【BB506M内置偏置电路MOS FET IC超高频射频放大器REJ03G1604-0100Rev.1】,IC型号BB506M,BB506M PDF资料,BB506M经销商,ic,电子元器件-51电子网

BB506M

内置偏置电路MOS FET IC

超高频射频放大器

REJ03G1604-0100

Rev.1.00

2007年11月26日

特点

内置偏置电路;为了减少使用零件成本& PC板空间。

高增益

PG = 24 dB典型值。中（f = 900 MHz）的

低噪音

NF = 1.4 dB典型值。中（f = 900 MHz）的

低输出电容

COSS = 1.1 pF的典型值。中（f = 1 MHz）的

提供迷你模具封装： CMPAK - 4 （ SOT- 343mod ）

概要

瑞萨封装代码： PLSP0004ZA -A

（包名称： MPAK - 4 ）

2

3

1

4

1.源

2. GATE1

3. GATE2

4.漏

注意事项：

1.标记为“ FS- 」。

2. BB506M是RENESAS BBFET个别型号。

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

GATE1至源极电压

GATE2至源极电压

漏电流

信道功率耗散

通道温度

储存温度

符号

V

DS

V

G1S

V

G2S

I

D

PCH

Note3

总胆固醇

TSTG

评级

6

+6

–0

+6

–0

30

300

150

-55到+150

单位

V

mA

mW

°C

注： 3。价值上的玻璃环氧树脂板（50毫米

×

40 mm

×

1 mm).

此设备是静电放电敏感。

适当的谨慎处理程序要求。

REJ03G1604-0100

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Rev.1.00

2007年11月26日

BB506M

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿

电压

GATE1源击穿

电压

GATE2源击穿

电压

GATE1源截止

当前

GATE2源截止

当前

GATE1源截止

电压

GATE2源截止

电压

漏电流

正向转移导纳

输入电容

输出电容

功率增益

噪声系数

符号

V

（ BR ） DSS

V

(BR)G1SS

V

(BR)G2SS

I

G1SS

I

G2SS

V

G1S(off)

V

G2S(off)

I

D（ OP ）

|y

fs

|

C

国际空间站

C

OSS

PG

NF

民

6

+6

—

0.5

0.4

12

27

1.2

0.7

19

—

典型值

—

0.8

0.7

16

32

1.6

1.1

24

1.4

最大

—

+100

1.1

1.0

20

38

2.0

1.5

29

2.1

单位

V

nA

V

mA

mS

pF

dB

测试条件

I

D

= 200

A,

V

G1S

= V

G2S

= 0

I

G1

= +10

A,

V

G2S

= V

DS

= 0

I

G2

= +10

A,

V

G1S

= V

DS

= 0

V

G1S

= +5 V, V

G2S

= V

DS

= 0

V

G2S

= +5 V, V

G1S

= V

DS

= 0

V

DS

= 5 V, V

G2S

= 4 V，I

D

= 100

A

V

DS

= 5 V, V

G1S

= 5 V，I

D

= 100

A

V

DS

= 5 V, V

G1

= 5 V, V

G2S

= 4 V

R

G

= 100 k

V

DS

= 5 V, V

G1

= 5 V, V

G2S

= 4 V

R

G

= 100 kΩ的， F = 1千赫

V

DS

= 5 V, V

G1

= 5 V, V

G2S

= 4 V

R

G

= 100 kΩ的， F = 1兆赫

V

DS

= 5 V, V

G1

= 5V, V

G2S

= 4 V

R

G

= 100 kΩ的， F = 900兆赫

偏置电路用于经营项目（I

D（ OP ）

, |y

fs

| ，西塞，科斯， NF ， PG ）

V

G2

门2

门1

R

G

V

G1

漏

A

I

D

来源

REJ03G1604-0100

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2007年11月26日

BB506M

900 MHz功率增益，噪声系数测试电路

V

G1

V

G2

C4

C5

V

D

C6

R1

R2

C3

G2

R3

D

L3

RFC

产量

(

50

)

