BC182 ， BC182B
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极发射极击穿电压
(I
C
= 2.0毫安，我
B
= 0)
集电极基极击穿电压
(I
C
= 10
毫安，
I
E
= 0)
发射-Base击穿电压
(I
E
= 100
毫安，
I
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 50 V, V
BE
= 0)
发射基漏电流
(V
EB
= 4.0 V，I
C
= 0)
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 10
毫安，
V
CE
= 5.0 V)
(I
C
= 2.0毫安， V
CE
= 5.0 V)
(I
C
= 100毫安， V
CE
= 5.0 V)
集电极发射极电压上
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.5 mA）的
(I
C
= 100毫安，我
B
= 5.0 mA）的（注1 ）
基地发射极饱和电压
(I
C
= 100毫安，我
B
= 5.0 mA）的（注1 ）
基射极电压ON
(I
C
= 100
毫安，
V
CE
= 5.0 V)
(I
C
= 2.0毫安， V
CE
= 5.0 V)
(I
C
= 100毫安， V
CE
= 5.0 V） （注1 ）
动态特性
电流 - 获得 - 带宽积
(I
C
= 0.5毫安， V
CE
= 3.0 V，F = 100兆赫）
(I
C
= 10 mA时， V
CE
= 5.0 V ， F = 100兆赫）
公共基础输出电容
(V
CB
= 10 V，I
C
= 0中，f = 1.0 MHz）的
公共基础输入电容
(V
EB
= 0.5 V，I
C
= 0中，f = 1.0 MHz）的
小信号电流增益
(I
C
= 2.0毫安， V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0千赫）
噪声系数
(I
C
= 0.2毫安， V
CE
= 5.0 V ，R
S
= 2.0千瓦， F = 1.0千赫）
1.脉冲测试：TP 300秒，占空比为2.0％ 。
BC182
BC182B
NF
2.0
10
f
T
150
C
ob
C
ib
h
fe
125
240
500
500
dB
100
200
8.0
5.0
pF
pF
兆赫
h
FE
BC182
BC182
BC182B
BC182
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
0.55
0.5
0.62
0.83
0.7
0.07
0.2
0.25
0.6
1.2
V
V
40
120
180
80
500
500
V
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
50
60
6.0
0.2
15
15
V
V
V
nA
nA
符号
民
典型值
最大
单位
http://onsemi.com
2
BC182 ， BC182B
2.0
的hFE ，规范直流电流增益
1.5
1.0
0.8
0.6
0.4
0.3
0.2
0.2
V
CE
= 10 V
T
A
= 25°C
V，电压（V ）
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
I
C
，集电极电流（ MADC ）
100
200
0
0.1
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10
20 30
I
C
，集电极电流（ MADC ）
50 70 100
T
A
= 25°C
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE（上）
@ V
CE
= 10 V
图1.归DC电流增益
带宽积（兆赫）
图1. “饱和度”和“开”电压
400
300
C，电容（pF ）
200
10
7.0
5.0
C
ib
T
A
= 25°C
100
80
60
40
30
20
0.5 0.7
1.0
V
CE
= 10 V
T
A
= 25°C
3.0
C
ob
2.0
F T ，电流增益
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
I
C
，集电极电流（ MADC ）
30
50
1.0
0.4
0.6 0.8 1.0
2.0
4.0 6.0 8.0 10
V
R
，反向电压（伏）
20
40
图2.电流增益 - 带宽积
图3的电容
R B ，底座扩展电阻（欧姆）
170
160
150
V
CE
= 10 V
F = 1.0千赫
T
A
= 25°C
140
130
120
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0 3.0
I
C
，集电极电流（ MADC ）
5.0
10
图4.基地扩展电阻
http://onsemi.com
3
BC182 ， BC182B
包装尺寸
TO-92 （TO- 226）
CASE 29-11
ISSUE AM
A
R
P
L
座位
飞机
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.轮廓的包装BEYOND尺寸R
不加控制。
4. LEAD维不受控制IN P和
BEYOND尺寸k最低限度。
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
N
P
R
V
英寸
民
最大
0.175
0.205
0.170
0.210
0.125
0.165
0.016
0.021
0.045
0.055
0.095
0.105
0.015
0.020
0.500
0.250
0.080
0.105
0.100
0.115
0.135
MILLIMETERS
民
最大
4.45
5.20
4.32
5.33
3.18
4.19
0.407
0.533
1.15
1.39
2.42
2.66
0.39
0.50
12.70
6.35
2.04
2.66
2.54
2.93
3.43
B
直引线
散装
K
X X
G
H
V
1
D
J
C
第X-X
N
N
