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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第608页 > BB837
BB837/BB857...
硅调谐二极管
对于SAT调谐器
高电容比
低串联电阻
由于出色的均匀性和匹配
"in - line"配套组装过程
无铅（符合RoHS标准）封装
1)
合格的依据AEC Q101
BB837
BB857

TYPE
BB837
BB857
包
SOD323
SCD80
CON组fi guration
单身
单身
L
S
（ NH）
1.8
0.6
记号
M
OO
最大额定值
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
二极管的反向电压
峰值反向电压
R
≥
5k
正向电流
工作温度范围
储存温度
1
含有铅，
符号
V
R
V
RM
I
F
T
op
T
英镑
价值
30
35
20
-55 ... 150
-55 ... 150
单位
V
mA
°C
包可能是可根据特殊要求
1
2007-04-20
BB837/BB857...
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
符号
值
参数
分钟。
DC特性
反向电流
V
R
= 30 V
V
R
= 30 V,
T
A
= 85 °C
AC特性
二极管电容
V
R
= 1 V,
f
= 1兆赫
V
R
= 25 V,
f
= 1兆赫
V
R
= 28 V,
f
= 1兆赫
C
T
单位
马克斯。
nA
典型值。
I
R
-
-
-
-
10
200
pF
6
0.5
0.45
10.2
9.7
-
-
6.6
0.55
0.52
12
12.7
-
1.5
7.2
0.65
-
-
-
5
-
%
电容比
V
R
= 1 V,
V
R
= 25 V,
f
= 1兆赫
C
T1
/
C
T25
C
T1
/
C
T28
-
电容比
V
R
= 1 V,
V
R
= 28 V,
f
= 1兆赫
电容匹配
1)
V
R
= 1V ... 28V,
f
= 1兆赫， 7二极管序列
C
T
/
C
T
r
S
串联电阻
V
R
= 5 V,
f
= 470兆赫
1
为
详细信息请参考应用笔记047
2
2007-04-20
BB837/BB857...
二极管电容
C
T
=
(V
R
)
f
= 1MHz的
归一化二极管电容
C
（TA）
/
C
(25°C)
=
(
T
A
);
f
= 1MHz的
1.035
-
1V
10
pF
8
1.025
2V
C
TA
/C
25
1.02
25V
7
C
T
1.015
28V
6
5
4
3
1.01
1.005
1
0.995
0.99
2
0.985
1
0
0
10
1
2
0.98
10
V
10
0.975
-30
-10
10
30
50
70
°C
100
V
R
T
A
反向电流
I
R
=
(
T
A
)
V
R
= 28V
10
3
反向电流
I
R
=
(
V
R
)
T
A
=参数
10
3
pA
pA
2
80°C
60°C
10
10
2
28°C
I
R
I
R
10
1
10
1
10
0
10
0
-30
10
-1 0
10
-10
10
30
50
70
°C
100
10
1
V
10
2
T
A
V
R
3
2007-04-20
包装SCD80
BB837/BB857...
包装外形
0.2
0.8
±0.1
10MAX.
M
A
+0.05
0.13
-0.03
A
7
±1.5
1.3
±0.1
2
1.7
±0.1
0.7
±0.1
FOOT PRINT
1.45
0.35
标记版面（例）
2005年六月
日期代码
0.35
BAR63-02W
型号代码
正极标志
激光打标
标准包装
盘180毫米= 3.000件/卷
盘180毫米= 8.000件/卷（2 mm间距）
盘330毫米= 10.000件/卷
标准
4
卷筒带2 mm间距
2
0.2
1.45
2.5
8
0.2
±0.05
阴极
记号
1
0.3
±0.05
阴极
记号
0.4
0.9
阴极
记号
0.7
4
2007-04-20
BB837/BB857...
日期代码标记为离散封装
一个数字（ SCD80 ， SC79 ， SC75
1)
） CES码
本月2 0 03
01
02
03
04
05
06
07
08
09
10
11
12
a
b
c
d
e
f
g
h
j
k
l
n
2 0 04
p
q
r
s
t
u
v
x
y
z
2
3
2005
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
N
2006
P
Q
R
S
T
U
V
X
Y
Z
4
5
2 0 07
a
b
c
d
e
f
g
h
j
k
l
n
2008
p
q
r
s
t
u
v
x
y
z
2
3
2009
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
N
2010
P
Q
R
S
T
U
V
X
Y
Z
4
5
2011
a
b
c
d
e
f
g
h
j
k
l
n
2012
p
q
r
s
t
u
v
x
y
z
2
3
2 0 13
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
N
2014
P
Q
R
S
T
U
V
X
Y
Z
4
5
1 ）新标识布局SC75 ，在2005年10月实施。
.
5
2007-04-20
BB837 /BB857...
硅调谐二极管
对于SAT - 室内单元
高电容比
低串联电阻
由于出色的均匀性和匹配
"in - line"配套组装过程




