BC307B
包装尺寸
TO-92 （TO- 226）
CASE 29-11
ISSUE AM
R
A
B
P
T
座位
飞机
注意事项：
1.尺寸和公差PER
ASME Y14.5M ， 1994年。
2.控制尺寸：毫米。
3.轮廓包装超越
尺寸R不受控制。
4.铅尺寸不可控IN P
AND BEYOND尺寸k最低限度。
MILLIMETERS
民
最大
4.45
5.20
4.32
5.33
3.18
4.19
0.40
0.54
2.40
2.80
0.39
0.50
12.70
---
2.04
2.66
1.50
4.00
2.93
---
3.43
---
K
G
X X
V
1
D
J
C
N
第X-X
暗淡
A
B
C
D
G
J
K
N
P
R
V
风格17 ：
PIN 1.集热器
2.基
3.辐射源
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行：
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ，丹佛，科罗拉多州80217美国
电话：
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真：
303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件：
orderlit@onsemi.com
N.美国技术支持：
免费电话800-282-9855
美国/加拿大
欧洲，中东和非洲技术支持：
电话： 421 33 790 2910
日本以客户为中心中心
电话： 81-3-5773-3850
安森美半导体网站： www.onsemi.com
为了文学：
http://www.onsemi.com/orderlit
有关更多信息，请联系您当地的
销售代表
http://onsemi.com
4
BC307/D
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用，不
旨在成为所有此类商标的详尽清单。
ACEX
FACT
ActiveArray
FACT静音系列
深不见底
快
FASTr
CoolFET
CROSSVOLT
FRFET
GlobalOptoisolator
DOME
EcoSPARK
GTO
2
CMOS
E
HiSeC
Ensigna
I
2
C
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
放弃
ImpliedDisconnect
等平面
LittleFET
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
MSX
MSXPro
OCX
OCXPro
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
RapidConnect
SILENT SWITCHER
SMART START
SPM
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何
责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;
它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
公司。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或系统
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内，
或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行
如果使用得当按照使用说明
提供的标签，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
2.关键部件是在生命支持任何组件
设备或系统，其未能履行可
合理预期造成的生命支持故障
装置或系统，或影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2002仙童半导体公司
牧师I1
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
由BC307 / D
放大器晶体管
PNP硅
集热器
1
2
BASE
3
辐射源
BC307
BC307B
BC307C
BC308C
1
2
3
CASE 29-04 ，风格17
TO-92 （TO- 226AA ）
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗@ TA = 25℃
减免上述25℃
器件总功耗@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
PD
TJ ， TSTG
BC307 ， B，C
–45
–50
–5.0
–100
350
2.8
1.0
8.0
- 55 + 150
BC308C
–25
–30
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
瓦
毫瓦/°C的
°C
热特性
特征
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
符号
R
q
JA
R
q
JC
最大
357
125
单位
° C / W
° C / W
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = -2.0 MADC ， IB = 0 ）
发射极 - 基极击穿电压
（IE = -100
m
ADC ， IC = 0 ）
集电极 - 发射极漏电流
（ VCES = -50 V， VBE = 0 ）
（ VCES = -30 V， VBE = 0 ）
（ VCES = -50 V， VBE = 0 ） TA = 125°C
（ VCES = -30 V， VBE = 0 ） TA = 125°C
BC307,B,C
BC308C
BC307,B,C
BC308C
BC307,B,C
BC308C
BC307,B,C
