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ON Semiconductort
放大器晶体管
PNP硅
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗@ TA = 25℃
减免上述25℃
器件总功耗@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
PD
TJ , TSTG
BC327
–45
–50
–5.0
–800
625
5.0
1.5
12
-55到+150
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
°C
BC327,
BC327-16,
BC327-25,
BC327-40
1
2
3
CASE 29-11 ,风格17
TO-92 (TO- 226AA )
热特性
特征
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
符号
R
qJA
R
QJC
最大
200
83.3
单位
° C / W
° C / W
2
BASE
3
辐射源
集热器
1
电气特性
( TA = 25° C除非另有说明)
特征
符号
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
( IC = -10毫安, IB = 0 )
集电极 - 发射极击穿电压
( IC = -100
A,
IE = 0 )
发射极 - 基极击穿电压
(IE = -10
毫安,
IC = 0)
收藏家Cuto FF电流
( VCB = -30 V, IE = 0 )
收藏家Cuto FF电流
( VCE = -45 V, VBE = 0 )
发射Cuto FF电流
( VEB = -4.0 V, IC = 0 )
V( BR ) CEO
–45
V( BR ) CES
–50
V( BR ) EBO
ICBO
IEBO
–100
–100
NADC
–100
NADC
–5.0
VDC
NADC
VDC
VDC
半导体元件工业有限责任公司, 2001年
1
2001年5月 - 第2版
出版订单号:
BC327/D
BC327 , BC327-16 , BC327-25 , BC327-40
电气特性
( TA = 25° C除非另有说明) (续)
特征
符号
典型值
最大
单位
基本特征
直流电流增益
( IC = -100毫安, VCE = -1.0 V)
的hFE
BC327
BC327–16
BC327–25
BC327–40
VBE (ON)的
VCE ( SAT )
100
100
160
250
40
630
250
400
630
–1.2
–0.7
VDC
VDC
( IC = -300毫安, VCE = -1.0 V)
基射极电压ON
( IC = -300毫安, VCE = -1.0 V)
集电极 - 发射极饱和电压
( IC = -500毫安, IB = -50毫安)
小信号特性
输出电容
( VCB = -10 V , IE = 0 , F = 1.0兆赫)
电流增益 - 带宽积
( IC = -10毫安, VCE = -5.0 V,F = 100兆赫)
COB
fT
11
260
pF
兆赫
R(T ) ,规范有效的瞬变
热阻
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
D = 0.5
0.2
0.1
P( PK)
单脉冲
0.01
单脉冲
t1
t2
占空比D = T1 / T2
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
T,时间(秒)
1.0
2.0
5.0
θ
JC (吨)=( t)的
θ
JC
θ
JC = 100 ° C / W MAX
θ
JA ( T) = R(T )
θ
JA
θ
JA = 375 ° C / W MAX
D曲线任选一
动力
脉冲序列如图
读取时间在T1
TJ ( PK) - TC = P ( PK)
θ
JC (T )
0.1 0.05
0.07 0.02
0.05
0.03
0.02
0.01
0.001
0.002
0.005
0.01
10
20
50
100
图1.热响应
http://onsemi.com
2
BC327 , BC327-16 , BC327-25 , BC327-40
-1000
IC ,集电极电流(毫安)
1.0 s
1.0毫秒
TJ = 135℃
的hFE , DC电流增益
100
s
dc
TC = 25°C
dc
TA = 25°C
电流限制
热限制
第二击穿极限
(适用低于额定VCEO )
-3.0
-10
-30
VCE ,集电极 - 发射极电压
1000
VCE = -1.0 V
TA = 25°C
-100
100
-10
-1.0
-100
10
-0.1
-1.0
-10
-100
IC ,集电极电流(毫安)
-1000
图2.活动区 - 安全工作区
图3.直流电流增益
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
-1.0
TJ = 25°C
-0.8
-0.6
-0.4
IC = -300毫安
-0.2
IC = -10毫安
0
-0.01
-0.1
IC = -100毫安
-1.0
-10
IB ,基极电流(毫安)
-100
IC =
-500毫安
V,电压(V )
-1.0
TA = 25°C
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
VCE (SAT) @ IC / IB = 10
0
-1.0
-10
-100
IC ,集电极电流(毫安)
-1000
VBE (星期六) @ IC / IB = 10
VBE ( ON) @ VCE = -1.0 V
图4.饱和区
图5.为“ON”电压
θ
V,温度系数(MV /
°
C)
+1.0
θ
VC的VCE (SAT)
100
0
C,电容(pF )
兴业银行
10
COB
-1.0
θ
VB的VBE
-2.0
-1.0
-10
-100
IC ,集电极电流
-1000
