订购数量： ENA1357
BBS3002
三洋半导体
数据表
BBS3002
特点
P沟道MOSFET硅
通用开关设备
应用
4V的驱动器。
负荷开关应用。
雪崩性的保证。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
允许功耗
通道温度
储存温度
雪崩能量（单脉冲） * 1
雪崩电流* 2
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
EAS
IAV
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
Tc=25°C
条件
评级
--60
±20
-
-100
-
-400
90
150
--55到150
340
--60
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
mJ
A
注意：
*1
VDD = - 30V ， L = 100
μ
H， IAV = -
-60A
L
≤
100
μ
H，单脉冲
*2
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
符号
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
VGS （关闭）
条件
ID = - 1mA时， VGS = 0V
VDS = - 60V ， VGS = 0V
VGS = ± 16V ， VDS = 0V
VDS = - 10V ，ID = - 1毫安
--1.2
评级
民
-
-60
--1
±10
--2.6
典型值
最大
单位
V
μA
μA
V
标记： BS3002
接下页。
任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或载有，关于产品
"standard application" ，意为用作一般电子设备（家电，影音设备，
通信设备，办公自动化设备，工业设备等）。该产品本文档中提及不得
被设计用于为任何"special application" （医疗设备，其目的是维持生命，
航空航天仪器，核控制设备，燃烧设备，交通运输设备，交通信号
系统，安全设备等）应要求可靠性非常高的水平，可以直接威胁
人的生命的情况下产品或失效或故障的设备可能会危害人体，也不得
其给予任何保证。如果您打算使用我们的产品标准之外的应用
我们的客户是谁正在考虑和/或外部的我们的预期标准的范围，例如使用的应用程序
应用程序，请与我们之前的预期用途进行磋商。如果没有咨询或查询前
使用目的，我们的客户须自行负责使用。
产品规格的任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或包含的产品规定
性能，特点和所描述的产品在独立的国家职能，并
不是性能，特点，以及所描述的产品功能的保证作为安装在该
客户的产品或设备。要验证的症状和状态，不能在一个被评估
独立的设备，客户必须不断的评估和测试设备安装在客户的
产品或设备。
www.semiconductor-sanyo.com/network
N1208QA MS IM TC- 00001708号A1357-1 / 4
BBS3002
从接下页。
参数
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏“米勒”充电
二极管的正向电压
符号
|
YFS
|
RDS(on)1
RDS(on)2
西塞
科斯
CRSS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
QGS
QGD
VSD
条件
VDS = - 10V ，ID = - 50A
ID = - 50A ， VGS = - 10V
ID = - 50A ， VGS = - 4V
VDS = - 20V ， F = 1MHz的
VDS = - 20V ， F = 1MHz的
VDS = - 20V ， F = 1MHz的
请参阅特定网络版测试电路。
请参阅特定网络版测试电路。
请参阅特定网络版测试电路。
请参阅特定网络版测试电路。
VDS = - 30V ， VGS = - 10V ， ID = - 100A
VDS = - 30V ， VGS = - 10V ， ID = - 100A
VDS = - 30V ， VGS = - 10V ， ID = - 100A
IS = - 100A ， VGS = 0V
评级
民
54
典型值
90
4.4
6.4
13200
1300
950
95
1000
800
820
280
50
55
-
-1.0
-
-1.5
5.8
9.0
最大
单位
S
mΩ
mΩ
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
包装尺寸
单位：mm （典型值）
7001-003
10.2
0.2
4.5
1.3
1.5M AX
9.9
8.8
3.0
1
0.8
2
3
1.2
0吨 0.3
0.4
2.7
2.55
2.55
1.35
1 ：门
2 ：排水
3 ：源
三洋： SMP -FD
2.55
2.55
开关时间测试电路
VIN
VDD = --30V
1.4
雪崩电阻测试电路
0V
--10V
L
≥50Ω
RG
VIN
PW=10μs
D.C.≤1%
G
D
ID = --50A
RL=0.6Ω
VOUT
0V
--10V
BBS3002
50Ω
VDD
P.G
BBS3002
50Ω
S
第A1357-2 / 4
BBS3002
--10
--9
VGS - 的Qg
VDS = --30V
ID = --100A
栅极 - 源极电压VGS - V
--8
--7
--6
--5
--4
--3
--2
--1
0
0
50
100
150
200
250
300
IT14181
--1000
7
5
3
2
ASO
IDP = --400A
ID = --100A
10
PW≤10μs
10
1m
s
m
s
漏极电流ID -
--100
7
5
3
2
--10
7
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
0
μ
s
10
μ
s
操作
这个区域是
受限于RDS （ ON） 。
DC
10
op
0m
ATI
s
er
on
--0.1
--0.1
Tc=25°C
单脉冲
2
3
5 7 --1.0
2
3
5 7 --10
2
3
总栅极电荷QG - 数控
100
PD - 锝
漏极至源极电压VDS - V
120
EAS - TA
5 7 --100
IT14182
允许功耗， PD - 含
雪崩能量降额因子 - ％
0
20
40
60
80
100
120
140
160
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
IT14184
外壳温度，TC -
°C
IT14183
环境温度，钽 -
°C
注意使用情况：由于BBS3002是MOSFET产品，请避免在附近使用本设备
高电荷的物体。
三洋半导体有限公司。承担设备故障而导致的使用不承担任何责任
超出的价值产品，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作
在任何产品的规格和所有三洋半导体所列条件范围或其他参数）
有限公司。本文描述或包含的产品。
三洋半导体有限公司。努力为客户提供高品质高可靠性的产品，然而，任何和所有
半导体产品故障或误动作有一定的概率。这是可能的，这些概率的故障
或故障可能引起事故或事件，危及人的生命，麻烦，可以给
上升到烟或着火或事故可能造成损害的其他财产。在设计设备，
采取安全措施，这样就不会发生此类事故或事件。这些措施包括但
不限于保护电路和安全设计，冗余设计误差防止电路，以及
结构设计。
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