BC308C
V（ BR ） CEO
V（ BR ） EBO
冰
—
—
—
—
–0.2
–0.2
–0.2
–0.2
–15
–15
–4.0
–4.0
NADC
A
–45
–25
–5.0
–5.0
—
—
—
—
—
—
—
—
VDC
VDC
REV 1
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉1997年公司
1
BC307 BC307B BC307C BC308C
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明） （续）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
基本特征
直流电流增益
（ IC = -10
μAdc ，
VCE = -5.0 V直流）
的hFE
BC307B
BC307C/308C
BC307
BC307B/308B
BC307C/308C
BC307B
BC307C/308C
VCE （ SAT ）
—
—
—
VBE （ SAT ）
—
—
VBE （ON）的
–0.55
–0.7
–1.0
–0.62
—
—
–0.7
VDC
–0.10
–0.30
–0.25
–0.3
–0.6
—
VDC
—
—
120
200
420
—
—
150
270
—
290
500
180
300
—
—
800
460
800
—
—
VDC
—
（ IC = -2.0 MADC ， VCE = -5.0 V直流）
（ IC = -100 MADC ， VCE = -5.0 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = -10 MADC ， IB = -0.5 MADC ）
（ IC = -10 MADC ， IB =见注1 ）
（ IC = -100 MADC ， IB = -5.0 MADC ）
基地 - 发射极饱和电压
（ IC = -10 MADC ， IB = -0.5 MADC ）
（ IC = -100 MADC ， IB = -5.0 MADC ）
基射极电压ON
（ IC = -2.0 MADC ， VCE = -5.0 V直流）
动态特性
电流 - 增益 - 带宽积
（ IC = -10 MADC ， VCE = -5.0伏， F = 100兆赫）
公共基础电容
（ VCB = -10伏直流， IC = 0 ， F = 1.0兆赫）
噪声系数
（ IC = -0.2 MADC ， VCE = -5.0伏， RS = 2.0 kΩ的，
F = 1.0千赫）
（ IC = -0.2 MADC ， VCE = -5.0伏， RS = 2.0 kΩ的，
F = 1.0千赫中，f = 200赫兹）
fT
BC307,B,C
BC308C
Ccbo
NF
BC307,B,C
—
2.0
10
—
—
—
280
320
—
—
—
6.0
pF
dB
兆赫
BC308C
—
2.0
10
1. IC = -10 MADC上不断基极电流的特性，这将产生点IC = -11 MADC ， VCE = -1.0 V.
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
BC307 BC307B BC307C BC308C
典型特征
2.0
的hFE ，规范直流电流增益
1.5
1.0
0.7
0.5
VCE = -10 V
TA = 25°C
V，电压（V ）
–1.0
–0.9
–0.8
–0.7
–0.6
–0.5
–0.4
–0.3
–0.2
–0.1
0.2
–0.2
–0.5 –1.0 –2.0
–5.0 –10 –20
–50 –100 –200
IC ，集电极电流（ MADC ）
0
–0.1 –0.2
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
–0.5 –1.0 –2.0
–5.0 –10 –20
IC ，集电极电流（ MADC ）
–50 –100
TA = 25°C
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
VBE （ ON） @ VCE = -10 V
0.3
图1.归DC电流增益
F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）
图2. “饱和度”和“开”电压
400
300
200
C，电容（pF ）
150
100
80
60
40
30
20
–0.5
–1.0
–2.0 –3.0 –5.0
–10
–20 –30
IC ，集电极电流（ MADC ）
–50
VCE = -10 V
TA = 25°C
10
兴业银行
7.0
5.0
TA = 25°C
3.0
COB
2.0
1.0
–0.4 –0.6
–1.0
–2.0
–4.0 –6.0 –10
VR ，反向电压（伏）
–20 –30 –40
图3.电流增益 - 带宽积
图4的电容
0.5
0.3
VCE = -10 V
F = 1.0千赫
TA = 25°C
R B
′
，底座扩展电阻（欧姆）
1.0
滚刀，输出导纳（欧姆）
150
140
130
VCE = -10 V
F = 1.0千赫
TA = 25°C
0.1
0.05
0.03
120
110
0.01
–0.1
–0.2
–0.5
–1.0
–2.0
IC ，集电极电流（ MADC ）
–5.0
–10
100
–0.1
–0.2 –0.3 –0.5
–1.0
–2.0 –3.0
IC ，集电极电流（ MADC ）
–5.0
–10
图5.输出准入
图6.基地扩展电阻
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
3
BC307 BC307B BC307C BC308C
包装尺寸
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.轮廓的包装BEYOND尺寸R
不加控制。
4.尺寸f适用P和L之间
尺寸D和J适用I和K之间
最低限度。 LEAD DIMENSION不受控制
在P型和超越维数k最低限度。
英寸
民
最大
0.175
0.205
0.170