1.0
-0.1
-1.0
-10
VR ,反向电压(伏)
-100
图6.温度系数
图7的电容
http://onsemi.com
3
BC327 , BC327-16 , BC327-25 , BC327-40
包装尺寸
TO-92 (TO- 226)
CASE 29-11
ISSUE AL
A
R
P
L
座位
飞机
B
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.轮廓的包装BEYOND尺寸R
不加控制。
4. LEAD维不受控制IN P和
BEYOND尺寸k最低限度。
英寸
最大
0.175
0.205
0.170
0.210
0.125
0.165
0.016
0.021
0.045
0.055
0.095
0.105
0.015
0.020
0.500
---
0.250
---
0.080
0.105
---
0.100
0.115
---
0.135
---
MILLIMETERS
最大
4.45
5.20
4.32
5.33
3.18
4.19
0.407
0.533
1.15
1.39
2.42
2.66
0.39
0.50
12.70
---
6.35
---
2.04
2.66
---
2.54
2.93
---
3.43
---
K
X X
G
H
V
1
D
J
C
第X-X
N
N
风格17 :
PIN 1.集热器
2.基
3.辐射源
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
N
P
R
V
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留修改的权利
恕不另行通知这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定的任何保证,声明或担保
目的,也不SCILLC承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任,并明确拒绝承担任何责任,
包括但不限于特殊,间接或附带损失。这可能SCILLC数据表提供“典型”参数和/或
规格可以做不同在不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数,包括“典型”必须是
验证每个客户的客户应用的技术专家。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。
SCILLC产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,或其他应用程序
旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况或
可能会出现死亡。如果买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并持有
SCILLC及其高级人员,雇员,子公司,联营公司及分销商对所有索赔,费用,损失,费用和合理的
直接或间接引起的,律师费,人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔,即使此类索赔
称, SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是一个机会均等/肯定行动雇主。
出版物订货信息
文学履行:
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ,丹佛,科罗拉多州80217美国
电话:
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真:
303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件:
ONlit@hibbertco.com
N.美国技术支持:
800-282-9855免费电话美国/加拿大
日本:
安森美半导体,日本顾客焦点中心
4-32-1西五反田,品川区,东京,日本141-0031
电话:
81–3–5740–2700
电子邮件:
r14525@onsemi.com
安森美半导体网站:
http://onsemi.com
有关更多信息,请联系您当地的
销售代表。
http://onsemi.com
4
BC327/D
ON Semiconductort
放大器晶体管
PNP硅
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗@ TA = 25℃
减免上述25℃
器件总功耗@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
PD
TJ , TSTG
BC327
–45
–50
–5.0
–800
625
5.0
1.5
12
-55到+150
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
°C
BC327,
BC327-16,
BC327-25,
BC327-40
1
2
3
CASE 29-11 ,风格17
TO-92 (TO- 226AA )
热特性
特征
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
符号
R
qJA
R
QJC
最大
200
83.3
单位
° C / W
° C / W
2
BASE
3
辐射源
集热器
1
电气特性
( TA = 25° C除非另有说明)
特征
符号
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
( IC = -10毫安, IB = 0 )
集电极 - 发射极击穿电压
( IC = -100
A,
IE = 0 )
发射极 - 基极击穿电压
(IE = -10
毫安,
IC = 0)
收藏家Cuto FF电流
( VCB = -30 V, IE = 0 )
收藏家Cuto FF电流
( VCE = -45 V, VBE = 0 )
发射Cuto FF电流
( VEB = -4.0 V, IC = 0 )
V( BR ) CEO
–45
V( BR ) CES