L4

输入

(

50

)

L1

L2

G1

S

C1

C2

C1, C2

C3

C4至C6

R1

R2

R3

:

可变电容（ 10pF的MAX）

圆盘电容器（1000 pF的）

空气电容器（1000 pF的）

100 k

47 k

4.7 k

L1:

10

L2:

10

26

（ φ1毫米铜线）

单位：mm

8

21

L4:

29

3

L3:

18

10

7

RFC ： F1毫米铜线珐琅4圈内部直径6毫米

REJ03G1604-0100

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Rev.1.00

2007年11月26日

10

3

BB506M

主要特点

最大信道的功耗曲线

信道功率耗散P沟道* （MW ）

400

25

典型的输出特性

V

G2S

= 4 V

V

DS

= V

G1

20

82 k

68 k

300

I

D

（MA ）

15

100 k

120 k

200

漏电流

10

k

150 k

100

5

R

G

80

=1

0

50

100

150

200

0

1

2

3

4

5

环境温度T

a

(°C)

*上的玻璃环氧树脂板值（50毫米

×

40 mm

×

1 mm)

漏极至源极电压V

DS

(V)

正向转移导纳

与GATE1电压

|y

fs

| （女士）

50

V

DS

= 5 V

V

G2S

=4 V

R

G

= 100 k

F = 1千赫

漏电流与电压GATE1

25

V

DS

= 5 V

V

G2S

= 4 V

R

G

= 100 k

I

D

（MA ）

20

40

正向转移导纳

4V

15

4V

3V

2V

30

20

漏电流

10

5

V

G2S

= 1 V

0

1

2

3

4

5

10 V

G2S

= 0

2V

1V

0

1

2

3

4

5

GATE1电压V

G1

(V)

GATE1电压V

G1

(V)

漏电流与栅极电阻

25

5

输入电容与

GATE2至源极电压

V

DS

= 5 V

V

G1

= 5 V

R

G

= 100 k

F = 1 MHz的

输入电容西塞（PF ）

100

1000

漏电流I

D

（MA ）

20

4

15

3

10

5

V

DS

= V

G1

= 5 V

V

G2S

= 4 V

0

10

2

1

0

1

2

3

4

门阻抗R

G

(k)

GATE2至源极电压V

G2S

(V)

REJ03G1604-0100

第4页8

Rev.1.00

2007年11月26日

BB506M

功率增益主场迎战栅极电阻

50

V

DS

= 5 V

V

G1

= 5 V

V

G2S

= 4 V

F = 900兆赫

噪声系数与栅极电阻

5

V

DS

= 5 V

V

G1

= 5 V

V

G2S

= 4 V

F = 900兆赫

功率增益PG （分贝）

NF（ dB）的

噪声系数

40

4

30

3

20

2

10

1

0

10

0

100

1000

10

100

1000

门阻抗R

G

(k)

功率增益主场迎战

GATE2至源极电压

25

5

门阻抗R

G

(k)

噪声系数与

GATE2至源极电压

V

DS

= 5 V

V

G1

= 5 V

R

G

= 100 k

F = 900兆赫

NF（ dB）的

噪声系数

4

V

DS

= 5 V

V

G1

=5 V

R

G

= 100 k

F = 900兆赫

1

2

3

功率增益PG （分贝）

20

4

15

3

2

10

5

1

0

1

2

3

4

GATE2至源极电压V

G2S

(V)

增益与减

GATE2至源极电压

40

V

DS

= 5 V

V

G1

= 5 V

R

G

= 100 k

F = 900兆赫

GATE2至源极电压

V

G2S

(V)

增益降低GR （分贝）

35

30

25

20

15

10

5

0

1

2

3

4

GATE2至源极电压V

G2S

(V)

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2007年11月26日