0.210
0.125
0.165
0.016
0.022
0.016
0.019
0.045
0.055
0.095
0.105
0.015
0.020
0.500
–––
0.250
–––
0.080
0.105
–––
0.100
0.115
–––
0.135
–––
MILLIMETERS
民
最大
4.45
5.20
4.32
5.33
3.18
4.19
0.41
0.55
0.41
0.48
1.15
1.39
2.42
2.66
0.39
0.50
12.70
–––
6.35
–––
2.04
2.66
–––
2.54
2.93
–––
3.43
–––
A
R
P
座位
飞机
B
F
L
K
D
X X
G
H
V
1
J
C
N
N
第X-X
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
P
R
V
CASE 029-04
(TO–226AA)
ISSUE AD
风格17 ：
PIN 1.集热器
2.基
3.辐射源
摩托罗拉保留更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。摩托罗拉公司对于任何担保，声明或保证
其产品适用于任何特定用途，也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，并
具体来说不承担任何责任，包括但不限于间接或附带损失。可在摩托罗拉提供“典型”参数
数据表和/或特定网络阳离子可以和做不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数，包括“典型”
必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并没有传达根据其专利权的任何许可或权利
其他人。摩托罗拉产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他
应用程序旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序在摩托罗拉产品的故障可能造成人身伤害的情况
否则可能会出现死亡。如果买方购买或使用摩托罗拉产品的任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有摩托罗拉
其管理人员，员工，附属公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师费无害
所产生的直接或间接造成人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔，即使此类索赔称，
摩托罗拉是疏忽就部分的设计和制造。摩托罗拉
注册摩托罗拉公司，摩托罗拉公司的商标是一个平等
机会/肯定行动雇主。
M传真是摩托罗拉公司的一个商标。
如何找到我们：
美国/欧洲/点未列出：
摩托罗拉文学分布;
P.O.盒5405 ，科罗拉多州丹佛市80217. 303-675-2140或1-800-441-2447
日本：
日本摩托罗拉有限公司： SPD ，战略规划办公室， 4-32-1 ，
西五反田，品川区，东京141 ，日本。 81-3-5487-8488
M传真 ：
RMFAX0@email.sps.mot.com - 按键602-244-6609
亚洲/太平洋网络C：
摩托罗拉半导体H.K.有限公司; 8B太平工业园，
- 美国&仅限于加拿大1-800-774-1848 51汀角路，大埔，新界，香港。 852-26629298
互联网：
http://motorola.com/sps
4
BC307/D
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉
半导体技术资料
放大器晶体管
订购此文件
由BC307 / D
PNP硅
集热器
1
2
BASE
3
辐射源
BC307,B,C
BC308C
BC309B
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗@ TA = 25℃
减免上述25℃
器件总功耗@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
PD
TJ ， TSTG
BC
307
–45
–50
BC
308C
–25
–30
–5.0
–100
350
2.8
1.0
8.0
- 55 + 150
BC
309
–25
–30
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
瓦
毫瓦/°C的
°C
1
2
3
CASE 29-04 ，风格17
TO-92 （TO- 226AA ）
热特性
特征
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
符号
R
q
JA
R
q
JC
最大
357
125
单位
° C / W
° C / W
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = -2.0 MADC ， IB = 0 ）
发射极 - 基极击穿电压
（IE = -100
m
ADC ， IC = 0 ）
集电极 - 发射极漏电流
（ VCES = -50 V， VBE = 0 ）
（ VCES = -30 V， VBE = 0 ）
BC307
BC308C
BC309B
BC307
BC308C
BC309B
BC307
BC308C
BC309B
BC307
BC308C
BC309B
V（ BR ） CEO
–45
–25
–25
–5.0
–5.0
–5.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
–0.2
–0.2
–0.2
–0.2
–0.2
–0.2
—
—
—
—
—
—
–15
–15
–15
–4.0
–4.0
–4.0
VDC
V（ BR ） EBO
VDC
冰
NADC
（ VCES = -50 V， VBE = 0 ） TA = 125°C
（ VCES = -30 V， VBE = 0 ） TA = 125°C
A
