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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第91页 > BB535
BB535/BB555...
硅调谐二极管
对于UHF -TV调谐器
高电容比
低串联电感
低串联电阻
由于出色的均匀性和匹配
"in - line"配套组装过程
无铅（符合RoHS标准）封装
1)
合格的依据AEC Q101
BB535
BB555/-02V

TYPE
BB535
BB555
BB555-02V
包
SOD323
SCD80
SC79
CON组fi guration
单身
单身
单身
L
S
（ NH）
1.8
0.6
0.6
记号
白色S
BB
B
最大额定值
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
二极管的反向电压
峰值反向电压
R
≥
5k
正向电流
工作温度范围
储存温度
1
含有铅，
符号
V
R
V
RM
I
F
T
op
T
英镑
价值
30
35
20
-55 ... 150
-55 ... 150
单位
V
mA
°C
包可能是可根据特殊要求
1
2007-04-20
BB535/BB555...
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
符号
值
参数
分钟。
DC特性
反向电流
V
R
= 30 V
V
R
= 30 V,
T
A
= 85 °C
AC特性
二极管电容
V
R
= 1 V,
f
= 1兆赫
V
R
= 2 V,
f
= 1兆赫
V
R
= 25 V,
f
= 1兆赫
V
R
= 28 V,
f
= 1兆赫
C
T
单位
马克斯。
nA
典型值。
I
R
-
-
-
-
10
200
pF
17.5
14.01
2.05
1.9
8.2
6
18.7
15
2.24
2.1
8.9
6.7
20
16.1
2.4
2.3
9.8
7.5
%
-
-
-
-
0.15
0.25
0.58
2.5
1
2
0.75
电容比
V
R
= 1 V,
V
R
= 28 V,
f
= 1兆赫
C
T1
/
C
T28
C
T2
/
C
T25
-
电容比
V
R
= 2 V,
V
R
= 25 V,
f
= 1兆赫
电容匹配
1)
V
R
= 1V至28V ，
f
= 1 MHz时，
7
二极管序列，
C
T
/
C
T
BB535
V
R
= 1V至28V ，
f
= 1 MHz时，
4
二极管序列，
BB555/-02V
V
R
= 1V至28V ，
f
= 1 MHz时，
7
二极管序列，
BB555/-02V
串联电阻
V
R
= 3 V,
f
= 470兆赫
1
为
r
S
-
详细信息请参考应用笔记047
2
2007-04-20
BB535/BB555...
二极管电容
C
T
=
(V
R
)
f
= 1MHz的
归一化二极管电容
C
（TA）
/
C
(25°C)
=
(
T
A
);
f
= 1MHz的
V
R
=参数
1.08
20
pF
-
14
C
TA
/C
25°C
16
C
T
1.04
1V
12
10
8
1.02
2V
25V
1
6
4
0.98
2
0
0
0.96
-30
5
10
15
20
V
30
-10
10
30
50
70
°C
110
V
R
T
A
二极管的温度系数
电容
T
Cc
=
(
V
R
)
10
-3
反向电流
I
R
=
(
T
A
)
V
R
= 28 V
10
3
pA
1/°C
TC
C
10
2
10
-4
I
R
10
1
10
-5 0
10
1
10
V
10
2
10
0
-10
10
30
50
70
°C
100
V
R
T
A
3
2007-04-20
BB535/BB555...
反向电流
I
R
=
(
V
R
)
T
A
=参数
10
3
pA
85°C
10
2
I
R
25°C
10
1
10
0
10
-1 0
10
10
1
V
10
2
V
R
4
2007-04-20
SC79封装
BB535/BB555...
包装外形
0.2
0.8
±0.1
10MAX.
M
A
0.13
-0.03
+0.05
2
1.6
±0.1
0.55
±0.04
FOOT PRINT
1.35
0.35
标记版面（例）
2005年六月
日期代码
0.35
BAR63-02V
型号代码
正极标志
激光打标
标准包装
盘180毫米= 3.000件/卷
盘180毫米= 8.000件/卷（2 mm间距）
盘330毫米= 10.000件/卷
标准
4
卷筒带2 mm间距
2
0.2
1.33
1.96
阴极
记号
0.4
0.93
8
0.2
±0.05
0.66
阴极
记号
1
0.3
±0.05
阴极
记号
10MAX.
1.2
±0.1
A
5
2007-04-20
BB535 /BB555...
硅调谐二极管
对于UHF -TV调谐器
高电容比
低串联电感
低串联电阻
由于出色的均匀性和匹配
"in - line"配套组装过程