R
A
B
BENT LEAD
磁带&卷轴
弹药包
P
T
座位
飞机
注意事项：
1.尺寸和公差PER
ASME Y14.5M ， 1994年。
2.控制尺寸：毫米。
3.轮廓包装超越
尺寸R不受控制。
4.铅尺寸不可控IN P
AND BEYOND尺寸k最低限度。
MILLIMETERS
民
最大
4.45
5.20
4.32
5.33
3.18
4.19
0.40
0.54
2.40
2.80
0.39
0.50
12.70
2.04
2.66
1.50
4.00
2.93
3.43
风格17 ：
PIN 1.集热器
2.基
3.辐射源
K
X X
G
D
J
V
C
第X-X
N
1
暗淡
A
B
C
D
G
J
K
N
P
R
V
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行：
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P.O.盒5163 ，丹佛，科罗拉多州80217美国
电话：
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传真：
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N.美国技术支持：
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美国/加拿大
欧洲，中东和非洲技术支持：
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日本以客户为中心中心
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为了文学：
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有关更多信息，请联系您当地的
销售代表
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4
BC182/D
BC182 ， BC182B
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极发射极击穿电压
(I
C
= 2.0毫安，我
B
= 0)
集电极基极击穿电压
(I
C
= 10
毫安，
I
E
= 0)
发射-Base击穿电压
(I
E
= 100
毫安，
I
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 50 V, V
BE
= 0)
发射基漏电流
(V
EB
= 4.0 V，I
C
= 0)
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 10
毫安，
V
CE
= 5.0 V)
(I
C
= 2.0毫安， V
CE
= 5.0 V)
(I
C
= 100毫安， V
CE
= 5.0 V)
集电极发射极电压上
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.5 mA）的
(I
C
= 100毫安，我
B
= 5.0 mA）的（注1 ）
基地发射极饱和电压
(I
C
= 100毫安，我
B
= 5.0 mA）的（注1 ）
基射极电压ON
(I
C
= 100
毫安，
V
CE
= 5.0 V)
(I
C
= 2.0毫安， V
CE
= 5.0 V)
(I
C
= 100毫安， V
CE
= 5.0 V） （注1 ）
动态特性
电流 - 获得 - 带宽积
(I
C
= 0.5毫安， V
CE
= 3.0 V，F = 100兆赫）
(I
C
= 10 mA时， V
CE
= 5.0 V ， F = 100兆赫）
公共基础输出电容
(V
CB
= 10 V，I
C
= 0中，f = 1.0 MHz）的
公共基础输入电容
(V
EB
= 0.5 V，I
C
= 0中，f = 1.0 MHz）的
小信号电流增益
(I
C
= 2.0毫安， V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0千赫）
噪声系数
(I
C
= 0.2毫安， V
CE
= 5.0 V ，R
S
= 2.0千瓦， F = 1.0千赫）
1.脉冲测试：TP 300秒，占空比为2.0％ 。
BC182
BC182B
NF
2.0
10
f
T
150
C
ob
C
ib
h
fe
125
240
500
500
dB
100
200
8.0
5.0
pF
pF
兆赫
h
FE
BC182
BC182
BC182B
BC182
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
0.55
0.5
0.62
0.83
0.7
0.07
0.2
0.25
0.6
1.2
V
V
40
120
180
80
500
500
V
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
50
60
6.0
0.2
15
15
V
V
V
nA
nA
符号
民
典型值
最大
单位
http://onsemi.com
2
BC182 ， BC182B
2.0
的hFE ，规范直流电流增益
1.5
1.0
0.8
0.6
0.4
0.3
0.2
0.2
V
CE
= 10 V
T
A
= 25°C
V，电压（V ）
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
I
C
，集电极电流（ MADC ）
100
200
0
0.1
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10
20 30
I
C
，集电极电流（ MADC ）
50 70 100
T
A
= 25°C
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE（上）
@ V
CE
= 10 V
图1.归DC电流增益
带宽积（兆赫）
图1. “饱和度”和“开”电压
400
300
C，电容（pF ）
200
10
7.0
5.0
C
ib
T
A
= 25°C
100
80
60
40
30
20
0.5 0.7
1.0
V
CE
= 10 V