1
BB837
BB857
2
TYPE
BB837
BB857
包
SOD323
SCD80
CON组fi guration
单身
单身
L
S
（ NH）
记号
1.8
M
0.6
OO
最大额定值
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
二极管的反向电压
峰值反向电压
正向电流
工作温度范围
储存温度
R
5k
符号
V
R
V
RM
I
F
T
op
T
英镑
价值
30
35
20
-55 ... 150
-55 ... 150
mA
°C
单位
V


1
Nov-07-2002
BB837 /BB857...
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
符号
值
参数
分钟。
DC特性
反向电流
V
R
= 30 V
V
R
= 30 V,
T
A
= 85 °C
AC特性
二极管电容
V
R
= 1 V,
f
= 1兆赫
V
R
= 25 V,
f
= 1兆赫
V
R
= 28 V,
f
= 1兆赫
C
T
单位
马克斯。
nA
典型值。
I
R
-
-
-
-
10
200
pF
6
0.5
0.45
6.6
0.55
0.52
12
12.7
-
1.5
7.2
0.65
-
-
-
5
-
%
电容比
V
R
= 1 V,
V
R
= 25 V,
f
= 1兆赫
C
T1
/
C
T25
C
T1
/
C
T28
C
T
/
C
T
10.2
9.7
-
-
-
电容比
V
R
= 1 V,
V
R
= 28 V,
f
= 1兆赫
V
R
= 1V ... 28V,
f
= 1兆赫
V
R
= 5 V,
f
= 470兆赫
1
为
详细信息请参考应用笔记047
2
Nov-07-2002

串联电阻

电容匹配
1)
r
S
BB837 /BB857...
二极管电容
C
T
=
f
= 1MHz的
10
pF
(V
R
)
归一化二极管电容
C
（TA）
/
C
(25°C)
= (
T
A
);
f
= 1MHz的
1.035
-
1V
8
1.025
C
TA
/C
25
1.02
1.015
7
C
T
6
5
4
3
2
1
0
0
10
1
1.01
1.005
1
0.995
0.99
0.985
0.98
10
V
10
2
0.975
-30
-10
V
R
V
R
= 28V
10
3
T
A
=参数
10
3
pA
pA
10
2
10
2
I
R
I
R
10
1
10
1
10
0
10
0
-30
-10
10
30
50
70
°C
100
10
-1 0
10
T
A
3


反向电流
I
R
=
(
T
A
)
反向电流
I
R
=


2V
25V
28V
10
30
50
70
°C
100
T
A
(
V
R
)
80°C
60°C
28°C
10
1
V
10
2
V
R
Nov-07-2002
BB 837
硅调谐二极管
初步数据
推广的频率范围高达2.8 GHz的
在TV- SAT室内机使用特殊设计
高电容比
TYPE
BB 837
记号
M
订购代码
Q62702-B0904
引脚配置包
1=C
2=A
SOD-323
最大额定值
参数
二极管的反向电压
峰值反向电压（R
≥
5k )
正向电流
工作温度范围
储存温度
符号
V
R
V
RM
I
F
T
op
T
英镑
价值
30
35
20
55 ...+150
55 ...+150
mA
°C
单位
V
半导体集团
1
Mar-27-1998
BB 837
电气特性
at
T
A
= 25 ° C，除非另有规定ED 。
参数
DC特性
反向电流
V
R
= 30 V
反向电流
V
R
= 30 V,
T
A
= 85 °C
AC特性
二极管电容
V
R
= 1 V,
f
= 1兆赫
V
R
= 25 V,
f
= 1兆赫
V
R
= 28 V,
f
= 1兆赫
电容
比
V
R
= 1 V,
V
R
= 25 V,
f
= 1兆赫
电容比
V
R
= 1V至28V ，
f
= 1兆赫
电容匹配
V
R
= 1V至28V ，
f
= 1兆赫
串联电阻
V
R
= 1 V,
f
= 470兆赫
串联电感
L
s
-
1.4
-
nH
r
s
-
1.5
-
C
T
/C
T
-
-
5
%
C
T1
/C
T28
9.7
12.2
-
-
C
T1
/C
T25
C
T
6
-
0.45
-
6.6
0.55
0.54
12
7.2
-
0.65
-
pF
符号
分钟。
I
R
I
R
-
-
值
典型值。
-
-
马克斯。
10
200
单位
nA
半导体集团
2
Mar-27-1998
BB 837
二极管电容
C
T
= f
(V
R
)
f
= 1MHz的
10
pF
8
C
T
7
6
5
4
3
2
1
0
0
10
1
10
V
V
R
半导体集团
3
Mar-27-1998
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推荐型号
BQ24707RGRT
B41888C5478M000
BRT12-F
BH31PB1WHFV
B45198H1226K506
BR81DTP201
B1100CCL
B72540V400K62
BTA10-400GP
BD8629FS
BT857
B45294R9337M419
BSR11R0KE
B32562-J6474-J
B32562J6474J
B37951K5104M001
BCN162SBI33J7
BY253Z
BM1012LF
B88069X2500S102
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    BB837
    -
    -
    -
    -
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电话：0755-88291559
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BB837
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SOD-323-2
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BB837
MSV/萌盛
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16000
SOD-323
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8000
SOD
原装正品
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BB837
INFINEON
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SOD323
原装正品 力挺实单
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