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1996年
1
BC307 ， B，C BC308C BC309B
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明） （续）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
基本特征
直流电流增益
（ IC = -10
μAdc ，
VCE = -5.0 V直流）
的hFE
BC307B/309B
BC307C/308C
BC307
BC308C
BC307B/309B
BC307C/308C
BC307B/309B
BC307C/308C
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = -10 MADC ， IB = -0.5 MADC ）
（ IC = -10 MADC ， IB =见注1 ）
（ IC = -100 MADC ， IB = -5.0 MADC ）
基地 - 发射极饱和电压
（ IC = -10 MADC ， IB = -0.5 MADC ）
（ IC = -100 MADC ， IB = -5.0 MADC ）
基射极电压ON
（ IC = -2.0 MADC ， VCE = -5.0 V直流）
VCE （ SAT ）
—
—
—
VBE （ SAT ）
—
—
VBE （ON）的
–0.55
–0.7
–1.0
–0.62
—
—
–0.7
VDC
–0.10
–0.30
–0.25
–0.3
–0.6
—
VDC
—
—
120
120
200
420
—
—
150
270
—
—
290
500
180
300
—
—
800
800
460
800
—
—
VDC
—
（ IC = -2.0 MADC ， VCE = -5.0 V直流）
（ IC = -100 MADC ， VCE = -5.0 V直流）
动态特性
电流 - 增益 - 带宽积
（ IC = -10 MADC ， VCE = -5.0伏， F = 100兆赫）
fT
BC307
BC308C
BC309B
Ccbo
NF
BC309
BC307
BC308C
BC309B
—
—
—
—
2.0
2.0
2.0
2.0
4.0
10
10
4.0
—
—
—
—
280
320
360
—
—
—
—
6.0
pF
dB
兆赫
公共基础电容
（ VCB = -10伏直流， IC = 0 ， F = 1.0兆赫）
噪声系数
（ IC = -0.2 MADC ， VCE = -5.0伏，
RS = 2.0千欧， F = 1.0千赫）
（ IC = -0.2 MADC ， VCE = -5.0伏，
RS = 2.0千欧， F = 1.0 kHz时， F = 200赫兹）
1. IC = -10 MADC上不断基极电流的特性，这将产生点IC = -11 MADC ， VCE = -1.0 V.
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
BC307 ， B，C BC308C BC309B
2.0
的hFE ，规范直流电流增益
1.5
1.0
0.7
0.5
VCE = -10 V
TA = 25°C
V，电压（V ）
–1.0
–0.9
–0.8
–0.7
–0.6
–0.5
–0.4
–0.3
–0.2
–0.1
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
–0.5 –1.0 –2.0
–5.0 –10 –20
IC ，集电极电流（ MADC ）
–50 –100
TA = 25°C
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
VBE （ ON） @ VCE = -10 V
0.3
0.2
–0.2
–0.5 –1.0 –2.0
–5.0 –10 –20
–50 –100 –200
IC ，集电极电流（ MADC ）
0
–0.1 –0.2
图1.归DC电流增益
F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）
图2. “饱和度”和“开”电压
400
300
200
150
100
80
60
40
30
20
–0.5
–1.0
–2.0 –3.0 –5.0
–10
–20 –30
IC ，集电极电流（ MADC ）
–50
VCE = -10 V
TA = 25°C
10
兴业银行
7.0
C，电容（pF ）
5.0
TA = 25°C
3.0
COB
2.0
1.0
–0.4 –0.6
–1.0
–2.0
–4.0 –6.0 –10
VR ，反向电压（伏）
–20 –30 –40
图3.电流增益 - 带宽积
图4的电容
0.5
0.3
VCE = -10 V
F = 1.0千赫
TA = 25°C
R B
′
，底座扩展电阻（欧姆）
1.0
滚刀，输出导纳（欧姆）
150
140
130
VCE = -10 V
F = 1.0千赫
TA = 25°C
0.1
0.05
0.03
120
110
0.01
–0.1
–0.2
–0.5
–1.0
–2.0
IC ，集电极电流（ MADC ）
–5.0
–10
100
–0.1
–0.2 –0.3 –0.5
–1.0
–2.0 –3.0
IC ，集电极电流（ MADC ）
–5.0
–10
图5.输出准入
图6.基地扩展电阻
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
3
BC307 ， B，C BC308C BC309B
包装尺寸
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.轮廓的包装BEYOND尺寸R
不加控制。
4.尺寸f适用P和L之间
尺寸D和J适用I和K之间
最低限度。 LEAD DIMENSION不受控制
在P型和超越维数k最低限度。
英寸
民
最大
0.175
0.205
0.170
0.210
0.125
0.165
0.016
0.022
0.016
0.019
0.045
0.055
0.095
0.105
0.015
0.020
0.500
–––
0.250