1
正向电流
工作温度范围
储存温度



BB535
BB555/-02V
2
TYPE
BB535
BB555
BB555-02V
包
SOD323
SCD80
SC79
CON组fi guration
单身
单身
单身
L
S
（ NH）
1.8
0.6
0.6
记号
白色S
BB
B
最大额定值
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
二极管的反向电压
峰值反向电压
R
5k
符号
V
R
V
RM
I
F
T
op
T
英镑
价值
30
35
20
-55 ... 150
-55 ... 150
mA
°C
单位
V
1
Nov-07-2002
BB535 /BB555...
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
符号
值
参数
分钟。
DC特性
反向电流
V
R
= 30 V
V
R
= 30 V,
T
A
= 85 °C
电气特性
参数
AC特性
二极管电容
V
R
= 1 V,
f
= 1兆赫
V
R
= 2 V,
f
= 1兆赫
V
R
= 25 V,
f
= 1兆赫
V
R
= 28 V,
f
= 1兆赫
C
T
单位
马克斯。
nA
典型值。
I
R
-
-
-
-
10
200
符号
分钟。
值
典型值。
马克斯。
单位
pF
17.5
14.01
2.05
1.9
18.7
15
2.24
2.1
8.9
6.7
20
16.1
2.4
2.3
9.8
7.5
%
电容比
V
R
= 1 V,
V
R
= 28 V,
f
= 1兆赫
C
T1
/
C
T28
C
T2
/
C
T25
C
T
/
C
T
8.2
6
-
电容比
V
R
= 2 V,
V
R
= 25 V,
f
= 1兆赫
V
R
= 1V至28V ，
f
= 1 MHz时，
7
二极管序列，
BB535
V
R
= 1V至28V ，
f
= 1 MHz时，
4
二极管序列，
BB555/-02V
V
R
= 1V至28V ，
f
= 1 MHz时，
7
二极管序列，
BB555/-02V
串联电阻
V
R
= 3 V,
f
= 470兆赫
1
为
详细信息请参考应用笔记047
2
Nov-07-2002


电容匹配
1)
-
-
-
r
S
-
0.15
0.25
0.58
2.5
1
2
0.75
-
BB535 /BB555...
二极管电容
C
T
=
f
= 1MHz的
20
pF
-
(V
R
)
归一化二极管电容
C
（TA）
/
C
(25°C)
= (
T
A
);
f
= 1MHz的
V
R
=参数
1.08
14
C
TA
/C
25°C
16
C
T
1.04
1V
12
10
8
6
4
2
0
0
V
1.02
1
0.98
5
10
15
20
30
0.96
-30
-10
V
R
10
-3
1/°C
TC
C
10
-4
I
R
10
-5
10
0

电容
T
Cc
=
(
V
R
)
V
R
= 28 V
10
3
pA
10
2
10
1
10
1
V
10
2
10
0
-10
10
30
V
R
3

二极管的温度系数
反向电流
I
R
=


2V
25V
10
30
50
70
°C
110
T
A
(
T
A
)
50
70
°C
100
T
A
Nov-07-2002
BB535 /BB555...
反向电流
I
R
=
T
A
=参数
10
3
pA
85°C
(
V
R
)
10
2
I
R
10
1
10
0
10
-1 0
10

