BC368 （ NPN ） ， BC369 （ PNP ）
放大器晶体管
电压和电流的负
PNP晶体管
特点
http://onsemi.com
无铅包可用*
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗
@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
器件总功耗
@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
V
首席执行官
V
CES
V
EBO
I
C
P
D
价值
20
25
5.0
1.0
625
5.0
P
D
1.5
12
T
J
, T
英镑
-55到+150
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
mW
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
1
2
TO92
CASE 29
14风格
3
标记DIAGRAMS
BC36
x
AYWW
G
G
BC
36x
AYWW
G
G
热特性
特征
热阻，
结到环境
热阻，
结到外壳
符号
R
qJA
R
QJC
最大
200
83.3
单位
° C / W
° C / W
BC36x =器件代码
X = 8或9的
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
集热器
2
3
BASE
NPN
1
辐射源
3
BASE
PNP
1
辐射源
集热器
2
订购信息
设备
BC368
BC368G
BC368ZL1
BC368ZL1G
BC369
BC369G
BC369ZL1
包
TO92
TO92
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
航运
5000单位/箱
5000单位/箱
2000 /弹药盒
2000 /弹药盒
5000单位/箱
5000单位/箱
2000 /弹药盒
2000 /弹药盒
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
BC369ZL1G
1
2005年9月 - 修订版5
出版订单号：
BC368/D
BC368 （ NPN ） ， BC369 （ PNP ）
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极发射极击穿电压
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 0)
集电极基极击穿电压
(I
C
= 100
毫安，
I
E
= 0 )
发射-Base击穿电压
(I
E
= 100
毫安，
I
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 25 V，I
E
= 0)
(V
CB
= 25 V，I
E
= 0, T
J
= 150°C)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 5.0 V，I
C
= 0)
基本特征
直流电流增益
(V
CE
= 10 V，I
C
= 5.0 mA）的
(V
CE
= 1.0 V，I
C
= 0.5 A)
(V
CE
= 1.0 V，I
C
= 1.0 A)
带宽积
(I
C
= 10 mA时， V
CE
= 5.0 V ， F = 20兆赫）
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 1.0 A，I
B
= 100 mA时）
基射极电压ON
(I
C
= 1.0 A，V
CE
= 1.0 V)
f
T
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
BC368 ， 369
BC36825
50
85
170
60
65
375
375
0.5
1.0
兆赫
V
V
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
10
1.0
10
20
25
5.0
VDC
VDC
VDC
符号
民
典型值
最大
单位
MADC
MADC
MADC
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2
BC368 （ NPN ） ， BC369 （ PNP ）
200
VCE ，集电极电压（伏）
1.0
T
J
= 25°C
0.8
0.6
0.4
0.2
I
C
= 10毫安
hFE参数，电流增益
100
70
50
V
CE
= 1.0 V
T
J
= 25°C
50毫安
百毫安
千毫安
500毫安
250毫安
20
50 100
20
10
20
200
50
100
I
C
，集电极电流（毫安）
500
1000
0
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10
I
B
，基极电流（毫安）
图1.直流电流增益
图2.集电极饱和区
T
J
= 25°C
0.8
V，电压（V ）
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
θ
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
1.0
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
1.0 2.0
q
VB
对于V
BE
V
BE（上）
@ V
CE
= 1.0 V
0.6
0.4
0.2
0
1.0 2.0
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
5.0 10 20
50 100 200 500 1000
I
C
，集电极电流（毫安）
5.0 10 20
50 100 200 500 1000
I
C
，集电极电流（毫安）
图3. “开”电压
带宽积（兆赫）
图4.温度系数
300
200
C，电容（pF ）
160
T
J
= 25°C
120
100
70
50
V
CE
= 10 V
T
J
= 25°C
F = 20MHz的
10
20
50
100
200
500
1000
80
C
IBO
40
C
敖包
0
C
敖包
C
IBO
5.0
1.0
10
2.0
15
3.0
20
4.0
25
5.0
F T ，电流增益
30
I
C
，集电极电流（毫安）
V
R
，反向电压（伏）
图5.电流增益 - 带宽积
图6.电容
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3
BC368 （ NPN ） ， BC369 （ PNP ）
包装尺寸
TO-92 （TO- 226）
CASE 29-11
ISSUE AL
A
R
P
L
座位
飞机
B
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.轮廓的包装BEYOND尺寸R
不加控制。
4. LEAD维不受控制IN P和
BEYOND尺寸k最低限度。
英寸
民
最大
0.175
0.205
0.170
0.210
0.125
0.165
0.016
0.021
0.045
0.055
0.095
0.105
0.015
0.020
0.500
0.250
0.080
0.105
0.100
0.115
0.135
MILLIMETERS
民
最大
4.45
5.20
4.32
5.33
3.18
4.19
0.407
0.533
1.15
1.39
2.42
2.66
0.39
0.50
12.70
6.35
2.04
2.66
2.54
2.93
3.43
K
X X
G
H
V
1
D
J
C
第X-X
N
N
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
N
P
R
V
风格14 ：
PIN 1.辐射源
2.收集
3. BASE
安森美半导体
和
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这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
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4
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