–––
0.080
0.105
–––
0.100
0.115
–––
0.135
–––
MILLIMETERS
民
最大
4.45
5.20
4.32
5.33
3.18
4.19
0.41
0.55
0.41
0.48
1.15
1.39
2.42
2.66
0.39
0.50
12.70
–––
6.35
–––
2.04
2.66
–––
2.54
2.93
–––
3.43
–––
A
R
P
座位
飞机
B
F
L
K
D
X X
G
H
V
1
J
C
N
N
第X-X
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
P
R
V
CASE 029-04
(TO–226AA)
ISSUE AD
风格17 ：
PIN 1.集热器
2.基
3.辐射源
摩托罗拉保留更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。摩托罗拉公司对于任何担保，声明或保证
其产品适用于任何特定用途，也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，
并明确拒绝承担任何责任，包括但不限于间接或附带损失。 “典型”参数，并会根据不同的
应用程序。所有的操作参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并
不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。摩托罗拉产品不是设计，意，或授权用作组件
旨在系统通过外科手术移植到体内，或其他应用程序旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的故障
摩托罗拉的产品可能会造成这样一种情况人身伤害或死亡可能会发生。如果买方购买或使用摩托罗拉产品的任何此类
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有摩托罗拉和其职员，雇员，子公司，联营公司及分销商无害
对所有索赔，费用，损失，费用，以及直接或间接引起的，合理的律师费，人身伤害或死亡的任何索赔
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称，摩托罗拉对零件的设计或制造疏忽造成的。
摩托罗拉
注册摩托罗拉公司，摩托罗拉公司的商标是一个平等机会/ AF连接rmative行动雇主。
如何找到我们：
美国/欧洲：
摩托罗拉文学分布;
P.O. 20912盒;亚利桑那州凤凰城85036. 1-800-441-2447
M传真：
RMFAX0@email.sps.mot.com - 按键（ 602 ） 244-6609
互联网：
http://Design-NET.com
日本：
日本摩托罗拉有限公司;巽SPD- JLDC ，利胜乙木，
6F西武Butsuryu中心， 3-14-2巽江东区，东京135 ，日本。 03-3521-8315
香港：
摩托罗拉半导体H.K.有限公司; 8B太平工业园，
51汀角路，大埔，新界，香港。 852-26629298
4
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
*BC307/D*
BC307/D
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP通用晶体管
BC307 ; BC307B
特点
低电流（最大100 mA时）
低电压（最大45 V ） 。
应用
通用的开关和放大。
描述
PNP晶体管在TO -92 ; SOT54塑料包装。
NPN补充： BC237和BC237B 。
钉扎
针
1
2
3
辐射源
BASE
集热器
描述
1
手册， halfpage
2
3
3
2
1
MAM281
Fig.1
简化外形（ TO- 92 ; SOT54 ）和
符号。
快速参考数据
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
CM
P
合计
h
FE
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
峰值集电极电流
总功耗
直流电流增益
BC307
BC307B
f
T
跃迁频率
I
C
=
10
毫安; V
CE
=
5
V ; F = 100 MHz的
T
AMB
≤
25
°C
I
C
=
2
毫安; V
CE
=
5
V
125
222
100
455
455
兆赫
发射极开路
开基
条件
分钟。
马克斯。
50
45
200
500
V
V
mA
mW
单位
1997年3月7日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP通用晶体管
包装外形
塑料单端含铅（通孔）包; 3引线
BC307 ; BC307B
SOT54
c
E
d
A
L
b
1
D
2
e1
e
3
b
1
L1
0
2.5
规模
5 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
5.2
5.0
b
0.48
0.40
b1
0.66
0.56
c
0.45
0.40
D
4.8
4.4
d
1.7
1.4
E
4.2
3.6
e
2.54
e1
1.27
L
14.5
12.7
L1
(1)
2.5
记
这个区域内的终端1.尺寸不受控制允许流胶和终端违规行为。
概要
VERSION
SOT54
参考文献：
IEC
JEDEC
TO-92
EIAJ
SC-43
欧洲
投影
发行日期
97-02-28
1997年3月7日
5
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用，不
旨在成为所有此类商标的详尽清单。
ACEX
FACT
ActiveArray
FACT静音系列
深不见底
快
FASTr
CoolFET
CROSSVOLT
FRFET
GlobalOptoisolator
DOME
EcoSPARK
GTO
2
CMOS
E
HiSeC
Ensigna
I
2
C
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
