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BB804...
硅变容二极管
对于FM调谐器
单片芯片,共阴极
两个二极管完善的跟踪
统一"square law"特点
在使用时,理想的HiFi调谐器
低失真,备份到后端配置
无铅(符合RoHS标准)封装
1)
合格的依据AEC Q101
BB804
!
, 
,

TYPE
BB804
SOT23
CON组fi guration
共阴极
L
S
( NH)
1.8
记号
SF1/2/3*
*对于不同见下页电容组
最大额定值
at
T
A
= 25℃ ,除非另有说明
符号
参数
二极管的反向电压
峰值反向电压
正向电流
工作温度范围
储存温度
1
含有铅,
价值
18
20
50
-55 ... 125
-55 ... 150
单位
V
mA
°C
V
R
V
RM
I
F
T
op
T
英镑
包可能是可根据特殊要求
1
2007-04-20
BB804...
电气特性
at
T
A
= 25℃ ,除非另有说明
符号
参数
分钟。
DC特性
反向电流
V
R
= 16 V
V
R
= 16 V,
T
A
= 65 °C
AC特性
二极管电容
1)
V
R
= 2 V,
f
= 1兆赫
C
T
C
T2
/
C
T8
r
S
Q
TC
C
单位
马克斯。
nA
20
200
典型值。
-
-
I
R
-
-
42
1.65
-
-
-
-
1.71
0.18
200
330
47.5
-
-
-
-
pF
电容比
V
R
= 2 V,
V
R
= 8 V,
f
= 1兆赫
串联电阻
V
R
= 2 V,
f
= 100兆赫
勋章图
f
= 100 MHz时,
V
R
= 2 V
二极管电容的温度COEF网络cient
V
R
= 2 V,
f
= 1兆赫
1
PPM / K
电容组在2V ,编码为1 ; 2 ; 3
C
T
/组
1
2
3
C
2V
C
2V
最大
43pF
44.5pF
44pF
45.5pF
45pF
46.5pF
电容亚组带标记的印刷组件和封装上的子群数
标签。一个包装单位(例如8mm带)只包含一个子群二极管。交付不同
电容分组需要特殊的协议。
2
2007-04-20
BB804...
二极管电容
C
T
=
(
V
R
)
f
= 1MHz的
EHD07050
电容比
C
TREF
/
C
T
=
(
V
R
)
f
= 1MHz的
EHD07051
C
T
80
pF
70
60
3
C
吨REF
C
T
C
T1V
C
T
2
50
40
30
C
T2V
C
T
1
20
10
0
10
-1
10
0
10
1
V
V
R
10
2
0
0
5
10
15
V 20
V
R
。温度系数
TC
C
=
(
V
R
)
10
-3
TC
C
1
K
EHD07052
10
-4
10
-5
10
-1
10
0
10
1
V
V
R
10
2
3
2007-04-20
SOT23封装
BB804...
包装外形
0.15分钟。
1
±0.1
0.1最大。
1.3
±0.1
2.9
±0.1
3
B
2.4
±0.15
10最大。
1)
0.4
+0.1
-0.05
1
2
10最大。
C
0.95
1.9
0.08...0.1
A
5
0...8
0.25
M
B C
0.2
M
A
1 )导线宽度可以是0.6最大。在密封条领域
FOOT PRINT
0.8
0.9
0.8
1.2
标记版面(例)
生产厂家
EH
s
销1
0.9
1.3
2005年六月
日期代码( YM )
BCW66
型号代码
标准包装
盘180毫米= 3.000件/卷
盘330毫米= 10.000件/卷
4
0.9
2.13
2.65
0.2
8
销1
3.15
1.15
4
2007-04-20
BB804...
版2006-02-01
出版
英飞凌科技股份公司
81726慕尼黑,德国
英飞凌科技股份公司2007年。
版权所有。
请注意!