T
A
= 25°C
3.0
C
ob
2.0
F T ，电流增益
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
I
C
，集电极电流（ MADC ）
30
50
1.0
0.4
0.6 0.8 1.0
2.0
4.0 6.0 8.0 10
V
R
，反向电压（伏）
20
40
图2.电流增益 - 带宽积
图3的电容
R B ，底座扩展电阻（欧姆）
170
160
150
V
CE
= 10 V
F = 1.0千赫
T
A
= 25°C
140
130
120
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0 3.0
I
C
，集电极电流（ MADC ）
5.0
10
图4.基地扩展电阻
http://onsemi.com
3
BC182 ， BC182B
包装尺寸
TO-92 （TO- 226）
CASE 29-11
ISSUE AM
A
R
P
L
座位
飞机
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.轮廓的包装BEYOND尺寸R
不加控制。
4. LEAD维不受控制IN P和
BEYOND尺寸k最低限度。
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
N
P
R
V
英寸
民
最大
0.175
0.205
0.170
0.210
0.125
0.165
0.016
0.021
0.045
0.055
0.095
0.105
0.015
0.020
0.500
0.250
0.080
0.105
0.100
0.115
0.135
MILLIMETERS
民
最大
4.45
5.20
4.32
5.33
3.18
4.19
0.407
0.533
1.15
1.39
2.42
2.66
0.39
0.50
12.70
6.35
2.04
2.66
2.54
2.93
3.43
B
直引线
散装
K
X X
G
H
V
1
D
J
C
第X-X
N
N
R
A
B
BENT LEAD
磁带&卷轴
弹药包
P
T
座位
飞机
注意事项：
1.尺寸和公差PER
ASME Y14.5M ， 1994年。
2.控制尺寸：毫米。
3.轮廓包装超越
尺寸R不受控制。
4.铅尺寸不可控IN P
AND BEYOND尺寸k最低限度。
MILLIMETERS
民
最大
4.45
5.20
4.32
5.33
3.18
4.19
0.40
0.54
2.40
2.80
0.39
0.50
12.70
2.04
2.66
1.50
4.00
2.93
3.43
风格17 ：
PIN 1.集热器
2.基
3.辐射源
K
X X
G
D
J
V
C
第X-X
N
1
暗淡
A
B
C
D
G
J
K
N
P
R
V
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行：
安森美半导体文学配送中心
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为了文学：
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4
BC182/D
BC182 ， A，B BC183 BC184
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明） （续）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
基本特征
直流电流增益
（ IC = 10
A,
VCE = 5.0 V）
的hFE
BC182
BC183
BC184
BC182
BC183
BC184
BC182
BC183
BC184
VCE （ SAT ）
—
—
VBE （ SAT ）
VBE （ON）的
—
0.55
—
0.5
0.62
0.83
—
0.7
—
—
0.07
0.2
—
0.25
0.6
1.2
V
V
40
40
100
120
120
250
80
80
130
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
500
800
800
—
—
—
V
—
（ IC = 2.0 mA时， VCE = 5.0 V）
（ IC = 100 mA时， VCE = 5.0 V）
集电极 - 发射极电压上
（ IC = 10 mA时， IB = 0.5 mA）的
（IC = 100毫安， IB = 5.0 mA）的（1）
基地 - 发射极饱和电压
（IC = 100毫安， IB = 5.0 mA）的（1）
基射极电压ON
（ IC = 100
A,
VCE = 5.0 V）
（ IC = 2.0 mA时， VCE = 5.0 V）
（IC = 100毫安， VCE = 5.0 V） （1）
动态特性
电流 - 增益 - 带宽积
（ IC = 0.5毫安， VCE = 3.0 V，F = 100兆赫）
fT
BC182
BC183
BC184
BC182
BC183
BC184
COB
兴业银行
的hFE
BC182
BC183
BC184
BC182A
BC182B
NF
125
125
240
125
240
—
—
—
—
—
500
900
900
260
500
dB
—
—
—
150
150
150
—
—
100
120
140
200
240
280
—
8.0
—
—
—
—
—
—
5.0
—
pF
pF
—
兆赫
（ IC = 10 mA时， VCE = 5.0 V ， F = 100兆赫）
公共基础输出电容
（ VCB = 10V ， IC = 0 ， F = 1.0兆赫）
公共基础输入电容
（ VEB = 0.5 V ， IC = 0 ， F = 1.0兆赫）
小信号电流增益
（ IC = 2.0 mA时， VCE = 5.0 V ， F = 1.0千赫）
噪声系数
（ IC = 0.2 mA时， VCE = 5.0 V ， RS = 2.0 kΩ的，
F = 1.0千赫）
（ IC = 0.2 mA时， VCE = 5.0 V ， RS = 2.0 kΩ的，
F = 1.0千赫中，f = 200赫兹）
BC184
BC182
BC183
BC184
—
—
—
—
2.0
2.0
