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BC327/328
BC327/328
开关和放大器应用
适用于自动对焦驱动级和低功率输出级
补至BC337 / BC338
TO-92
1
1.收藏家2.基地3.发射
PNP外延硅晶体管
绝对最大额定值
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CES
参数
集电极 - 发射极电压
： BC327
： BC328
集电极 - 发射极电压
： BC327
： BC328
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极耗散功率
结温
储存温度
价值
-50
-30
-45
-25
-5
-800
625
150
-55 ~ 150
单位
V
V
V
V
V
mA
mW
°C
°C
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
电气特性
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
首席执行官
参数
集电极 - 发射极击穿电压
： BC327
： BC328
集电极 - 发射极击穿电压
： BC327
： BC328
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
： BC327
： BC328
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
电流增益带宽积
输出电容
测试条件
I
C
= -10mA ，我
B
=0
分钟。
-45
-25
I
C
= -0.1mA ，V
BE
=0
-50
-30
I
E
= -10μA ，我
C
=0
V
CE
= -45V, V
BE
=0
V
CE
= -25V, V
BE
=0
V
CE
= -1V ，我
C
= -100mA
V
CE
= -1V ，我
C
= -300mA
I
C
= -500mA ，我
B
= -50mA
V
CE
= -1V ，我
C
= -300mA
V
CE
= -5V ，我
C
= -10mA ， F = 20MHz的
V
CB
= -10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
100
12
100
40
-5
-2
-2
-100
-100
630
-0.7
-1.2
V
V
兆赫
pF
V
V
V
nA
nA
典型值。
马克斯。
单位
V
V
BV
CES
BV
EBO
I
CES
h
FE1
h
FE2
V
CE
（SAT）
V
BE
（上）
f
T
C
ob
h
FE
分类
分类
h
FE1
h
FE2
16
100 ~ 250
60-
25
160 ~ 400
100-
40
250 ~ 630
170-
2002仙童半导体公司
修订版B1 ， 2002年8月
BC327/328
典型特征
-500
-20
I
C
[马] ，集电极电流
I
C
[马] ，集电极电流
-400
-300
mA
- 5.0 A
I
B
= - 4.5m
I
B
= 4.0毫安
-
A
I
B
= - 3.5米一
I
B
= - 3.0米一
=
m
I
B
- 2.5
A
I
B
=
2.0m
-
I
B
=
I
B
=
-16
- 80
A
I
B
=
- 70
A
- 60
I
B
=
A
- 50
P
T
I
B
=
-12
A
- 40
=6
00
mW
I
B
= -
-200
1
.5mA
P
T
= 60
0米W
I
B
=
-8
A
30
A
I
B
= -
I
B
= - 1.0毫安
I
B
= - 0.5毫安
0
A
I
B
= - 2
-4
-100
I
B
= - 10
A
I
B
= 0
-0
-1
-2
-3
-4
-5
I
B
= 0
-10
-20
-30
-40
-50
V
CE
[V] ，集电极 - 发射极电压
V
CE
[V] ，集电极 - 发射极电压
图1.静态特性
图2.静态特性
1000
V
BE
（SAT） ，V
CE
（饱和） [ V]时，饱和电压
-10
脉冲
V
CE
= - 2.0V
I
C
= 10 I
B
脉冲
V
CE
（SAT）
h
FE
，直流电流增益
100
-1
- 1.0V
10
-0.1
V
BE
（SAT）
1
-0.1
-1
-10
-100
-1000
-0.01
-0.1
-1
-10
-100
-1000
I
C
[马] ，集电极电流
I
C
[马] ，集电极电流
图3.直流电流增益
图4.基射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
-1000
1000
I
C
[马] ，集电极电流
V
CE
= -1V
脉冲
-100
-10
f
T
[兆赫] ，增益带宽积
V
CE
= -5.0V
100
-1
-0.1
-0.4
10
-0.5
-0.6
-0.7
-0.8
-0.9
-1
-10
-100
V
BE
[ V]时，基极发射极电压
I
C
[马] ，集电极电流
图5.基射极电压上
图6.增益带宽积
2002仙童半导体公司
修订版B1 ， 2002年8月
BC327/328
包装尺寸
TO-92
4.58
–0.15
+0.25
0.46
14.47
±0.40
±0.10
4.58
±0.20
1.27TYP
[1.27
±0.20
]
3.60
±0.20
1.27TYP
[1.27
±0.20
]
0.38
–0.05
+0.10
3.86MAX
1.02
±0.10
0.38
–0.05
+0.10
(R2.29)
(0.25)
单位：毫米
2002仙童半导体公司
修订版B1 ， 2002年8月
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用，不
旨在成为所有此类商标的详尽清单。
ACEX
FACT
ActiveArray
FACT静音系列
深不见底
快
FASTr
CoolFET
CROSSVOLT
FRFET
GlobalOptoisolator
DOME
EcoSPARK
GTO
2
CMOS
E
HiSeC
Ensigna
I
2
C
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