在此库门给出的信息应当在任何情况下被视为保证
条件或特征( “ Beschaffenheitsgarantie ”)。相对于任何
本文所给出的例子或提示,本文中所述的任何典型的值和/或任何信息
关于设备的应用,英飞凌在此声明,任何
和所有保证和任何形式的法律责任,包括但不限于对担保
不侵犯任何第三方的知识产权。
信息
有关技术,交货条款及条件和价格的进一步信息
请联系您最近的英飞凌科技厅( www.infineon.com ) 。
警告
由于技术要求组件可能含有危险物质。
有关类型的信息有问题,请联系距您最近的
英飞凌科技办公室。
英飞凌组件只能用于生命支持设备使用,或
与英飞凌科技的明确书面许可,系统如果发生故障
这样的组件可以合理预期引起的,该故障
生命支持设备或系统中,或以影响的安全性或有效性
设备或系统。
生命支持设备或系统的目的是在人体内被植入,
或支持和/或维护以及维持和/或保护人的生命。如果他们失败了,
这是合理的假设,该用户或其他人的健康
可能受到威胁。
5
2007-04-20
BB804...
硅变容二极管
对于FM调谐器
单片芯片,共阴极
两个二极管完善的跟踪
统一"square law"特点
在使用时,理想的HiFi调谐器
低失真,备份到后端配置




BB804
3
D 1
D 2
1
2
TYPE
BB804
SOT23
CON组fi guration
共阴极
L
S
( NH)
记号
1.8
SF1/2/3*
*对于不同见下页电容组
最大额定值
at
T
A
= 25℃ ,除非另有说明
参数
符号
价值
单位
二极管的反向电压
峰值反向电压
正向电流
工作温度范围
储存温度
V
R
V
RM
I
F
T
op
T
英镑
18
20
50
-55 ... 125
-55 ... 150
V
mA
°C
1
Nov-07-2002
BB804...
电气特性
at
T
A
= 25℃ ,除非另有说明
符号
参数
分钟。
DC特性
反向电流
V
R
= 16 V
V
R
= 16 V,
T
A
= 65 °C
AC特性
二极管电容
1)
V
R
= 2 V,
f
= 1兆赫
C
T
C
T2
/
C
T8
r
S
Q
TC
C
单位
马克斯。
nA
20
200
典型值。
-
-
I
R
-
-
42
1.65
-
-
-
-
1.71
0.18
200
330
47.5
-
-
-
-
pF
电容比
V
R
= 2 V,
V
R
= 8 V,
f
= 1兆赫
V
R
= 2 V,
f
= 100兆赫
勋章图
f
= 100 MHz时,
V
R
= 2 V
二极管电容的温度COEF网络cient
V
R
= 2 V,
f
= 1兆赫
1
电容组在2V ,编码为1 ; 2 ; 3
C
T
/组
1
2
3
C
2V
C
2V
最大
43pF
44.5pF
44pF
45.5pF
45pF
46.5pF
电容亚组带标记的印刷组件和封装上的子群数
标签。一个包装单位(例如8mm带)只包含一个子群二极管。交付不同
电容分组需要特殊的协议。
2
Nov-07-2002

PPM / K
串联电阻
BB804...
二极管电容
C
T
=
f
= 1MHz的
80
pF
70
60
f
= 1MHz的
EHD07050
3
C
吨REF
C
T
C
T1V
C
T
C
T
2
50
40
30
1
20
10
0
10
-1
10
0
10
1
V
V
R
10
2
0
0
5
10
10
-3
TC
C
1
K
10
-4
10
-5
10
-1
10
0
10
1

。温度系数
TC
C
=
(
V
R
)
EHD07052
V
V
R
10
2
3
Nov-07-2002

(
V
R
)
电容比
C
TREF
/
C
T
=
(
V
R
)

EHD07051
C
T2V
C
T
15
V 20
V
R
BB 804
硅变容二极管
q
对于FM调谐器
q
单片芯片,共阴极
BB 804
两个二极管完善的跟踪
q
统一"square law"特点
q
使用时,理想的高保真调谐器
在低失真,备份到后端
CON组fi guration
TYPE
BB 804
订购代码
(磁带和卷轴)
Q62702-B372
CON组fi guration
记号
SF (见
特征
对于标记
电容
子组)
SOT-23
每个二极管的最大额定值
参数
反向电压
峰值反向电压
正向电流,
T
A
60 C
工作温度
存储温度范围
热阻
结 - 环境
R
日JA
600
符号
V
R
V
RM
I
F
T
op
T
英镑
18
20
50
100
– 65 … + 150
单位
V
mA
C
K / W
半导体集团
1
10.94
BB 804
每二极管电气特性
at
T
A
= 25℃,除非另有规定。
参数
反向电流
V
R
= 16 V
V
R
= 16 V,
T
A
= 60 C
二极管电容
V
R
= 2 V,
f
= 1兆赫
电容比
V
R
= 2 V, 8 V,
f
= 1兆赫
串联电阻
V
R
= 2 V,
f
= 100兆赫
Q因子
V
R
= 2 V,
f
= 100兆赫
温度COEF网络cient
二极管电容
V
R
= 2 V,
f
