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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第688页 > BBY51-02W
BBY51...
硅调谐二极管
高Q超突变调谐二极管
设计用于低调谐电压操作
对VCO的移动通信设备
无铅（符合RoHS标准）封装
1)
合格的依据AEC Q101
BBY51
BBY51-02L
BBY51-02W
BBY51-03W
!
, 
,


TYPE
BBY51
BBY51-02L
BBY51-02W
BBY51-03W
包
SOT23
TSLP-2-1
SCD80
SOD323
CON组fi guration
共阴极
单一的，无引线
单身
单身
L
S
（ NH）
2
0.4
0.6
1.8
记号
S3s
II
II
H
最大额定值
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
二极管的反向电压
正向电流
工作温度范围
储存温度
1
含有铅，
符号
V
R
I
F
T
op
T
英镑
价值
7
20
-55 ... 125
-55 ... 150
单位
V
mA
°C
包可能是可根据特殊要求
1
2007-04-20
BBY51...
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
符号
值
参数
分钟。
DC特性
反向电流
V
R
= 6 V
V
R
= 6 V,
T
A
= 85 °C
AC特性
二极管电容
V
R
= 1 V,
f
= 1兆赫
V
R
= 2 V,
f
= 1兆赫
V
R
= 3 V,
f
= 1兆赫
V
R
= 4 V,
f
= 1兆赫
电容比
V
R
= 1 V,
V
R
= 4 V,
f
= 1兆赫
电容差
V
R
= 1 V,
V
R
= 3 V,
f
= 1兆赫
电容差
V
R
= 3 V,
V
R
= 4 V,
f
= 1兆赫
串联电阻
V
R
= 1 V,
f
= 1 GHz的
r
S
-
0.37
-
C
3V
-C
4V
0.3
0.5
0.7
C
1V
-C
3V
1.4
1.78
2.2
C
T1
/C
T4
C
T
5.05
3.4
2.7
2.5
1.55
5.4
4.2
3.5
3.1
1.75
5.75
5.2
4.6
3.7
2.2
单位
马克斯。
nA
典型值。
I
R
-
-
-
-
10
200
pF
pF
2
2007-04-20
BBY51...
二极管电容
C
T
=
(
V
R
)
f
= 1MHz的
EHD07128
二极管的温度系数
电容
T
Cc
=
(
V
R
)
10
-3
10
C
T
pF
8
1/°C
6
T
Cc
10
-4
10
-5
1
4
2
0
0
2
4
V
V
R
6
2
3
4
5
6
V
8
V
R
3
2007-04-20
包装SCD80
BBY51...
包装外形
0.2
0.8
±0.1
10MAX.
M
A
+0.05
0.13
-0.03
A
7
±1.5
1.3
±0.1
2
1.7
±0.1
0.7
±0.1
FOOT PRINT
1.45
0.35
标记版面（例）
2005年六月
日期代码
0.35
BAR63-02W
型号代码
正极标志
激光打标
标准包装
盘180毫米= 3.000件/卷
盘180毫米= 8.000件/卷（2 mm间距）
盘330毫米= 10.000件/卷
标准
4
卷筒带2 mm间距
2
0.2
1.45
2.5
8
0.2
±0.05
阴极
记号
1
0.3
±0.05
阴极
记号
0.4
0.9
阴极
记号
0.7
4
2007-04-20
BBY51...
日期代码标记为离散封装
一个数字（ SCD80 ， SC79 ， SC75
1)
） CES码
本月2 0 03
01
02
03
04
05
06
07
08
09
10
11
12
a
b
c
d
e
f
g
h
j
k
l
n
2 0 04
p
q
r
s
t
u
v
x
y
z
2
3
2005
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
N
2006
P
Q
R
S
T
U
V
X
Y
Z
4
5
2 0 07
a
b
c
d
e
f
g
h
j
k
l
n
2008
p
q
r
s
t
u
v
x
y
z
2
3
2009
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
N
2010
P
Q
R
S
T
U
V
X
Y
Z
4
5
2011
a
b
c
d
e
f
g
h
j
k
l
n
2012
p
q
r
s
t
u
v
x
y
z
2
3
2 0 13
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
N
2014
P
Q
R
S
T
U
V
X
Y
Z
4
5
1 ）新标识布局SC75 ，在2005年10月实施。
.
5
2007-04-20
BBY51...
硅调谐二极管
高Q超突变调谐二极管
设计用于低调谐电压操作
对VCO的移动通信设备
BBY51
BBY51-02L
BBY51-02W
BBY51-03W
3
D 1
D 2
1
2
1
2
TYPE
BBY51
BBY51-02L*
BBY51-02W
BBY51-03W
包
SOT23
TSLP-2-1
SCD80
SOD323
CON组fi guration
共阴极
单一的，无引线
单身
单身
L
S
（ NH）
2
0.4
0.6
1.8
记号
S3s
II
II
H
*初步
最大额定值
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
二极管的反向电压
正向电流
工作温度范围
储存温度
符号
V
R
I
F
T
op
T
英镑
价值
7
20
-55 ... 125
-55 ... 150
单位
V
mA
°C
1
Dec-15-2003
BBY51...