放弃
ImpliedDisconnect
等平面
LittleFET
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
MSX
MSXPro
OCX
OCXPro
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
RapidConnect
SILENT SWITCHER
SMART START
SPM
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何
责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;
它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
公司。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或系统
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内，
或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行
如果使用得当按照使用说明
提供的标签，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
2.关键部件是在生命支持任何组件
设备或系统，其未能履行可
合理预期造成的生命支持故障
装置或系统，或影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2002仙童半导体公司
牧师I1
BC327/328
BC327/328
开关和放大器应用
适用于自动对焦驱动级和低功率输出级
补至BC337 / BC338
TO-92
1
1.收藏家2.基地3.发射
PNP外延硅晶体管
绝对最大额定值
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CES
参数
集电极 - 发射极电压
： BC327
： BC328
集电极 - 发射极电压
： BC327
： BC328
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极耗散功率
结温
储存温度
价值
-50
-30
-45
-25
-5
-800
625
150
-55 ~ 150
单位
V
V
V
V
V
mA
mW
°C
°C
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
电气特性
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
首席执行官
参数
集电极 - 发射极击穿电压
： BC327
： BC328
集电极 - 发射极击穿电压
： BC327
： BC328
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
： BC327
： BC328
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
电流增益带宽积
输出电容
测试条件
I
C
= -10mA ，我
B
=0
分钟。
-45
-25
I
C
= -0.1mA ，V
BE
=0
-50
-30
I
E
= -10μA ，我
C
=0
V
CE
= -45V, V
BE
=0
V
CE
= -25V, V
BE
=0
V
CE
= -1V ，我
C
= -100mA
V
CE
= -1V ，我
C
= -300mA
I
C
= -500mA ，我
B
= -50mA
V
CE
= -1V ，我
C
= -300mA
V
CE
= -5V ，我
C
= -10mA ， F = 20MHz的
V
CB
= -10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
100
12
100
40
-5
-2
-2
-100
-100
630
-0.7
-1.2
V
V
兆赫
pF
V
V
V
nA
nA
典型值。
马克斯。
单位
V
V
BV
CES
BV
EBO
I
CES
h
FE1
h
FE2
V
CE
（SAT）
V
BE
（上）
f
T
C
ob
h
FE
分类
分类
h
FE1
h
FE2
16
100 ~ 250
60-
25
160 ~ 400
100-
40
250 ~ 630
170-
2002仙童半导体公司
修订版B1 ， 2002年8月
BC327/328
典型特征
-500
-20
I
C
[马] ，集电极电流
I
C
[马] ，集电极电流
-400
-300
mA
- 5.0 A
I
B
= - 4.5m
I
B
= 4.0毫安
-
A
I
B
= - 3.5米一
I
B
= - 3.0米一
=
m
I
B
- 2.5
A
I
B
=
2.0m
-
I
B
=
I
B
=
-16
- 80
A
I
B
=
- 70
A
- 60
I
B
=
A
- 50
P
T
I
B
=
-12
A
- 40
=6
00
mW
I
B
= -
-200
1
.5mA
P
T
= 60
0米W
I
B
=
-8
A
30
A
I
B
= -
I
B
= - 1.0毫安
I
B
= - 0.5毫安
0
A
I
B
= - 2
-4
-100
I
B
= - 10
A
I
B
= 0
-0
-1
-2
-3
-4
-5
I
B
= 0
-10
-20
-30
-40
-50
V
CE
[V] ，集电极 - 发射极电压
V
CE
[V] ，集电极 - 发射极电压
图1.静态特性
图2.静态特性
1000
V
BE
（SAT） ，V
CE
（饱和） [ V]时，饱和电压
-10
脉冲
V
CE
= - 2.0V
I
C
= 10 I
B
脉冲
V
CE
（SAT）
h
FE
，直流电流增益
100
-1
- 1.0V
10
-0.1
V
BE
（SAT）
1
-0.1
-1
-10
-100
-1000
-0.01
-0.1
-1
-10
-100
-1000
I
C
[马] ，集电极电流
I
C
[马] ，集电极电流
图3.直流电流增益
图4.基射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
