547BG

BC547BRL1

BC547BRL1G

BC547BZL1

BC547BZL1G

BC547C

BC547CG

BC547CZL1

BC547CZL1G

BC548B

BC548BG

BC548BRL1

BC548BRL1G

BC548BZL1

BC548BZL1G

BC548C

BC548CG

BC548CZL1

BC548CZL1G

包

TO92

（无铅）

TO92

（无铅）

TO92

（无铅）

TO92

（无铅）

TO92

（无铅）

TO92

（无铅）

TO92

（无铅）

TO92

（无铅）

TO92

（无铅）

TO92

（无铅）

TO92

（无铅）

TO92

（无铅）

TO92

（无铅）

TO92

（无铅）

TO92

（无铅）

TO92

（无铅）

航运

5000单位/散装

2000 /磁带&卷轴

2000 /弹药盒

2000 /磁带&卷轴

2000 /弹药盒

5000单位/散装

2000 /磁带&卷轴

2000 /弹药盒

5000单位/散装

2000 /弹药盒

5000单位/散装

2000 /磁带&卷轴

2000 /弹药盒

5000单位/散装

2000 /弹药盒

有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装

规范手册， BRD8011 / D 。

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