25°C
10
1
V
10
2
V
R
4
Nov-07-2002
乐山无线电公司， LTD 。
硅变容二极管
对于UHF和TV / TR调谐器
大电容比，低串联电阻
1
BB 535
1
阴极
2
阳极
2
CASE 477- 02 ，风格1
SOD- 323
最大额定值
参数
二极管的反向电压
峰值反向电压（R > 5kΩ上）
正向电流
工作温度范围
储存温度
符号
V
R
V
RM
I
F
T
op
T
英镑
价值
30
35
20
- 55 ~ + 125
- 55 ... + 150
单位
V
V
mA
°C
°C
热阻
参数
结 - 环境
符号
R
thJA
价值
<450
单位
K / W
DC特性
特征
反向电流
V
R
= 30 V ，T
A
= 25 °C
V
R
= 30 V ， T A = 85°C
符号
I
R
民
–
–
典型值
–
–
最大
10
200
单位
nA
AC特性
二极管电容
V
R
= 1 V ， F = 1兆赫
V
R
= 2 V ， F = 1兆赫
V
R
= 25 V ， F = 1兆赫
V
R
= 28 V ， F = 1兆赫
电容比
V
R
= 2 V, V
R
= 25 V ， F = 1兆赫
电容比
V
R
= 1 V, V
R
= 28 V ， F = 1兆赫
电容匹配
V
R
= 1 ... 28 V ， F = 1兆赫
串联电阻
V
R
= 3 V ， F = 470 MHz的
串联电感
C
T
17.5
14.01
2.05
1.9
C
T2
/ C
T25
6
C
T1
/ C
T28
8.2
C
T
/ C
T
–
r
s
pF
18.7
15
2.24
2.1
6.7
8.9
–
0.55
2
20
16.1
2.4
2.3
–
7.5
–
9.8
%
2.5
–
0.65
–
nH
–
Ls
S6–1/3
乐山无线电公司， LTD 。
BB 535
二极管电容
C
T
= F（V
R
）F = 1MHz的
20
18
16
在diodecapacitance的温度系数
T
Cc
= F（V
R
）F = 1MHz的
10
-1
10
-2
14
C
T
（PF ）
12
10
8
6
T
Cc
( 1/°C )
10
-3
10
-4
4
2
0
0
5
10
15
20
25
30
10
-5
10
0
10
1
10
2
V
R
( V )
V
R
( V )
归一化二极管电容
C（ΔT
A
） / C（ 25℃） = F（T
A
） ， F = 1MHz时， V
R
=参数
1.06
10
3
反向电流
I
R
= F（T
A
), V
R
= 28V
1.04
1V
1.02
2V
C
TA
/ C
25
10
2
25V
1.00
I
R
（PA ）
10
1
10
0
-10
0.98
0.96
-30
-10
10
30
50
70
90
110
10
30
50
70
90
100
T
A
( °C )
T
A
( °C )
S6–2/3
乐山无线电公司， LTD 。
BB 535
反向电流
I
R
= F（V
R
), T
A
=参数
10
3
85°C
10
2
I
R
（PA ）
25°C
10
1
10
0
10
-1
10
0
10
1
10
2
V
R
( V )
S6–3/3
BB 535
硅变容二极管
对于UHF和TV / TR调谐器
大电容比，低串联电阻
TYPE
BB 535
订购代码标识
白色S
Q62702-B580
引脚配置
1=C
2=A
包
SOD-323
最大额定值
参数
二极管的反向电压
峰值反向电压（R
≥
5k)
正向电流
工作温度范围
储存温度
热阻
结 - 环境
符号
值
30
35
20
- 55 ... + 125
- 55 ... + 150
mA
°C
单位
V
V
R
V
RM
I
F
T
op
T
英镑
R
thJA
≤
450
K / W
半导体集团
1
Jan-08-1997
BB 535
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
DC特性
反向电流
值
典型值。
马克斯。
单位
I
R
-
-
-
-
10
200
nA
V
R
= 30 V,
T
A
= 25 °C
V
R
= 30 V,
T
A
= 85 °C
AC特性
二极管电容
C
T
17.5
14.01
2.05
1.9
18.7
15
2.24
2.1
6.7
8.9
-
0.55
2
20
16.1
2.4
2.3
pF
V
R
= 1 V,
f
= 1兆赫
V
R
= 2 V,
f
= 1兆赫
V
R
= 25 V,
f
= 1兆赫
V
R
= 28 V,
f
= 1兆赫
电容比
C
T2
/C
T25
6
7.5
9.8
-
V
R
= 2 V,
V
R
= 25 V,
f
= 1兆赫
电容比
C
T1
/C
T28
8.2
C
T
/C
T
-
2.5
-
0.65
-
nH
-
%
V
R
= 1 V,
V
R
= 28 V,
f
= 1兆赫
电容匹配
V
R
= 1 ... 28 V,
f
= 1兆赫
串联电阻
r
s
L
s
V
R
= 3 V,
f
= 470兆赫
串联电感
半导体集团
2
Jan-08-1997
BB 535
二极管电容
C
T
= f
(V
R
)
f
= 1MHz的
二极管的温度系数
电容
T
Cc
=
f
(V
R
)
f
= 1MHz的
10
-1
1/°C
20
pF
C
T
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
5
10
15
20
V
30
T
Cc
10
-2
10
-3
10
-4
10
-5
0
10
10
1
V
V
R
V
R
归一化二极管电容
反向电流
I
R
=
f
(T
A
)
V
R
= 28V
C
（TA）
/
C
(25°C)
= F（T
A
)
f
= 1MHz时，
V
R
=参数
1.06
10
3
pA
C
TA
/C
25
-
1V
1.02
2V
I
R
10
2
25V
1.00
10
1
0.98
0.96
-30
-10
10
30
50
70
°C
T
A
110
10
0
-10
10
30
50
70
°C
T
A
100
半导体集团
3
Jan-08-1997
BB 535
反向电流
I
R
=
f
(V
R
)
T
A
=参数
10
3
pA
85°C
I
R
10
2
25°C
10
1
10
0
10
-1
0
10
10
1
V
V
R
半导体集团
4
Jan-08-1997
BB535/BB555...
硅调谐二极管
对于UHF -TV调谐器
高电容比
低串联电感
低串联电阻
由于出色的均匀性和匹配
"in - line"配套组装过程
无铅（符合RoHS标准）封装
BB535
BB555/-02V