–50
V( BR ) EBO
ICBO
IEBO
–100
–100
NADC
–100
NADC
–5.0
VDC
NADC
VDC
VDC
半导体元件工业有限责任公司, 2001年
1
2001年5月 - 第2版
出版订单号:
BC327/D
BC327 , BC327-16 , BC327-25 , BC327-40
电气特性
( TA = 25° C除非另有说明) (续)
特征
符号
典型值
最大
单位
基本特征
直流电流增益
( IC = -100毫安, VCE = -1.0 V)
的hFE
BC327
BC327–16
BC327–25
BC327–40
VBE (ON)的
VCE ( SAT )
100
100
160
250
40
630
250
400
630
–1.2
–0.7
VDC
VDC
( IC = -300毫安, VCE = -1.0 V)
基射极电压ON
( IC = -300毫安, VCE = -1.0 V)
集电极 - 发射极饱和电压
( IC = -500毫安, IB = -50毫安)
小信号特性
输出电容
( VCB = -10 V , IE = 0 , F = 1.0兆赫)
电流增益 - 带宽积
( IC = -10毫安, VCE = -5.0 V,F = 100兆赫)
COB
fT
11
260
pF
兆赫
R(T ) ,规范有效的瞬变
热阻
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
D = 0.5
0.2
0.1
P( PK)
单脉冲
0.01
单脉冲
t1
t2
占空比D = T1 / T2
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
T,时间(秒)
1.0
2.0
5.0
θ
JC (吨)=( t)的
θ
JC
θ
JC = 100 ° C / W MAX
θ
JA ( T) = R(T )
θ
JA
θ
JA = 375 ° C / W MAX
D曲线任选一
动力
脉冲序列如图
读取时间在T1
TJ ( PK) - TC = P ( PK)
θ
JC (T )
0.1 0.05
0.07 0.02
0.05
0.03
0.02
0.01
0.001
0.002
0.005
0.01
10
20
50
100
图1.热响应
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2
BC327 , BC327-16 , BC327-25 , BC327-40
-1000
IC ,集电极电流(毫安)
1.0 s
1.0毫秒
TJ = 135℃
的hFE , DC电流增益
100
s
dc
TC = 25°C
dc
TA = 25°C
电流限制
热限制
第二击穿极限
(适用低于额定VCEO )
-3.0
-10
-30
VCE ,集电极 - 发射极电压
1000
VCE = -1.0 V
TA = 25°C
-100
100
-10
-1.0
-100
10
-0.1
-1.0
-10
-100
IC ,集电极电流(毫安)
-1000
图2.活动区 - 安全工作区
图3.直流电流增益
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
-1.0
TJ = 25°C
-0.8
-0.6
-0.4
IC = -300毫安
-0.2
IC = -10毫安
0
-0.01
-0.1
IC = -100毫安
-1.0
-10
IB ,基极电流(毫安)
-100
IC =
-500毫安
V,电压(V )
-1.0
TA = 25°C
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
VCE (SAT) @ IC / IB = 10
0
-1.0
-10
-100
IC ,集电极电流(毫安)
-1000
VBE (星期六) @ IC / IB = 10
VBE ( ON) @ VCE = -1.0 V
图4.饱和区
图5.为“ON”电压
θ
V,温度系数(MV /
°
C)
+1.0
θ
VC的VCE (SAT)
100
0
C,电容(pF )
兴业银行
10
COB
-1.0
θ
VB的VBE
-2.0
-1.0
-10
-100
IC ,集电极电流
-1000
1.0
-0.1
-1.0
-10
VR ,反向电压(伏)
-100
图6.温度系数
图7的电容
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3
BC327 , BC327-16 , BC327-25 , BC327-40
包装尺寸
TO-92 (TO- 226)
CASE 29-11
ISSUE AL
A
R
P
L
座位
飞机
B
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.轮廓的包装BEYOND尺寸R
不加控制。
4. LEAD维不受控制IN P和
BEYOND尺寸k最低限度。
英寸
最大
0.175
0.205
0.170
0.210
0.125
0.165
0.016
0.021
0.045
0.055
0.095
0.105
0.015
0.020
0.500
---
0.250
---
0.080
0.105
---
0.100
0.115
---
0.135
---
MILLIMETERS
最大
4.45
5.20
4.32
5.33
3.18
4.19
0.407
0.533
1.15
1.39
2.42
2.66
0.39
0.50
12.70
---
6.35
---
2.04
2.66
---
2.54
2.93
---
3.43
---
K
X X
G
H
V
1
D
J
C
第X-X
N
N
风格17 :
PIN 1.集热器
2.基
3.辐射源
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
N
P
R
V
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留修改的权利
恕不另行通知这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定的任何保证,声明或担保