= 1兆赫
二极管电容
1)
V
R
= 2 V,
f
= 1兆赫
分组: 0
1
2
3
4
符号
分钟。
I
R
C
T
C
T2
C
T8
r
s
Q
TC
C
42
1.65
1.71
0.18
200
330
20
200
47.5
pF
PPM / K
典型值。
马克斯。
nA
单位
C
T
42
43
44
45
46
43.5
44.5
45.5
46.5
47.5
pF
1)
电容亚组带标记的印刷组件和封装上的子群数
标签。一个包装单位(例如8毫米磁带),只包含一个子群二极管。交付不同
电容分组需要特殊的协议。
半导体集团
2
BB 804
二极管电容
C
T
=
f
(V
R
)
每二极管,
f
= 1兆赫
电容比
C
TREF
/
C
T
=
f
(V
R
)
每个二极管;
V
REF
=
1 V, 2 V,
f
= 1兆赫
温度COEF网络cient
TC
C
=
f
(V
R
)
每二极管,
f
= 1兆赫
半导体集团
3
BB804
威世德律风根
硅外延平面双电容二极管
特点
D
共阴极
应用
独立的谐振电路,推挽电路调整
在调频范围,尤其是对汽车收音机
94 8550
绝对最大额定值
T
j
= 25
_
C
参数
反向重复峰值电压
反向电压
正向电流
结温
存储温度范围
T
j
= 25
_
C
参数
反向电流
二极管电容
1
)
测试条件
V
R
=16V
V
R
= 16V ,T
j
=60
°
C
V
R
= 2V , F = 1MHz的
V
R
= 2V , F = 1MHz的
V
R
= 2V , F = 1MHz的
V
R
= 2V , F = 1MHz的
V
R
= 2V , F = 1MHz的
V
R
= 2V , F = 1MHz的
V
R
= 2V , 8V , F = 100MHz的
C
D
= 38pF , F = 100MHz的
C
D
= 38pF , F = 100MHz的
TYPE
符号最小值
I
R
I
R
C
D
42
C
D
42
C
D
43
C
D
44
C
D
45
C
D
46
C
D2
/ C
D8
1.65
r
s
Q
100
典型值
最大
20
0.2
47.5
43.5
44.5
45.5
46.5
47.5
1.75
0.4
单位
nA
m
A
pF
pF
pF
pF
pF
pF
测试条件
TYPE
符号
V
RRM
V
R
I
F
T
j
T
英镑
价值
20
18
50
100
–55...+150
单位
V
V
mA
°
C
°
C
组0
第1组
2组
组3
第4组
电容比
串联电阻
勋章图
1
)
0.3
140
W
的包装单元(卷)包含只有一个电容组二极管。发货单电容
仅适用于请求的群体。
文档编号85554
第3版, 01 -APR- 99
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
1 (3)
BB804
威世德律风根
尺寸(mm)
14384
顶视图
14387
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
2 (3)
文档编号85554
第3版, 01 -APR- 99
BB804
威世德律风根
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品,工艺,销售和经营的业绩
系统
相对于它们对健康和员工的安全和公众的影响,以及其上的冲击
环境。
这是特别令人关注,以控制或消除这些物质释放到其已知作为气氛
消耗臭氧层物质(消耗臭氧层物质) 。
蒙特利尔议定书( 1987年)和其伦敦修正案( 1990年)打算严格限制使用消耗臭氧层物质和
在未来十年内禁止其使用。不同的国家和国际行动正加紧进行早期禁令
于这些物质。
威世半导体有限公司
已经能够使用的持续改进其政策,以杜绝使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A, B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦分别修正列表
2 。 I类和II于1990年,由环境的清洁空气法案修正案消耗臭氧层物质
保护局(EPA)在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A,B和C (过渡性物质) 。
威世半导体有限公司
可以证明,我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改,以改善技术设计,并可以这样做,恕不另行通知的权利。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个客户的应用进行验证
由客户。如买方使用的Vishay ,德律风根产品的任何意外或未经授权的应用程序时,
买方应赔偿日前,Vishay ,德律风根的所有索赔,费用,损失,费用,所产生的直接或
间接的,人身损害,伤害或死亡等意外或未经授权使用相关的任何索赔。
日前,Vishay半导体有限公司, P.O.B. 3535 , D- 74025德国Heilbronn