2.0
2.0
4.0
10
10
4.0
1.脉冲测试：TP 300秒，占空比为2.0％ 。
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
BC182 ， A，B BC183 BC184
2.0
的hFE ，规范直流电流增益
1.5
1.0
0.8
0.6
0.4
0.3
0.2
0.2
VCE = 10 V
TA = 25°C
V，电压（V ）
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
IC ，集电极电流（ MADC ）
100
200
0
0.1
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10
20 30
IC ，集电极电流（ MADC ）
50 70 100
TA = 25°C
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
VBE （ ON） @ VCE = 10 V
图1.归DC电流增益
F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）
图2. “饱和度”和“开”电压
400
300
200
10
7.0
C，电容（pF ）
5.0
兴业银行
TA = 25°C
100
80
60
40
30
20
0.5 0.7
1.0
VCE = 10 V
TA = 25°C
3.0
COB
2.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
IC ，集电极电流（ MADC ）
30
50
1.0
0.4
0.6 0.8 1.0
2.0
4.0 6.0 8.0 10
VR ，反向电压（伏）
20
40
图3.电流增益 - 带宽积
图4的电容
R B ，底座扩展电阻（欧姆）
170
160
150
VCE = 10 V
F = 1.0千赫
TA = 25°C
140
130
120
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0 3.0
IC ，集电极电流（ MADC ）
5.0
10
图5.基地扩展电阻
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
3
BC182 ， A，B BC183 BC184
包装尺寸
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.轮廓的包装BEYOND尺寸R
不加控制。
4.尺寸f适用P和L之间
尺寸D和J适用I和K之间
最低限度。 LEAD DIMENSION不受控制
在P型和超越维数k最低限度。
英寸
民
最大
0.175
0.205
0.170
0.210
0.125
0.165
0.016
0.022
0.016
0.019
0.045
0.055
0.095
0.105
0.015
0.020
0.500
–––
0.250
–––
0.080
0.105
–––
0.100
0.115
–––
0.135
–––
MILLIMETERS
民
最大
4.45
5.20
4.32
5.33
3.18
4.19
0.41
0.55
0.41
0.48
1.15
1.39
2.42
2.66
0.39
0.50
12.70
–––
6.35
–––
2.04
2.66
–––
2.54
2.93
–––
3.43
–––
A
R
P
座位
飞机
B
F
L
K
D
X X
G
H
V
1
J
C
N
N
第X-X
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
P
R
V
CASE 029-04
(TO–226AA)
ISSUE AD
风格17 ：
PIN 1.集热器
2.基
3.辐射源
摩托罗拉保留更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。摩托罗拉公司对于任何担保，声明或保证
其产品适用于任何特定用途，也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，
并明确拒绝承担任何责任，包括但不限于间接或附带损失。 “典型”参数，并会根据不同的
应用程序。所有的操作参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并
不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。摩托罗拉产品不是设计，意，或授权用作组件
旨在系统通过外科手术移植到体内，或其他应用程序旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的故障
摩托罗拉的产品可能会造成这样一种情况人身伤害或死亡可能会发生。如果买方购买或使用摩托罗拉产品的任何此类
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有摩托罗拉和其职员，雇员，子公司，联营公司及分销商无害
对所有索赔，费用，损失，费用，以及直接或间接引起的，合理的律师费，人身伤害或死亡的任何索赔
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称，摩托罗拉对零件的设计或制造疏忽造成的。
摩托罗拉
注册摩托罗拉公司，摩托罗拉公司的商标是一个平等机会/ AF连接rmative行动雇主。
如何找到我们：
美国/欧洲：
摩托罗拉文学分布;
P.O. 20912盒;亚利桑那州凤凰城85036. 1-800-441-2447
M传真：
RMFAX0@email.sps.mot.com - 按键（ 602 ） 244-6609
互联网：
http://Design-NET.com
日本：
日本摩托罗拉有限公司;巽SPD- JLDC ，利胜乙木，
6F西武Butsuryu中心， 3-14-2巽江东区，东京135 ，日本。 03-3521-8315
香港：
摩托罗拉半导体H.K.有限公司; 8B太平工业园，
51汀角路，大埔，新界，香港。 852-26629298
4
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
*BC182/D*