目的,也不SCILLC承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任,并明确拒绝承担任何责任,
包括但不限于特殊,间接或附带损失。这可能SCILLC数据表提供“典型”参数和/或
规格可以做不同在不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数,包括“典型”必须是
验证每个客户的客户应用的技术专家。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。
SCILLC产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,或其他应用程序
旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况或
可能会出现死亡。如果买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并持有
SCILLC及其高级人员,雇员,子公司,联营公司及分销商对所有索赔,费用,损失,费用和合理的
直接或间接引起的,律师费,人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔,即使此类索赔
称, SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是一个机会均等/肯定行动雇主。
出版物订货信息
文学履行:
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ,丹佛,科罗拉多州80217美国
电话:
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真:
303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件:
ONlit@hibbertco.com
N.美国技术支持:
800-282-9855免费电话美国/加拿大
日本:
安森美半导体,日本顾客焦点中心
4-32-1西五反田,品川区,东京,日本141-0031
电话:
81–3–5740–2700
电子邮件:
r14525@onsemi.com
安森美半导体网站:
http://onsemi.com
有关更多信息,请联系您当地的
销售代表。
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4
BC327/D
BC327 , BC327-16 ,
BC327-25 , BC327-40
放大器晶体管
PNP硅
特点
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集热器
1
2
BASE
3
辐射源
无铅包可用*
最大额定值
等级
集热器
:辐射源
电压
集热器
: BASE
电压
集热器
:辐射源
电压
集电极电流
连续
总功率耗散@ T
A
= 25°C
减免上述牛逼
A
= 25°C
总功率耗散@ T
A
= 25°C
减免上述牛逼
A
= 25°C
工作和存储结
温度范围
符号
V
首席执行官
V
CES
V
EBO
I
C
P
D
P
D
T
J
, T
英镑
价值
45
50
5.0
800
625
5.0
1.5
12
55
+150
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
12
符号
R
qJA
R
QJC
最大
200
83.3
单位
° C / W
° C / W
3
1
TO92
CASE 29
17风格
2
3
热特性
特征
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
直引线
散装
BENT LEAD
磁带&卷轴
弹药包
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值(不
正常工作条件下),并同时无效。如果这些限制
超标,设备功能操作不暗示,可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
标记图
BC
xx
AYWW
G
G
BCxx =器件代码
A
=大会地点
Y
=年
WW =工作周
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
订购信息
查看详细的订购,标记,并在发货信息
包装尺寸本数据手册第4页部分。
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册, SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
2006年12月,
第4版
1
出版订单号:
BC327/D
BC327 , BC327-16 , BC327-25 , BC327-40
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
集热器
:辐射源
击穿电压
(I
C
=
10
妈,我
B
= 0)
集热器
:辐射源
击穿电压
(I
C
=
100
毫安,
I
E
= 0)
辐射源
: BASE
击穿电压
(I
E
=
10
毫安,
I
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
=
30
V,I
E
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
=
45
V, V
BE
= 0)
发射Cuto FF电流
(V
EB
=
4.0
V,I
C
= 0)
基本特征
直流电流增益
(I
C
=
100
毫安,V
CE
=
1.0
V)
BC327
BC32716
BC32725
BC32740
h
FE
100
100
160
250
40
630
250
400
630
1.2
0.7
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CES