电话: 49 ( 0 ) 67 7131 2831 ,传真号码: 49 ( 0 ) 7131 67 2423
文档编号85554
第3版, 01 -APR- 99
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
3 (3)
分立半导体
数据表
alfpage
M3D088
BB804
VHF变容双
二极管
产品speci fi cation
取代1996年的5月03日的数据
1998年11月25日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
VHF变容双二极管
特点
选择的电容范围
小型塑料SMD封装
C8 : 26 pF的;比: 1.7
低串联电阻。
应用
FM收音电子调谐
应用程序。
描述
该BB804是一个可变电容
双二极管具有公共阴极
编造平面技术,并
包封在SOT23小
塑料SMD封装。
手册, halfpage
BB804
钉扎
记号
类型编号
BB804
BB804W
CODE
SF5
SF2
1
2
3
描述
阳极(一个
1
)
阳极(一个
2
)
共阴极
3
3
1
2
1
2
MAM169
Fig.1简化外形( SOT23 )和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。
符号
每二极管
V
R
I
F
T
英镑
T
j
连续反向电压
连续正向电流
储存温度
工作结温
55
55
18
50
+150
+125
V
mA
°C
°C
参数
分钟。
马克斯。
单位
1998年11月25日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
VHF变容双二极管
电气特性
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
每二极管
I
R
r
s
C
d
反向电流
二极管串联电阻
二极管电容
电容比
V
R
= 16 V ;见图3
V
R
= 16 V ;牛逼
j
= 60
°C;
看科幻G.3
F = 100 MHz的;注1
V
R
= 2 V ; F = 1兆赫;参见图2和图4
V
R
= 2 V ; F = 1兆赫;白2 ;参见图2和图4
C
d
(
2V
)
-----------------
-
C
d
(
8V
)
1. V
R
是价值在哪些C
d
= 38 pF的。
F = 1 MHz的
42
44
1.65
0.2
20
参数
条件
分钟。
典型值。
BB804
马克斯。
单位
nA
nA
pF
pF
200
46.5
45.5
1.75
1998年11月25日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
VHF变容双二极管
图形数据
75
BB804
MGC815
手册,全页宽
Cd
(PF )
50
25
0
1
10
F = 1兆赫;牛逼
AMB
= 25
°C.
1
VR ( V)
10
图2二极管电容的反向电压的函数;典型值。
10
3
手册, halfpage
IR
( nA的)
MGC810
10
3
手册, halfpage
MLC815
(K
1
)
TC
10
2
10
4
10
0
20
40
60
80
o
TJ ( C)
100
10
5
10
1
1
10
VR ( V)
10
2
Fig.4
Fig.3
反向电流交界处的函数
温度;最大值。
二极管的温度系数
电容作为逆的函数
电压;典型值。
1998年11月25日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
VHF变容双二极管
包装外形
塑料表面贴装封装; 3引线
BB804
SOT23
D
B
E
A
X
HE
v
M
A
3
Q
A
A1
1
e1
e
bp
2
w
M
B
细节X
Lp
c
0
1
规模
2 mm
外形尺寸(mm是原始尺寸)
单位
mm
A
1.1
0.9
A
1
马克斯。
0.1
b
p
0.48
0.38
c
0.15
0.09
D
3.0
2.8
E
1.4
1.2
e
1.9
e
1
0.95
H
E
2.5
2.1
L
p
0.45
0.15
Q
0.55
0.45
v
0.2
w
0.1
概要
VERSION
SOT23
参考文献:
IEC
JEDEC
EIAJ
欧洲
投影
发行日期
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1998年11月25日
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地址:广东省深圳市福田区上步工业区101栋西座602(公司是一般纳税人企业,可开17%增值税)公司网址:http://www.szolxd.com
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联系人:李林
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