放弃
ImpliedDisconnect
等平面
LittleFET
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
MSX
MSXPro
OCX
OCXPro
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
RapidConnect
SILENT SWITCHER
SMART START
SPM
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何
责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;
它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
公司。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或系统
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内，
或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行
如果使用得当按照使用说明
提供的标签，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
2.关键部件是在生命支持任何组件
设备或系统，其未能履行可
合理预期造成的生命支持故障
装置或系统，或影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2002仙童半导体公司
牧师I1
BC307B
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极发射极击穿电压
(I
C
= -2.0 MADC ，我
B
= 0)
发射-Base击穿电压
(I
E
= 100
MADC ，
I
C
= 0)
集电极 - 发射极漏电流
(V
CES
= 50 V, V
BE
= 0)
(V
CES
= 50 V, V
BE
= 0) T
A
= 125°C
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 10
MADC ，
V
CE
= -5.0 V直流）
(I
C
= -2.0 MADC ，V
CE
= -5.0 V直流）
(I
C
= -100 MADC ，V
CE
= -5.0 V直流）
集电极发射极饱和电压
(I
C
= -10 MADC ，我
B
= -0.5 MADC ）
(I
C
= -10 MADC ，我
B
=见注1 ）
(I
C
= -100 MADC ，我
B
= -5.0 MADC ）
基地发射极饱和电压
(I
C
= -10 MADC ，我
B
= -0.5 MADC ）
(I
C
= -100 MADC ，我
B
= -5.0 MADC ）
基射极电压ON
(I
C
= -2.0 MADC ，V
CE
= -5.0 V直流）
动态特性
电流 - 获得 - 带宽积
(I
C
= -10 MADC ，V
CE
= -5.0伏， F = 100兆赫）
公共基础电容
(V
CB
= -10伏直流，我
C
= 0中，f = 1.0 MHz）的
噪声系数
(I
C
= -0.2 MADC ，V
CE
= -5.0伏，R
S
= 2.0千瓦， F = 1.0千赫）
f
T
C
CBO
NF
280
2.0
6.0
10
兆赫
pF
dB
h
FE
200
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
0.55
0.7
1.0
0.62
0.7
VDC
0.10
0.30
0.25
0.3
0.6
VDC
150
290
180
460
VDC
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CES
0.2
0.2
15
4.0
NADC
mA
45
5.0
VDC
VDC
符号
民
典型值
最大
单位
1. I
C
= -10 MADC上不断基极电流的特性，这将产生点我
C
= -11 MADC ，V
CE
= 1.0 V.
http://onsemi.com
2
BC307B
包装尺寸
TO-92 （TO- 226）
CASE 29-11
ISSUE AM
R
A
B
P
T
座位
飞机
注意事项：
1.尺寸和公差PER
ASME Y14.5M ， 1994年。
2.控制尺寸：毫米。
3.轮廓包装超越
尺寸R不受控制。
4.铅尺寸不可控IN P
AND BEYOND尺寸k最低限度。
MILLIMETERS
民
最大
4.45
5.20
4.32
5.33
3.18
4.19
0.40
0.54
2.40
2.80
0.39
0.50
12.70
2.04
2.66
1.50
4.00
2.93
3.43
K
X X
G
D
J
V
C
第X-X
N
1
暗淡
A
B
C
D
G
J
K
N
P
R
V
风格17 ：
PIN 1.集热器
2.基
3.辐射源
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行：
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ，丹佛，科罗拉多州80217美国
电话：
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真：
303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件：
orderlit@onsemi.com
N.美国技术支持：
免费电话800-282-9855
美国/加拿大
欧洲，中东和非洲技术支持：
电话： 421 33 790 2910
日本以客户为中心中心
电话： 81-3-5773-3850
安森美半导体网站： www.onsemi.com
为了文学：
http://www.onsemi.com/orderlit
有关更多信息，请联系您当地的
销售代表
http://onsemi.com
4
BC307/D
QQ：2880707522 复制