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
CES
I
EBO
45
50
5.0
VDC
VDC
VDC
NADC
NADC
NADC
符号
典型值
最大
单位
100
100
100
(I
C
=
300
毫安,V
CE
=
1.0
V)
基射极电压ON
(I
C
=
300
毫安,V
CE
=
1.0
V)
集热器
:辐射源
饱和电压
(I
C
=
500
妈,我
B
=
50
毫安)
小信号特性
输出电容
(V
CB
=
10
V,I
E
= 0中,f = 1.0 MHz)的
当前
- 获得 -
带宽积
(I
C
=
10
毫安,V
CE
=
5.0
V,F = 100兆赫)
V
BE(上)
V
CE ( SAT )
VDC
VDC
C
ob
f
T
11
260
pF
兆赫
R(T ) ,规范有效的瞬变
热阻
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
D = 0.5
0.2
0.1
P
( PK)
单脉冲
0.01
单脉冲
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
T,时间(秒)
1.0
2.0
5.0
q
JC
(t) = (t)
q
JC
q
JC
= 100 ° C / W MAX
q
JA
(吨) = R (t)的
q
JA
q
JA
= 375 ° C / W MAX
D曲线任选一
动力
脉冲序列如图
读取时间AT&T
1
T
J(下PK)
T
C
= P
( PK)
q
JC
(t)
0.1 0.05
0.07 0.02
0.05
0.03
0.02
0.01
0.001
10
20
50
100
图1.热响应
http://onsemi.com
2
BC327 , BC327-16 , BC327-25 , BC327-40
1000
IC ,集电极电流(毫安)
1.0 s
1.0毫秒
T
J
= 135°C
的hFE , DC电流增益
100
ms
dc
T
C
= 25°C
dc
T
A
= 25°C
1000
V
CE
= 1.0 V
T
A
= 25°C
100
100
10
1.0
电流限制
热限制
第二击穿极限
(适用低于额定V
首席执行官
)
3.0
10
30
V
CE
,集电极 - 发射极电压
100
10
0.1
1.0
10
100
I
C
,集电极电流(毫安)
1000
图2.活动区
安全工作区
图3.直流电流增益
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏特
1.0
T
J
= 25°C
0.8
I
C
=
± 500毫安
V,电压(V )
1.0
T
A
= 25°C
0.8
V
BE ( SAT )
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE(上)
@ V
CE
= 1.0 V
0.6
0.6
0.4
I
C
= -300毫安
0.2
0
0.01
I
C
= -10毫安
0.1
1.0
10
I
B
,基极电流(毫安)
I
C
= -100毫安
0.4
0.2
V
CE ( SAT )
@ I
C
/I
B
= 10
100
0
1.0
10
100
I
C
,集电极电流(毫安)
1000
图4.饱和区
图5.为“ON”电压
θ
V,温度系数(MV /
°
C)
+1.0
q
VC
对于V
CE ( SAT )
0
100
C,电容(pF )
C
ib
10
1.0
q
VB
对于V
BE
C
ob
2.0
1.0
10
100
I
C
,集电极电流
1000
1.0
0.1
1.0
10
V
R
,反向电压(伏)
100
图6.温度系数
图7的电容
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3
BC327 , BC327-16 , BC327-25 , BC327-40
订购信息
设备订单号
BC327G
BC327RL1G
BC327016G
BC327025G
BC32725RL1G
BC32725ZL1G
BC327040G
BC32740ZL1
BC32740ZL1G
具体的器件标识
7
327
327
327
725
32725
327
740
740
套餐类型
TO- 92直引线
(无铅)
TO- 92引脚弯曲
(无铅)
TO- 92直引线
(无铅)
TO- 92直引线
(无铅)
TO- 92引脚弯曲
(无铅)
TO- 92引脚弯曲
(无铅)
TO- 92引脚弯曲
(无铅)
TO- 92引脚弯曲
TO- 92引脚弯曲
(无铅)
航运
5000单位/散装
2000 /磁带&卷轴
5000单位/散装
5000单位/散装
2000 /磁带&卷轴
2000 /磁带&弹药盒
2000 /磁带&卷轴
2000 /磁带&弹药盒
2000 /磁带&弹药盒
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册, BRD8011 / D 。
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4
BC327 , BC327-16 , BC327-25 , BC327-40
包装尺寸
TO-92 (TO- 226)
CASE 29-11
ISSUE AL
A
R
P
L
座位
飞机
B
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.轮廓的包装BEYOND尺寸R
不加控制。
4. LEAD维不受控制IN P和
BEYOND尺寸k最低限度。
英寸
最大
0.175
0.205
0.170
0.210
0.125
0.165
0.016
0.021
0.045
0.055
0.095
0.105
0.015
0.020
0.500
0.250
0.080
0.105
0.100
0.115
0.135
MILLIMETERS
最大
4.45
5.20
4.32
5.33
3.18
4.19
0.407
0.533
1.15
1.39
2.42
2.66
0.39
0.50
12.70
6.35
2.04
2.66