TYPE
BB535
BB555
BB555-02V
包
SOD323
SCD80
SC79
CON组fi guration
单身
单身
单身
L
S
（ NH）
1.8
0.6
0.6
记号
白色S
BB
B
最大额定值
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
价值
单位
二极管的反向电压
峰值反向电压
R
≥
5k
正向电流
工作温度范围
储存温度
V
R
V
RM
I
F
T
op
T
英镑
30
35
20
-55 ... 150
-55 ... 150
V
mA
°C
1
2011-06-15
BB535/BB555...
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
DC特性
反向电流
V
R
= 30 V
V
R
= 30 V,
T
A
= 85 °C
AC特性
符号
分钟。
I
R
-
-
值
典型值。
马克斯。
单位
nA
-
-
10
200
pF
17.5
14.01
2.05
1.9
18.7
15
2.24
2.1
8.9
6.7
20
16.1
2.4
2.3
9.8
7.5
%
-
-
-
-
0.15
0.25
0.58
0.6
2.5
1
2
0.75
-
二极管电容
V
R
= 1 V,
f
= 1兆赫
V
R
= 2 V,
f
= 1兆赫
V
R
= 25 V,
f
= 1兆赫
V
R
= 28 V,
f
= 1兆赫
C
T
电容比
V
R
= 1 V,
V
R
= 28 V,
f
= 1兆赫
C
T1
/
C
T28
C
T2
/
C
T25
C
T
/
C
T
8.2
6
-
电容比
V
R
= 2 V,
V
R
= 25 V,
f
= 1兆赫
电容匹配
1)
V
R
= 1V至28V ，
f
= 1 MHz时，
7
二极管序列，
BB535
V
R
= 1V至28V ，
f
= 1 MHz时，
4
二极管序列，
BB555/-02V
V
R
= 1V至28V ，
f
= 1 MHz时，
7
二极管序列，
BB555/-02V
串联电阻
V
R
= 3 V,
f
= 470兆赫
r
S
L
S
-
-
串联电感
1
为
nH
详细信息请参考应用笔记047
2
2011-06-15
BB535/BB555...
二极管电容
C
T
=
(V
R
)
f
= 1MHz的
20
pF
-
归一化二极管电容
C
（TA）
/
C
(25°C)
=
(
T
A
);
f
= 1MHz的
V
R
=参数
1.08
14
C
TA
/C
25°C
16
C
T
1.04
1V
12
10
8
6
4
2
0
0
1.02
2V
25V
1
0.98
5
10
15
20
V
30
0.96
-30
-10
10
30
50
70
°C
110
V
R
T
A
二极管的温度系数
电容
T
Cc
=
(
V
R
)
10
-3
反向电流
I
R
=
(
T
A
)
V
R
= 28 V
10
3
pA
1/°C
TC
C
10
2
10
-4
I
R
10
1
10
-5 0
10
1
10
V
10
2
10
0
-10
10
30
50
70
°C
100
V
R
T
A
3
2011-06-15
BB535/BB555...
反向电流
I
R
=
(
V
R
)
T
A
=参数
10
3
pA
85°C
10
2
I
R
25°C
10
1
10
0
10
-1 0
10
10
1
V
10
2
V
R
4
2011-06-15
SC79封装
BB535/BB555...
5
2011-06-15
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