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
符号
值
参数
分钟。
DC特性
反向电流
V
R
= 6 V
V
R
= 6 V,
T
A
= 85 °C
AC特性
二极管电容
V
R
= 1 V,
f
= 1兆赫
V
R
= 2 V,
f
= 1兆赫
V
R
= 3 V,
f
= 1兆赫
V
R
= 4 V,
f
= 1兆赫
C
T
单位
马克斯。
nA
典型值。
I
R
-
-
-
-
10
200
pF
5.05
3.4
2.7
2.5
5.4
4.2
3.5
3.1
1.75
1.78
0.5
0.37
5.75
5.2
4.6
3.7
2.2
2.2
0.7
-
电容比
V
R
= 1 V,
V
R
= 4 V,
f
= 1兆赫
C
T1
/
C
T4
C
1V
-
C
3V
C
3V
-
C
4V
r
S
1.55
1.4
0.3
-
电容差
V
R
= 1 V,
f
= 1 MHz时，
V
R
= 4 V
pF
电容差
V
R
= 3 V,
f
= 1 MHz时，
V
R
= 4 V
串联电阻
V
R
= 1 V,
f
= 1 GHz的
2
Dec-15-2003
BBY51...
二极管电容
C
T
=
(
V
R
)
f
= 1MHz的
EHD07128
二极管的温度系数
电容
T
Cc
=
(
V
R
)
10
-3
10
C
T
pF
8
1/°C
6
T
Cc
10
-4
10
-5
1
4
2
0
0
2
4
V
V
R
6
2
3
4
5
6
V
8
V
R
3
Dec-15-2003
BBY 51-02W
硅调谐二极管
初步数据
高Q超突变调谐二极管
低串联电感
设计用于低调谐电压操作
对VCO的移动通信设备
2
1
VES05991
TYPE
BBY 51-02W
记号
I
订购代码
Q62702-B0858
引脚配置
1=C
2=A
包
SCD-80
最大额定值
参数
二极管的反向电压
正向电流
工作温度范围
储存温度
符号
价值
7
20
-55 ...+150
-55 ...+150
单位
V
mA
°C
V
R
I
F
T
op
T
英镑
半导体集团
半导体集团
1
1
Jul-23-1998
1998-11-01
BBY 51-02W
电气特性
at
T
A
= 25 ° C，除非另有规定ED 。
参数
符号
值
分钟。
DC特性
反向电流
典型值。
-
-
马克斯。
10
100
单位
I
R
I
R
-
-
nA
V
R
= 6 V
反向电流
V
R
= 6 V,
T
A
= 65 °C
AC特性
二极管电容
C
T
4.5
3.4
2.7
2.5
5.3
4.2
3.5
3.1
1.75
1.78
0.5
0.37
0.09
0.6
6.1
5.2
4.6
3.7
2.2
2.2
0.7
-
-
-
pF
V
R
= 1 V,
f
= 1兆赫
V
R
= 2 V,
f
= 1兆赫
V
R
= 3 V,
f
= 1兆赫
V
R
= 4 V,
f
= 1兆赫
电容比
C
T1
/C
T4
C
1V
-C
3V
C
3V
-C
4V
r
s
C
C
L
s
1.55
1.4
0.3
-
-
-
-
pF
V
R
= 1 V,
V
R
= 4 V,
f
= 1兆赫
电容差
V
R
= 1 V,
V
R
= 3 V,
f
= 1兆赫
电容差
V
R
= 3 V,
V
R
= 4 V,
f
= 1兆赫
串联电阻
pF
nH
V
R
= 1 V,
f
= 1 GHz的
案例电容
f
= 1兆赫
串联电感芯片到地
半导体集团
半导体集团
2
2
Jul-23-1998
1998-11-01
BBY 51-02W
二极管电容
C
T
=
f
(V
R
)
f
= 1MHz的
EHD07128
温度COEF网络cient
T
Cc
=
f
(V
R
),
每二极管，
f
= 1MHz的
10
C
T
pF
8
10
4
PPA
T
CC
C
EHD07129
10
3
6
4
10
2
2
0
0
2
4
V
V
R
6
10
1 0
10
5
10
1
V
V
R
10
2
半导体集团
半导体集团
3
3
Jul-23-1998
1998-11-01
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BAR6002
BPR50500G
B37930K5020C260
B37951K5105M001
B57351V5223H060
B41044A4336M000
B118
B82500-C-A8
BS-CD25RD
BU4947FVE
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    BBY51-02W
    -
    -
    -
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