2.54
2.93
3.43
K
X X
H
V
1
D
G
J
C
N
N
第X-X
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
N
P
R
V
风格17 :
PIN 1.集热器
2.基
3.辐射源
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留随时更改,恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保,声明或保证,也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用,并特别声明,任何和所有责任,包括但不限于特殊,间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格,可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,或其他应用程序
旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并SCILLC及其高级人员,雇员,子公司,关联公司,
和分销商对所有索赔,费用,损失,费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关,即使此类索赔称, SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律,并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行:
N.美国技术支持:
免费电话800-282-9855
安森美半导体文学配送中心
美国/加拿大
P.O. 61312盒,凤凰城,亚利桑那州85082-1312 USA
电话:
480-829-7710或800-344-3860免费电话美国/加拿大
日本:
安森美半导体,日本顾客焦点中心
2-9-1 Kamimeguro ,目黑区,东京,日本153-0051
传真:
480-829-7709或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电话:
81357733850
电子邮件:
orderlit@onsemi.com
安森美半导体网站:
http://onsemi.com
为了文学:
http://www.onsemi.com/litorder
有关更多信息,请联系您
当地销售代表。
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5
BC327/D
BC327 , BC327-16 ,
BC327-25 , BC327-40
放大器晶体管
PNP硅
特点
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集热器
1
2
BASE
3
辐射源
无铅包可用*
最大额定值
等级
集热器
:辐射源
电压
集热器
: BASE
电压
集热器
:辐射源
电压
集电极电流
连续
总功率耗散@ T
A
= 25°C
减免上述牛逼
A
= 25°C
总功率耗散@ T
A
= 25°C
减免上述牛逼
A
= 25°C
工作和存储结
温度范围
符号
V
首席执行官
V
CES
V
EBO
I
C
P
D
P
D
T
J
, T
英镑
价值
45
50
5.0
800
625
5.0
1.5
12
55
+150
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
12
符号
R
qJA
R
QJC
最大
200
83.3
单位
° C / W
° C / W
3
1
TO92
CASE 29
17风格
2
3
热特性
特征
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
直引线
散装
BENT LEAD
磁带&卷轴
弹药包
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值(不
正常工作条件下),并同时无效。如果这些限制
超标,设备功能操作不暗示,可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
标记图
BC
xx
AYWW
G
G
BCxx =器件代码
A
=大会地点
Y
=年
WW =工作周
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
订购信息
查看详细的订购,标记,并在发货信息
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半导体元件工业有限责任公司, 2006年
2006年12月,
第4版
1
出版订单号:
BC327/D
BC327 , BC327-16 , BC327-25 , BC327-40
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
集热器
:辐射源
击穿电压
(I
C
=
10
妈,我
B
= 0)
集热器
:辐射源
击穿电压
(I
C
=
100
毫安,
I
E
= 0)
辐射源
: BASE
击穿电压
(I
E
=
10
毫安,
I
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
=
30
V,I
E
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
=
45
V, V
BE
= 0)
发射Cuto FF电流
(V
EB
=
4.0
V,I
C
= 0)
基本特征
直流电流增益
(I
C
=
100
毫安,V
CE
=
1.0
V)
BC327
BC32716
BC32725
BC32740
h
FE
100
100
160
250
40
630
250
400
630
1.2
0.7
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CES
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