BC182/D
BC182 ， A，B BC183 BC184
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明） （续）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
基本特征
直流电流增益
（ IC = 10
A,
VCE = 5.0 V）
的hFE
BC182
BC183
BC184
BC182
BC183
BC184
BC182
BC183
BC184
VCE （ SAT ）
—
—
VBE （ SAT ）
VBE （ON）的
—
0.55
—
0.5
0.62
0.83
—
0.7
—
—
0.07
0.2
—
0.25
0.6
1.2
V
V
40
40
100
120
120
250
80
80
130
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
500
800
800
—
—
—
V
—
（ IC = 2.0 mA时， VCE = 5.0 V）
（ IC = 100 mA时， VCE = 5.0 V）
集电极 - 发射极电压上
（ IC = 10 mA时， IB = 0.5 mA）的
（IC = 100毫安， IB = 5.0 mA）的（1）
基地 - 发射极饱和电压
（IC = 100毫安， IB = 5.0 mA）的（1）
基射极电压ON
（ IC = 100
A,
VCE = 5.0 V）
（ IC = 2.0 mA时， VCE = 5.0 V）
（IC = 100毫安， VCE = 5.0 V） （1）
动态特性
电流 - 增益 - 带宽积
（ IC = 0.5毫安， VCE = 3.0 V，F = 100兆赫）
fT
BC182
BC183
BC184
BC182
BC183
BC184
COB
兴业银行
的hFE
BC182
BC183
BC184
BC182A
BC182B
NF
125
125
240
125
240
—
—
—
—
—
500
900
900
260
500
dB
—
—
—
150
150
150
—
—
100
120
140
200
240
280
—
8.0
—
—
—
—
—
—
5.0
—
pF
pF
—
兆赫
（ IC = 10 mA时， VCE = 5.0 V ， F = 100兆赫）
公共基础输出电容
（ VCB = 10V ， IC = 0 ， F = 1.0兆赫）
公共基础输入电容
（ VEB = 0.5 V ， IC = 0 ， F = 1.0兆赫）
小信号电流增益
（ IC = 2.0 mA时， VCE = 5.0 V ， F = 1.0千赫）
噪声系数
（ IC = 0.2 mA时， VCE = 5.0 V ， RS = 2.0 kΩ的，
F = 1.0千赫）
（ IC = 0.2 mA时， VCE = 5.0 V ， RS = 2.0 kΩ的，
F = 1.0千赫中，f = 200赫兹）
BC184
BC182
BC183
BC184
—
—
—
—
2.0
2.0
2.0
2.0
4.0
10
10
4.0
1.脉冲测试：TP 300秒，占空比为2.0％ 。
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
BC182 ， A，B BC183 BC184
2.0
的hFE ，规范直流电流增益
1.5
1.0
0.8
0.6
0.4
0.3
0.2
0.2
VCE = 10 V
TA = 25°C
V，电压（V ）
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
IC ，集电极电流（ MADC ）
100
200
0
0.1
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10
20 30
IC ，集电极电流（ MADC ）
50 70 100
TA = 25°C
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
VBE （ ON） @ VCE = 10 V
图1.归DC电流增益
F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）
图2. “饱和度”和“开”电压
400
300
200
10
7.0
C，电容（pF ）
5.0
兴业银行
TA = 25°C
100
80
60
40
30
20
0.5 0.7
1.0
VCE = 10 V
TA = 25°C
3.0
COB
2.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
IC ，集电极电流（ MADC ）
30
50
1.0
0.4
0.6 0.8 1.0
2.0
4.0 6.0 8.0 10
VR ，反向电压（伏）
20
40
图3.电流增益 - 带宽积
图4的电容
R B ，底座扩展电阻（欧姆）
170
160
150
VCE = 10 V
F = 1.0千赫
TA = 25°C
140
130
120
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0 3.0
IC ，集电极电流（ MADC ）
5.0
10
图5.基地扩展电阻
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
3
BC182 ， A，B BC183 BC184
包装尺寸
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.轮廓的包装BEYOND尺寸R
不加控制。
4.尺寸f适用P和L之间
尺寸D和J适用I和K之间
最低限度。 LEAD DIMENSION不受控制
在P型和超越维数k最低限度。
英寸
民
最大
0.175
0.205
0.170
0.210
0.125
0.165
0.016
0.022
0.016
0.019
0.045
0.055
0.095
0.105
0.015
0.020
0.500
–––
0.250
–––
0.080
0.105
–––
0.100
0.115
–––
0.135
–––
MILLIMETERS
民
最大
4.45
5.20
4.32
5.33
3.18
4.19
