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BB 512
硅变容二极管
q
对于AM调谐应用
q
指定调谐范围1 ... 8 V
BB 512
TYPE
BB 512
订购代码
（磁带和卷轴）
Q62702-B479
引脚配置
1
2
C
A
记号
白色的巧克力
包
SOD-123
最大额定值
参数
反向电压
反向电压（R
≥
10 k)
正向电流，
T
A
≤
60 C
工作温度范围
存储温度范围
热阻
结 - 环境
R
日JA
≤
600
符号
V
R
V
RM
I
F
T
op
T
英镑
值
12
15
50
– 55 … + 150
单位
V
mA
– 55 … + 150 C
K / W
半导体集团
1
10.94
BB 512
电气特性
at
T
A
= 25℃，除非另有规定。
参数
反向电流
V
R
= 10 V
V
R
= 10 V,
T
A
= 60 C
二极管电容，
f
= 1兆赫
V
R
= 1 V
V
R
= 8 V
电容比
V
R
= 1 V, 8 V
串联电阻
f=
0.5兆赫，
V
R
= 1 V
勋章图
f=
0.5兆赫，
V
R
= 1 V
二极管电容的温度COEF网络cient
f=
1 MHz时，
V
R
= 1 V
电容匹配
V
R
= 1 … 8 V
符号
分钟。
I
R
–
–
C
T
440
17.5
C
T1
C
T8
r
s
Q
TC
C
C
T
值
典型值。
–
–
470
–
–
1.4
480
500
–
马克斯。
单位
nA
20
200
pF
520
34
–
–
–
–
3
–
–
PPM / K
%
15
–
–
–
–
C
T
半导体集团
2
BB 512
二极管电容
C
T
=
f
(V
R
)
电容比
C
T
/C
TREF
=
f
(V
R
)
电容比
C
T
/C
T1V
=
f
(V
R
)
温度COEF网络cient
结电容
TC
C
=
f
(V
R
)
半导体集团
3
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BSS71S
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供货商
型号
厂家
批号
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封装
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操作
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