CES
I
EBO
45
50
5.0
VDC
VDC
VDC
NADC
NADC
NADC
符号
典型值
最大
单位
100
100
100
(I
C
=
300
毫安,V
CE
=
1.0
V)
基射极电压ON
(I
C
=
300
毫安,V
CE
=
1.0
V)
集热器
:辐射源
饱和电压
(I
C
=
500
妈,我
B
=
50
毫安)
小信号特性
输出电容
(V
CB
=
10
V,I
E
= 0中,f = 1.0 MHz)的
当前
- 获得 -
带宽积
(I
C
=
10
毫安,V
CE
=
5.0
V,F = 100兆赫)
V
BE(上)
V
CE ( SAT )
VDC
VDC
C
ob
f
T
11
260
pF
兆赫
R(T ) ,规范有效的瞬变
热阻
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
D = 0.5
0.2
0.1
P
( PK)
单脉冲
0.01
单脉冲
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
T,时间(秒)
1.0
2.0
5.0
q
JC
(t) = (t)
q
JC
q
JC
= 100 ° C / W MAX
q
JA
(吨) = R (t)的
q
JA
q
JA
= 375 ° C / W MAX
D曲线任选一
动力
脉冲序列如图
读取时间AT&T
1
T
J(下PK)
T
C
= P
( PK)
q
JC
(t)
0.1 0.05
0.07 0.02
0.05
0.03
0.02
0.01
0.001
10
20
50
100
图1.热响应
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2
BC327 , BC327-16 , BC327-25 , BC327-40
1000
IC ,集电极电流(毫安)
1.0 s
1.0毫秒
T
J
= 135°C
的hFE , DC电流增益
100
ms
dc
T
C
= 25°C
dc
T
A
= 25°C
1000
V
CE
= 1.0 V
T
A
= 25°C
100
100
10
1.0
电流限制
热限制
第二击穿极限
(适用低于额定V
首席执行官
)
3.0
10
30
V
CE
,集电极 - 发射极电压
100
10
0.1
1.0
10
100
I
C
,集电极电流(毫安)
1000
图2.活动区
安全工作区
图3.直流电流增益
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏特
1.0
T
J
= 25°C
0.8
I
C
=
± 500毫安
V,电压(V )
1.0
T
A
= 25°C
0.8
V
BE ( SAT )
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE(上)
@ V
CE
= 1.0 V
0.6
0.6
0.4
I
C
= -300毫安
0.2
0
0.01
I
C
= -10毫安
0.1
1.0
10
I
B
,基极电流(毫安)
I
C
= -100毫安
0.4
0.2
V
CE ( SAT )
@ I
C
/I
B
= 10
100
0
1.0
10
100
I
C
,集电极电流(毫安)
1000
图4.饱和区
图5.为“ON”电压
θ
V,温度系数(MV /
°
C)
+1.0
q
VC
对于V
CE ( SAT )
0
100
C,电容(pF )
C
ib
10
1.0
q
VB
对于V
BE
C
ob
2.0
1.0
10
100
I
C
,集电极电流
1000
1.0
0.1
1.0
10
V
R
,反向电压(伏)
100
图6.温度系数
图7的电容
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BC327 , BC327-16 , BC327-25 , BC327-40
订购信息
设备订单号
BC327G
BC327RL1G
BC327016G
BC327025G
BC32725RL1G
BC32725ZL1G
BC327040G
BC32740ZL1
BC32740ZL1G
具体的器件标识
7
327
327
327
725
32725
327
740
740
套餐类型
TO- 92直引线
(无铅)
TO- 92引脚弯曲
(无铅)
TO- 92直引线
(无铅)
TO- 92直引线
(无铅)
TO- 92引脚弯曲
(无铅)
TO- 92引脚弯曲
(无铅)
TO- 92引脚弯曲
(无铅)
TO- 92引脚弯曲
TO- 92引脚弯曲
(无铅)
航运
5000单位/散装
2000 /磁带&卷轴
5000单位/散装
5000单位/散装
2000 /磁带&卷轴
2000 /磁带&弹药盒
2000 /磁带&卷轴
2000 /磁带&弹药盒
2000 /磁带&弹药盒
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册, BRD8011 / D 。
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BC327 , BC327-16 , BC327-25 , BC327-40
包装尺寸
TO-92 (TO- 226)
CASE 29-11
ISSUE AL
A
R
P
L
座位
飞机
B
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.轮廓的包装BEYOND尺寸R
不加控制。
4. LEAD维不受控制IN P和
BEYOND尺寸k最低限度。
英寸
最大
0.175
0.205
0.170
0.210
0.125
0.165
0.016
0.021
0.045
0.055
0.095
0.105
0.015
0.020
0.500
0.250
0.080
0.105
0.100
0.115
0.135
MILLIMETERS
最大
4.45
5.20
4.32
5.33
3.18
4.19
0.407
0.533
1.15
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