-1000
1000
I
C
[马] ，集电极电流
V
CE
= -1V
脉冲
-100
-10
f
T
[兆赫] ，增益带宽积
V
CE
= -5.0V
100
-1
-0.1
-0.4
10
-0.5
-0.6
-0.7
-0.8
-0.9
-1
-10
-100
V
BE
[ V]时，基极发射极电压
I
C
[马] ，集电极电流
图5.基射极电压上
图6.增益带宽积
2002仙童半导体公司
修订版B1 ， 2002年8月
BC327/328
包装尺寸
TO-92
4.58
–0.15
+0.25
0.46
14.47
±0.40
±0.10
4.58
±0.20
1.27TYP
[1.27
±0.20
]
3.60
±0.20
1.27TYP
[1.27
±0.20
]
0.38
–0.05
+0.10
3.86MAX
1.02
±0.10
0.38
–0.05
+0.10
(R2.29)
(0.25)
单位：毫米
2002仙童半导体公司
修订版B1 ， 2002年8月
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用，不
旨在成为所有此类商标的详尽清单。
ACEX
FACT
ActiveArray
FACT静音系列
深不见底
快
FASTr
CoolFET
CROSSVOLT
FRFET
GlobalOptoisolator
DOME
EcoSPARK
GTO
2
CMOS
E
HiSeC
Ensigna
I
2
C
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
放弃
ImpliedDisconnect
等平面
LittleFET
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
MSX
MSXPro
OCX
OCXPro
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
RapidConnect
SILENT SWITCHER
SMART START
SPM
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何
责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;
它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
公司。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或系统
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内，
或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行
如果使用得当按照使用说明
提供的标签，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
2.关键部件是在生命支持任何组件
设备或系统，其未能履行可
合理预期造成的生命支持故障
装置或系统，或影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2002仙童半导体公司
牧师I1
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BA6249
B39201-B3671-Z710
BA33JC5
BC849B/E9
BC328-40
BAT54RSLT1
BD45345G
BD9306AFVM
B32652A6104K289
BUK455-200B/B
BTA06-400A
BAS70-05T-7-F
BUW133A
BA07CC0WT
B39202B9030K310
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BC32840
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市深科创科技有限公司
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电话：0755-83247290
联系人：吴先生/吴小姐/李小姐
地址：深圳市福田区航都大厦17F1
BC32840
SIE
23+
5600
原厂原封装
绝对进口原装，公司现货
北京元坤国际科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
BC32840
PHILIPS/飞利浦
PH86
23000
TO-92AT
全新原装正品/质量有保证
北京首天伟业科技有限公司
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
BC32840
PHILIPS/飞利浦
21+
11362
TO-92AT
全新原装正品/质量有保证
深圳市华美锐科技有限公司
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电话：0755-83039139
联系人：邓小姐
地址：深圳市福田区福华路29号16G(深圳市华美锐科技有限公司)
BC32840
PHILIPS
36291
原装正品！价格优势！
上海意淼电子科技有限公司
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电话：13681678667
联系人：吴
地址：上海市宝山区大场镇锦秋路699弄锦秋花园
BC32840
PHILIPS
23+
80000
原厂封装
只做进口原装，假一赔十；欢迎致电：杨先生15001712988
北京上用科技有限公司
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电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
BC32840
√ 欧美㊣品
▲10/11+
9811
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
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