0.41
0.55
0.41
0.48
1.15
1.39
2.42
2.66
0.39
0.50
12.70
–––
6.35
–––
2.04
2.66
–––
2.54
2.93
–––
3.43
–––
A
R
P
座位
飞机
B
F
L
K
D
X X
G
H
V
1
J
C
N
N
第X-X
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
P
R
V
CASE 029-04
(TO–226AA)
ISSUE AD
风格17 ：
PIN 1.集热器
2.基
3.辐射源
摩托罗拉保留更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。摩托罗拉公司对于任何担保，声明或保证
其产品适用于任何特定用途，也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，
并明确拒绝承担任何责任，包括但不限于间接或附带损失。 “典型”参数，并会根据不同的
应用程序。所有的操作参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并
不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。摩托罗拉产品不是设计，意，或授权用作组件
旨在系统通过外科手术移植到体内，或其他应用程序旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的故障
摩托罗拉的产品可能会造成这样一种情况人身伤害或死亡可能会发生。如果买方购买或使用摩托罗拉产品的任何此类
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有摩托罗拉和其职员，雇员，子公司，联营公司及分销商无害
对所有索赔，费用，损失，费用，以及直接或间接引起的，合理的律师费，人身伤害或死亡的任何索赔
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称，摩托罗拉对零件的设计或制造疏忽造成的。
摩托罗拉
注册摩托罗拉公司，摩托罗拉公司的商标是一个平等机会/ AF连接rmative行动雇主。
如何找到我们：
美国/欧洲：
摩托罗拉文学分布;
P.O. 20912盒;亚利桑那州凤凰城85036. 1-800-441-2447
M传真：
RMFAX0@email.sps.mot.com - 按键（ 602 ） 244-6609
互联网：
http://Design-NET.com
日本：
日本摩托罗拉有限公司;巽SPD- JLDC ，利胜乙木，
6F西武Butsuryu中心， 3-14-2巽江东区，东京135 ，日本。 03-3521-8315
香港：
摩托罗拉半导体H.K.有限公司; 8B太平工业园，
51汀角路，大埔，新界，香港。 852-26629298
4
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
*BC182/D*
BC182/D
BC182…BC184
NPN硅外延平面晶体管
通用放大器应用
1.收藏家2.基地3.发射
TO- 92塑料包装
绝对最大额定值（T
a
= 25
O
C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极电压
集电极电流
总功耗
结温
存储温度范围
BC182
BC183 ， BC184
BC182
BC183 ， BC184
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
j
T
S
价值
60
45
50
30
6
100
350
150
- 55至+ 150
单位
V
V
V
mA
mW
O
C
C
O
特点在T
a
= 25
O
C
参数
直流电流增益
在V
CE
= 5 V，I
C
= 10 A
在V
CE
= 5 V，I
C
= 2毫安
在V
CE
= 5 V，I
C
= 100毫安
集电极基截止电流
在V
CB
= 50 V
在V
CB
= 30 V
发射基地截止电流
在V
EB
= 4 V
集电极基极击穿电压
在我
C
= 10 A
集电极发射极击穿电压
在我
C
= 2毫安
发射极基极击穿电压
在我
E
= 100 A
BC182 ， BC183
BC184
BC182
BC183
BC184
BC182 ， BC183
BC184
BC182
BC183 ， BC184
符号
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
I
CBO
I
EBO
BC182
BC183 ， BC184
BC182
BC183 ， BC184
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
分钟。
40
100
120
120
250
80
130
-
-
-
60
45
50
30
6
马克斯。
-
-
500
800
800
-
-
15
15
15
-
-
-
-
-
单位
-
-
-
-
-
-
-
nA
nA
V
V
V
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 27/12/2007
BC182…BC184
特点在T
a
= 25
O
C
参数
集电极 - 发射极饱和电压
在我
C
= 10 mA时，我
B
- 0.5毫安
在我
C
= 100毫安，我
B
= 5毫安
基极发射极饱和电压
在我
C
= 100毫安，我
B
= 5毫安
基极发射极电压
在V
CE
= 5 V，I
C
= 2毫安
电流增益带宽积
在V
CE
= 5 V，I
C
= 10 mA时， F = 100 MHz的
集电极电容基地
在V
CB
= 10 V ， F = 1兆赫
符号
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
f
T
C
ob
分钟。
-
-
-
0.55
150
-
马克斯。
0.25
0.6
1.2
0.7
-
5
单位
V
V
V
兆赫
pF
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 27/12/2007
QQ：2880707522 复制
