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初步
数据表
BB504M
内置偏置电路MOS FET IC
VHF&UHF射频放大器
特点
R07DS0286EJ0800
（上一篇： REJ03G0837-0700 ）
Rev.8.00
2011年3月28日
内置偏置电路;为了减少使用零件成本& PC板空间。
低噪音; NF = 1.0 dB典型值。在f = 200兆赫， NF = 1.75分贝典型值。在f = 900 MHz的
高增益; PG = 30 dB典型值。在f = 200 MHz时， PG = 22 dB典型值。在f = 900 MHz的
承受静电放电;
内置ESD吸收二极管。承受高达200 V的C = 200 pF的，卢比= 0的条件。
提供迷你模具包; MPAK - 4 （ SOT- 143Rmod ）
概要
瑞萨封装代码： PLSP0004ZA -A
（包名称： MPAK - 4 ）
2
3
1
4
1.源
2. GATE1
3. GATE2
4.漏
注意事项：
1.标记为“ DS- ” 。
2. BB504M是RENESAS BBFET个别型号。
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
GATE1至源极电压
GATE2至源极电压
漏电流
信道功率耗散
通道温度
储存温度
符号
V
DS
V
G1S
V
G2S
I
D
PCH
总胆固醇
TSTG
评级
6
+6
–0
+6
–0
30
150
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
R07DS0286EJ0800 Rev.8.00
2011年3月28日
第1页9
BB504M
初步
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
GATE1至源极击穿电压
GATE2至源极击穿电压
GATE1到源截止电流
GATE2到源截止电流
GATE1到源截止电压
GATE2到源截止电压
漏电流
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
功率增益（ 1 ）
噪声图（1）
功率增益（ 2 ）
噪声图（2）
符号
V
（ BR ） DSS
V
(BR)G1SS
V
(BR)G2SS
I
G1SS
I
G2SS
V
G1S(off)
V
G2S(off)
I
D（ OP ）
|y
fs
|
c
国际空间站
c
OSS
c
RSS
PG
NF
PG
NF
民
6
+6
+6
—
—
0.6
0.6
13
24
1.7
1.0
—
25
—
17
—
典型值
—
—
—
—
—
0.85
0.85
16
29
2.1
1.4
0.027
30
1.0
22
1.75
最大
—
—
—
+100
+100
1.1
1.1
19
34
2.5
1.8
0.05
—
1.8
—
2.3
单位
V
V
V
nA
nA
V
V
mA
mS
pF
pF
pF
dB
dB
dB
dB
测试条件
I
D
= 200
μA,
V
G1S
= V
G2S
= 0
I
G1
= +10
μA,
V
G2S
= V
DS
= 0
I
G2
= +10
μA,
V
G1S
= V
DS
= 0
V
G1S
= +5 V, V
G2S
= V
DS
= 0
V
G2S
= +5 V, V
G1S
= V
DS
= 0
V
DS
= 5 V, V
G2S
= 4 V
I
D
= 100
μA
V
DS
= 5 V, V
G1S
= 5 V
I
D
= 100
μA
V
DS
= 5 V, V
G1
= 5 V
V
G2S
= 4 V ，R
G
= 120 kΩ
V
DS
= 5 V, V
G1
= 5 V, V
G2S
= 4 V
R
G
= 120 kΩ的中，f = 1千赫
V
DS
= 5 V, V
G1
= 5 V
V
G2S
= 4 V ，R
G
= 120 kΩ
F = 1 MHz的
V
DS
= 5 V, V
G1
= 5 V
V
G2S
= 4 V ，R
G
= 120 kΩ
F = 200 MHz的
V
DS
= 5 V, V
G1
= 5 V
V
G2S
= 4 V ，R
G
= 120 kΩ
F = 900兆赫
R07DS0286EJ0800 Rev.8.00
2011年3月28日
第2 9
BB504M
初步
测试电路
直流偏置电路的工作特性项目
(I
D（ OP ）
， | YFS | ，西塞，科斯，的Crss ， NF ， PG ）
V
G2
门2
门1
R
G
V
G1
A
I
D
漏
来源
200 MHz功率增益，噪声系数测试电路
V
T
1000p
V
G2
1000p
V
T
1000p
47k
Input(50Ω)
L1
1000p
36p
1000p
47k
BBFET
L2
1000p
47k
Output(50Ω)
最高10便士
1000p
1SV70
R
G
120k
RFC
1SV70
1000p
V
D
= V
G1
部电阻值（ Ω ）
电容（ F）
L1 :
Φ1mm
漆包铜线，内部直径10mm的2Turns
L2 :
Φ1mm
漆包铜线，内部直径10mm的2Turns
RFC ：
Φ1mm
漆包铜线，内部直径5毫米， 2Turns
R07DS0286EJ0800 Rev.8.00
2011年3月28日
第3 9
BB504M
900 MHz功率增益，噪声系数测试电路
V
G1
V
G2
C4
C5
V
D
C6
初步
R1
R2
C3
G2
R3
D
L3
RFC
产量
L4
输入
L1
L2
G1
S
C1
C2
C1, C2
C3
C4至C6
R1
R2
R3
:
:
:
:
:
:
可变电容（ 10pF的MAX）
磁盘电容（ 1000pF的）
空气电容（ 1000pF的）
120 kΩ
47 kΩ
4.7 kΩ
L1:
10
10
L2:
26
3
3
（ φ1mm铜线）
单位：mm
8
21
L4:
29
10
7
7
10
L3:
18
RFC ：
Φ1mm
铜线直径6毫米内搪瓷4turns
R07DS0286EJ0800 Rev.8.00
2011年3月28日
第4页第9
BB504M
最大信道功率
耗散曲线
初步
典型的输出特性
20
82
k
0k
Ω
0
120
k
Ω
k
Ω
Ω
信道功率耗散P沟道（MW ）
200
R
12
8
50
4
0
50
100
150
200
0
1
2
3
4
15
100
10
150
漏电流I
D
（MA ）
G
16
=6
V
G2S
= 4 V
V
G1
= V
DS
8k
Ω
k
Ω
0
18
Ω
0k
22
5
环境温度Ta （C ）
漏极至源极电压V
DS
(V)
漏电流与电压GATE1
正向转移导纳
与GATE1电压
正向转移导纳| Y
fs
| （女士）
20
V
DS
= 5 V
R
G
= 120 k
Ω
4V
30
V
DS
= 5 V
R
G
= 120 k
Ω
24 F = 1千赫
18
2V
4V
3V
漏电流I
D
（MA ）
16
12
3V
2V
8
12
4
V
G2S
= 1 V
6
V
G2S
= 1 V
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
GATE1电压V
G1
(V)
GATE1电压V
G1
(V)
功率增益主场迎战栅极电阻
40
4
噪声系数与栅极电阻
V
DS
= 5 V
V
G1
= 5 V
V
G2S
= 4 V
F = 200MHz的
功率增益PG （分贝）
噪声系数NF （ dB）的
100 200
500 1000
35
30
25
20
15
10
10
3
2
V
DS
= 5 V
V
G1
= 5 V
V
G2S
= 4 V
F = 200 MHz的
20
50
1
0
10
20
50
100 200
500 1000
门阻抗R
G
(kΩ)
门阻抗R
G
(kΩ)
R07DS0286EJ0800 Rev.8.00
2011年3月28日
第5 9
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